子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 一种形态可控柔性微纳米柱阵列的制造方法 | CN201610211929.8 | 2016-04-06 | CN105776129A | 2016-07-20 | 蒋维涛; 刘红忠; 雷彪; 陈邦道; 史永胜; 尹磊 |
| 一种形态可控柔性微纳米柱阵列的制造方法，先在基底表面涂覆水溶胶粘附层，然后在水溶胶粘附层上通过光刻工艺获取微纳米图形化的光刻胶，再在光刻胶表面通过刮涂法得到微纳米颗粒图形化，去除光刻胶，得到微纳米颗粒的图形化模板；将聚合物涂覆在衬底表面，然后对衬底进行预加热；将图形化模板表面的微纳米颗粒接触并嵌入聚合物；再提拉图形化模板，使聚合物被拉伸为微纳米柱阵列，然后对衬底加热使微纳米柱阵列固化；再加热图形化模板，使微纳米颗粒脱离水溶胶粘附层，得到顶端带有微纳米颗粒的微纳米柱阵列；最后将微纳米柱阵列顶端的微纳米颗粒去除，获得聚合物微纳米柱阵列，本发明具有操作简单、成本低、周期短的优点。 | ||||||
| 62 | 一种基于消除反射和双层P/N异质结的三维仿生复合材料及应用 | CN201511002798.4 | 2015-12-28 | CN105665013A | 2016-06-15 | 石刚; 何飞; 李赢; 倪才华; 王大伟; 迟力峰; 吕男 |
| 本发明涉及一种基于消除反射和双层P/N异质结的三维仿生复合材料,依以下方法制备：(1)首先用一定浓度的碱液，对硅片进行各向异性刻蚀，在其表面形成紧密排列的四方锥形貌；(2)然后将步骤(1)刻蚀后的硅片进行亲水处理，在其表面生长而二氧化钛晶种，并置于马弗炉内煅烧；(3)再将步骤(2)中所得到的表面具有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中，采用水热合成的方法在硅锥的侧壁上生长二氧化钛纳米棒；(4)最后在步骤(3)中得到的二氧化钛纳米棒上沉积聚苯胺纳米粒子。本发明所涉及的三维仿生复合材料兼具优异消反射和高效分离光生电荷的能力，可以应用到光催化、光电转化器件和太阳能电池等领域。 | ||||||
| 63 | 制备负载在载体上的中空金属纳米粒子的方法 | CN201380068504.0 | 2013-12-27 | CN104884198A | 2015-09-02 | 赵俊衍; 金相勋; 黃教贤; 金洸贤 |
| 本申请涉及一种制备负载在载体上的中空金属纳米粒子的方法。 | ||||||
| 64 | 采用超快速燃烧法的纳米电极材料合成方法及用该方法合成的纳米电极材料 | CN201180018939.5 | 2011-04-14 | CN102971249B | 2015-04-08 | 金在国; 金恩贞; 俞仁善; 林真燮 |
| 本发明涉及电极材料合成方法，尤其涉及采用超快速燃烧法，完全不需经过合成电极材料所需的反应产物热处理工艺及其它附加过程即清洁、过滤和烘干工艺，采用在几秒至几分钟内即可获得产物的超快速燃烧法的纳米电极材料合成方法及用该方法合成的纳米电极材料。 | ||||||
| 65 | 定位裁剪多壁碳纳米管的方法 | CN201410610638.7 | 2014-11-03 | CN104392902A | 2015-03-04 | 张余春; 赵尚骞; 梁文杰 |
| 本发明公开了一种定位裁剪多壁碳纳米管的方法。包括：将一个或多个多壁碳纳米管置于一基片上；在基片上形成一刻蚀用掩模，该刻蚀用掩模具有至少一个刻蚀窗口，每一刻蚀窗口分别对准并暴露出多个多壁碳纳米管中待裁剪的多壁碳纳米管的待裁剪部位；利用刻蚀工艺刻蚀去除待裁剪多壁碳纳米管的待裁剪部位处的一层或多层管壁。通过将多壁碳纳米管置于基片上，并在基片上形成至少一个刻蚀窗口的刻蚀用掩模，每一刻蚀窗口分别对准并暴露出多壁碳纳米管中的待裁剪部位，利用刻蚀工艺刻蚀去除待裁剪多壁碳纳米管裁剪部位处的一层或多层管壁。该方法实现了纳米尺度上多个碳纳米管的定位裁剪，操作工艺简单，可实现规模化生产。 | ||||||
| 66 | 一种基于电致发热效应的一维纳米材料的焊接方法 | CN201310571335.4 | 2013-11-13 | CN103624388A | 2014-03-12 | 金震 |
| 本发明公开了一种基于电致发热效应的一维纳米材料的焊接方法，其通过探针电极施加一定波形和大小的电压，将单根一维纳米材料焊接在带电极基底上。本发明通过一维纳米材料的电致发热，使基底上的导电膜与一维纳米材料结合部的局部互溶即可达到焊接的效果，且一维纳米材料与基底之间的结合强度大于50nN。本发明具有可精确选择控制一维纳米材料的焊接位置，焊点小、精确度高；不需引入其他的焊接材料，不会对样品造成污染，对纳电子学的发展起到关键的推动作用。 | ||||||
| 67 | 采用超快速燃烧法的纳米电极材料合成方法及用该方法合成的纳米电极材料 | CN201180018939.5 | 2011-04-14 | CN102971249A | 2013-03-13 | 金在国; 金恩贞; 俞仁善; 林真燮 |
| 本发明涉及电极材料合成方法，尤其涉及采用超快速燃烧法，完全不需经过合成电极材料所需的反应产物热处理工艺及其它附加过程即清洁、过滤和烘干工艺，采用在几秒至几分钟内即可获得产物的超快速燃烧法的纳米电极材料合成方法及用该方法合成的纳米电极材料。 | ||||||
| 68 | 改进的用于沉积的悬臂 | CN201180017979.8 | 2011-04-13 | CN102934027A | 2013-02-13 | 约瑟夫·S·弗拉加拉; R·罗杰·席勒; 谢尔盖·V·罗兹霍克 |
| 可以例如用围绕悬臂的尖端的凹入区来改进悬臂设计，该悬臂用于从悬臂的尖端图案化。一种用于印刷纳米观和微观图案的装置包括至少一个悬臂，该悬臂具有前表面、第一侧边缘、第二侧边缘、以及作为自由端的第一端和作为非自由端的第二端。该前表面包括：布置在第一悬臂侧边缘的至少一个第一侧壁和布置在与第一悬臂侧边缘相对的第二悬臂侧边缘的至少一个第二侧壁；至少一个通道，适用于保持流体，被布置在所述第一侧壁与第二侧壁之间，其中通道、第一侧壁和第二侧壁朝向悬臂的自由端延伸，但未抵达该自由端；以及基部区，具有由第一边缘、第二边缘以及悬臂的自由端、还有第一侧壁、第二侧壁和通道限定的边界，其中该基部区包括从悬臂的前表面向外延伸的尖端。可以获得对沉积的改进。包括生物分子的流体墨水可以被成功图案化。 | ||||||
| 69 | 用于制造三维纳米级结构的方法和装置 | CN200480035731.4 | 2004-12-01 | CN1890603B | 2011-07-13 | J·A·罗杰斯; S·全; J·朴 |
| 本发明提供用于在基片表面上制造3D结构和3D结构图案的方法和装置，所述图案包括3D结构的对称和不对称图案。本发明的方法提供了制造具有精确选定的物理尺度3D结构的方法，所述物理尺度包括从几十纳米到几千纳米的横向和竖向尺度。一方面，提供了采用这样的掩模元件的方法，所述掩模元件包括能够与被光加工的辐射敏感材料建立共形接触的适合的弹性体相位掩模。另一方面，对用于光加工的电磁辐射的时间和/或空间相干性进行选择，以制造具有纳米级部件的复杂结构，所述部件不遍布于所制造的结构的整个厚度延伸。 | ||||||
| 70 | 透明碳纳米管膜的制备方法 | CN200910142784.0 | 2009-05-22 | CN101585533B | 2011-05-04 | 姜开利; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种透明碳纳米管膜的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个碳纳米管基本平行于碳纳米管膜的表面；以及加热该碳纳米管膜，该碳纳米管膜中的部分碳纳米管被氧化，使该碳纳米管膜变薄。该方法制备的透明碳纳米管膜可应用于透明电极、薄膜晶体管、触摸屏等领域。 | ||||||
| 71 | 制造纳米结构的交叉结构 | CN200810172612.3 | 2008-11-04 | CN101645391B | 2011-04-06 | 洪承焄; 朴成英; 南宫宣 |
| 本发明提供制造诸如纳米线和碳纳米管的纳米结构的交叉结构的技术。在一个实施方案中，制造纳米结构的交叉结构的方法包括：提供衬底，图案化所述衬底上的第一掩模层，将第一纳米结构吸附到其中不存在第一掩模层的衬底的表面区域上，将第一掩模层从衬底移除，图案化其中吸附有第一纳米结构的衬底上的第二掩模层，和在衬底上有效制造纳米结构的交叉结构的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在第二掩模层的衬底的表面区域上。 | ||||||
| 72 | 碳纳米管绞线及其制备方法 | CN200910109047.0 | 2009-07-21 | CN101964229A | 2011-02-02 | 刘锴; 周睿风; 孙颖慧; 姜开利; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管绞线的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管，该多个碳纳米管的轴向基本沿同一方向延伸；沿碳纳米管的轴向施加两个相反外力作用于该至少一碳纳米管膜，使该至少一碳纳米管膜中至少部分的碳纳米管在该外力拉力的作用下沿碳纳米管轴向绷直；以及扭转该至少一碳纳米管膜，获得一碳纳米管绞线。本发明还涉及一碳纳米管绞线。 | ||||||
| 73 | Y-型枝化碳纳米管的制备方法 | CN200580004338.3 | 2005-02-04 | CN1918067B | 2011-01-26 | 金永男 |
| 本发明提供了Y-型枝化碳纳米管的制备方法及由此得到的产品：Y-型枝化碳纳米管。更具体地，本发明提供了包含以下步骤的Y-型枝化碳纳米管的生产方法：在碳纳米管载体上负载催化剂；预处理负载有催化剂的碳纳米管以使催化剂牢固地结合在碳纳米管的表面上；以及使用所得负载有催化剂的碳纳米管进行碳纳米管的合成反应。根据本发明的方法，在普通工艺条件下，通过利用传统设施，可以容易、简单和批量地制备各种形状的具有至少一个或多个Y-型连接的Y-型枝化碳纳米管。因此，本发明具有工业前景。本发明的Y-型枝化碳纳米管在电极材料、聚合物增强剂、晶体管和电化学产品方面具有很大的潜力。 | ||||||
| 74 | 纳米结构的分离 | CN200880122806.0 | 2008-11-21 | CN101910049A | 2010-12-08 | M·S·斯特拉诺; 金佑载 |
| 本发明总体上涉及基于密度差将一个或多个纳米结构群与一个或多个其它纳米结构群分离。可以将具有非常相似或相同纳米结构的总体混合物暴露到一组条件中，在该组条件下，一群纳米结构受到与其它群不同地影响，从而允许根据密度差进行分离。 | ||||||
| 75 | 一维纳米材料器件制造方法 | CN200510033908.3 | 2005-03-30 | CN1840465B | 2010-09-29 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一维纳米材料器件制造方法。该方法包括：提供多个导电体，其中各导电体分别具有一个待组装的末端；提供一个安装件，其具有一用于组装一维纳米材料的导电末端；提供一含有一维纳米材料的溶液；提供一种稳定剂，并将该稳定剂加入所述的含有一维纳米材料的溶液中；组装一维纳米材料，包括下列分步骤：使该安装件的导电末端与一导电体的待组装的末端相对并间隔一距离，对该两末端施加一交流电压，并使该两末端共同浸入该溶液中，直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间，使一维纳米材料从安装件的导电末端脱离，以得到一个装有一维纳米材料的导电体末端；对另一待组装的导电体重复上述组装一维纳米材料的步骤。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。 | ||||||
| 76 | 独立式静电掺杂碳纳米管器件及其制造方法 | CN200610004107.9 | 2006-02-20 | CN100592546C | 2010-02-24 | J·U·李 |
| 一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。 | ||||||
| 77 | 实时监视光学捕获的碳纳米管 | CN200580020536.9 | 2005-06-17 | CN100563905C | 2009-12-02 | 谈诗达; 张跃钢 |
| 本发明的一个实施例是一种监视碳纳米管(CNT)的技术。用激光束操纵流体中的碳纳米管(CNT)。沿着该CNT的轴对齐来自光源的照明光以产生来自该CNT的光学响应。根据上述光学响应使用光学传感器来监视该CNT。 | ||||||
| 78 | 金属纳米粒子复合膜的制造方法 | CN200480030173.2 | 2004-10-13 | CN100513461C | 2009-07-15 | 富田知志; 绳舟秀美; 赤松谦祐 |
| 本发明提供能够独立控制金属纳米粒子复合膜中的金属纳米粒子粒径和体积填充率的金属纳米粒子复合膜的制造方法。在本发明中，通过如下方式控制复合膜中的金属纳米粒子的体积填充率：(a)使用碱水溶液处理聚酰亚胺树脂膜，导入羧基，接着(b)与含有金属离子的溶液相接触，在树脂膜中掺入金属离子后，(c)通过在还原性气体中进行加热还原处理，制造在聚酰亚胺树脂膜中分散有金属纳米粒子的金属纳米粒子复合膜时，(c)通过在还原性气体中的加热还原处理调整在聚酰亚胺树脂膜中形成的纳米粒子分散层的厚度。 | ||||||
| 79 | 用于分离高纵横比分子结构的方法 | CN200780008320.X | 2007-03-07 | CN101400597A | 2009-04-01 | 埃斯科·卡宾耐; 大卫·冈萨雷斯; 艾伯特·纳斯布林; 大卫·布朗 |
| 一种用于移动高纵横比分子结构(HARMS)的方法，所述方法包括在含有一个或多个成束的或单个的HARM结构的分散体上施加力，其中所述力使基于一种或多种物理特征及/或性质的成束的和/或单个的HARM结构移动，以用于使成束的和单个的HARM结构基本上相互分离。 | ||||||
| 80 | 碳纳米管复合材料预制件及其制备方法 | CN200710076745.6 | 2007-08-31 | CN101376497A | 2009-03-04 | 郭海周; 戴风伟; 姚湲; 张长生; 刘长洪; 姜开利 |
| 本发明涉及一种碳纳米管复合材料预制件及其制备方法，该碳纳米管复合材料预制件包括一基片及一碳纳米管阵列形成于该基片，其中，该碳纳米管阵列远离基片的一端碳纳米管之间的间隙大于靠近基片的一端碳纳米管之间的间隙。该碳纳米管复合材料预制件的制备方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基片；将上述形成有碳纳米管阵列的基片置于一溶剂中一段时间；将上述基片取出后烘干处理，形成碳纳米管复合材料预制件。本发明所提供的碳纳米管复合材料预制件中碳纳米管之间具有较大的间隙，且制备方法工艺简单、成本低、周期短、易于实现。 | ||||||
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