子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | 纳米机电装置结构 | CN201611251353.4 | 2016-12-30 | CN107068639A | 2017-08-18 | 陈欣苹; 杨岱宜; 后藤贤一; 眭晓林; 卡罗斯·H·戴尔兹 |
| 本发明的实施例提供一种纳米机电装置结构，包括：基板，内连线结构形成于基板之上。纳米机电装置结构还包括：介电层形成于内连线结构之上，梁结构形成于介电层之中与之上，其中梁结构包括固定部分与可移动部分，固定部分沿着垂直方向延伸，且可移动部分沿着水平方向延伸。纳米机电装置结构尚包括：盖结构形成于介电层与梁结构之上；以及凹洞形成于梁结构与盖结构之间。 | ||||||
| 162 | 一种具有钢筋防腐，疏水双重功效保护膜的制备方法 | CN201710248819.3 | 2017-04-17 | CN106917087A | 2017-07-04 | 王增梅; 陆文敏 |
| 本发明提供了一种具有钢筋防腐，疏水双重功效保护膜的制备方法。这种特种膜具备双层结构：首先，采用电化学沉积法在钢筋表面镀上一层溶胶膜，然后采用气相沉积法在溶胶膜上沉积一层超疏水膜，在低温环境中静置1‑2天，即可获得高效的，集抗Cl‑、SO42‑侵蚀、防腐蚀、疏水多重功效于一体的保护膜。该方法工艺简单，操作简便，成本低廉，效果显著，为钢筋防腐提供了创新新思路。 | ||||||
| 163 | 用于形成具有预定形状的纳米颗粒的方法 | CN201280039538.2 | 2012-06-29 | CN103732529B | 2017-07-04 | 孙伟; 尹鹏 |
| 提供了用于形成具有独特和/或预定形状的纳米结构的物品和方法。该方法和物品可以涉及使用核酸容器作为结构模子。例如，预先设计的包括腔的核酸容器可以用于控制纳米颗粒的形状特异性生长。纳米颗粒在腔内的生长可以通过核酸容器的特定形状约束。在一些实施方案中，所得到的核酸‑纳米颗粒结构可以用于控制在纳米颗粒表面上的表面配体的定向和数目。表面配体的可寻址性可以用于形成更高级别的结构组件。 | ||||||
| 164 | 燃料电池及其制备方法 | CN201480040568.4 | 2014-10-31 | CN105377748B | 2017-06-13 | 金洸贤; 黃教贤; 金相勳; 赵俊衍 |
| 本申请涉及燃料电池及其制备方法。 | ||||||
| 165 | 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法 | CN201710062927.1 | 2017-01-23 | CN106783848A | 2017-05-31 | 杨涛; 季祥海; 杨晓光 |
| 本发明提供了一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法。异质结垂直纳米线阵列包括：Si(111)衬底；掩膜层，生长于Si(111)衬底上，掩膜层制备有纳米孔阵列；InAs(Sb)核纳米线层，由生长于Si(111)衬底上的InAs(Sb)核纳米线通过纳米孔阵列穿过掩膜层而形成；以及GaSb壳层，生长于InAs(Sb)核纳米线层上。本发明利用在掩膜层制备有纳米孔阵列，很容易实现对纳米线位置和密度的精确控制，易于后期纳米线器件的制备。 | ||||||
| 166 | 一种基于紫外臭氧的单晶硅表面纳米加工方法 | CN201611077168.8 | 2016-11-30 | CN106744671A | 2017-05-31 | 钱林茂; 汪红波; 蒋淑兰; 余丙军; 陈磊; 江亮 |
| 本发明公开了一种基于紫外臭氧的单晶硅表面纳米加工方法，该方法不但可以简单快速的在单晶硅样品形成一层致密且均匀的硅氧化物(SiOX)薄层，而且可以获得具有大量羟基(‑OH)的超亲水表面。结合扫描探针设备上的SiO2探针和摩擦化学的原理，可以在不引起单晶硅基底产生损伤的情况下，在单晶硅表面加工出各种纳米结构。 | ||||||
| 167 | 双层异质结构模具、制造方法及其在制备微纳米材料的应用 | CN201710139866.4 | 2017-03-10 | CN106744668A | 2017-05-31 | 董健; 金焱立; 龙芝剑; 孙笠; 董鹤 |
| 双层异质结构模具、制造方法及其在制备微纳米材料的应用，所述的模具包括硅衬板，所述的硅衬板的上表层沿硅衬板轴向分布多列微米级凹槽组，每列凹槽组包括若干等距排列的微米凹槽，相邻两列凹槽组轴向间距梯度渐增；整个硅衬板上表面分布纳米级孔，微米凹槽以及分布在微米凹槽表面的纳米级孔形成二级结构；所述的制造方法：采用化学方法刻蚀出特定的内凹正四棱台微米结构，利用多孔AAO膜在硅基底上间接产生均匀有序的内凹半球纳米结构。本发明的有益效果是：直接制造内凹正四棱台，制备简单、直接；纳米结构均匀、尺寸小和精度高；在模具上注入PDMS，通过简单处理即可得到特定的滴状冷凝且自集水微纳米材料，易于进行大规模生产；重复使用率高。 | ||||||
| 168 | 使碳纳米材料的表面官能化的方法 | CN201580048012.4 | 2015-09-16 | CN106660786A | 2017-05-10 | 胡晓; 陈学龙 |
| 本发明涉及一种采用空气中的氧气使碳纳米材料的表面官能化的方法。所述方法是清洁和环保的，几乎零化学制品使用和零废弃物产生。表面官能化的碳纳米材料在有机溶剂中的分散性是优异的。 | ||||||
| 169 | 金属纳米粒子 | CN201480032633.9 | 2014-06-03 | CN105307800B | 2017-05-03 | 金洸贤; 黃教贤; 金相勋; 赵俊衍 |
| 本申请涉及金属纳米粒子。 | ||||||
| 170 | 高成功率的碳纳米管单分子结制备方法 | CN201611182105.9 | 2016-12-14 | CN106586952A | 2017-04-26 | 向东; 王璐; 王玲; 赵智凯; 梅婷婷; 张天; 倪立发; 张伟强 |
| 本发明公开了一种精密拉伸碳纳米管的方法，并且利用碳纳米管为电极高效构建单分子结的方法和工艺流程。本发明是利用微纳加工相关技术和机械可控断裂结技术实现的。通过一系列微纳加工流程制作出稳固的单壁碳纳米管芯片，然后把单壁碳纳米管芯片置于三点弯曲装置上，不断弯曲芯片基板会使得单壁碳纳米管断裂，形成间隙可控的电极对，最后通过在间隙内添加有机分子来形成单壁碳纳米管单分子结。由于该方法可以精确调控间隙大小来匹配各种分子长度，所以可以实现单壁碳纳米管分子结的高产量生产，为实现高性能的分子器件奠定了基础，对于分子电子学的发展有着较高的参考价值。 | ||||||
| 171 | 利用激光的纳米粒子制备装置 | CN201580026886.X | 2015-10-15 | CN106457406A | 2017-02-22 | 曺元一 |
| 本发明涉及利用激光的纳米粒子制备装置，更详细地涉及具有如下特征的利用激光的纳米粒子制备装置：在保持氮气氛围的手套箱中阻断通过在反应室内向原料气体照射激光束而制备的纳米粒子接触空气和水分以防止纳米粒子氧化的同时，进行纳米粒子的回收。根据本发明的纳米粒子制备装置具有通过阻断待回收的纳米粒子接触空气和水分以防止纳米粒子氧化的方式有效地收集纳米粒子的效果。 | ||||||
| 172 | 纳米级柱状物林的制作方法 | CN201610977048.7 | 2016-10-28 | CN106430083A | 2017-02-22 | 卢马才 |
| 本发明提供一种纳米级柱状物林的制作方法，通过在衬底基板上依次形成第一无机物膜层与光阻层，利用惰性气体等离子体将所述第一无机物膜层上的部分无机物材料溅射转移至光阻层上，在光阻层上形成不连续的第二无机物膜层，然后利用所述不连续的第二无机物膜层作为掩膜，对所述光阻层进行等离子体刻蚀，即可在光阻层表面形成纳米级柱状物林。该方法无需微显影技术即可在光阻层上形成大面积的纳米级柱状物林，能够应用于显示面板的生产中并大幅度降低相关工艺的生产成本。 | ||||||
| 173 | 一种圆柱模具的制造方法 | CN201610896868.3 | 2016-10-14 | CN106430081A | 2017-02-22 | 秦歌; 李润清; 张明军; 周奎; 赵西梅; 宋旭东; 明平美; 银燕毅 |
| 本发明公开了一种圆柱模具的制造方法，其主要步骤如下：（1）在一基板上加工出微结构，制成平面模板（；2）在平面模板上浇注材料，翻制出柔性母版；（3）将柔性母版固定于一圆筒内表面，形成圆柱形柔性母版，对圆柱形柔性母版表面进行导电处理（；4）以导电的柔性母版为阴极，在电沉积槽中电铸一定时间后，剥离柔性母版表面沉积的圆弧状金属层；（5）将若干个圆弧状金属层拼接起来形成圆环形金属层；连接金属层之间的接缝形成一个圆环形金属层；（6）将圆环形金属层装配在一金属圆柱上，将高分子材料填充在圆环形金属层和金属圆柱间的间隙中，凝固后制成圆柱模具。采用这种方法制作的圆柱模具，工艺易实现、成本低且能够实现连续图形转移。 | ||||||
| 174 | 高稳定的纳米金探针功能复合物及其制备方法 | CN201610671361.8 | 2016-08-15 | CN106282344A | 2017-01-04 | 王建平 |
| 本发明涉及一种纳米金探针功能复合物及其制备方法，该纳米金探针功能复合物由纳米金颗粒、连接于纳米金颗粒表面的功能核酸探针以及稳定剂构成，所述稳定剂为含有巯基基团的有机分子；所述功能核酸探针具有以下结构：HS-(M)m-Q；HS为巯基基团；M为亚甲基、乙二醇基及其衍生物，m为1-18的整数；Q为核苷酸序列。所述纳米金探针功能复合物具备高稳定性，能够耐受强热循环和强机械冲击；具备强适用性，能够与各种酶反应液共存而不影响反应的正常进行。 | ||||||
| 175 | 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法 | CN201610645785.7 | 2016-08-09 | CN106219484A | 2016-12-14 | 文天龙; 李远鹏; 张怀武; 文歧业; 廖宇龙; 钟智勇 |
| 一种磁性各向异性可控的纳米颗粒自组装阵列的制备方法，属于纳米颗粒自组装领域。首先通过微细加工工艺在基片上形成阵列凹槽；然后将磁性纳米颗粒溶液滴加在凹槽内，盖上塑料片后，放入培养皿中；将装有基片的培养皿放入外磁场产生装置中，通过控制外磁场的方向和大小来控制纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性；待溶剂蒸发完后，取出基片。本发明纳米颗粒自组装阵列是通过将磁性纳米颗粒溶液滴加于阵列凹槽内，并在外磁场产生装置中蒸发溶剂后得到的，通过控制外磁场产生装置形成的磁场的大小和方向可调控纳米颗粒自组装阵列的磁晶各向异性的大小和易磁化轴方向，从而得到磁性各向异性显著且可控的纳米颗粒自组装阵列。 | ||||||
| 176 | 一种二维纳米碳片以及具有二维纳米碳片的电位器 | CN201610510299.4 | 2016-07-01 | CN106185796A | 2016-12-07 | 刘志; 潘猛; 张肖肖; 孙海辉; 李娟 |
| 本发明公开一种具有二维纳米碳片的电位器，包括：壳体、旋转轴、转动机构一、转动机构二、二维纳米碳片以及设置在二维纳米碳片上的三个碳片端子；壳体包括上壳体和下壳体；转动机构一、转动机构二、二维纳米碳片设置在上壳体和下壳体之间；轴杆的两个平行的平面分别与直边一、直边二相抵持，使旋转轴旋转带动转动机构一和转动机构二，调节电位器的阻值。本发明提供的具有二维纳米碳片的电位器，开关零件少，耐高温性能好，能在高温下不变形，避免了铆接在高温下易变形的不足。二维纳米碳片的电位器的导电性能优良。 | ||||||
| 177 | 碳纳米结构体的新型二级结构物、其集合束及包含其的复合材料 | CN201280030717.X | 2012-12-21 | CN103619755B | 2016-12-07 | 金成真; 金镇道; 姜京延; 尹载根 |
| 本发明涉及一种新型的碳纳米结构体二级结构物、其集合束及包含其的复合材料。本发明的二级结构物的特征在于，其通过多个碳纳米管CNS）整体或部分地组装成管形状而形成。本发明的新型的二级结构物、其集合束及包含其的复合材料高度适用于能源材料、功能性复合材料、电池、半导体等领域。 | ||||||
| 178 | 一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法 | CN201610541957.6 | 2016-07-11 | CN106082120A | 2016-11-09 | 景蔚萱; 周帆; 吴琼; 崔奇兵; 蒋庄德; 高伟卓; 徐志鹏 |
| 本发明公开了一种基于ZnO纳米管模板制备Ag纳米线的方法，包括作为基底的平面ITO导电玻璃，化学刻蚀的ZnO纳米管模板，在ZnO纳米管模板中电沉积的Ag纳米线。本发明首先在ITO导电玻璃上水浴生长ZnO纳米棒；其次用NaOH溶液溶解ZnO纳米棒的中心部位，形成ZnO纳米管；以上述ZnO纳米管为模板，采用循环伏安法在其空心结构中电沉积Ag纳米线；最后用高浓度的NaOH溶液溶解ZnO纳米管模板。该方法以ZnO纳米管取代常规的AAO模板，不仅可在任何形状的导电基底上电沉积Ag纳米线，也可通过调节ZnO纳米管的孔径和深度等参数制备尺寸和形貌可控的Pt和Cu等金属纳米阵列结构。 | ||||||
| 179 | 一种基于气体模版组装纳米材料的方法及其制品和应用 | CN201610416478.1 | 2016-06-14 | CN106082118A | 2016-11-09 | 黄占东; 李正; 苏萌; 宋延林 |
| 本发明涉及纳米材料领域，公开了一种基于气体模版组装纳米材料的方法，该方法包括如下步骤：1)制备表面具有图案化结构的基材；2)将所述表面具有图案化结构的基材和表面平整的基材分别作为下基底和上基底组成气泡生成体系；3)在所述气泡生成体系中填充含有微小气泡的纳米材料组装液，并通过微小气泡的融合，形成图案化二维气泡阵列；4)去除所述纳米材料组装液中的溶剂，纳米材料在上基底上以图案化二维气泡阵列为模板组装。该方法实现了以图案化二维气泡阵列为模板进行纳米材料的精确组装，简单快捷，可控性强，均一性好，制备成本低，便于大规模生产。 | ||||||
| 180 | 纳米结构的转移方法 | CN201410070781.1 | 2014-02-28 | CN104876177B | 2016-10-19 | 何宇俊; 李东琦; 李天一; 魏洋; 姜开利; 范守善 |
| 一种纳米结构的转移方法，包括以下步骤：提供一生长基底，该生长基底表面具有一纳米结构层；提供一粘胶层覆盖所述纳米结构层；通过移动所述粘胶层和所述生长基底中至少一个，使所述粘胶层远离所述生长基底，从而使所述纳米结构层与所述生长基底分离，至少部分纳米结构层从所述粘胶层暴露出来；提供一目标基底，将该粘胶层与所述目标基底层叠设置，使所述纳米结构层位于所述粘胶层与所述目标基底之间，并与所述目标基底接触设置；在所述粘胶层远离目标基底的表面设置一金属层；提供一有机溶剂，使该有机溶剂从所述粘胶层与纳米结构层接触的界面渗透使所述粘胶层分解；采用外力使所述粘胶层连同所述金属层与所述纳米结构层及目标基底分离。 | ||||||
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