子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 直径可变的金属折点纳米线阵列的制备方法及其线阵列 | CN201710641230.X | 2017-07-31 | CN107399716A | 2017-11-28 | 陈云; 陈新; 刘强; 高健; 高波 |
| 本发明公开了直径可变的金属折点纳米线阵列的制备方法及其线阵列，根据N级弯曲微孔的孔径大小要求，配制二氧化硅层包裹贵金属粒子的N级核-壳纳米球悬浮液，根据N级弯曲微孔的所需弯折角度配制N级刻蚀液，将步骤一中的所述预加工的工件放入N级刻蚀液中进行刻蚀，工件形成M级弯曲微孔，即在工件中形成阶梯弯曲孔阵列；在离心工作台的离心力作用下电镀液从所述阶梯弯曲孔阵列的底部沿弯折的孔道电镀目标金属，形成金属折点纳米线阵列。通过核-壳纳米球中外层的二氧化硅层厚度和内部的贵金属粒子粒径来控制弯曲阶梯孔的间距和孔径大小，形成更精细、可调弯折角的弯曲阶梯孔；采用离心电镀的方式，避免弯折处产生缺口，提高电镀成型率。 | ||||||
| 2 | 一种新型纳米银复合导电薄膜 | CN201611093695.8 | 2016-12-02 | CN106782771A | 2017-05-31 | 潘中海; 司荣美; 刘彩风 |
| 本发明是一种新型纳米银复合导电薄膜，包括基板，基板上间隔设有若干独立的纳米银电极，相邻纳米银电极之间形成电极间隙，基板上的电极间隙对应位置处分布有光散射粒子，所述光散射粒子为纳米银、纳米二氧化硅、纳米二氧化钛中一种或者几种，在以上纳米银电极、电极间隙处的光散射粒子层、基板的表层设有石墨烯层。本发明的有益效果是：本发明通过在电极间隙对应位置处设置光散射粒子，使得纳米银电极与电极间隙对应位置处雾度差值缩小到合理水平；石墨烯层的设置一方面使纳米银导电薄膜实现满版连续导电，一方面防止纳米银电极脱落、氧化。 | ||||||
| 3 | 纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法 | CN201610064798.5 | 2016-01-29 | CN105523521A | 2016-04-27 | 苏江滨; 朱贤方; 伊姆兰·汗 |
| 纳米线纵向同轴异质结构及其电子束聚焦辐照制备方法，涉及纳米线。所述纳米线纵向同轴异质结构中，单晶金纳米桥的两端紧密连接着非晶硅氧化物纳米线，单晶金纳米桥和非晶硅氧化物纳米线两者纵向同轴且轴向笔直，同时非晶硅氧化物纳米线表面均匀、分散地修饰着金纳米颗粒。首先在非晶硅氧化物纳米线表面沉积一层均匀、分散的金纳米颗粒，然后利用透射电镜高能电子束选择性聚焦辐照，诱导辐照区域内非晶硅氧化物纳米线材料优先融蒸和径向收缩，并引起纳米线表面金纳米颗粒出现聚集、纳米熟化、长大，最终形成单晶金纳米桥，从而获得单晶金纳米桥两端连接非晶硅氧化物纳米线的纵向同轴异质结构。具有很强的可控性。 | ||||||
| 4 | 燃料电池及其制备方法 | CN201480040568.4 | 2014-10-31 | CN105377748A | 2016-03-02 | 金洸贤; 黃教贤; 金相勳; 赵俊衍 |
| 本申请涉及燃料电池及其制备方法。 | ||||||
| 5 | 功能性分子元件、其制造方法以及功能性分子装置 | CN200980122879.4 | 2009-06-12 | CN102067350B | 2013-03-27 | 松居惠理子 |
| 电功能性分子(10)由彼此相对的由pSi(多晶硅)形成的电极(5，6)、以及分子阵列结构(7)构成，并且分子阵列结构由界面改性分子(2)和驱动部分子(1)形成，其中界面改性分子共价结合于电极(5，6)的表面以改性表面，驱动部分子(1)沿一个方向重复地堆叠在界面改性分子之间。界面改性分子包括侧链部分和具有π电子共轭体系的大致圆盘状骨架部分。形成骨架部分的表面被设置为大致平行于两个电极的表面，而侧链部分共价结合于两个电极的Si。驱动部分子是由在大致中心处具有锌离子的络合物构成功能性分子，而且具有π电子共轭体系，并且在施加电场后，其结构或取向变化，由此改变介电常数，换句话说改变导电性。界面改性分子、驱动部分子和相邻的驱动部分子通过分子间π-π堆叠而堆叠。 | ||||||
| 6 | 一维纳米材料器件的制造方法 | CN200510033943.5 | 2005-03-31 | CN100572260C | 2009-12-23 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一维纳米材料器件及其制造方法。该一维纳米材料器件的制造方法包括：提供一含有一维纳米材料的溶液；提供一种稳定剂，并将该稳定剂加入所述的含有一维纳米材料的溶液中；提供两个相对的导电体，并使其相对的两末端间隔一距离；对该两导电体施加一交流电压，并使该两末端共同浸入该溶液中，直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间；将所得到的由一维纳米材料组装在一起的两导电体末端分离，以得到至少一个装有一维纳米材料的导电体末端。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。还提供有该制造方法制成的一维纳米材料器件，其分别可用作原子力显微镜的探针以及微型传感器。 | ||||||
| 7 | 碳类精细结构物群、碳类精细结构物聚集物、其利用以及其制造方法 | CN200580011586.0 | 2005-04-19 | CN1960943A | 2007-05-09 | 中山喜万; 野坂俊纪; 末金皇; 长坂岳志; 后藤俊树; 土屋宏之; 盐野启祐 |
| 本发明提供具有由强相互作用而互相吸引的状态的多个碳类精细结构物聚集而成的聚集物，其长度为能够提高操作性和加工性的程度的长度。本发明的碳类精细结构物聚集物为多个碳类精细结构物聚集而成的聚集物，其各碳类精细结构物以相同的方向取向。 | ||||||
| 8 | 燃料电池及其制备方法 | CN201480040568.4 | 2014-10-31 | CN105377748B | 2017-06-13 | 金洸贤; 黃教贤; 金相勳; 赵俊衍 |
| 本申请涉及燃料电池及其制备方法。 | ||||||
| 9 | 硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法 | CN201710062927.1 | 2017-01-23 | CN106783848A | 2017-05-31 | 杨涛; 季祥海; 杨晓光 |
| 本发明提供了一种硅基InAs(Sb)/GaSb核壳异质结垂直纳米线阵列及其生长方法。异质结垂直纳米线阵列包括：Si(111)衬底；掩膜层，生长于Si(111)衬底上，掩膜层制备有纳米孔阵列；InAs(Sb)核纳米线层，由生长于Si(111)衬底上的InAs(Sb)核纳米线通过纳米孔阵列穿过掩膜层而形成；以及GaSb壳层，生长于InAs(Sb)核纳米线层上。本发明利用在掩膜层制备有纳米孔阵列，很容易实现对纳米线位置和密度的精确控制，易于后期纳米线器件的制备。 | ||||||
| 10 | 双层异质结构模具、制造方法及其在制备微纳米材料的应用 | CN201710139866.4 | 2017-03-10 | CN106744668A | 2017-05-31 | 董健; 金焱立; 龙芝剑; 孙笠; 董鹤 |
| 双层异质结构模具、制造方法及其在制备微纳米材料的应用，所述的模具包括硅衬板，所述的硅衬板的上表层沿硅衬板轴向分布多列微米级凹槽组，每列凹槽组包括若干等距排列的微米凹槽，相邻两列凹槽组轴向间距梯度渐增；整个硅衬板上表面分布纳米级孔，微米凹槽以及分布在微米凹槽表面的纳米级孔形成二级结构；所述的制造方法：采用化学方法刻蚀出特定的内凹正四棱台微米结构，利用多孔AAO膜在硅基底上间接产生均匀有序的内凹半球纳米结构。本发明的有益效果是：直接制造内凹正四棱台，制备简单、直接；纳米结构均匀、尺寸小和精度高；在模具上注入PDMS，通过简单处理即可得到特定的滴状冷凝且自集水微纳米材料，易于进行大规模生产；重复使用率高。 | ||||||
| 11 | 高稳定的纳米金探针功能复合物及其制备方法 | CN201610671361.8 | 2016-08-15 | CN106282344A | 2017-01-04 | 王建平 |
| 本发明涉及一种纳米金探针功能复合物及其制备方法，该纳米金探针功能复合物由纳米金颗粒、连接于纳米金颗粒表面的功能核酸探针以及稳定剂构成，所述稳定剂为含有巯基基团的有机分子；所述功能核酸探针具有以下结构：HS-(M)m-Q；HS为巯基基团；M为亚甲基、乙二醇基及其衍生物，m为1-18的整数；Q为核苷酸序列。所述纳米金探针功能复合物具备高稳定性，能够耐受强热循环和强机械冲击；具备强适用性，能够与各种酶反应液共存而不影响反应的正常进行。 | ||||||
| 12 | 纤维状柱状结构体集合体和使用该集合体的粘合部件 | CN201511008684.0 | 2009-03-31 | CN105600742A | 2016-05-25 | 前野洋平; 中山喜万; 平原佳织 |
| 本发明提供一种具有优异的机械特性、高比表面积、优异的粘合特性的纤维状柱状结构体集合体。本发明还提供一种具有优异的耐热性、高比表面积、在从室温至高温的温度条件下具有优异的粘合特性的纤维状柱状结构体集合体。本发明还提供一种具有高比表面积、对表面自由能不同的附着体的粘合力不发生变化(无附着体选择性)的粘合特性的纤维状柱状结构体集合体。本发明还提供一种使用这样的纤维状柱状结构体集合体得到的粘合部件。本发明的纤维状柱状结构体集合体是碳纳米管集合体，其具备多个纤维状柱状结构体，该纤维状柱状结构体为碳纳米管，该碳纳米管是具有多层的碳纳米管，该具有多层的碳纳米管包含长度为500μm以上的碳纳米管，该具有多层的碳纳米管的层数分布的最频值存在于层数10层以下，该最频值的相对频度为30％以上。 | ||||||
| 13 | 一种C/MoS2复合材料的制备方法及其产品和电化学应用 | CN201510692438.5 | 2015-10-23 | CN105161692A | 2015-12-16 | 徐茂文; 易凤莲 |
| 本发明公开了一种C/MoS2复合材料的制备方法及其产品和电化学应用，本发明首次以溶剂为碳源原位碳包覆由纳米片有序组装的二硫化钼纳米管，原料为化学性质稳定的S粉和(NH4)6Mo7O24·4H2O，以及以辛烷和乙醇作为溶剂，采用溶剂热方法，一步反应合成。该合成方法操作简便，成本低、产率高，所获得的产物形貌均一且表面的碳包覆均匀，可大规模生产。本发明将原位碳包覆由纳米片有序组装的二硫化钼纳米管应用于锂离子电池和钠离子电池，表现出了优异的电化学性能。 | ||||||
| 14 | 一种高容量锂离子电池阳极材料及其制备方法 | CN201510548702.8 | 2015-08-31 | CN105140486A | 2015-12-09 | 徐德生 |
| 本发明提供了一种高容量锂离子电池阳极材料及其制备方法，所述锂离子电池阳极材料包括固态电解质层和氧化镍负载石墨烯复合物，所述氧化镍负载石墨烯复合物分散于所述固态电解质层内。该锂离子电池阳极材料具有较高的比能量，而且使用寿命显著延长；能够防止氧化镍负载石墨烯复合物因为较大的体积变化带来的粉料脱落，还能抑制材料的体积膨胀，进而缓解阳极片的变形；固态电解质还起到传输锂离子的作用，并能隔绝氧化镍负载石墨烯复合物和电解液的反应，避免电解液的消耗，保护阳极片表面的SEI膜的稳定性。 | ||||||
| 15 | 纳米材料薄膜结构 | CN200910107299.X | 2009-05-08 | CN101880023B | 2015-08-26 | 王佳平; 姜开利; 李群庆; 范守善 |
| 本发明涉及一种纳米材料薄膜结构，其包括至少一层纳米膜，其中，该纳米膜包括多个基本沿同一方向排列的纳米线，且该纳米线由多个连续的纳米颗粒组成。 | ||||||
| 16 | 金属复合体及其组合物 | CN201080016099.4 | 2010-04-06 | CN102387880B | 2014-07-02 | 东村秀之; 饭岛孝幸; 藤冈正洋; 田中健太 |
| 本发明提供一种分子量200以上的共轭化合物吸附于纵横比1.5以上的金属纳米结构体而成的金属复合体，例如，具有式(I)所表示的基团，或者式(II)所表示的重复单元，或具有它们两者的化合物吸附于纵横比1.5以上的金属纳米结构体而成的金属复合体，该复合体在发光元件、太阳电池、有机晶体管等电子元件等中有用。(式中，Ar1为可以被取代的(n1+1)价的芳香族基团，R1是直接键合或(m1+1)价的基团，X1是含有杂原子的基团。m1和n1相同或相异，为1以上的整数。R1、X1和m1存在多个时，它们可以分别相同或不同。)(式中，Ar2为可以被取代的(n2+2)价的芳香族基团，R2是直接键合或(m2+1)价的基团，X2是含有杂原子的基团。m2和n2相同或相异，为1以上的整数。R2、X2和m2存在多个时，它们可以分别相同或不同)。 | ||||||
| 17 | 液晶面板 | CN201210255728.X | 2012-07-23 | CN103576371A | 2014-02-12 | 吴和虔 |
| 本发明涉及一种具有触控功能的液晶面板，其包括一具有触控功能的偏光片以及一液晶模组设置在该偏光片的下表面，所述具偏光功能的触摸屏包括：一上偏光片；一第一透明导电层，该第一透明导电层设置在该上偏光片的上表面；多个相互间隔的第一电极；一第二透明导电层，该第二透明导电层设置在该上偏光片的下表面；以及多个相互间隔的第二电极；其中，该第一透明导电层包括多个沿第二方向择优取向延伸的碳纳米管，该第二透明导电层包括多个沿第一方向择优取向延伸的碳纳米管；所述液晶模组从上至下依次包括：一上基板；一上电极层；一第一配向层；一液晶层；一第二配向层；一薄膜晶体管面板；以及一下偏光片。 | ||||||
| 18 | 单壁和多壁碳纳米管混合结构 | CN200680051004.6 | 2006-11-16 | CN101365647A | 2009-02-11 | J·马; A·费希尔; R·霍奇 |
| 本发明涉及含有单壁和多壁碳纳米管的碳纳米管结构，以及制备所述结构的方法。这些碳纳米管结构包括但不限于肉眼可见的二维和三维碳纳米管结构，例如装配体、席垫、塞子、网状物、坚硬多孔结构、挤出物等。本发明的碳纳米管结构有多种用途，包括但不限于：用于过滤、吸附、层析的多孔介质；超级电容器、电池和燃料电池的电极和集电器；催化剂载体，(包括电催化)，等。 | ||||||
| 19 | 一维纳米材料器件及其制造方法 | CN200510033943.5 | 2005-03-31 | CN1840466A | 2006-10-04 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一维纳米材料器件及其制造方法。该一维纳米材料器件的制造方法包括：提供一含有一维纳米材料的溶液；提供两个相对的导电体，并使其相对的两末端间隔一距离；对该两导电体施加一交流电压，并使该两末端共同浸入该溶液中，直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间；将所得到的由一维纳米材料组装在一起的两导电体末端分离，以得到至少一个装有一维纳米材料的导电体末端。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。还提供有该制造方法制成的一维纳米材料器件，其分别可用作原子力显微镜的探针以及微型传感器。 | ||||||
| 20 | 生产纳米观结构的方法和装置 | CN03811957.9 | 2003-03-25 | CN1656011A | 2005-08-17 | 斯韦登·奥拉夫松 |
| 本发明涉及一种以可控方式生长纳米结构的方法和装置，其中所述控制包括控制用于纳米观结构生长的电子发射触点。此外，本发明描述一种用于在相同生长工艺中生长多个电子发射触点以及纳米观结构的综合方法和装置。 | ||||||
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