| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 탄소족 항균제 조성물 및 그 제조방법 | KR1020160121424 | 2016-09-22 | KR101804569B1 | 2017-12-05 | 조원일 |
| 개시된내용은탄소족항균제조성물및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는붕산, 물, 알콕시기및 카르복실기로이루어진그룹에서선택된하나이상으로표면개질된탄소족나노입자를포함하여이루어지는탄소족항균제조성물및 a) 0.5 나노미터이하의산화층이형성된탄소족나노입자를제조하는탄소족나노입자제조단계, b) 산화층이형성된탄소족나노입자에붕산수용액, 유기용매수용액, 알코올및 카르복실산으로이루어진그룹에서선택된하나이상을혼합하는치환물질혼합단계및 c) 상기 b) 치환물질혼합단계를통해제조된치환물질이혼합된혼합물에초음파를조사하는초음파조사단계로이루어지는탄소족항균제조성물의제조방법에관한것이다. 상기의탄소족항균제조성물및 그제조방법은우수한항균효과를나타내는항균제조성물을제공하며, 산화층이얇게형성된탄소족나노입자가사용되어분산제나별도의첨가제를사용할필요가없기때문에, 제조비용이저렴하며제조공정이간소화될뿐만아니라, 표면장력이낮아각종전자제품, 의류및 신발등과같은다양한제품에대한우수한도포력을나타낸다. | ||||||
| 22 | 조절 가능한 기공 크기를 갖는 나노입자의 자립 네트워크／스캐폴드 | KR1020117016411 | 2009-12-15 | KR101688882B1 | 2016-12-22 | 쿠마라스와미구루스와미; 샤르마카멘드라프라카쉬 |
| 본발명은 500nm 내지 1mm에서조절가능하게가변적인메쉬크기를갖고 0.5 내지 50%의입자부피분율(particle volume fraction)을갖는나노입자들의자립네트워크또는스캐폴드를개시한다. 상기네트워크는나노입자들, 규칙적인구조화된상을형성할수 있는계면활성제및 가교제를포함하고, 상기계면활성제는세척제거되어상기자립스캐폴드를남긴다. 본발명은또한상기자립스캐폴드의제조방법및 그것의용도를개시한다. | ||||||
| 23 | 오스테나이트 강 기지-나노 입자 복합체 및 이의 제조방법 | KR1020160124901 | 2016-09-28 | KR1020160115903A | 2016-10-06 | 최현주; 전종규; 남승진 |
| 오스테나이트강 기지-나노입자복합체및 상기오스테나이트강 기지-나노입자복합체의제조방법에관한것이다. | ||||||
| 24 | 상분리된 셀렌 텔루르화 납 나노입자의 합성방법 | KR1020150025240 | 2015-02-23 | KR1020160102763A | 2016-08-31 | 성윤모; 김민석 |
| 본발명은상분리된셀렌텔루르화납 나노입자를대량으로생산할수 있는상분리된셀렌텔루르화납 나노입자의합성방법에관한것이다. 본발명에따른상분리된셀렌텔루르화납 나노입자의합성방법은용매에납을포함하는용질을용해하여혼합액을제조하는단계와, 상기혼합액에셀레늄(Se)을공급하여셀렌화납(PbSe) 나노입자를합성하는단계와, 상기셀렌화납 나노입자가합성된혼합액에텔레늄(Te)을공급하여셀렌텔루르화납(PbSeTe) 나노입자를합성하는단계를포함한다. | ||||||
| 25 | 나노-마이크로 미스트를 이용한 나노입자 적층시스템 | KR1020150024504 | 2015-02-17 | KR101632829B1 | 2016-06-22 | 이현섭 |
| 본발명에따른나노-마이크로미스트를이용한나노입자적층시스템은, 솔벤트가포함된용액속에분산된나노입자를나노미스트형태로응집시키는나노미스트응집단계; 응집된나노미스트를용액공급부에서챔버로이동하는나노미스트이동단계; 웨이퍼에상기나노미스트이동단계에서이동된 나노미스트를적층시키는미스트적층단계; 적층된 미스트를웨이퍼의회전및 온도조절로웨이퍼상에나노입자를균일하게적층시키는균일화단계;를포함한다 | ||||||
| 26 | CNT-그래핀 복합소재 및 그 제조방법 | KR1020140159057 | 2014-11-14 | KR1020160057878A | 2016-05-24 | 박종관 |
| 본발명은 CNT-그래핀복합소재및 그제조방법관한것으로, 보다상세하게는탄소나노튜브의길이방향에대하여직교하는방향으로그래핀이결합된구조를형성함으로써, 기존길이방향의열전도를길이및 폭방향으로도열전도성및 전기전도성을향상시킬수 있는 CNT-그래핀복합소재및 그제조방법에관한것이다. | ||||||
| 27 | 양자점-폴리티오펜 하이브리드 나노구조체 및 이를 포함하는 광전지소자 | KR1020140158496 | 2014-11-14 | KR1020160057643A | 2016-05-24 | 이광섭; 전수민; 주진수; 한윤덕; 김상율; 김선달 |
| 본발명은양자점으로이루어진코어(core)층과파이공액결합구조의화합물로서폴리-3-헥실티오펜이외부(shell)층으로이루어진나노구조체및 이를제조하는방법에관한것이다. | ||||||
| 28 | 태양전지 광흡수층 제조용 CI(G)S 나노 입자의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 CI(G)S 나노 입자 | KR1020140152042 | 2014-11-04 | KR1020160052160A | 2016-05-12 | 이연수 |
| 본발명은, 태양전지의광흡수층을형성하는 CI(G)S 나노입자를제조하는방법으로서,(i) 황(S), 또는셀레늄(Se), 또는황(S) 및셀레늄(Se)을포함하는화합물로이루어진군에서선택되는 1종이상의 VI족소스를제 1 용매에분산시켜제 1 용액을준비하고, 구리(Cu)염을제 1 용매에분산시켜제 2 용액을준비하는과정; (ii) 제 1 용액과제 2 용액을혼합하고반응시켜시드(seed) 입자를합성한후, 제 1 용매로부터분리하는과정;(iii) 상기분리된시드입자를, 인듐(In)염, VI족소스및 첨가제와함께제 2 용매에분산시켜제 3 용액을준비하는과정; 및(iv) 제 3 용액을반응시켜 CI(G)S 나노입자를합성한후 정제하는과정;을포함하는것을특징으로하는 CI(G)S 나노입자의제조방법및 이방법에의해제조된 CI(G)S 나노입자에관한것이다. | ||||||
| 29 | 태양전지 광흡수층 제조용 구리 칼코게나이드 나노 입자 및 이의 제조방법 | KR1020140151991 | 2014-11-04 | KR1020160052140A | 2016-05-12 | 이연수 |
| 본발명은태양전지의광흡수층을형성하는구리칼코게나이드나노입자로서, 상기나노입자의크기는 0.05 ㎛이상내지 2.0 ㎛이하의범위이며, 상기나노입자는하기화학식 1으로나타내지는것을특징으로하는구리칼코게나이드나노입자및 상기입자를합성하는과정에서용매로물을사용하고, 첨가제를이용하는것을특징으로하는구리칼코게나이드나노입자의제조방법에관한것이다. CuSSe(1) 상기식에서, 0≤x≤0.25; y는 0 또는 1이다. | ||||||
| 30 | 연속식 공정을 이용한 비스무스 텔루라이드 나노입자 제조 방법 및 비스무스 텔루라이드 나노입자 | KR1020140105108 | 2014-08-13 | KR1020160020139A | 2016-02-23 | 김현희; 인준호; 최재훈 |
| 본발명은연속식공정을이용한비스무스텔루라이드(Bismuth Telluride; BiTe) 나노입자제조방법및 비스무스텔루라이드나노입자에관한것이다. | ||||||
| 31 | 나노 입자 성장장치 및 나노 입자 성장방법 | KR1020140094977 | 2014-07-25 | KR1020160013467A | 2016-02-04 | 한방우; 김학준; 우창규; 김용진; 김한석 |
| 본발명은나노입자를고효율로성장시킬수 있는나노입자성장장치및 나노입자성장방법에관한것으로, 나노입자를제공받으며, 내부에서상기나노입자와증기화된용매를혼합시켜입자-용매혼합물을형성하는용매혼합부; 상기용매혼합부로부터입자-용매혼합물을제공받으며, 상기입자-용매혼합물을냉각시켜응축시키는냉각부; 상기냉각부로부터상기응축된입자-용매혼합물의일부를제공받아양극또는음극중 어느하나의극성으로대전시키는제1 대전부; 상기냉각부로부터상기제1 대전부측으로제공되지않은상기응축된입자-용매혼합물을제공받아양극또는음극중 다른하나의극성으로대전시키는제2 대전부; 상기제1 대전부및 상기제2 대전부로부터각각상기양극또는음극으로대전된입자-용매혼합물을제공받으며, 상기양극또는음극으로대전된입자-용매혼합물을전기적인력에의해결합시켜성장시키는혼합부;를포함하는나노입자성장장치가제공된다. | ||||||
| 32 | 이종 나노 입자 성장장치 및 이종 나노 입자 성장방법 | KR1020140094974 | 2014-07-25 | KR1020160013466A | 2016-02-04 | 한방우; 김학준; 우창규; 김용진; 김한석 |
| 본발명은쉽고간단한방법으로균질한나노입자혼합물을형성할수 있는나노입자혼합물제조장치및 나노입자혼합물제조방법에관한것으로, 복수개의나노입자를제공받으며, 상기복수개의나노입자들을각각증기화된용매와혼합시켜입자-용매혼합물을형성하는용매혼합부; 상기용매혼합부로부터상기입자-용매혼합물을제공받으며, 상기입자-용매혼합물을냉각시켜응축시키는냉각부; 상기냉각부로부터상기응축된입자-용매혼합물을제공받으며, 상기복수개의나노입자중 어느하나의나노입자에대한입자-용매혼합물은상기복수개의나노입자중 다른하나의나노입자에대한입자-용매혼합물과는다른극성을가지도록상기응축된입자-용매혼합물을대전시키는대전부; 상기대전부로부터상기대전된입자-용매혼합물을제공받으며, 상기복수개의나노입자중 어느하나의나노입자에대한입자-용매혼합물과상기복수개의나노입자중 다른하나의나노입자에대한입자-용매혼합물을전기적인력에의해결합시켜성장시키는혼합부;를포함하는나노입자혼합물제조장치가제공된다. | ||||||
| 33 | 나노 물질 패턴의 제조방법 | KR1020140077599 | 2014-06-24 | KR1020160000563A | 2016-01-05 | 박세근; 김명수; 이진균; 정석헌 |
| 본발명은기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의패턴이형성된기판에나노물질이분산되어있는분산액을도포하는단계(단계 2); 및상기단계 2의기판에형성된과불소중합체패턴을제거하는단계(단계 3);를포함하는나노물질패턴의제조방법을제공한다. 본발명에따른나노물질패턴의제조방법은리프트-오프방법으로유기기판에삽입된나노물질패턴을제조함에있어서, 과불소중합체를사용하여나노물질패턴을형성하고난후의과불소중합체패턴을제거하는것이용이하며, 기판및 나노물질에손상을가하지않기때문에우수한나노물질패턴을형성할수 있다. | ||||||
| 34 | 대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이 제작 공정 | KR1020140070745 | 2014-06-11 | KR1020150142266A | 2015-12-22 | 이우; 신정호 |
| 본발명은하향식방식으로 GaAs 반도체나노선을제조하는방법에관한것으로, 메쉬형태의금속박막을대면적으로제작하는경제적인방법을통해만들어진금속박막을양극(anode)으로이용하여외부로부터전압및 전류를인가하여갈륨비소기판에정공(h)을주입시킴으로써습식에칭공정을지속적으로유도하여수직정렬된갈륨비소반도체나노선어레이를대면적으로제작하는방법과관련이있다. 얻어지는대면적의수직정렬된갈륨비소반도체나노선은태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드등 나노소자제작에응용될수 있다. 본발명에서갈륨비소반도체나노선의직경은금속박막의메쉬크기의제어를통해조절이가능하며, 나노선의길이는에칭시간, 인가전압및 인가전류제어를통해자유롭게조절될뿐 아니라다른 III-V 반도체나노선어레이의제조에응용될수 있다. | ||||||
| 35 | Ge 나노 입자의 크기 조절 방법, 크기 조절된 Ge 나노 입자의 제조 방법 및 이를 통해 제조된 Ge 나노 입자 | KR1020140067057 | 2014-06-02 | KR1020150139123A | 2015-12-11 | 김진영; 김성범; 김동석; 김가현 |
| 본발명은 Ge 나노입자의크기조절방법, 크기조절된 Ge 나노입자의제조방법및 이를통해제조된 Ge 나노입자에관한것으로, 더상세하게는 Ge 나노입자에산화제를처리하여 Ge 나노입자표면에산화물층을형성하고, 상기형성된산화물층을제거하는과정을포함하는 Ge 나노입자의크기조절방법, 상기크기조절된 Ge 나노입자의제조방법및 상기제조방법으로제조된 Ge 나노입자에관한것이다. 본발명에따르면, 구성재가쉽게이용가능하고, 사용되는시약및 공정이간단하며, 고수율로크기가조절이된 Ge 나노입자를얻을수 있다. | ||||||
| 36 | 나노 분말 제조 및 멀티 포집을 위한 효율 증대 설비 | KR1020140065198 | 2014-05-29 | KR1020150137399A | 2015-12-09 | 홍순일 |
| 본발명은내부에웨이퍼가안착되는스테이지가배치되는챔버와; 내부에플라즈마형성가스및 공정가스가유입되고, 상하를따라부피가불균일하게형성되는공정영역이상기챔버의내부와연결되도록상기챔버의상단에설치되는반응기와; 상기절연튜브를에워싸도록형성되며, 상기플라즈마를형성하기위한자장을형성하는플라즈마안테나부; 및상기챔버의하단으로부터연장되는배출관의다수위치에탈착가능하게설치되며, 상기입자를일정량포집하는멀티포집부를포함하는나노분말제조및 멀티포집을위한효율증대설비를제공한다. | ||||||
| 37 | 나노 물질 패턴의 제조방법 | KR1020140032052 | 2014-03-19 | KR1020150109514A | 2015-10-02 | 박세근; 이진균; 김명수; 정석현 |
| 본발명은기판상부에과불소중합체패턴을형성하는단계(단계 1); 상기단계 1의패턴이형성된기판에나노물질이분산되어있는분산액을도포하는단계(단계 2); 및상기단계 2의기판에형성된과불소중합체패턴을제거하는단계(단계 3);를포함하는나노물질패턴의제조방법을제공한다. 본발명에따른나노물질패턴의제조방법은리프트-오프방법으로나노물질패턴을제조함에있어서, 과불소중합체를사용하여나노물질패턴을형성하고난후의과불소중합체패턴을제거하는것이용이하며, 기판에손상을가하지않기때문에우수한나노물질패턴을형성할수 있다. | ||||||
| 38 | 알칼리 화학처리법을 이용한 타이타늄 산화물 나노로드 제조 방법 | KR1020140031696 | 2014-03-18 | KR1020150108987A | 2015-10-01 | 이광민; 유대흥 |
| 알칼리화학처리를이용하여타이타늄산화물나노로드를제조하는기술이개시된다. 이는 (a) 금속체를알칼리수용액에침지하여소정시간동안유지시키는알칼리화학처리단계와, (b) 알칼리화학처리된금속체를소정온도범위내에서열처리하는단계를포함한다. 여기서는금속체분말을이용하는대신, 금속체를그대로이용하고그를알칼리화학처리하여나노구조체를형성한다. 나노구조체가형성된금속체를적정한목표온도범위내에서열처리를수행하면균일한나노로드가생성된다. | ||||||
| 39 | Method for preparing synthesizing nano-particles using plasma | KR20150033956 | 2015-03-11 | KR101552175B1 | 2015-09-10 | JO WON IL |
| 본 발명은 플라즈마를 이용한 나노입자 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 원료가스와 육불화황(SF
6 ) 촉매가스의 혼합가스를 플라즈마 영역에서 반응시켜 나노입자를 제조하는 것을 특징으로 하는 플라즈마를 이용한 나노입자 제조방법에 관한 것으로, 촉매가스에 의해 나노입자의 생성수율이 향상되며, 특히 본 발명에 따른 플라즈마를 이용한 나노입자의 제조방법은 기존의 통상적인 플라즈마 장치를 사용하여 나노입자를 제조할 수 있는 것이 장점이다.
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| 40 | 전도성 조절이 가능한 금속 나노와이어의 제조방법 및 이로써 제조된 금속 나노와이어를 포함하는 잉크 조성물 및 투명 도전성 필름 | KR1020140018313 | 2014-02-18 | KR1020150097876A | 2015-08-27 | 문혜경; 김지석; 우상선; 안호진; 김병남 |
| 본 발명은 전도성 조절이 가능한 금속 나노와이어의 제조방법 및 이로써 제조된 금속 나노와이어를 포함하는 잉크 조성물 및 투명 도전성 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기존 폴리올(Polyol) 환원법에 근거하여 촉매 비율을 조절함으로써 직경 및 길이가 제어된 금속 나노와이어 성장을 유도할 수 있으며, 이 금속 나노와이어, 바인더 및 계면활성제를 포함하는 잉크 조성물을 포함하는 투명 전도성 필름에 관한 것이다. | ||||||
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