子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 201 | 晶片封装体及其制造方法 | CN201510641258.4 | 2015-09-30 | CN105489659A | 2016-04-13 | 黃玉龙 |
| 本发明揭露一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包括：一第一基底，具有一上表面、一下表面及一侧壁，其中一感测区或元件区及一导电垫邻近于上表面；一通孔，贯穿第一基底；以及一重布线层，自下表面延伸至通孔内，且与导电垫电性连接，其中重布线层还自下表面横向延伸而突出于第一基底的侧壁。本发明不仅能够提升晶片封装体的感测敏感度，还可缩小晶片封装体的尺寸。 | ||||||
| 202 | 用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法 | CN201510956913.5 | 2015-12-21 | CN105486399A | 2016-04-13 | 何常德; 张国军; 张文栋; 薛晨阳; 宋金龙; 王红亮 |
| 本发明为一种用于测距和成像的微电容超声波换能器及其制备方法，本发明在微电容超声波换能器图形化上电极与振动薄膜之间增加了一层二氧化硅隔离层，防止上电极与振动薄膜之间形成欧姆接触，使微电容超声波换能器的上电极面积增大，提高了微电容超声波换能器的带宽和发射声压。本发明具有结构简单、工艺可控性好、成本低和适于大批量生产等优点。 | ||||||
| 203 | 具有用于应力隔离的中央锚的MEMS装置 | CN201210114188.3 | 2012-04-18 | CN102745641B | 2016-04-13 | 林义真; G·G·李; A·C·迈克奈尔; L·Z·张; T·F·米勒 |
| 一种MEMS装置(20)包括验证质块(32)，其耦接到不可移动结构(30)并且围绕所述不可移动结构。不可移动结构(30)包括从该结构(30)的主体(34)向外延伸的固定指(36，38)。验证质块(32)包括可移动指(60)，其每一都设置在一对(62)固定指(36，38)之间。主体(34)的中央区域(32)耦接到下面的基板(24)，而验证质块(32)和不可移动结构(30)的其余部分悬置在基板(24)上方，以将MEMS装置(20)与封装应力极大地隔离开。另外，MEMS装置(20)包括隔离沟槽(80)和互谅(46，50，64)，从而将固定指(36)、固定指(38)、可移动指(60)彼此电隔离，以形成差分装置结构。 | ||||||
| 204 | 用于制造腔结构、制造用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器 | CN201110443674.5 | 2011-12-27 | CN102556936B | 2016-04-13 | C.阿伦斯; W.弗里扎; T.格里勒; K.米姆勒; G.齐格 |
| 实施例示出了用于制造腔结构、半导体结构、用于半导体结构的腔结构的方法和使用该方法制造的半导体传声器。在一些实施例中，用于制造腔结构的方法包括：提供第一层；在第一层上沉积碳层；使用第二层至少部分地覆盖碳层以限定腔；借助于干法蚀刻去除第一和第二层之间的碳层，从而形成腔结构。 | ||||||
| 205 | 一种多孔硅基热敏薄膜及其制备方法 | CN201510810814.6 | 2015-11-23 | CN105460881A | 2016-04-06 | 陈桂兴 |
| 本发明涉及一种多孔硅基热敏薄膜及其制备方法，属于热敏薄膜制备技术领域；其中原料的各组分的重量份为硅片80~85份、氢氟酸100~120份、乙醇100~120份、氧化钒3~5份、铜1~3份、聚甲基丙烯酸酯1~2份，其制备方法为将氢氟酸和乙醇混合，然后将硅片浸泡在混合液中，电解腐蚀20~25min得多孔硅基片；将氧化钒磁控溅射在基片表面，厚度为0.15~0.25cm；在两端镀一层铜金属，溅射本底真空为0.15~0.25MPa，溅射功率为80~100W，时间为15~20min；最后再外表面镀上一层0.5~0.6mm的聚甲基丙烯酸酯薄膜，即得成品；提供一种多孔硅基热敏薄膜，该热敏薄膜孔隙率高，绝热性能佳，且生产工艺简单，制备成本较低，可适于工业化的大规模生产。 | ||||||
| 206 | 基于在聚合物基体内分散的表面官能化的纳米沸石的用于H2O敏感性器件保护的复合材料 | CN201410564684.8 | 2009-12-04 | CN104327305B | 2016-04-06 | A·伯纳希; R·马奇; R·詹南托尼奥 |
| 本发明涉及保护敏感性器件的内部环境的湿气阻挡材料，它包括含有属于与聚合化合物的至少一个官能团相同化学类别的表面改性有机基团的表面官能化的均匀分散体，并涉及生产所述阻挡材料的方法，和包含所述阻挡材料的敏感性器件。 | ||||||
| 207 | 有机纳米结构阵列的形成 | CN200780050882.0 | 2007-12-04 | CN101652382B | 2016-04-06 | E·加兹特; M·雷彻斯 |
| 本发明公开一种纳米结构阵列。所述纳米结构阵列包括一般垂直于平面安排的许多伸长的有机纳米结构。 | ||||||
| 208 | 并入有延伸高度致动器的微机电系统显示器 | CN201480043879.6 | 2014-07-28 | CN105452934A | 2016-03-30 | 泰勒·A·杜恩; 蒂莫西·J·布罗斯尼汉 |
| 本发明提供用于并入有延伸高度致动器的MEMS显示器的系统、方法及设备。光调制组件可定位于衬底与耦合到所述衬底的相对表面之间。悬置电极可耦合到所述光调制组件且悬置于所述衬底与所述相对表面之间。延伸高度电极可定位成紧邻于所述悬置电极，且可从所述衬底向上延伸到超过所述悬置电极的高度的高度。所述悬置电极及所述延伸高度电极可经配置以相对于所述衬底横向移动所述光调制组件。 | ||||||
| 209 | 使用有源电路封装的MEMS器件中用于屏蔽与偏置的装置和方法 | CN201480036001.X | 2014-06-24 | CN105452153A | 2016-03-30 | 陈立; T·K·努南; 杨光隆; J·A·格雷戈里 |
| 在标准ASIC晶片顶部金属层中形成一个或多个导电屏蔽板，例如，用于阻止来自MEMS晶片上MEMS器件到ASIC晶片上的电路的串扰，在晶片级芯片尺寸封装中当直接使用ASIC晶片加盖MEMS器件时。一般而言，屏蔽板应该比它屏蔽的MEMS器件结构稍大(例如，可移动MEMS结构诸如加速计摆片质量或陀螺仪谐振器)，并且在晶片接合器件或之后屏蔽板不能与MEMS器件结构接触。因此，就形成凹部以确保有足够的远离MEMS器件结构的顶部表面的空腔间隔。屏蔽板式导电的并且可以偏置，例如与对面MEMS器件结构相同的电压以维持MEMS器件结构和遮蔽板之间的零静电吸引力。 | ||||||
| 210 | 空腔薄膜及其制造方法 | CN201510991895.4 | 2015-12-24 | CN105439074A | 2016-03-30 | 季锋; 闻永祥; 刘琛; 孙伟 |
| 本发明提供了一种空腔薄膜及其制造方法，所述方法包括：提供第一掺杂浓度的N型硅片；在所述第一掺杂浓度的N型硅片表面形成第二掺杂浓度的第一N型层，所述第二掺杂浓度高于第一掺杂浓度；通过电化学腐蚀工艺使第二掺杂浓度的第一N型层变成第一多孔硅层；通过外延生长工艺在所述第一掺杂浓度的N型硅片上生长单晶硅层，形成第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜；在所述第一掺杂浓度的第一N型空腔隔膜中形成多个通孔，所述多个通孔露出部分第一多孔硅层；通过腐蚀工艺使所述第一多孔硅层变成第一空腔；通过外延生长工艺形成单晶硅层，密闭所述多个通孔。从而与CMOS工艺兼容，可实现SON器件与薄膜传感器的集成；制造工艺简单，对设备要求低。 | ||||||
| 211 | 具有单驱动的微机械单片式三轴陀螺仪 | CN201180055845.5 | 2011-09-18 | CN103221778B | 2016-03-30 | C·阿卡 |
| 除其它情况之外，本申请讨论了帽晶片和通孔晶片，所述帽晶片和所述通孔晶片被配置为封装在装置层的x-y面上形成的单质量块三轴陀螺仪。所述单质量块三轴陀螺仪可包括：主质量块部件、中心悬置系统以及驱动电极，其中，所述主质量块部件悬置于单中心支架上，且所述主质量块部件包括向外朝所述三轴陀螺仪传感器的边缘延伸的放射状部分；所述中心悬置系统被配置为将所述三轴陀螺仪悬置于所述单中心支架上；且所述驱动电极包括移动部分和固定部分，所述移动部分连接到所述放射状部分上，其中，所述驱动电极和所述中心悬置系统被配置为使所述三轴陀螺仪关于垂直于所述x-y面的z轴以驱动频率振动。 | ||||||
| 212 | MEMS器件及其形成方法 | CN201210556596.4 | 2012-12-20 | CN103193193B | 2016-03-30 | 梁凯智; 朱家骅; 李德浩; 李久康; 林宗贤 |
| 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。 | ||||||
| 213 | 制造谐振式传感器的方法 | CN201210510312.8 | 2012-12-03 | CN103130179B | 2016-03-30 | 野田隆一郎; 吉田隆司 |
| 一种制造具有振动梁的谐振式传感器的方法，包括：（a）提供SOI衬底，SOI衬底包括：第一硅层；在第一硅层上的氧化硅层；以及在氧化硅层上的第二硅层；（b）通过使用氧化硅层作为蚀刻阻挡层来蚀刻第二硅层，来穿过第二硅层形成第一间隙和第二间隙；（c）在第二硅层上形成杂质扩散源层；（d）在第二硅层的表面部分中形成杂质扩散层；（e）通过蚀刻去除杂质扩散源层；以及（f）通过蚀刻来去除氧化硅层的至少一部分，从而在第一硅层与由第一间隙和第二间隙围绕的第二硅层的区域之间形成空气间隙。 | ||||||
| 214 | 应用于生物医学中的微型器件及其用法 | CN201510770386.9 | 2010-09-17 | CN105403690A | 2016-03-16 | 俞昌; 俞和 |
| 本发明公开了用于生物应用的微型器件及其使用方法，每个微型器件包括一个外膜和一种特性且微型器件的尺寸范围从大约1埃到大约5毫米。 | ||||||
| 215 | 一种利用光刻胶以及低温等离子刻蚀制备黑硅的方法 | CN201510708520.2 | 2015-10-27 | CN105399045A | 2016-03-16 | 徐丽华; 闫兰琴; 褚卫国 |
| 本发明涉及一种利用光刻胶以及低温等离子体刻蚀制备黑硅的方法，包括以下步骤：在硅片表面涂覆光刻胶，曝光，烘烤固化，进行低温等离子体刻蚀，从而在硅片表面形成密排的纳米锥状的陷光结构。本发明提供的方法能够在硅片上形成具有很强吸光特性的黑硅，且该方法工艺流程简单、工艺容忍度大、重复性好，可以直接制备大面积的黑硅，具有较高的制备效率。 | ||||||
| 216 | 静电致动器和用于生产其的方法 | CN201480030847.2 | 2014-05-26 | CN105392733A | 2016-03-09 | 尼古拉斯·兰格; 弗兰克·维普曼 |
| 本发明涉及一种静电致动器，包括静止电极(14)和一端被紧固的弯折部分(22’)，弯折部分(22’)包括在重叠区域内与静止电极(14)相对设置并且沿静止电极(14)的方向能够移动的悬臂电极(29)。 | ||||||
| 217 | 一种压电叠堆型微位移放大机构及其驱动方法 | CN201510785256.2 | 2015-11-13 | CN105384139A | 2016-03-09 | 张铁民; 李晟华; 梁莉 |
| 本发明公开了一种压电叠堆型微位移放大机构及其驱动方法，该机构包括驱动电源和若干个微位移放大单元，驱动电源输出直流电压；每个微位移放大单元包括一钹型压电驱动器和一机架，钹型压电驱动器由若干个钹型压电驱动单元组成，每个钹型压电驱动单元包括两片钹型金属帽和一压电陶瓷单元，钹型压电驱动单元之间采用结构上串联、电路上并联的方式相互贴合叠加。机架为椭圆形或者菱形的框架结构，在机架上沿压电陶瓷单元厚度方向设有两个推杆，所述钹型压电驱动器固定在两个推杆之间，微位移放大单元的输出端设置在推杆或者机架短轴方向上。本发明具有结构简单、体积较小、分辨率高、频响快等优点。 | ||||||
| 218 | 微流体装置及其制造方法、流路形成用感光性树脂组合物 | CN201480037367.9 | 2014-07-18 | CN105377747A | 2016-03-02 | 稗田克彦; 猪俣克巳; 宫崎智和; 土井贵史; 洼寛仁 |
| 本发明的目的在于提供一种具有基质不会附着且小的流路的微流体装置。本发明的微流体装置在构件的内部具有流路，并且所述微流体装置的特征在于：所述流路具有由感光性树脂组合物所形成的经图案化的树脂组合物层，其中所述感光性树脂组合物含有具有氧杂环丙基的化合物、具有氧杂环丁基的化合物及光酸产生剂。 | ||||||
| 219 | 晶片封装体及其制造方法 | CN201510478819.3 | 2015-08-07 | CN105374778A | 2016-03-02 | 林建名 |
| 本发明提供一种晶片封装体及其制造方法，该晶片封装体包含半导体晶片、中介片、高分子粘着支撑层、第一绝缘层、重布局线路以及封装层。半导体晶片具有感应元件以及导电垫，导电垫电性连接感应元件。中介片配置于半导体晶片上方，且具有沟槽以及穿孔，其中沟槽暴露出部分感应元件，穿孔暴露出导电垫。高分子粘着支撑层夹设于半导体晶片与中介片间，且具有第一开口暴露出导电垫。第一绝缘层配置于中介片的下表面，且部分第一绝缘层配置于第一开口内覆盖高分子粘着支撑层。重布局线路配置于穿孔内以电性连接导电垫。封装层覆盖中介片以及重布局线路且具有第二开口暴露出沟槽。本发明容易有效控制并确保半导体晶片与中介片的连接。 | ||||||
| 220 | 一种环境传感器及其制造方法 | CN201510890382.4 | 2015-12-04 | CN105371878A | 2016-03-02 | 詹竣凯; 蔡孟锦 |
| 本发明公开了一种环境传感器及其制造方法，包括基材，在所述基材的上端设有至少一个凹槽，还包括位于基材上方的敏感膜层，所述敏感膜层包括固定在基材端面上的固定部，以及伸入至凹槽内的弯曲部，所述弯曲部与凹槽的侧壁构成了用于检测信号的电容器；其中，所述弯曲部、固定部与凹槽形成了密闭的容腔。本发明的环境传感器，将传统设置在基材表面的电容器结构，改为垂直伸入基材内部的电容器结构，加大凹槽的深度即可增大电容器两个极板之间的感测面积，由此可大大缩小电容器在基材上的覆盖面积，满足了现代电子器件的轻薄化发展。 | ||||||
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