1.一种制造纳米结构的交叉结构的方法，包括：
提供衬底；
图案化在所述衬底上的第一掩模层；
将第一纳米结构吸附到其中不存在所述第一掩模层的所述衬底的表面区域上；
将所述第一掩模层从所述衬底移除；
图案化在其上组装有所述第一纳米结构的所述衬底上的第二掩模层；和在对制造纳米结构的交叉结构有效的条件下，将第二纳米结构吸附到其中不存在所述第二掩模层的所述衬底的表面区域上。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一纳米结构是纳米线。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一纳米结构是碳纳米管。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二纳米结构是纳米线。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二纳米结构是碳纳米管。
6.根据权利要求1所述的方法，其中通过光刻法进行所述第一掩模层的图案化。
7.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一掩模层包含光刻胶材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一纳米结构的吸附步骤包括将所述图案化衬底置于包含所述第一纳米结构的溶液中。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述第一纳米结构的吸附步骤还包括对所述衬底施加电势。
10.根据权利要求1所述的方法，其中通过选自光刻法、蘸笔纳米光刻法和微接触印刷法中的分子图案化方法进行所述第二掩模层的图案化。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掩模层的图案化包括图案化疏水分子层。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二掩模层的图案化包括图案化自组装单分子层。
13.根据权利要求10所述的方法，其中通过光刻法进行所述第二掩模层的图案化。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第二掩模层的图案化包括：
图案化在其上组装有所述第一纳米结构的所述衬底上的光刻胶层；
在有效将第二掩模层沉积到其中不存在所述光刻胶层的所述衬底的表面区域上的条件下，将所述衬底置于包含用于所述第二掩模层的材料的溶液中；和将所述光刻胶层从所述衬底移除。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二掩模层的图案化还包括将所述衬底置于所述包含用于第二掩模层的材料的溶液中之前，用无水物质漂洗所述衬底。
16.根据权利要求14所述的方法，其中利用小于10分钟的烘烤时间来进行所述光刻胶层的图案化。
17.根据权利要求14所述的方法，其中所述衬底的放置包括将所述衬底置于包含选自
1-十八烷硫醇和十八烷基三氯硅烷中的化合物的溶液中。
18.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二纳米结构的吸附步骤包括将所述图案化衬底置于包含所述第二纳米结构的溶液中。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述第二纳米结构的吸附步骤还包括对所述衬底施加电势。