| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种原子发生器 | CN201510772032.8 | 2015-11-12 | CN105430864A | 2016-03-23 | 李小平; 丁甜田; 雷敏 |
| 本发明公开了一种原子发生器，包括真空法兰、气体引入模块、加热模块、隔热模块、冷却模块和出口模块，气体引入模块包括供气源、真空微调阀和供气管；加热模块包括电源、钨毛细管和钨加热子；隔热模块包括固定安装在所述真空法兰上的钼隔热层；冷却模块包括套接在所述钼隔热层上的冷却套；出口模块包括设置在钨毛细管下方的出口支座，出口支座固定安装在钼隔热层上，其上设置有锥状内孔，锥状内孔的中心线与所述钨毛细管的中心线同线并且其顶端的直径小于其底端的直径。本原子发生器在原子出口处添加了一个有锥状内孔的出口支座，增加原子在小极角的流量密度，抑制原子在大极角的流量密度，改善出口处的原子束的角分布，提高原子利用率。 | ||||||
| 2 | 制作超微细图形的装置 | CN01108757.9 | 2001-08-20 | CN1211715C | 2005-07-20 | 石建平; 陈旭南; 罗先刚; 高洪涛; 陈献忠; 李展 |
| 本发明是一种用原子制作任意超微细图形的装置，由原子束发生器、真空室、通电线圈、激光束、计算全息编码片和基片等构成。它利用磁场、激光场使准直原子束冷却、减速，形成准单色德布罗意波；使准单色德布罗意波通过计算全息编码片孔产生衍射和干涉，在工件台上直接堆积制作出任意形状的超微细图形。该装置克服了现有技术的缺陷，可广泛应用于制作包含纳米图形的超微细三维图形、纳米材料和纳米器件等的研究和开发。 | ||||||
| 3 | 一种能提高原子束密度的原子发生器 | CN201510769696.9 | 2015-11-12 | CN105376923A | 2016-03-02 | 李小平; 雷敏; 丁甜田 |
| 本发明公开了一种能提高原子束流量密度的原子发生器，包括真空法兰、气路组件、加热装置和隔热冷却装置，气路组件包括供气源、真空微调阀、气体引入法兰、供气管、陶瓷套和钨毛细管；加热装置包括直流稳压电源、电引入法兰和钨加热子；隔热冷却装置包括冷却水引入法兰、铜套、钼隔热层和冷却块，铜套上设置有冷却水道，钼隔热层的下端设置有作为原子束出口的第一圆孔，铜套上设置有作为原子束出口的第二圆孔，并且所述钨毛细管、第一圆孔、第二圆孔的轴线重合。本发明出口处原子角度分布上，小极角范围内的原子流量密度得到增加，使原子发生器的工作效率得到提升，同时抑制了大极角的原子流量密度，减小了对周围元器件的影响。 | ||||||
| 4 | 产生中性粒子束装置及方法 | CN201110288162.6 | 2011-09-26 | CN102332384A | 2012-01-25 | 席峰; 李勇滔; 李楠; 张庆钊; 夏洋 |
| 本发明公开了一种产生中性粒子束装置包括射频电源、平面螺旋型射频线圈、反应腔体、放置芯片的载片台、法拉第屏蔽栅、等离子源、上网板及中网板。还公开一种产生中性粒子束方法。根据本发明提供的产生中性粒子束装置及方法，解决了等离子体刻蚀中静电损伤的问题，减弱了加工过程中产生的辐照损伤，提高了工艺精度和器件性能，可满足集成电路制造中不断精细化低损伤的要求。 | ||||||
| 5 | 中性粒子束处理设备 | CN200480034993.9 | 2004-11-27 | CN100466879C | 2009-03-04 | 李奉柱; 俞席在; 李学柱 |
| 本发明涉及一种中性粒子束处理设备。更具体地，本发明涉及一种中性粒子束处理设备，包括：等离子体放电空间，在其内部，通过等离子体放电将处理气体转换为等离子体离子；重金属板，通过碰撞将等离子体离子转换为中性粒子；等离子体限制器，防止等离子体离子和电子通过，并允许由等离子体离子与金属板的碰撞产生的中性粒子通过；以及处理外壳，其内部设置了要处理的基板，其中将等离子体放电空间夹在重金属板和等离子体限制器之间。 | ||||||
| 6 | 保护掩模版的原子束 | CN200580017841.2 | 2005-04-08 | CN1961619A | 2007-05-09 | 彼得·西尔弗曼 |
| 本发明的实施方案提供产生原子束的束发生器，所述原子束越过掩模版的已图形化表面传播。所述束可以与颗粒相互作用，以阻止所述颗粒污染掩模版。 | ||||||
| 7 | 中性粒子束处理设备 | CN200480034993.9 | 2004-11-27 | CN1887035A | 2006-12-27 | 李奉柱; 俞席在; 李学柱 |
| 本发明涉及一种中性粒子束处理设备。更具体地，本发明涉及一种中性粒子束处理设备，包括：等离子体放电空间，在其内部，通过等离子体放电将处理气体转换为等离子体离子；重金属板，通过碰撞将等离子体离子转换为中性粒子；等离子体限制器，防止等离子体离子和电子通过，并允许由等离子体离子与金属板的碰撞产生的中性粒子通过；以及处理外壳，其内部设置了要处理的基板，其中将等离子体放电空间夹在重金属板和等离子体限制器之间。 | ||||||
| 8 | 基于气体团簇离子束技术的中性射束处理方法和设备 | CN201180051189.1 | 2011-08-23 | CN103180030B | 2017-04-12 | 肖恩·R·柯克帕特里克; 艾伦·R·柯克帕特里克 |
| 提供用于处理材料的来自加速气体团簇离子束的加速中性射束的设备、方法和产品。 | ||||||
| 9 | 使用基于石墨烯的材料产生能量和/或HE-4的方法 | CN201180068549.9 | 2011-12-22 | CN103703516A | 2014-04-02 | 克里斯托弗·H·库珀; 威廉·K·库珀; 詹姆斯·F·洛恩 |
| 本发明揭示一种产生非电离辐射、非电离4He原子或两者的组合的方法，所述方法包含：使石墨烯材料与氘源接触；并且在所述氘源中使所述石墨烯材料老化足以产生非电离辐射、非电离4He原子的时间。在一个实施例中，石墨烯材料可以包含碳纳米管，如氮掺杂单壁或多壁碳纳米管。与α粒子不同，通过所揭示的方法产生的所述非电离4He原子是一种低能粒子，如能量小于1MeV(如小于100keV)的粒子。可以通过所揭示的方法产生的其它非电离辐射包括软x射线、碳材料内的声子或高能电子以及可见光。 | ||||||
| 10 | 具有自适应发射方向和/或位置的原子干涉仪 | CN201310122426.X | 2013-02-15 | CN103323620A | 2013-09-25 | R·坎普顿; K·萨利特 |
| 本文所述的实施例提供了一种在原子干涉仪中发射原子的方法。所述方法包括确定原子上的总有效加速力的方向，基于总有效加速力的方向控制用于在原子干涉仪中进行测量的原子的发射方向，并且从原子中获得测量值。 | ||||||
| 11 | 基于气体团簇离子束技术的中性射束处理方法和设备 | CN201180051189.1 | 2011-08-23 | CN103180030A | 2013-06-26 | 肖恩·R·柯克帕特里克; 艾伦·R·柯克帕特里克 |
| 提供用于处理材料的来自加速气体团簇离子束的加速中性射束的设备、方法和产品。 | ||||||
| 12 | 一种光刻设备及在光刻中使用的方法 | CN200580017841.2 | 2005-04-08 | CN1961619B | 2011-09-14 | 彼得·西尔弗曼 |
| 本发明的实施方案提供产生原子束的束发生器，所述原子束越过掩模版的已图形化表面传播。所述束可以与颗粒相互作用，以阻止所述颗粒污染掩模版。 | ||||||
| 13 | 中性粒子发生器 | CN200980130172.8 | 2009-06-22 | CN102113418A | 2011-06-29 | 奥戴德·什里尔 |
| 一种中性粒子发生器，包括一容器，该容器容纳处于至少部分等离子状态的材料，例如，氘等离子体。在一种方式中，第一阴极被定位在该容器中，并且产生远离该第一阴极定向的第一中性粒子束。可选地，第二阴极也被定位在该容器内，并且产生远离该第二阴极定向的第二中性粒子束，并且/或者一目标物也被定位在该容器内。在一种方式中，第一阴极和第二阴极直线地相对，以便第一中性粒子束和第二中性粒子束相互作用/碰撞，从而导致至少一些的中性粒子发生聚变反应，因此，这导致产生发射中子。 | ||||||
| 14 | 制作超微细图形的装置 | CN01108757.9 | 2001-08-20 | CN1406860A | 2003-04-02 | 石建平; 陈旭南; 罗先刚; 高洪涛; 陈献忠; 李展 |
| 本发明是一种用原子制作任意超微细图形的装置，由原子束发生器、真空室、通电线圈、激光束、计算全息编码片和基片等构成。它利用磁场、激光场使准直原子束冷却、减速，形成准单色德布罗意波；使准单色德布罗意波通过计算全息编码片孔产生衍射和干涉，在工件台上直接堆积制作出任意形状的超微细图形。该装置克服了现有技术的缺陷，可广泛应用于制作包含纳米图形的超微细三维图形、纳米材料和纳米器件等的研究和开发。 | ||||||
| 15 | 激励原子束源 | CN94103083.0 | 1994-03-30 | CN1099188A | 1995-02-22 | 吉田善一; 水口信一 |
| 激励原子束源，通过设置半同轴空腔谐振器的放电室，沿该轴向加磁场的构件，被激气体导入口和沿径向引出激励原子的导出口。能沿轴向加磁场，封闭原子与离子，从而能沿径向优先引出呈电气中性的激励原子。本发明还通过在喷嘴与小孔之间产生形成磁路的微波等离子体，并只让等离子体中的高速中性及激励原子通过小孔，能获得超音速的激励原子束，用于向半导体的掺杂。 | ||||||
| 16 | 用于形成凝聚团族的方法和装置 | CN89101531.0 | 1989-03-18 | CN1036855A | 1989-11-01 | 罗水音 |
| 用于形成凝聚团族的方法和装置。团族意味着将一个或更多个原子或分子聚集在一起。团族是通过引入的散射过程成为凝聚状的。 | ||||||
| 17 | 비-이극성 전자 플라즈마에 의해 이방성 및 모노-에너제틱 뉴트럴 빔을 제공하기 위한 방법 및 장치 | KR1020150148171 | 2015-10-23 | KR1020160051619A | 2016-05-11 | 첸리; 펑크메리트; 첸지잉 |
| 실시예들은뉴트럴입자들의실질적으로이방성빔으로구성되는모노-에너제틱공간-하전중성화뉴트럴-빔활성화화학적프로세스로기판을처리하기위한화학적프로세싱장치를이용하는화학적프로세싱장치및 방법을포함한다. 화학적프로세싱장치는제 1 플라즈마전위로제 1 플라즈마를형성하기위한제 1 플라즈마챔버, 및제 1 플라즈마전위보다더 높은제 2 플라즈마전위로제 2 플라즈마를형성하기위한제 2 플라즈마챔버를포함하고, 제 2 플라즈마는제 1 플라즈마로부터의전자플럭스를이용하여형성된다. 추가로, 화학적프로세싱장치는뉴트럴라이저그리드로부터이동하는뉴트럴입자들의실질적으로이방성빔에대해제 2 플라즈마챔버의기판을노출하도록구성되는비접지유전체(절연체) 뉴트럴라이저그리드를포함한다. | ||||||
| 18 | 하이퍼서멀 빔을 제조하는 방법 및 장치 | KR1020100066601 | 2010-07-09 | KR101116829B1 | 2012-03-13 | 우,마크이-션 |
| 본 발명의 다양한 측면에 따라, 하이퍼서멀 빔을 제조하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 플라즈마 디스차지 소스(plasma discharge source), 방사 시스템(emssion system) 및 자기 소스(magnetic source)를 포함할 수 있다. 상기 플라즈마 디스차지 소스는 기본 소스를 수용하도록 형성될 수 있고, 상기 기본 소스에 기초하여 플라즈마를 발생시키며, 상기 기본 소스의 하나 또는 그 이상의 중성 원자를 발생시킨다. 상기 방사 시스템은 상기 플라즈마 디스차지 소스로부터 상기 플라즈마 디스차지 소스의 구멍(aperture)을 통해, 상기 기본 소스의 하나 또는 그 이상의 중성 원자를 포함하는, 하이퍼서멀 빔을 방사하도록 형성될 수 있다. 상기 자기 소스는 자기장을 제공하고, 첫 번째 방향으로 상기 하이퍼서멀 빔을 평행하게 하며, 상기 하이퍼서멀 빔의 사이즈를 제어하기 위해 형성될 수 있다.
본 발명의 다양한 측면에 따르면, 하이퍼서멀 빔을 제조하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 기본 소스를 수용하는 단계, 상기 기본 소스에 기초하여 플라즈마를 발생시키는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 자기장을 제공하는 단계와 상기 기본 소스의 하나 또는 그 이상의 중성 원자를 발생시키는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은 상기 기본 소스의 하나 또는 그 이상의 중성 원자를 포함하고, 첫 번째 방향으로 평행하게 되며, 제어된 사이즈를 갖는 하이퍼서멀 빔을 방사하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다양한 측면에 따라, 하이퍼서멀 빔을 제조하는 장치가 제공된다. 상기 장치는 기본 소스를 수용하기 위한 수단과 상기 기본 소스에 기초하여 플라즈마를 발생시키기 위한 수단을 포함할 수 있다. 또한, 상기 장치는 자기장을 제공하기 위한 수단과 상기 기본 소스의 하나 또는 그 이상의 중성 원자를 발생시키기 위한 수단을 포함한다. 또한, 상기 장치는 상기 기본 소스의 하나 또는 그 이상의 중성 원자를 포함하고, 첫 번째 방향으로 평행하게 되며, 제어된 사이즈를 갖는 하이퍼서멀 빔을 방사하기 위한 수단을 포함한다. |
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| 19 | 초고온의 수소 분자를 생성하는 방법 및 이를 이용한 기판 표면에 또는 그 표면 상의 탄소-수소 및/또는 규소-수소 결합을 선택적으로 단리하기 위한 방법 | KR1020117023176 | 2010-03-03 | KR1020120013314A | 2012-02-14 | 라우,레오더블유.엠.; 양,데-쿠안; 트레비키,토마스; 니에,헹용 |
| 고온의 분자성 수소를 생성하는 방법이 개시되어 지고 그리고 다른 결합을 깨트리지 않고 CH 또는 Si-H 결합을 선택적으로 단리하기 위한 이의 용도가 개시되어 진다. 수소 플라즈마가 유지되어 지고 그리고 양성자는 이들을 적절한 운동 에너지로 가속하기 위해 전기장으로 추출되어 진다. 그리고 양성자는 가스 상태의 분자성 수소와 충돌하도록 드리프트 죤 안으로 도입한다. 충돌의 케스케이드는 수소 플라즈마로부터 추출된 양성자의 흐름보다 수배 큰 흐름을 갖는 고온의 분자성 수소의 높은 흐름을 생성한다. 양성자에 대한 고온 분자성 수소의 명목상 흐름 비율은 드리프트 죤 안의 수소 압력과 그리고 드리프트 죤의 길이에 의해 제어되어 진다. 양성자의 추출 에너지는 이들 고온의 분자와 공유되어 져 고온의 분자성 수소의 평균 에너지는 양성자의 추출 에너지와 명목상의 흐름 비율에 의해 조절되어 진다. 고온의 분자성 수소 추진체들이 어떠한 전기적 하전을 수반하지 않기 때문에, 고온 수소의 흐름은 전기적 절연인 제품 및 전도성 제품의 양자의 표면 개질을 조작하는데 사용되어 질 수 있다. 고온 분자성 수소의 높은 흐름을 생성하는 이 방법이 기판상에 바람직한 화학적 기능성/기능성들을 갖는 유기 전구체 분자(또는 실리콘 또는 실란 분자)를 충격하기 위해 적용되어 질 때, CH 또는 Si-H 결합은 따라서 고온의 수소 추진체들로부터 전구체 분자 내의 수소 원자로 에너지 증착의 운동학적 선택성에 기인하여 우선적으로 단리되어 진다. 유도된 가교 반응은 전구체 분자의 바람직한 화학적 기능성/기능성들을 유보하고 그리고 조절가능한 가교도를 갖는 안정한 분자 층을 생산한다. | ||||||
| 20 | 레티클 보호 장치 및 보호 방법 | KR1020067022322 | 2005-04-08 | KR100811323B1 | 2008-03-07 | 실버맨피터 |
| 본 발명은 레티클의 패터닝된 표면을 지나 이동하는 원자 빔을 생성하는 빔 생성기를 제공한다. 이 빔은 입자들과 상호 작용하여 입자들이 레티클을 오염시키는 것을 방지한다. | ||||||
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