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| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 61 | 碳类精细结构物群、碳类精细结构物聚集物、其利用以及其制造方法 | CN200580011586.0 | 2005-04-19 | CN1960943A | 2007-05-09 | 中山喜万; 野坂俊纪; 末金皇; 长坂岳志; 后藤俊树; 土屋宏之; 盐野启祐 |
| 本发明提供具有由强相互作用而互相吸引的状态的多个碳类精细结构物聚集而成的聚集物，其长度为能够提高操作性和加工性的程度的长度。本发明的碳类精细结构物聚集物为多个碳类精细结构物聚集而成的聚集物，其各碳类精细结构物以相同的方向取向。 | ||||||
| 62 | 用于光电应用的亲和基自组装系统及其装置 | CN97181687.5 | 1997-11-26 | CN1278418C | 2006-10-04 | 麦克尔·J·海勒; 杰夫瑞·M·凯布尔; 赛迪克·C·埃塞内尔 |
| 本发明提供了用于功能化可编程核酸、核酸修饰结构及其他选择性亲和或结合部分作为结构单元的电场辅助自组装的方法和装置。本发明提供了一种制备微米级和纳米级装置的方法，包括以下步骤：在第一支承体上制备第一构成装置，从该第一支承体释放至少一个第一构成装置，将该第一构成装置传送至一种第二支承体，且将该第一部件附着至该第二支承体上。本发明也提供了一种制备2维和3维的分子级，纳米级和微米级结构的方法。 | ||||||
| 63 | 碳纳米管组装方法和碳纳米管器件 | CN200510033605.1 | 2005-03-10 | CN1830753A | 2006-09-13 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管组装方法和碳纳米管器件。该碳纳米管组装方法包括：提供两个相对的导电体，使其相对的两末端共同浸入同一含碳纳米管的溶液中；对该两导电体施加一交流电压，以使至少一碳纳米管组装至该两末端之间。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。还提供有该组装方法制成的碳纳米管器件，其可用作微型传感器。 | ||||||
| 64 | 制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法 | CN200410036842.9 | 2004-04-21 | CN1540714A | 2004-10-27 | 柳寅儆; 郑守桓; 徐顺爱; 金仁淑 |
| 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。 | ||||||
| 65 | 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法 | CN01113645.6 | 2001-05-28 | CN1139535C | 2004-02-25 | 顾宁; 廖建辉; 张海黔 |
| 用探针转移微粒制造纳米线结构的方法是一种制造纳米器件和电路的方法，制造的方法为：①基片清洁度、粗糙度的预处理；②在基片表面分子自组装双功能分子薄层，该双功能分子一端的功能基团通过化学键合与基片表面预处理后的功能基团牢固结合；③通过扫描探针显微镜微探针将其携带的纳米微粒“墨水”描画于双功能分子薄层上面，描画定义出一定的结构，如线条，使纳米微粒“墨水”与双功能分子的另一端键合；④去除表面的非“墨水”定义结构。 | ||||||
| 66 | 纳米级分子阵列排布机 | CN01815771.8 | 2001-08-14 | CN1459022A | 2003-11-26 | 埃里克·亨德森; 阿蒂斯·莫舍 |
| 本发明是形成阵列的专用设备，形成的阵列包括由一种或多种材料组成的一个或多个点状区域。本发明可能包括一个X，Y控制器，一个X，Y平移台，一个载样基片，一个沉积基片，一个点样探针。计算机控制所有组件的相对位置。近一步，本发明使用湿度控制系统在探针和基片之间产生毛细桥，用于在载样基片、点样探针和沉积基片间传输沉积物。 | ||||||
| 67 | 构建纳米图形和纳米结构的操纵方法 | CN02110540.5 | 2002-01-11 | CN1431316A | 2003-07-23 | 胡钧; 哈特曼; 李民乾 |
| 一种构建纳米图形和纳米结构的操纵方法，该方法包括下列步骤：(1)用3－氨基丙基三乙氧基硅烷(APTES)处理基底表面，形成APTES基底表面；(2)APTES基底表面在高温下退火；(3)将生物大分子样品溶液滴加在APTES基底表面，利用二维分子梳技术将样品分子拉直，在APTES基底表面形成样品分子网络；(4)利用原子力显微镜(AFM)对样品分子进行成像；(5)根据纳米图形和纳米结构设计，对选定的样品分子图形进行选位；(6)用“逐线反馈纳米操纵技术”对样品分子进行纳米操纵，即利用原子力显微镜的探针对同一条线进行第二次扫描时，借助探针针尖对样品分子施力大小而进行切割或推的操纵，经过多次操纵获得由生物大分子构成的纳米图形和纳米结构。 | ||||||
| 68 | 一种基于层级组装的硅-二氧化钛-聚吡咯三维仿生复合材料及应用 | CN201510994514.8 | 2015-12-28 | CN105618153B | 2017-12-26 | 石刚; 李赢; 倪才华; 王大伟; 何飞; 迟力峰; 吕男 |
| 本发明涉及一种基于层级组装的硅‑二氧化钛‑聚吡咯三维仿生复合材料,依以下方法制备：(1)首先用一定浓度的碱液，对硅片进行各向异性刻蚀，在其表面形成紧密排列的四方锥形貌；(2)然后将步骤(1)刻蚀后的硅片进行亲水处理，在其表面生长二氧化钛晶种，并置于马弗炉内煅烧；(3)再将步骤(2)中所得到的表面具有二氧化钛晶种的硅片置于反应釜中，采用水热法在硅锥的侧壁上生长二氧化钛纳米棒；(4)最后在步骤(3)中得到的二氧化钛纳米棒上沉积聚吡咯纳米粒子。本发明所涉及的三维仿生复合材料兼具优异消反射和高效分离光生电荷的能力，可以应用到光催化、光电转化器件和太阳能电池等领域。 | ||||||
| 69 | 纳米晶体的合成、盖帽和分散 | CN201710217940.X | 2011-10-26 | CN107416764A | 2017-12-01 | 泽赫拉·塞尔皮尔·戈嫩威廉斯; Y·J·王; 罗伯特·J·威塞克; X·白; L·F·郭; 塞琳娜·I·托马斯; W·徐; J·徐 |
| 本发明描述了半导体纳米晶体和它们在溶剂和其他介质中的分散体的制备。在此所描述的纳米晶体具有小的(1-10nm)颗粒尺寸和最少的聚集，可高产量地合成。在所合成的纳米晶体以及经受了帽子交换反应的纳米晶体上的盖帽剂可导致在极性和非极性溶剂中的稳定的悬浮液的形成，之后所述悬浮液可导致高质量的纳米复合物膜的形成。 | ||||||
| 70 | 一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法 | CN201710570953.5 | 2017-07-13 | CN107352505A | 2017-11-17 | 佘广为; 张韶阳; 师文生 |
| 本发明公开了一种制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法，将经氢氟酸溶液处理的Si纳米线阵列置于二价铜离子水溶液中，调节溶液的pH值，得到Si-Cu2O异质结纳米线阵列。本发明通过HF处理在Si纳米线表面形成Si-H键，利用Si纳米线表面Si-H键的还原性，在适当条件下将水溶液中的Cu2+还原生成Cu2O，从而得到Si和Cu2O之间无氧化硅层的Si-Cu2O异质结纳米线阵列。该制备Si-Cu2O异质结纳米线阵列的方法工艺简单，成本低廉，并有望发展成一种通用的制备Si-氧化物半导体异质结的方法。 | ||||||
| 71 | 一种基于光热效应的纳米键合系统和方法 | CN201710300015.3 | 2017-04-28 | CN107240557A | 2017-10-10 | 卢锦胜; 李强; 仇旻 |
| 本发明公开一种基于光热效应的纳米键合系统，包括衬底，设置在衬底上的至少一块金属电极；金属电极上放置有待融合的纳米线；还包括设置在衬底上方的激光光源，以及将激光汇聚在纳米线与金属电极接触位点处的透镜。本发明还公开一种基于光热效应的纳米键合方法，将纳米线放置在金属电极上，利用透镜将激光汇聚为亚微米级的光斑点，并使激光汇聚点定位于纳米线与金属电极接触位置，通过光热效应，使纳米线和金属电极熔接在一起。本发明通过激光光热键合，一方面可以利用光热效应去除纳米线表面的有机物，使得纳米线和金属电极有效贴合，另一方面由于纳米线和金属电极熔合在一起，因而可以形成非常好的物理连接，力学特性优良，连接稳定可靠。 | ||||||
| 72 | 具有均匀且高纵横比的纳米间隙的柱阵列结构 | CN201580060722.9 | 2015-11-17 | CN107076763A | 2017-08-18 | J·T·史密斯; R·L·布鲁斯; Y·A·阿斯迪尔; 王超; B·H·万施 |
| 提供了涉及分选实体技术。入口被配置为接收流体，以及出口被配置为排出流体。连接到入口和出口的纳米柱阵列被配置为允许流体从入口流到出口。纳米柱阵列包括被布置为按大小分离实体的纳米柱。纳米柱被布置为具有将一个纳米柱与另一个纳米柱分离的间隙。间隙被构造为在纳米尺度范围中。 | ||||||
| 73 | 一种碳纳米管电场定向装置 | CN201710198863.8 | 2017-03-29 | CN106904572A | 2017-06-30 | 何燕; 高江姗 |
| 本发明提供一种可调节的碳纳米管定向装置，属于纳米材料定向领域。该碳纳米管定向装置主要由电极定位装置、电极定向装置、支撑装置组成。试验时可以实现不同电场强度下的碳纳米管定向，通过对上、下电极板之间距离的调节，来改变电场强度的大小，即碳纳米管受到的电场力的大小；若在电极接口连接变压器，可以增大电场强度的调节范围；可以实现直流电和交流电两种效果的定向。 | ||||||
| 74 | 一种团簇离子束纳米加工设备及其加工方法 | CN201611153306.6 | 2016-12-14 | CN106829855A | 2017-06-13 | 李应高; 杨光永 |
| 本发明提供了一种团簇离子束纳米加工设备，包括进料装置、分级负压发生器、主轴电机、压力腔、物料预处理单元、纳米团簇离子束单元、纳米团簇粒径实时检测单元、出料装置以及电气控制系统；还提供了一种团簇离子束纳米加工方法，包括对所述物料进行预处理，研磨成游离磨料；实时检测所述游离磨料粒径，当所述游离磨料达到亚微米级时，进行偏转、加速和对撞加工，分解成纳米团簇；实时检测所述纳米团簇粒径，满足设定条件时进行卸料。本发明通过实时检测纳米团簇粒径，保证了纳米团簇粒径的一致性和稳定性；采用游离磨料预处理和纳米团簇的能量束碰撞相结合的加工方式，保证纳米材料的粒径和纯度要求，最大限度地减少组份偏差和物相污染。 | ||||||
| 75 | 一种表面跨尺度功能微纳结构的制造方法 | CN201710017428.0 | 2017-01-11 | CN106744674A | 2017-05-31 | 曹生珠; 何延春; 张凯锋; 吴敢; 陈学康; 王瑞; 王虎; 王兰喜 |
| 本发明公开了一种表面跨尺度功能微纳结构的制造方法，该制造方法步骤包括：首先，采用毫秒脉冲激光扫描基体表面，加工出微米级结构图形；然后，采用飞秒脉冲激光扫描已加工出的微米级结构图形，从而在微米级结构图形表面诱导加工出纳米级结构图形。本发明采用毫秒脉冲激光刻蚀和和飞秒激光诱导相结合的结构表面微纳结构功能制造方法，可以完成表面微米级和纳米级功能微结构的跨尺度、高效、低成本制造，加工效率远高于半导体工艺，具有更好的应用前景。 | ||||||
| 76 | 垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件及其在探测乙醇中的应用 | CN201510820969.8 | 2015-11-23 | CN106744667A | 2017-05-31 | 秦玉香; 张晓娟; 崔梦阳; 刘雕; 胡明 |
| 本发明公开一种垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件及其在探测乙醇中的应用，氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列气敏元件包括：垂直定向的氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列和在该氧化钨/氧化铜异质结纳米线阵列上两个间距为1-2cm，大小为2mm*2mm，厚度为80-120nm的铂层；其中，所述氧化钨/氧化铜异质结纳米阵列由氧化钨/氧化铜异质结纳米线组成，氧化钨/氧化铜纳米线长度为900-1100nm，所述氧化钨纳米线的直径为17-24nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹厚度为5-15nm的氧化铜。该气敏元件能在较低温度下实现对乙醇气体的快速响应恢复，且稳定性好。 | ||||||
| 77 | 半导体输送部件和半导体载置部件 | CN201580044886.2 | 2015-08-18 | CN106663651A | 2017-05-10 | 前野洋平 |
| 本发明提供一种具有能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件的半导体输送部件。另外，本发明提供一种能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件。本发明的半导体输送部件具有输送基材和半导体载置部件，其特征在于：该半导体载置部件包含纤维状柱状结构体，该纤维状柱状结构体为具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体，该纤维状柱状物沿相对于该输送基材大致垂直的方向取向，该纤维状柱状结构体的与该输送基材相反的一侧的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为2.0以上。 | ||||||
| 78 | 半导体输送部件和半导体载置部件 | CN201580044887.7 | 2015-08-18 | CN106663650A | 2017-05-10 | 前野洋平 |
| 本发明提供一种具有能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件的半导体输送部件。另外，本发明提供一种能够表现出强的抓持力并且污染物难以附着残留于半导体侧的半导体载置部件。本发明的半导体输送部件具有输送基材和半导体载置部件，其特征在于：该半导体载置部件包含纤维状柱状结构体，该纤维状柱状结构体为具备多个纤维状柱状物的纤维状柱状结构体，该纤维状柱状物沿相对于该输送基材大致垂直的方向取向，该纤维状柱状结构体的与该输送基材相反的一侧的表面相对于玻璃表面的静摩擦系数为2.0以上。 | ||||||
| 79 | 荧光播种的纳米棒的图案 | CN201580038293.5 | 2015-07-14 | CN106574182A | 2017-04-19 | 乌里·巴尼恩; 沙洛莫·马格达希; 沙伊·谢梅什; 希拉·哈里弗尼; 叶连娜·维内特斯基 |
| 本发明提供用于制造包含纳米棒、同时减少颗粒间相互作用的图案和物体的新颖的装置。 | ||||||
| 80 | 材料表面形态呈梯度变化的微纳米级结构阵列的制备方法 | CN201610843146.1 | 2016-09-23 | CN106395737A | 2017-02-15 | 张俊虎; 薛培宏; 崔占臣; 杨柏 |
| 一种利用等离子刻蚀机的垂直电场分布制备材料表面形态呈梯度变化的微纳米级结构阵列功能材料的方法，属于材料科学技术领域。本发明结合倾斜放置的样品和等离子刻蚀机的垂直电场在多种材料中引入梯度结构阵列，整个过程操作简便，通过调控刻蚀条件和基底材料的种类可以在多种材料(聚合物、氧化物、金属等)中引入形态可控的梯度结构。本发明步骤简单，根据具体使用材料更换相应的刻蚀气体即可完成制备目的结构样品，实例中所制备的梯度微纳米级结构是二维尺度上的，其在微纳米级形态结构上是呈梯度变化的，通过在材料表面的后处理，可以更加灵活的应用。 | ||||||
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