子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 实时监视光学捕获的碳纳米管 | CN200580020536.9 | 2005-06-17 | CN101018640A | 2007-08-15 | 谈诗达; 张跃钢 |
| 本发明的一个实施例是一种监视碳纳米管(CNT)的技术。用激光束操纵流体中的碳纳米管(CNT)。沿着该CNT的轴对齐来自光源的照明光以产生来自该CNT的光学响应。根据上述光学响应使用光学传感器来监视该CNT。 | ||||||
| 142 | 纳米镊子和纳米机械手 | CN01800473.3 | 2001-03-08 | CN1315623C | 2007-05-16 | 中山喜万; 秋田成司; 原田昭雄; 大川隆 |
| 静电方式的纳米镊子2的特征在于：由在棱锥部6固定地凸设基端部的多个纳米管、对这些纳米管表面进行绝缘覆盖的涂覆被膜、及连接于其中2根纳米管8、9的导线10、10构成，通过在该导线间加电压，可由静电引力使上述2根纳米管的前端间自由开闭，在其间把持纳米物质。另外，如在纳米管9的表面形成压电膜32，使压电膜伸缩，可自由开闭上述纳米管的前端间，则不论是绝缘体、半导体、导电体，都可对任意的纳米物质进行处理。另外，如以静电方式自由开闭3根纳米管，则可处理球状、杆状等任意形状的纳米物质。另外，与3维驱动机构进行组合构成纳米机械手，可容易地进行纳米物质的把持、移动、放出。 | ||||||
| 143 | 碳纳米管阵列制作方法 | CN200510036148.1 | 2005-07-22 | CN1899958A | 2007-01-24 | 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管阵列制作方法，其步骤包括：提供一基底，在该基底上形成一遮挡层；提供一催化剂溅射源，配合遮挡层在基底上溅射出一具有厚度梯度的催化剂层，并且在所述厚度梯度范围内，有一处的厚度最接近一最佳厚度；去除遮挡层，退火处理所述催化剂层；通入碳源气，在上述处理后的催化剂层上生长碳纳米管阵列，该碳纳米管阵列向背离所述最佳厚度的方向弯曲生长。通过上述碳纳米管阵列制作方法可实现对碳纳米管阵列局部至少向一个方向弯曲生长的控制。 | ||||||
| 144 | 利用扫描探针显微镜针尖的方法及其产品或产品的制作方法 | CN00803987.9 | 2000-01-07 | CN1284719C | 2006-11-15 | 查德·A·米尔金; 理查德·皮纳; 升瀚·洪 |
| 一种具有涂复了疏水化合物的针尖的原子力显微镜(AFM)，其被称为“蘸水笔”纳米蚀刻(DPN)，用于将分子从原子力显微镜针尖(AFM)传送到金基质(AU)，以在该金基质(AU)上书写图形。 | ||||||
| 145 | 独立式静电掺杂碳纳米管器件及其制造方法 | CN200610004107.9 | 2006-02-20 | CN1838446A | 2006-09-27 | J·U·李 |
| 一种用于形成独立式静电掺杂碳纳米管器件的方法和相关联的结构。所述方法包括将碳纳米管设置在基底上以便具有独立部分。形成所述碳纳米管的独立部分的一种方式是去除所述基底的一部分。形成所述碳纳米管的独立部分的另一种方式是将一对金属电极设置在第一基底部分上、去除所述第一基底部分与所述金属电极接近的部分以及将第二基底部分一致地设置在所述第一基底部分上以形成沟槽。 | ||||||
| 146 | 纳米级分子阵列排布机 | CN01815771.8 | 2001-08-14 | CN1261745C | 2006-06-28 | 埃里克·亨德森; 柯蒂斯·莫舍 |
| 本发明是形成阵列的专用设备，形成的阵列包括由一种或多种材料组成的一个或多个点状区域。本发明可能包括一个X，Y控制器，一个X，Y平移台，一个载样基片，一个沉积基片，一个点样探针。计算机控制所有组件的相对位置。近一步，本发明使用湿度控制系统在探针和基片之间产生毛细桥，用于在载样基片、点样探针和沉积基片间传输沉积物。 | ||||||
| 147 | 构建纳米图形和纳米结构的操纵方法 | CN02110540.5 | 2002-01-11 | CN1159459C | 2004-07-28 | 胡钧; 哈特曼; 李民乾 |
| 一种构建纳米图形和纳米结构的操纵方法，该方法包括下列步骤：(1)用3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)处理基底表面，形成APTES基底表面；(2)APTES基底表面在高温下退火；(3)将生物大分子样品溶液滴加在APTES基底表面，利用二维分子梳技术将样品分子拉直，在APTES基底表面形成样品分子网络；(4)利用原子力显微镜(AFM)对样品分子进行成像；(5)根据纳米图形和纳米结构设计，对选定的样品分子图形进行选位；(6)用“逐线反馈纳米操纵技术”对样品分子进行纳米操纵，即利用原子力显微镜的探针对同一条线进行第二次扫描时，借助探针针尖对样品分子施力大小而进行切割或推的操纵，经过多次操纵获得由生物大分子构成的纳米图形和纳米结构。 | ||||||
| 148 | 纳米线交叉结构的制备方法以及由该方法制得的结构的应用 | CN03127566.4 | 2003-08-08 | CN1483662A | 2004-03-24 | J·维泽尔斯; W·E·福德; 安田章夫 |
| 本发明涉及纳米线交叉结构的制备方法，包括：(a)提供一基体；(b)在其上沉积包含具有等距的核酸－催化剂结合位置的核酸－嵌段共聚物和为特定地结合至共聚物核酸部分上而官能化的至少一个催化剂纳米颗粒的复合结构；(c)将定向气流和/或交变电场施加至复合结构上；和(d)应用化学气相沉积技术。所述结构的用途以及通过所述方法或获得的结构。 | ||||||
| 149 | 纳米镊子和纳米机械手 | CN01800473.3 | 2001-03-08 | CN1364141A | 2002-08-14 | 中山喜万; 秋田成司; 原田昭雄; 大川隆 |
| 静电方式的纳米镊子2的特征在于:由在棱锥部6固定地凸设基端部的多个纳米管、对这些纳米管表面进行绝缘覆盖的涂覆被膜、及连接于其中2根纳米管8、9的导线10、10构成,通过在该导线间加电压,可由静电引力使上述2根纳米管的前端间自由开闭,在其间把持纳米物质。另外,如在纳米管9的表面形成压电膜32,使压电膜伸缩,可自由开闭上述纳米管的前端间,则不论是绝缘体、半导体、导电体,都可对任意的纳米物质进行处理。另外,如以静电方式自由开闭3根纳米管,则可处理球状、杆状等任意形状的纳米物质。另外,与3维驱动机构进行组合构成纳米机械手,可容易地进行纳米物质的把持、移动、放出。 | ||||||
| 150 | 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法 | CN01113645.6 | 2001-05-28 | CN1318509A | 2001-10-24 | 顾宁; 廖建辉; 张海黔 |
| 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法是一种制造纳米器件和电路的方法,制造的方法为:①基片清洁度、粗糙度的预处理;②在基片表面分子自组装双功能分子薄层,该双功能分子一端的功能基团通过化学键合与基片表面预处理后的功能基团牢固结合;③通过SFM微探针将其携带的纳米微粒“墨水”描画于双功能分子薄层上面,使纳米微粒“墨水”与双功能分子的另一端键合;④去除表面的非“墨水”定义结构。 | ||||||
| 151 | 用于捕获离子的接收装置 | CN99803184.4 | 1999-01-05 | CN1291350A | 2001-04-11 | D·D·蒙哥马利 |
| 本发明提供一种“接收”结构,用于减少或防止离子或带电分子对集成电路的污染。该“接收”结构可通过积极或消极的方式起作用,减少集成电路内的离子,从而延长电路的寿命。 | ||||||
| 152 | 用于光电应用的亲和基自组装系统及其装置 | CN97181687.5 | 1997-11-26 | CN1287689A | 2001-03-14 | 麦克尔·J·海勒; 杰夫瑞·M·凯布尔; 赛迪尔·C·埃塞内尔 |
| 本发明涉及使用可编程功能化自组装核酸、核酸修饰结构及其他选择性亲和力或结合部分作为结构单元的技术。本发明是一种制备微米级和纳米级装置的方法,包括以下步骤:在第一支承体上制备第一部件,从该第一支承体释放至少一个第一构成装置,将该第一构成装置传送至一种第二支承体,且将该第一部件附着至该第二支承体上。本发明也提供在一个电场中定位一种结构、反应亲和基序列,且通过光活化作用组装生色团结构。 | ||||||
| 153 | 表面亚微米处理方法及设备 | CN89107454.6 | 1989-09-18 | CN1041468A | 1990-04-18 | 埃弗特·简·范洛恩伦 |
| 叙述了亚微米级表面变形的方法和设备，例如用于记录信息的目的。在扫描该表面期间，扫描隧道显微镜的尖端(14)由受控于尖端与表面间隧道电流的负反馈控制回路(18)保持于距离表面一恒定距离上，以及，为了在表面(15)上形成凹坑(21)，将控制回路去激励，并由一控制电压(Vpz)激励尖端高度驱动件(8)，该控制电压作为时间函数而增长并有预定终值，以使尖端下降而进入该材料。 | ||||||
| 154 | 一种基于消除反射和双层P/N异质结的三维仿生复合材料及应用 | CN201511002798.4 | 2015-12-28 | CN105665013B | 2017-12-26 | 石刚; 何飞; 李赢; 倪才华; 王大伟; 迟力峰; 吕男 |
| 本发明涉及一种基于消除反射和双层P/N异质结的三维仿生复合材料,依以下方法制备：(1)首先用一定浓度的碱液，对硅片进行各向异性刻蚀，在其表面形成紧密排列的四方锥形貌；(2)然后将步骤(1)刻蚀后的硅片进行亲水处理，在其表面生长而二氧化钛晶种，并置于马弗炉内煅烧；(3)再将步骤(2)中所得到的表面具有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中，采用水热合成的方法在硅锥的侧壁上生长二氧化钛纳米棒；(4)最后在步骤(3)中得到的二氧化钛纳米棒上沉积聚苯胺纳米粒子。本发明所涉及的三维仿生复合材料兼具优异消反射和高效分离光生电荷的能力，可以应用到光催化、光电转化器件和太阳能电池等领域。 | ||||||
| 155 | 在平面或曲面上形成纳米凹凸结构的方法 | CN201710469398.7 | 2017-06-20 | CN107416765A | 2017-12-01 | 唐建新; 许瑞鹏; 郑嘉伟; 李梦妮; 李艳青 |
| 本发明涉及一种在平面或曲面上形成纳米凹凸结构的方法，包括以下步骤：将聚苯乙烯微球通过气液界面自组装法形成单分子膜；利用垂直提拉法，将单分子膜转移到基底上，然后刻蚀单分子膜，使单分子膜中的聚苯乙烯微球尺寸变小，形成基底暴露部分；继续刻蚀基底暴露部分，形成纳米凹凸结构。采用本发明的方法，可以对刚性平面或柔性曲面进行处理，制备工艺简单、可控性高、成本低，在制备具有微纳结构的光学器件、传感器、光伏器件、发光器件等领域有广阔的应用前景。 | ||||||
| 156 | 一种实现金属纳米材料转移的方法 | CN201710570972.8 | 2017-07-13 | CN107352506A | 2017-11-17 | 何微微; 刘秋新; 鄢小虎; 龙一飞; 梁宇鸣; 潘婵; 赵军丽 |
| 本发明公开了一种实现金属纳米材料转移的方法，包括：将一个亲水处理后的空白衬底覆盖于承载有金属纳米材料的衬底上，使金属纳米材料夹在这两个衬底之间，从而得到叠放在一起的两个衬底；在所述叠放在一起的两个衬底上施加使这两个衬底贴合更紧的压力，在卸压后将这两个衬底分离，从而即实现金属纳米材料的转移。本发明不仅成本低、操作简单，而且填补了纳米材料微加工技术的空白，适用于卷对卷批量生产。 | ||||||
| 157 | 制备负载在载体上的中空金属纳米粒子的方法 | CN201380068504.0 | 2013-12-27 | CN104884198B | 2017-11-17 | 赵俊衍; 金相勋; 黃教贤; 金洸贤 |
| 本申请涉及一种制备负载在载体上的中空金属纳米粒子的方法。 | ||||||
| 158 | 具有可控空隙尺寸的自支撑的纳米微粒网络/骨架 | CN200980150549.6 | 2009-12-15 | CN102245528B | 2017-10-20 | G·库玛拉斯瓦米; K·P·沙玛 |
| 本发明公开了具有500nm至1mm的可控变化的目径、具有0.5至50％的微粒体积分数的纳米微粒的自支撑网络或骨架。该网络包含纳米微粒、能够形成有序结构化的相的表面活性剂和交联剂，其中表面活性剂被洗去以留下自支撑的骨架。本发明还公开了制备自支撑的骨架的方法及其用途。 | ||||||
| 159 | 一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法 | CN201710377563.6 | 2017-05-25 | CN107244649A | 2017-10-13 | 高兴森; 田国 |
| 本发明涉及一种一步模板法制备有序铁电纳米点阵列的方法，其包括以下步骤：S1：采用脉冲激光沉积法在衬底上沉积高性能外延铁电薄膜；S2：转移单层PS小球至铁电薄膜表面作为掩模板；S3：将附有掩模板的衬底用氧等离子体刻蚀处理，得到待刻蚀样品；S4：将所述待刻蚀样品置于离子束刻蚀机中进行刻蚀；S5：去除残留的单层PS小球掩模板，得到有序的铁电纳米点阵列。该制备方法简单、模板清除方便，且制得的铁电纳米点保存了铁电薄膜优异的外延性和铁电性，适合大面积制备。 | ||||||
| 160 | 二维有序的金和ITO复合纳米阵列及其制备方法 | CN201710272663.2 | 2017-04-24 | CN107089642A | 2017-08-25 | 张龙; 白正元; 陶桂菊 |
| 一种二维有序的金和ITO复合纳米阵列及其制备方法，该二维有序的金和ITO复合纳米阵列是由多个空心ITO纳米半球壳及附着在各个ITO纳米半球壳正上方的金纳米颗粒按照规则六角密排结构有序排布而成的复合纳米结构；其制备方法包括：将聚苯乙烯纳米球通过旋涂法在石英片上排列形成单层的二维六角密排结构模板；将一定厚度的ITO和金薄膜依次均匀沉积在聚苯乙烯纳米球模板上方；将样品放置于电阻炉中进行高温退火处理，自然冷却后便可得到二维有序的金和ITO复合纳米阵列。本发明提供的方法，不仅能够获得厘米量级的大面积二维有序的金和ITO复合纳米阵列，且具有工艺简单，容易操作，成本较低等优点。 | ||||||
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