首页 / 国际专利分类库 / 物理 / 核物理;核工程 / 未列入其他类目的粒子或电离辐射的处理技术;照射装置;γ射线或X射线显微镜
序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
241 用于准直器制造检验的方法和设备 CN201210344553.X 2012-09-17 CN103033135A 2013-04-10 M.米斯; S.沃思; J.雷格
发明涉及一种用于准直器(K)的制造检验的方法,特别是检验准直器(K)的边缘,所述方法具有如下方法步骤:产生(S1)准直器(K)的至少一个三维测量数据组(2),在该至少一个测量数据组(2)上确定(S2)准直器(K)的片的多个横向轮廓数据(3),评估(S3)横向轮廓数据(3)的横向轮廓特性(4a、4b),通过横向轮廓特性(4a、4b)的投影产生(S4)至少一个二维投影数据组(5),和评估(S5)该至少一个二维投影数据组(5)。本发明另外涉及一种用于执行根据本发明的用于准直器(K)的制造检验的方法的设备,以通过用于执行方法的装置进行准直器(K)的制造检验。
242 准直光管 CN200580049708.5 2005-08-10 CN101171645B 2013-04-03 G·埃克纳
发明涉及一种用于限制富含能量射线(2)束的准直光管(1),该射线由一个基本点状的辐射源(3)发出对准治疗目标(4)并且尤其用于肿瘤的立体脉冲构造辐射,其中该准直光管(1)作为限制射线的机构具有一个孔径光阑(5)。对于这种准直光管(1)以微小的结构高度和变化的光阑孔(12)孔尺寸由此实现高度屏蔽,所述孔径光阑(5)具有至少三个光阑板(6,6’,6”或7,7’,7”,7´´´或8,8’,8”,8´´´,8´´´’或9,9’,9”,9´´´,9´´´’,9´´´”),它们具有以相同度(α)包围的、相互顶靠的侧面(10),其中光阑板(6,6’,6”或7,7’,7”,7´´´或8,8’,8”,8´´´,8´´´’或9,9’,9”,9´´´,9´´´’,9´´´”)由此释放一个限制射线的开孔(12),使得沿着侧面(10)通过最多以减少数量的光阑板(6,6’,6”或7,7’,7”,7´´´或8,8’,8”,8´´´,8´´´’或9,9’,9”,9´´´,9´´´’,9´´´”)发生平移运动。
243 X射线暗场成像系统和方法 CN200910088662.8 2009-07-07 CN101943668B 2013-03-27 黄志峰; 陈志强; 张丽; 王振天; 邢宇翔; 赵自然; 肖永顺
一种X射线成像技术,利用包括:X射线源、两吸收光栅G1和G2、X射线探测器、控制器数据处理单元的成像系统对被测物体进行X射线暗场CT成像,包括:向被测物体发射X射线;使得所述两吸收光栅G1和G2之一在其至少一个周期范围内进行相位步进运动;在每个相位步进步骤,探测器接收X射线,并转化为电信号;其中,经过至少一个周期的相位步进,探测器上每个像素点处的X射线光强表示为一个光强曲线;根据探测器上每个像素点处的光强曲线与不存在被检测物体情况下的光强曲线的对比度,计算得到每个像素的散射分布的二阶矩;在多个角度拍摄物体的图像,然后根据CT重建算法可以得物体的散射信息图像。
244 光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件 CN201210518419.7 2009-02-24 CN102981201A 2013-03-20 W·A·索尔; V·Y·班尼恩; J·H·J·莫尔斯; M·M·J·W·范赫彭; A·M·亚库林
申请涉及一种光学元件、包括该光学元件的光刻设备、器件制造方法以及所制造的器件。一种光学元件包括第一层(4),所述第一层包括第一材料,并配置成对第一波长辐射是基本上反射的并且对第二波长的辐射是基本上透明的。光学元件包括第二层(2),所述第二层包括第二材料,并配置成对所述第二波长的辐射是基本上吸收的或透明的。光学元件包括第三层(3),位于所述第一层和所述第二层之间的所述第三层包括第三材料,并对所述第二波长的辐射是基本上透明的并且配置成减小所述第二波长的辐射从所述第二层的面朝所述第一层的顶部表面的反射。第一层位于入射辐射的光学路径中相对于所述第二层的上游,以便提高所述第一波长的辐射的光谱纯度。
245 利用来自电弧的波能处理液体的系统、方法和装置 CN200780020853.X 2007-04-05 CN101460405B 2013-03-20 T·弗雷特
发明提供一种处理液体的系统、方法和装置,其通过提供波能源和在波能源周围形成涡动液体薄膜,使得一种或多种波能照射液体。同样地,本发明提供一种通过提供三个波能区,并且使液体通过三个波能区来处理液体的方法。
246 粒子束生成设备 CN201180031142.9 2011-05-26 CN102971802A 2013-03-13 G.克拉夫特; 斋藤奈美; D.沙德特
发明涉及粒子束生成设备(1),包括用于生成两条粒子束(12,13)的加速器单元(3,8,10)以及用于输出这两条粒子束(12,13)到工件(15)上的发射单元(20)。两条粒子束(12,13)是不同类型。本发明还涉及用于控制粒子束生成设备的方法。
247 用于通过x射线束的散射来分析样品的光学设备及相关的准直设备和准直仪 CN201180021391.X 2011-04-26 CN102971801A 2013-03-13 奥利维耶·塔谢; 奥利维耶·斯帕拉
发明涉及一种用于X射线束的准直设备、用于通过X射线束的散射来分析样品(105)的光学设备以及用于X射线束的准直仪。该准直设备包括意图在真空或受控气氛下的外壳(110),该外壳(110)具有用于射束的入口(120)和出口(121)及由具有衍射周期性结构的材料制成的至少一个板(104),所述板(104)具有两个主面(104a,104b)和在所述面之间的至少一个加宽的孔(104c)。
248 用于中性原子的二维磁光阱 CN201210313637.7 2012-08-29 CN102969038A 2013-03-13 杜胜望; 张善超; 周蜀渝; 殷光裕; 钦梅·贝尔坦加蒂
提供了一种用于金属中性原子的二维(2D)磁光阱(MOT),其沿长对称轴建立零磁场。3对囚禁激光束中的2对不沿四极磁场的对称轴,而是与长轴成大的非零度夹布置。在暗线二维磁光阱配置中,存在两束正交的再抽运光束。在每一束再抽运光中有一条不透明线被成像于长轴上,并且两条图像的交叠形成一条位于长轴上的暗线区域,此处没有再抽运光。沿长轴的零磁场区域可以使冷原子保持长的基态相干时间而无需关断磁光阱的磁场,这使高重复率和高占空比地对磁光阱进行操作成为可能。
249 采用点聚焦、弯曲单色光学器件的X射线成像系统 CN200680036327.8 2006-07-31 CN101356589B 2013-02-27 C·A·麦克唐纳; N·马伊; 陈泽武
一种X射线成像系统,包括具有至少一个将从X射线源300发出的X射线引向焦点360的点聚焦、弯曲单色光学器件320的光学设备。该至少一个点聚焦、弯曲单色光学器件提供指向焦点的聚焦单色X射线束,并且探测器350与该聚焦单色X射线对准。当对象340置于聚焦单色X射线束范围内的光学设备和探测器之间时,该光学设备有助于进行对象的X射线成像。在各种实施例中:每个点聚焦、弯曲单色光学器件具有双弯曲的光学表面;该光学设备有助于根据对象和探测器相对于焦点的放置进行被动式的图像缩小或者放大;并且可采用至少一个第二点聚焦、弯曲单色光学器件以有助于进行对象的折射率或者偏振束成像。
250 闪烁器面板和放射线图像传感器 CN201180027617.7 2011-05-16 CN102934173A 2013-02-13 外山真太郎; 楠山泰; 山下雅典; 大泽弘武; 式田宗功
提供能够谋求高分辨率化和高辉度化的闪烁器面板(1)以及放射线图像传感器(10)。闪烁器面板(1)具备:放射线透过基板(3),具有放射线的入射面(3a)和出射面(3b),并使放射线透过;闪烁器(4),由在出射面(3b)上结晶生长而成的多个柱状体构成,通过放射线的入射而产生光;FOP(6),相对于闪烁器(4)配置在与出射面(3b)的相反侧,使在闪烁器(4)产生的光传播;以及两面胶带(5),设置在闪烁器(4)与FOP(6)之间,将闪烁器(4)和FOP(6)粘结固定,并且使在闪烁器(4)产生的光透过。
251 多层反射镜 CN201180025900.6 2011-04-06 CN102918463A 2013-02-06 V·季莫什科夫; A·亚库宁; E·欧苏瑞欧奥利弗罗斯; J·B·P·范斯库特; A·T·W·凯姆彭
提供一种多层反射镜(80),包括第一材料层(84)和层(82)。第一材料层和硅层形成叠层。硅层的暴露区域包括布置用以改善硅的暴露区域的鲁棒性的改性部。
252 粒子射线照射装置及粒子射线治疗装置 CN201180026450.2 2011-04-13 CN102917755A 2013-02-06 岩田高明; 蒲越虎
发明的目的在于提供一种使用多组扫描电磁的、精度较高的、能进行从低速到高速的高自由度的带电粒子束扫描的粒子射线照射装置。粒子射线照射装置使所射入的带电粒子束沿与带电粒子束的前进方向相垂直的X方向及Y方向这两个方向的目标轨道进行扫描,以对照射对象进行照射,上述粒子射线照射装置包括多组使带电粒子束在两个方向上进行扫描的扫描电磁铁组,目标轨道由取决于与时间相对应的目标照射位置的时间序列目标轨道数据所给出,基于对时间序列目标轨道数据进行分频而得的多个数据,来生成发送给多组扫描电磁铁的各扫描电磁铁的指令值。
253 粒子射线照射装置及具备该装置的粒子射线治疗装置 CN201180023612.7 2011-06-22 CN102905761A 2013-01-30 蒲越虎; 原田久; 本田泰三
发明的目的在于提供一种能以简单的结构来检查扫描机构等的动作、从而可靠性更高的粒子射线照射装置。包括:对扫描出的粒子束(4)的一部分进行屏蔽的粒子束屏蔽体(6);对扫描出的粒子束(4)与该粒子束屏蔽体(6)发生碰撞时所产生的即时信号进行检测的即时信号检测器(11);以及信号比较装置(12),该信号比较装置(12)预测并求出由预先决定的扫描图案所产生的即时信号的产生图案,并将其作为比较用信号时间图案来进行存放,该信号比较装置(12)将检测信号时间图案与所存放的比较用信号时间图案进行比较,以对粒子束的扫描或粒子束屏蔽体(6)的异常进行检测,其中,所述检测信号时间图案是根据预先决定的扫描图案来将粒子束进行扫描并对目标照射粒子束时由即时信号检测器(11)所检测出的信号的时间图案。
254 多层全内反射光学装置及其制造和使用方法 CN201210262390.0 2012-07-27 CN102903412A 2013-01-30 S.M.李
发明多层全内反射光学装置及其制造和使用方法,提供一种具有输入面和输出面的多层光学装置。该光学装置包括:具有第一实折射率1-δ1和第一吸收系数的高折射率材料层,其中,芯体包括第一表面和第二表面;具有第二实折射率1-δ2和第二吸收系数的低折射率材料层;以及设置在高折射率材料层和低折射率材料层之间的分级区,该分级区包括具有第三实折射率1-δ3和第三吸收系数的分级层,使得1-δ1>1-δ3>1-δ2,其中,高折射率材料层、分级区和低折射率层中的一个或多个的至少一部分包括沿着第一方向的一个或多个波纹。
255 含Pr的闪烁体用单晶及其制造方法和放射线检测器以及检查装置 CN201210270147.3 2005-11-07 CN102888652A 2013-01-23 吉川彰; 荻野拓; 镰田圭; 青木谦治; 福田承生
发明提供一种用于X射线CT、放射线透过检查装置的,具有极高发光量的化物闪烁体单晶,具体地说,提供含Pr的柘榴石型氧化物单晶、含Pr的矿型氧化物单晶以及含Pr的酸盐氧化物单晶,其特征在于,它们均能够检测出被推测为伴随Pr的5d-4f之间的迁移而引起的发光。
256 收集器反射镜组件以及用于产生极紫外辐射的方法 CN201180019319.3 2011-03-18 CN102859442A 2013-01-02 D·兰贝特斯基; E·鲁普斯特拉; A·凯姆鹏
一种收集器反射镜组件(302)包括:包括反射表面(304)的收集器反射镜(co’)和具有边缘(308)的孔(306)。所述孔延伸通过反射表面。所述组件还包括管状主体(310),所述管状主体(310)具有内表面(312)和外表面(314)。所述管状主体构造和布置成沿着大致横向于反射表面的方向引导气流(GF)。所述管状主体的外表面和孔的边缘形成开口(316),所述开口布置成引导另外的气流(GF’),所述另外的气流与大致横向于反射表面的气流分开。
257 用于辐射以及辐射检测的移动设备 CN200680024005.1 2006-06-20 CN101213442B 2013-01-02 吉奥瓦尼·博迪
描述了配置有可与其它放射源结合的中子源的移动式设备包括一个自动机械系统,所述系统在受控轨道上移动,实现从不同位置观测来自移动或固定的被适当辐照的待检样本的辐射
258 粒子射线照射系统及粒子射线照射系统的控制方法 CN201080066259.6 2010-05-27 CN102844820A 2012-12-26 原田久
发明的目的在于在粒子射线照射系统中,提供更高精度的剂量分布。照射控制部(13)包括设定带电粒子束能量的能量设定控制器(14)、控制射束扫描器(41)的射束扫描控制器(16)、及控制射束直径变更器(40、60)的射束直径控制器(15),照射控制部(13)利用射束直径控制器(15)将带电粒子束的射束直径设定为第一射束直径,利用射束扫描控制器(16)使带电粒子束以阶跃状进行扫描,以对照射目标的规定区域照射带电粒子束,之后,利用射束直径控制器(15)将带电粒子束的射束直径设定为与第一射束直径不同的第二射束直径,利用射束扫描控制器(16)使带电粒子束以阶跃状进行扫描,以控制成对与照射目标的所述规定区域的至少一部分重叠的区域照射带电粒子束。
259 光刻设备以及光谱纯度滤光片 CN201180015282.7 2011-02-03 CN102844714A 2012-12-26 V·梅德韦杰夫; V·班尼恩; V·克里夫特苏恩; W·索尔; A·亚库宁
一种反射器,包括配置成反射第一波长辐射的多层反射镜结构,和一个或更多个附加层。多层反射镜结构和一个或更多个附加层在第二波长条件下的吸收率和折射系数以及多层反射镜结构和一个或更多个附加层的厚度配置成使得从反射器的表面反射的第二波长的辐射以相消方式与从反射器内反射的第二波长的辐射干涉。
260 用于离子植入均匀度的离子束扫描控制方法及系统 CN200780013079.X 2007-04-10 CN101421814B 2012-12-26 维克托·本维尼斯特; 爱德华·艾斯纳; 波·范德贝里
发明实施例是关于一种用于调整被扫描离子射束的带状射束通量的方法。于此方法中,会以一扫描速率来扫描离子射束,而且会在扫描该离子射束时来测量多个动态射束轮廓。经修正的扫描速率会依据该被扫描离子射束的该多个经测量动态射束轮廓而被算出。该离子射束会以该经校正的扫描速率来扫描,以便产生经修正的带状离子射束。本发明还揭示其它方法与系统。
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