子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 241 | 微机械系统和用于制造微机械系统的方法 | CN201510359084.2 | 2015-06-25 | CN105217560A | 2016-01-06 | T·考茨施; H·弗雷利施; M·福格特; M·施特格曼; B·宾德 |
| 本公开的实施例涉及一种微机械系统和用于制造微机械系统的方法，该方法包括：在前道制程(FEOL)工艺中在晶体管区域中形成晶体管；在FEOL工艺之后，形成牺牲层；对牺牲层进行结构化以形成经结构化的牺牲层；形成至少部分地覆盖经结构化的牺牲层的功能层；以及去除牺牲层以创建空腔。 | ||||||
| 242 | 静电致动器中的弧形运动控制 | CN201480026711.4 | 2014-03-14 | CN105209370A | 2015-12-30 | R·J·卡尔韦特; X·刘; R·C·古铁雷斯; A·杰恩; G·王 |
| 在一个实施方案中，致动器包括移动框架，其通过多个细长的平行运动屈曲部耦联到固定框架以相对于固定框架在制造位置和展开位置之间进行大致平行的运动。屈曲部布置成当移动框架布置在制造位置中时，相对于垂直于移动框架和固定框架延伸的线呈第一角度，并且当移动框架布置在展开位置中时，相对于同一线呈第二角度。通过将第一角度的值约束成小于第一和第二角度总和的大约一半，来控制第一框架相对于第二框架的弧形运动。 | ||||||
| 243 | 一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置 | CN201410276142.0 | 2014-06-19 | CN105203235A | 2015-12-30 | 伏广才; 倪海勇 |
| 本发明提供一种MEMS压力传感器的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的MEMS压力传感器的制造方法，包括在压力传感膜上与拟形成的压力沟槽相对应的位置形成蚀刻停止组件的步骤以及去除蚀刻停止组件的步骤，因此可以避免在对覆盖层进行刻蚀以形成压力沟槽的过程中对压力传感膜造成不当刻蚀，并且可以防止覆盖层以及压力传感膜发生形变，因而可以提高MEMS压力传感器的可靠性和敏感度，避免压力传感器漂移。本发明的电子装置，使用了根据该MEMS压力传感器的制造方法制造的MEMS压力传感器，因而同样具有上述优点。 | ||||||
| 244 | 背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法 | CN201510547858.4 | 2015-08-31 | CN105185803A | 2015-12-23 | 康晓旭 |
| 本发明提供了一种背照式混合成像探测器像元结构及其制备方法，将可见光感应区域和红外感应区域集成在芯片中，采用半导体衬底作为可见光过滤层，而无需额外设置可见光过滤层，减小了器件体积、减少了工艺步骤和节约了成本；通过将红外感应结构下方的介质层和隔离层去除，以形成镂空区域，镂空区域和红外感应结构之间构成第一空腔，从而使得经半导体衬底过滤后的红外光无需通过其它材料，进而避免红外光的损失，从而提高了红外感应部件的成像质量，而且使可见光红外混合成像微型化、芯片化成为可能。 | ||||||
| 245 | 电子部件、电子设备以及移动体 | CN201510292568.X | 2015-06-01 | CN105174196A | 2015-12-23 | 衣川拓也 |
| 提供电子部件、电子设备以及移动体，电子部件提高了生产率且具有优异特性，电子设备以及移动体具有该电子部件。本发明的电子部件(1)具有：具有振动元件(5)的空腔部(S)的底部；顶部(641)，其具有孔(642)，并隔着空腔部(S)与底部相对地配置；遮挡部(621)，其在空腔部(S)内被配置在空腔部(S)的底部与顶部(641)之间，在从空腔部(S)的底部和顶部(641)排列的方向俯视观察时，遮挡部(621)与孔(642)重叠；以及密封部(662)，其经由孔(642)与顶部(641)以及遮挡部(621)这两者相连，将孔(642)密封。 | ||||||
| 246 | 三维多电极阵列 | CN201480023074.5 | 2014-03-11 | CN105163797A | 2015-12-16 | R·塞尼; J·N·兰达尔 |
| 公开了具有单独隔离的电极、其中每个电极都可配置用于包含目标的载体的多电极阵列以及用于制造该阵列的方法。在示例性实施例中，所述阵列包括：基板；及布置在基板上的多个电极。所述多个电极中的每个电极都具有导电的尖端和绝缘的剩余部分。所述多个电极中的第一电极具有选为使第一电极的导电尖端接近第一目标结构的第一配置，并且所述多个电极中的第二电极具有选为使第二电极的导电尖端接近第二目标结构的第二配置。第一配置和第二配置是不同的。多个触点中的第一触点可以通过基板电耦合到第一电极。 | ||||||
| 247 | 用于在衬底中制造斜面的方法和具有斜面的晶片 | CN201110462165.7 | 2011-11-25 | CN102530838B | 2015-12-16 | S·平特 |
| 本发明涉及一种用于在衬底中制造斜面的方法，包括在衬底的两个主表面上构造凹槽，分别直至其总和大于衬底的厚度的深度，即直至凹槽如此深以至于衬底被两个凹槽穿透。在此，在第一面积区域中从第一主表面起制造一个凹槽，以及在第二面积区域中从第二主表面起制造另一个凹槽，使得第一面积和第二面积沿着衬底的主表面的面法线不重合。然后在主表面上在凹槽上方分别施加柔性膜片。如果随后在凹槽内相对于外部压强建立低压，则柔性膜片分别朝着凹槽的方向拱起，直至其朝向衬底的表面基本上在凹槽的中间彼此接触。 | ||||||
| 248 | 具有分段电极的机电系统 | CN201480014003.9 | 2014-03-10 | CN105143956A | 2015-12-09 | 爱德华·杰·廉·陈; 约翰·贤哲·洪; 琼·厄克·李; 伊萨克·克拉克·莱因斯 |
| 本发明提供用于在机电系统EMS装置内增加可移动层的稳定行进位置范围的系统、方法以及设备。在一个方面中，电隔离的浮动电极可被设置在可移动层内的驱动电极和固定电极之间，以便增加所述可移动层的稳定行进范围。通过将所述电隔离的浮动电极分段成多个隔离电极段，响应于所述可移动层的倾斜的不平衡的电荷积聚可被限制以进一步增加所述可移动层的所述稳定行进范围。 | ||||||
| 249 | 机电换能器及其制造方法 | CN201180037100.6 | 2011-07-26 | CN103037984B | 2015-12-09 | 虎岛和敏; 秋山贵弘 |
| 本发明涉及机电换能器及其制造方法，其中，在形成分割沟槽或膜期间维持基板刚度以防止基板被损坏。所述机电换能器包括分别具有至少一个单元的多个元件。在第一基板上形成绝缘层，并且，在绝缘层中形成间隙（3）。第二基板与具有间隙的绝缘层接合。然后，分割沟槽在第一基板中形成并至少部分地被绝缘部件填充。然后，与绝缘层接合的第二基板的厚度减小以形成膜（10）。 | ||||||
| 250 | 用于高分辨率显示器的微机电系统快门组合件 | CN201480013554.3 | 2014-03-05 | CN105122115A | 2015-12-02 | T·J·布罗斯妮汉; J·维拉瑞欧; M·B·安德森 |
| 本发明提供用于提供紧凑快门组合件的系统、方法及设备。快门组合件可通过并入在致动期间在致动器的控制快门的部分上方或下方经过的所述快门而以更紧凑方式形成，从而容许更高的每英寸像素显示。 | ||||||
| 251 | 具有载体的薄的金属膜 | CN201380066938.7 | 2013-12-17 | CN105121331A | 2015-12-02 | N.巴尔托斯; O.凯特尔; L.韦伯; A.赖辛格 |
| 本发明在原则上涉及包含由至少两个彼此接合的层构成的复合材料的部件，其中a.第一层具有孔洞，b.第二层具有1至50μm的厚度，其中第一层和第二层各自包含至少一种金属，并且其中第一层的组成不同于第二层的组成。本发明的其它主题是制造包含至少两个具有上述特征的彼此接合的层的部件的方法，制造包含至少三个具有上述特征的彼此接合的层的部件的方法，以及可以通过上述方法之一获得的部件和上述部件的至少之一用于活体中或者制造用在活体中的植入物的用途。 | ||||||
| 252 | 精准集成三轴MEMS装置到基板的方法 | CN201210075851.3 | 2012-03-20 | CN103288044B | 2015-12-02 | 努尔丁·哈瓦特; 段志伟 |
| 本发明提供一种精准集成三轴MEMS装置到基板的方法，其利用表面张力使待安装到基板或引线框架上的z轴传感装置与xy平面以精确角度对齐。根据本发明，z轴传感装置的高度小于或大致等于其y维宽度，而z轴传感装置的x维纵向长度大于y维或z维尺寸。因此，不同于又薄又高的墙的形状，z轴传感装置的构造使其非常难于垂直对齐，延长了的z轴传感装置安装在短的z轴上，这样使其更容易垂直对齐并安装。 | ||||||
| 253 | 用于制造集成的微流体系统的方法以及集成的微流体系统 | CN201180033628.6 | 2011-06-01 | CN102958827B | 2015-11-25 | U.沙夫; J.霍夫曼; F.孙德梅尔; J.梅 |
| 本发明涉及一种集成的微流体系统的制造及所述集成的微流体系统本身。将电子基片尤其半导体芯片以倒装布置与微流体基片连接起来。为此用第一胶粘剂来连接所述两种基片的有待彼此连接的流体的连接元件并且用第二胶粘剂来连接所述两种基片的电气的触点。所述胶粘剂得到硬化，其中所述第二胶粘剂首先硬化。 | ||||||
| 254 | 微机电系统 | CN201180025545.2 | 2011-06-15 | CN102906008B | 2015-11-25 | A.斯坦珀; C.V.扬斯 |
| 一种形成微机电系统（MEMS）的方法包括在MEMS的腔体内的第一绝缘体层上形成下电极。该方法还包括在下电极的顶部上的另一绝缘材料之上形成上电极，上电极与下电极至少部分地接触。下电极和上电极的形成包括调整下电极和上电极的金属体积以修改梁弯曲。 | ||||||
| 255 | 用于微机电系统的化学机械研磨处理流程 | CN201180020735.5 | 2011-02-25 | CN102858681B | 2015-11-25 | 约瑟夫·达米安·戈登·拉西; 托马斯·L·麦圭尔; 维克拉姆·乔希; 丹尼斯·J·约斯特 |
| 本发明大体而言涉及互补式金属氧化物半导体(CMOS)后段(BEOL)处理中微机电系统(MEMS)悬臂式开关(cantilever switch)的形成。所述悬臂式开关经形成为与所述结构中的下电极电气交流。所述下电极可全覆沉积并图案化或仅沉积在下层结构的介层洞(via)或沟槽内。然后利用化学机械研磨或平坦化(CMP)处理将用于所述下电极的过量材料平坦化。接下来在所述平坦化的下电极上形成所述悬臂式开关。 | ||||||
| 256 | 半导体器件 | CN201110391090.8 | 2011-11-25 | CN102815658B | 2015-11-25 | 邱义勋; 简廷颖; 苏钦豪; 倪其聪 |
| 本发明涉及集成电路制造，而更具体地涉及的是带有金属合金的半导体器件。用于器件的示例性结构包括第一硅衬底；第二硅衬底；以及连接第一硅衬底和第二硅衬底中的每个的触点，其中，该触点包括与第一硅衬底邻近的Ge层、与第二硅衬底邻近的Cu层以及处在Ge层和Cu层之间的金属合金。 | ||||||
| 257 | 电子器件、电子设备及电子器件的制造方法 | CN201110257446.9 | 2011-08-23 | CN102377401B | 2015-11-25 | 中村敬彦; 佐藤惠二; 竹内均; 荒武洁; 沼田理志 |
| 本发明的课题是，在具备在基底搭载的电子部件、在基底的电子部件搭载侧的相反侧设置的外部电极、以及与基底熔敷的贯通电极的电子器件中，确保电子部件与外部电极的导通。本发明提供的电子器件包括：基底(10)；贯通基底(10)、且通过研磨去除端面的绝缘性物质的贯通电极(21)；在贯通电极(21)的一个端面形成电路图案(30)，并通过电路图案(30)上形成的内部布线(31)而设置的电子部件(40)；在基底(10)的与设置电子部件(40)的一侧相反侧设置、并形成与贯通电极(21)的另一个端面连接的电极图案(60)、并且在电极图案(60)上形成的外部电极(61)；以及与基底接合并保护基底(10)上的电子部件(40)的盖(50)。 | ||||||
| 258 | 传感器及其制造方法 | CN201110175536.3 | 2011-06-17 | CN102285632B | 2015-11-25 | S·K·加米奇; N·V·曼特拉瓦迪; M·克利茨克; T·L·库克森 |
| 本发明名称为传感器及其制造方法。公开传感器和用于制造传感器的方法，在一个实施例中将蚀刻的半导体衬底晶片(300)接合到包括绝缘体上硅晶片的蚀刻的器件晶片(100)以形成悬置结构，该悬置结构的挠曲由嵌入的感测元件(140)确定以测量绝对压力。嵌入该传感器中的互连通道(400)便于器件的流水线化封装同时满足与其他装置的互连性。 | ||||||
| 259 | 具有窄间隙静电致动器的显示设备 | CN201480013686.6 | 2014-03-06 | CN105074534A | 2015-11-18 | 凯特·尼奇列里格; 马克·B·安德森; 泰勒·A·杜恩; 乔伊斯·H·吴 |
| 本发明提供用于将尖端间隙调整特征TGAF并入快门组合件的致动器中的系统、方法和设备。所述TGAF在所述快门组合件形成于模具上方期间被并入所述致动器的驱动梁中。所述TGAF经配置以使得其产生机械应力或应力梯度。当所述快门组合件从所述模具释放时，所述TGAF中的所述应力或应力梯度使所述驱动梁弯曲，以使得所述驱动梁与所述致动器的负载梁之间的尖端间隙减小。所述减小的尖端间隙继而减小致动所述快门组合件所需的致动电压。 | ||||||
| 260 | 具有贯穿衬底通孔（TSV）衬底插塞的电容式微机械超声换能器（CMUT） | CN201480009849.3 | 2014-02-27 | CN105073280A | 2015-11-18 | P·B·约翰逊; I·O·伍感特 |
| 一种电容式微机械超声换能器(CMUT)装置100包括至少一个CMUT单元100a，其包括：单晶材料的第一衬底101，第一衬底101具有包括在其上的图形化介电层的顶侧，图形化介电层包括厚介电区域106和薄介电区域107；和延伸第一衬底的整个厚度的贯穿衬底通孔(TSV)111。TSV由单晶材料形成、并且由单晶材料中的隔离区域131电气隔离，而且位于第一衬底的顶侧接触区域102a下方。膜层120b接合到厚介电区域并且在薄介电区域上方，以在微机电系统(MEMS)腔体114上方提供可移动膜。金属层161在顶侧衬底接触区域上方并且在可移动膜上方，其包括顶侧衬底接触区域到可移动膜的耦合件。 | ||||||
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