| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 161 | Fast atom beam source | EP90122336.2 | 1990-11-22 | EP0430081A3 | 1991-10-30 | Nagai, Kazutoshi |
A fast atom beam source comprises a evacuated cylinder, an anode set at one end or an intermediate portion of the cylinder, a cathode with fast atom emission orifices on it, and set at the other end of the cylinder, and a DC high voltage power supply for generating gas discharge by applying a high voltage between the anode and the cathode. A slit is provided on inside wall of the cylinder and a reservoir for oil or low-melting point metal is connected to the slit. A heater is set on the reservoir for vapourizing the oil or low-melting point metal. It supplies vapor of oil or low-melting point metal into the cylinder. Many ions of oil or low melting point metal are generated in glow through gas (the oil, vapor or the metal vapor) discharge by high voltage applying. They are accelerated towards the cathode. Then, they are neutralized after collision with the vapor of oil or low-melting point metal remaining near the cathode and are emitted from the orifices on the cathode. They constitute a fast atom beam. During such operation, the vapor of oil or low-melting point metal enters the cylinder through the slit and maintains an equilibrium condition of gas density in the cylinder. Thus, an automatic supply of the gas consumed as a fast atom beam is effected without any gas feeding device or any gas adjusting device. |
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| 162 | Method and apparatus for producing neutral atomic and molecular beams | EP87301891.5 | 1987-03-04 | EP0240173A3 | 1989-04-05 | Albridge, Royal G. Jr.; Haglund, Richard F. Jr.; Snowdon, Kenneth J.; Tolk, Norman H. |
A method and apparatus for producing a neutral beam of oxygen (29) or other gas for use in testing of materials and for heavy particle etching is disclosed. A beam of positively ionized gas (17) is accelerated and filtered to produce a beam (21) having ions of a selected energy. The beam is decelerated to an energy of the level required and directed toward a photo emissive surface (28) at a grazing incidence angle causing electrons to be contributed to the beam thereby neutralizing part of the ionized atoms and molecules of the beam. The neutralized beam (29) is directed through electrostatic deflection plates (31) which separate out remaining ionized particles producing a neutral beam (29). |
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| 163 | Dissociator for atomic masers | EP87107031.4 | 1987-05-14 | EP0245867A1 | 1987-11-19 | Stein, Samuel R. |
The subject invention relates to a dissociator (12) for an atomic hydrogen maser (10) and comprises a dissociation chamber (30) for generating hydrogen atomic capable of being deflected by a state-selecting magnetic field (13). The dissociation chamber (30) is provided with an inlet (35) opening for molecular hydrogen and an outlet (40) for atomic hydrogen, radio frequency discharge means (50, 54) connected to said chamber (30) and a yieldable member (23, 24, 25) supporting said dissociation chamber (30) and surrounding the same. The outlet (46) acts as a beam-directing device with a wide range of orientations. |
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| 164 | VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM ERZEUGEN VON MOLEKULARSTRAHLEN UND VERWENDUNG DIESES VERFAHRENS | EP83901909.8 | 1983-06-30 | EP0112858B1 | 1987-11-04 | SCHLAG, Edward William; VON WEYSSENHOFF, Hanns; SELZLE, Heinrich |
| Method and device for producing molecular beams comprising large thermally unstable molecules, wherein the molecules pass from the non-gaseous phase to the gaseous phase by supply of energy and are mixed to a carrier gas and cooled by adiabatic expansion with the carrier gas. The large molecules pass from the non-gaseous phase to the gaseous phase at such a temperature that their evaporation rate is higher than their decomposition rate. The energy required to pass the large thermally unstable molecules from the non-volatile phase to the gaseous phase is supplied so rapidly that the large thermally unstable molecules pass, at a temperature higher than the decomposition temperature, from the non-volatile phase to the gaseous phase wherein their evaporation rate is higher than the decomposition rate. Those molecules are brought, in a gaseous state, to a carrier gas stream region wherein they start to expand, the temperature of such gas stream being substantially lower than the evaporation respectively decomposition temperature of the large thermally unstable molecules. | ||||||
| 165 | Method and apparatus for producing neutral atomic and molecular beams | EP87301891.5 | 1987-03-04 | EP0240173A2 | 1987-10-07 | Albridge, Royal G. Jr.; Haglund, Richard F. Jr.; Snowdon, Kenneth J.; Tolk, Norman H. |
A method and apparatus for producing a neutral beam of oxygen (29) or other gas for use in testing of materials and for heavy particle etching is disclosed. A beam of positively ionized gas (17) is accelerated and filtered to produce a beam (21) having ions of a selected energy. The beam is decelerated to an energy of the level required and directed toward a photo emissive surface (28) at a grazing incidence angle causing electrons to be contributed to the beam thereby neutralizing part of the ionized atoms and molecules of the beam. The neutralized beam (29) is directed through electrostatic deflection plates (31) which separate out remaining ionized particles producing a neutral beam (29). |
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| 166 | VERFAHREN UND EINRICHTUNG ZUM ERZEUGEN VON MOLEKULARSTRAHLEN | EP83901909.0 | 1983-06-30 | EP0112858A1 | 1984-07-11 | SCHLAG, Edward William; VON WEYSSENHOFF, Hanns; SELZLE, Heinrich |
| Procédé et dispositif pour la production de faisceaux moléculaires comportant de grandes molécules instables thermiquement, dans lequel les molécules passent de la phase non gazeuse à la phase gazeuse par apport d'énergie et sont mélangées à un gaz porteur et refroidies par expansion adiabatique avec le gaz porteur. Les grandes molécules passent de la phase non gazeuse à la phase gazeuse à une telle température à laquelle leur taux d'évaporation est plus grand que leur taux de décomposition. L'énergie pour faire passer les grosses molécules thermiquement instables de la phase non volatile à la phase gazeuse est apportée si rapidement que les grosses molécules thermiquement instables, à une température supérieure à la température de décomposition, passent de la phase non volatile à la phase gazeuse, dans laquelle leur taux d'évaporation est supérieur au taux de décomposition. Ces molécules sont amenées, à l'état gazeux, dans une région d'un courant de gaz porteur dans laquelle elles commencent à se dilater, la température de ce courant de gaz étant essentiellement inférieure à la température d'évaporation resp. de décomposition des grandes molécules instables thermiquement. | ||||||
| 167 | 原子線源 | JP2017507886 | 2016-08-18 | JP6178538B2 | 2017-08-09 | 辻 裕之; 高橋 知典; 近藤 好正; 北村 和正; 赤尾 隆嘉; 長江 智毅 |
| 168 | 基板接合装置および基板接合方法 | JP2016515231 | 2015-04-24 | JPWO2015163461A1 | 2017-05-25 | 須賀 唯知; 唯知 須賀; 山内 朗; 朗 山内 |
| 基板接合装置(100)は、真空チャンバ(200)と、第1基板(301)および第2基板(302)の接合面を活性化させる表面活性化処理部(610)と、2つの接合面を接触させることにより、基板(301,302)を接合するステージ移動機構(403,404)とを備える。真空チャンバ(200)内において接合面を活性化させる際には、接合面を活性化させる粒子ビームの照射と共に、シリコン粒子が接合面に照射される。これにより、基板(301,302)の接合強度を向上することができる。 | ||||||
| 169 | 制御された原子源 | JP2016559288 | 2015-03-24 | JP2017512639A | 2017-05-25 | コク オーレ; シン ヤシュパル; ボングス カイ; ヘ ウェイ |
| 特定の種の少なくとも1つのトラップ原子を生成する方法であって、特定の種を含む試料物質を真空室内に配置するステップと、試料物質を第1のレーザで照射することによって特定の種の原子蒸気を生成するステップと、生成された原子蒸気から1つまたは複数の原子をトラップするステップとを含む方法。 | ||||||
| 170 | 中性ビームを配向するための方法および装置 | JP2015556236 | 2014-02-04 | JP2016507133A | 2016-03-07 | カークパトリック，ショーン，アール．; チャウ，ソン |
| ガスクラスターイオンビームに由来する中性ビームの偏向を生じさせるための装置および方法は、ガスクラスターの解離およびイオンの除去を行う前に前記ガスクラスターイオンビームを偏向する。 | ||||||
| 171 | 電子サイクロトロン共鳴イオン・ゼネレータ | JP2011515536 | 2009-06-11 | JP5715562B2 | 2015-05-07 | パケ、ジャン−イヴ; ゴベール、ガブリエル |
| 172 | Coupling structure for airframe component | JP2011055999 | 2011-03-14 | JP2012192752A | 2012-10-11 | KAWAHARA KOJI; YAMAKOSHI HIDEO; KAMINO YUICHIRO; IYOMASA ATSUHIRO; HASHIGAMI TORU |
| PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a coupling structure for airframe components that is capable of ensuring sufficient lightning protection capability.SOLUTION: A conductive pattern part 40 made of a conductive material is formed around each fastener member 24 between wing surface panels 21A and 21B. The conductive pattern part 40 is formed, for example, around each of holes 21c and 21d on the plane on which the wing surface panel 21A and the wing surface panel 21B abut against each other. Then, the conductive pattern part 40 is pushed against both the wing surface panel 21A and the wing surface panel 21B by the fastening power of the fastener members 24, whereby electrical conduction between the wing surface panel 21A and the wing surface panel 21B can be achieved. | ||||||
| 173 | Method generates a hyperthermal hydrogen molecules, using it to selectively cleave the C-H bond and / or Si-H bonds of molecules on the surface or surfaces of the substrate | JP2011552288 | 2010-03-03 | JP2012519143A | 2012-08-23 | トレビッキー，トーマス; ヨン ニー，ヘン; ヤン，デ−クアン; ダブリュ．エム． ラウ，レオ |
| ハイパーサーマル分子状水素を生成する方法を開示し、且つ他の結合を切断することなくCH結合又はSi-H結合を選択的に切断するためのその使用を開示する。 水素プラズマを維持し、プロトンを電場で抽出して、適切な運動エネルギーに加速させる。 プロトンはドリフト領域に入り込んで、気相の分子状水素と衝突する。 衝突カスケードによって、水素プラズマから抽出されたプロトンのフラックスより何倍も大きいフラックスを有する、ハイパーサーマル分子状水素の高フラックスが生成される。 ハイパーサーマル分子状水素とプロトンとの公称のフラックス比は、ドリフト領域の水素圧力及びドリフト領域の長さによって制御される。 プロトンの抽出エネルギーは、これらのハイパーサーマル分子によって共有され、その結果、ハイパーサーマル分子状水素の平均エネルギーは、プロトンの抽出エネルギー及び公称のフラックス比によって制御される。 ハイパーサーマル分子状水素プロジェクタイルは、電荷を帯びていないので、ハイパーサーマル水素のフラックスを使用して、電気絶縁性生成物と導電性生成物の両方の表面改質を達成することができる。 このハイパーサーマル分子状水素の高フラックスを生成する方法を適用して、基材上の望ましい一つ/複数の化学官能性を有する有機前駆体分子(又はシリコーン又はシラン分子)を衝撃すると、CH結合又はSi-H結合は、ハイパーサーマル水素プロジェクタイルから前駆体分子の水素原子へのエネルギー付与の運動学的選択性のため優先的に開裂される。 誘導された架橋反応によって、制御可能な架橋度を有し、且つ前駆体分子の望ましい一つ/複数の化学官能性を保持している安定な分子層が生成される。
【選択図】図２ |
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| 174 | Electron cyclotron resonance ion generator | JP2011515536 | 2009-06-11 | JP2011526724A | 2011-10-13 | ゴベール、ガブリエル; パケ、ジャン−イヴ |
| 本発明は、長軸(ＡＡ')に沿う軸方向の対称性を持つ真空気密チェンバー(２)、
軸(ＡＡ')に関して回転対称性を持つ磁場を発生させるための手段(３、４、５、６)、そして高周波を伝搬するための手段からなるＥＣＲイオン・ゼネレータ(１)に関する。 チェンバー(２)は、イオンが生成されるイオン化ゾーン(１０)を持つチェンバー(２)の一端にイオン化第一ステージ(７)、ゾーン(１０)内で軸(ＡＡ')にほぼ平行な磁場、そして伝搬手段から来る第一の高周波を使用する生成されたイオンを磁気的に閉じ込めるための第二のステージ(８)を持つ。 磁場が、ゾーン(１０)と第二のステージ(８)との間で軸(ＡＡ') にほぼ平行であるため、ゾーン(１０)内で生成されたイオンは、第二のステージ(８)の方へ移動する。 また、第一および第二のステージ(７、８)は、同じＤＣプラズマを含む。 【選択図】図１ |
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| 175 | Remote plasma atomic layer deposition apparatus and a method using Dc bias | JP2007524731 | 2004-08-04 | JP4570659B2 | 2010-10-27 | キム，ウン−ジョン; キム，ジュ−ヨン; キム，ジン−ウー; ジョン，ヒョン−タク |
| 176 | Ion neutralizer | JP2005216021 | 2005-07-26 | JP4291307B2 | 2009-07-08 | 允▲カン▼ 全; 正旭 金 |
| 177 | Deuteron generating target and deuteron generating target apparatus | JP2002381327 | 2002-12-27 | JP4116425B2 | 2008-07-09 | 慎二 大須賀; 茂俊 岡崎; 宏典 高橋 |
| 178 | Method of manufacturing a gas sensor element | JP2002302212 | 2002-10-16 | JP4096692B2 | 2008-06-04 | 淳 岩田 |
| 179 | Neutral particle beam processing apparatus | JP2001088860 | 2001-03-26 | JP4073173B2 | 2008-04-09 | 克則 一木; 誠二 寒川; 和雄 山内; 浩国 桧山 |
| 180 | Neutral particle beam processing apparatus | JP2001088859 | 2001-03-26 | JP4042817B2 | 2008-02-06 | 克則 一木; 誠二 寒川; 和雄 山内; 浩国 桧山 |
