子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 基于脉冲激光烧蚀制造纳米颗粒溶液 | CN201180008950.3 | 2011-02-03 | CN102781660A | 2012-11-14 | 刘冰; 车勇 |
| 本发明公开了一种基于脉冲激光烧蚀制备太阳光吸收化合物材料的纳米颗粒的方法。所述方法使用脉冲持续时间为10飞秒至500皮秒的脉冲激光束照射太阳光吸收化合物材料的靶材料，以烧蚀所述靶从而产生所述靶的纳米颗粒。收集所述纳米颗粒，并将所述纳米颗粒的溶液施加到基底上以制备薄膜太阳能电池。该方法维持了起始靶的化学计量性和晶体结构。该方法是一种成本显著更低的薄膜太阳能电池制造方法。 | ||||||
| 42 | 碳纳米管复合结构 | CN201010212498.X | 2010-06-29 | CN101898758B | 2012-08-29 | 刘锴; 姜开利; 孙颖慧; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管复合结构，其包括一碳纳米管结构及一石墨结构填充在所述碳纳米管结构中。所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管通过范德华力相互连接。所述石墨结构与所述碳纳米管结构通过碳碳键复合。 | ||||||
| 43 | 用于沉积高纵横比分子结构的方法 | CN200780008330.3 | 2007-03-07 | CN101400598B | 2012-07-18 | 埃斯科·卡宾耐; 艾伯特·纳斯布林; 大卫·布朗; 大卫·冈萨雷斯 |
| 一种用于沉积高纵横比分子结构(HARMS)的方法，所述方法包括在含有一个或多个HARM结构的气溶胶上施加力，所述力使基于一种或多种物理特征和/或性质的一个或多个HARM结构朝向一个或多个预定位置移动，用来依靠所施加的力将一个或多个HARM结构沉积在模板中。 | ||||||
| 44 | 碳纳米管绞线及其制备方法 | CN200910109047.0 | 2009-07-21 | CN101964229B | 2012-05-30 | 刘锴; 周睿风; 孙颖慧; 姜开利; 刘亮; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管绞线的制备方法，其包括以下步骤：提供至少一碳纳米管膜，该碳纳米管膜包括多个通过范德华力首尾相连的碳纳米管，该多个碳纳米管的轴向基本沿同一方向延伸；沿碳纳米管的轴向施加两个相反外力作用于该至少一碳纳米管膜，使该至少一碳纳米管膜中至少部分的碳纳米管在该外力拉力的作用下沿碳纳米管轴向绷直；以及扭转该至少一碳纳米管膜，获得一碳纳米管绞线。本发明还涉及一碳纳米管绞线。 | ||||||
| 45 | 碳纳米管复合线及其制备方法 | CN201010259961.6 | 2010-08-23 | CN102372252A | 2012-03-14 | 刘锴; 姜开利; 范守善 |
| 本发明公开一种碳纳米管复合线，包括一支撑芯，以及一碳纳米管层。该碳纳米管层环绕该支撑芯设置，并包覆在所述支撑芯外表面。该碳纳米管层为多个碳纳米管通过范德华力相互连接形成。该碳纳米管复合线具有较高的拉伸强度以及断裂伸长率，可以应用于高强度织物的制造，以及防弹衣的制造。本发明还公开所述碳纳米管复合线的制备方法。 | ||||||
| 46 | 包括高长宽比分子结构的结构和制造方法 | CN201080005707.1 | 2010-01-27 | CN102300706A | 2011-12-28 | D·P·布朗; B·J·艾吉森; A·G·纳斯布林; E·I·考品恩 |
| 包括高长宽比分子结构(HARM结构)的结构，其中该结构包括HARM结构的基本上平面的网(2)和与网(2)接触的支撑物(3)。支撑物(3)在其中具有开口(5)，在开口(5)的边缘区域(4)处，网(2)与支撑物(3)接触，使得网(2)的中间部分不被支撑物(3)所支撑。网(2)包括基本上无规取向的HARM结构。 | ||||||
| 47 | 散热增益型电子封装体 | CN201110165683.2 | 2011-06-09 | CN102290381A | 2011-12-21 | 黄子欣; 杨郁廷; 刘宏信; 刘安鸿; 沈更新; 王伟; 李世富 |
| 一种散热增益型电子封装体包含一驱动芯片、一密封胶、一弹性载体及纳米碳球。该弹性载体包含一弹性基板、一形成于该基板上的导线层及一覆盖在该导线层的阻焊层。该驱动芯片与导线层连接，该密封胶填满该驱动芯片及该弹性载体之间的该空间。该纳米碳球被设置于在该驱动芯片上、该阻焊层上、该弹性载体上或密封胶内，并适用于加强电子封装体的散热。 | ||||||
| 48 | 碳纳米管复合材料预制件及其制备方法 | CN200710076745.6 | 2007-08-31 | CN101376497B | 2011-06-22 | 郭海周; 戴风伟; 姚湲; 张长生; 刘长洪; 姜开利 |
| 本发明涉及一种碳纳米管复合材料预制件及其制备方法，该碳纳米管复合材料预制件包括一基片及一碳纳米管阵列形成于该基片，其中，该碳纳米管阵列远离基片的一端碳纳米管之间的间隙大于靠近基片的一端碳纳米管之间的间隙。该碳纳米管复合材料预制件的制备方法包括以下步骤：提供一碳纳米管阵列形成于一基片；将上述形成有碳纳米管阵列的基片置于一溶剂中一段时间；将上述基片取出后烘干处理，形成碳纳米管复合材料预制件。本发明所提供的碳纳米管复合材料预制件中碳纳米管之间具有较大的间隙，且制备方法工艺简单、成本低、周期短、易于实现。 | ||||||
| 49 | 振动膜、振动膜的制备方法及具有该振动膜的扬声器 | CN200910110321.6 | 2009-10-23 | CN102045623A | 2011-05-04 | 王佳平; 刘亮 |
| 本发明涉及一种振动膜，该振动膜为一层状碳纳米管复合结构。该层状碳纳米管复合结构包括一碳纳米管膜结构及一无定形碳结构。该碳纳米管膜结构具有多个微孔。该无定形碳结构包括多个无定形碳填充在所述碳纳米管膜结构的微孔中。本发明还涉及一种具有该振动膜的制备方法及具有该振动膜扬声器。 | ||||||
| 50 | 音圈骨架及具有该音圈骨架的扬声器 | CN200910190570.0 | 2009-09-30 | CN102036149A | 2011-04-27 | 刘亮; 王佳平 |
| 本发明涉及一种音圈骨架，该音圈骨架为一层状碳纳米管复合结构合围形成的中空管状结构。该层状碳纳米管复合结构包括一碳纳米管膜结构及一无定形碳结构。该碳纳米管膜结构具有多个微孔。该无定形碳结构包括多个无定形碳填充在该微孔中。 | ||||||
| 51 | 碳纳米管复合结构 | CN201010212498.X | 2010-06-29 | CN101898758A | 2010-12-01 | 刘锴; 姜开利; 孙颖慧; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管复合结构，其包括一碳纳米管结构及一石墨结构填充在所述碳纳米管结构中。所述碳纳米管结构包括多个碳纳米管通过范德华力相互连接。所述石墨结构与所述碳纳米管结构通过碳碳键复合。 | ||||||
| 52 | 碳纳米管结构 | CN201010212030.0 | 2010-06-29 | CN101880035A | 2010-11-10 | 刘锴; 姜开利; 孙颖慧; 范守善 |
| 本发明涉及一种碳纳米管结构，其包括多个碳纳米管相互连接。彼此相邻的碳纳米管之间具有碳碳键。 | ||||||
| 53 | 直写纳米蚀刻的方法 | CN200610138990.0 | 2000-01-07 | CN101003355B | 2010-09-01 | 查德·A·米尔金; 理查德·皮纳; 升瀚·洪 |
| 一种直写纳米蚀刻方法，其包括提供一个固体基质；提供一个涂覆有墨水的针尖；以及使墨水从针尖传送到基质上，从而在固体基质上得到一个稳定的纳米结构，其中传送步骤是通过毛细作用使墨水从针尖流到基质上，其中墨水对基质具有化学亲和性。 | ||||||
| 54 | 一维纳米材料器件的制造方法 | CN200510033943.5 | 2005-03-31 | CN100572260C | 2009-12-23 | 魏洋; 范守善 |
| 本发明涉及一维纳米材料器件及其制造方法。该一维纳米材料器件的制造方法包括：提供一含有一维纳米材料的溶液；提供一种稳定剂，并将该稳定剂加入所述的含有一维纳米材料的溶液中；提供两个相对的导电体，并使其相对的两末端间隔一距离；对该两导电体施加一交流电压，并使该两末端共同浸入该溶液中，直到至少一根一维纳米材料组装至该两末端之间；将所得到的由一维纳米材料组装在一起的两导电体末端分离，以得到至少一个装有一维纳米材料的导电体末端。该方法耗时短、效率高且可控性强，避免现有技术中组装时间长且可控性差的问题。还提供有该制造方法制成的一维纳米材料器件，其分别可用作原子力显微镜的探针以及微型传感器。 | ||||||
| 55 | 一种制备半导体性单壁碳纳米管的方法 | CN200710178428.5 | 2007-11-30 | CN100569637C | 2009-12-16 | 张锦; 张永毅; 张依; 刘忠范 |
| 本发明公开了去除单壁碳纳米管中金属性单壁碳纳米管制备半导体性单壁碳纳米管的方法，是将所述单壁碳纳米管置于一定强度的光下照射，即去除金属性单壁碳纳米管，得到所述半导体性单壁碳纳米管，其中，照射到碳纳米管样品表面、波长范围在180nm～11μm内的光的总强度为30mW/cm2～300mW/cm2。相对于已有的方法，本发明方法具有操作步骤简单易控且环保、去除金属性单壁碳纳米管的效果好、适用性广、成本低廉、并能保持碳管原貌等诸多优点，具有非常强的实用性和广阔的应用前景。 | ||||||
| 56 | 用于沉积高纵横比分子结构的方法 | CN200780008330.3 | 2007-03-07 | CN101400598A | 2009-04-01 | 埃斯科·卡宾耐; 艾伯特·纳斯布林; 大卫·布朗; 大卫·冈萨雷斯 |
| 一种用于沉积高纵横比分子结构(HARMS)的方法，所述方法包括在含有一个或多个HARM结构的气溶胶上施加力，所述力使基于一种或多种物理特征和/或性质的一个或多个HARM结构朝向一个或多个预定位置移动，用来依靠所施加的力将一个或多个HARM结构沉积在模板中。 | ||||||
| 57 | 利用全息光学镊子处理纳米导线的系统和方法 | CN200680002215.0 | 2006-01-11 | CN101378985A | 2009-03-04 | 大卫·G·格里尔; 里特什·阿加瓦尔; 于桂华; 查尔斯·M·利伯; 库斯塔·拉德维克; 耶尔·罗伊切曼 |
| 一种在有全息光学陷阱阵列的溶液中用于操作和处理纳米导线的系统和方法。本发明的系统和方法能够建立几百个分别受控的光学陷阱，该陷阱具有沿三维方向操作物体的能力。在单个陷阱没有可辨别影响的条件下，横截面小于20nm和长度超过20μm的各个纳米导线能够被隔离，平移，旋转和沉积到有全息光学陷阱阵列的基片上。被高度聚焦陷阱诱发的空间定域光热和光化学过程还可用于熔化局部区域到各个纳米导线上并熔合纳米导线接合点。 | ||||||
| 58 | 制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法 | CN200410036842.9 | 2004-04-21 | CN100456418C | 2009-01-28 | 柳寅儆; 郑守桓; 徐顺爱; 金仁淑 |
| 本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一氧化铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一氧化铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一氧化铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二氧化铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。 | ||||||
| 59 | 采用直写纳米刻蚀印刷的固态部件的图案化 | CN02827280.3 | 2002-12-17 | CN100345059C | 2007-10-24 | 查德·A·米尔金; 维纳亚克·P·德拉维德; 苏明; 刘晓刚 |
| 本发明包括一种在衬底上制造有机/无机复合纳米结构的方法，包括：使用浸沾笔纳米刻蚀，在衬底上沉积具有嵌段共聚物和无机前驱体的溶液。该纳米结构包括具有宽度/直径小于1微米的点和/或线的阵列。本发明还包括一种器件，该器件包括有机/无机复合纳米级区域，其中该纳米级区域除了高度之外具有纳米级尺寸。 | ||||||
| 60 | 直写纳米蚀刻的方法 | CN200610138990.0 | 2000-01-07 | CN101003355A | 2007-07-25 | 查德·A·米尔金; 理查德·皮纳; 升瀚·洪 |
| 一种直写纳米蚀刻方法，其包括提供一个固体基质；提供一个涂覆有墨水的针尖；以及使墨水从针尖传送到基质上，从而在固体基质上得到一个稳定的纳米结构，其中传送步骤是通过毛细作用使墨水从针尖流到基质上，其中墨水对基质具有化学亲和性。 | ||||||
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