子分类：
- G21K1/00： 粒子或电离辐射的处理装置,如聚焦或慢化(中子、带电粒子、中性分子束或中性原子束的产生或加速入H05H 3/00至H05H 15/00)
- G21K2201/00： 处理辐射或粒子的装置
- G21K2207/00： 具体的成像设备或方法,利用电离电磁辐射,如X射线或γ射线
- G21K4/00： 用于将粒子或电离辐射的空间分布转换成可见图像的转换屏幕,如荧光屏(使用X射线增强的摄影过程入G03C5/17 ; 包含发光屏幕的放电管入H01J1/62 ; 用于X射线转换并有光输出的 阴极射线管 入H01J31/50)
- G21K5/00： 照射装置(照射用的放电管入H01J37/00)
- G21K7/00： γ射线或X射线显微镜
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 浸入式中子成像设备以及使用所述设备的成像方法 | CN201280057140.1 | 2012-11-21 | CN103946338A | 2014-07-23 | E·西蒙 |
| 本发明涉及一种浸入在包含分析物的环境中的用于中子成像的设备，其特征在于，其包括第一转换器，所述第一转换器包括能够将热中子辐射转换为剩余贝塔辐射的第一材料，以及第二转换器，所述第二转换器包括能够将剩余贝塔辐射转换为光辐射的第二材料，所述第二转换器与所述第一转换器接触。本发明还涉及使用所述设备的浸入式中子成像方法。 | ||||||
| 182 | 放射设备和放射最小化的方法 | CN201410148885.X | 2012-03-16 | CN103932725A | 2014-07-23 | A·格斯 |
| 本发明提供了一种放射设备和放射最小化的方法，放射设备，包括：放射源，产生能射向目标的放射束；与所述放射源连接的放射控制器，该放射控制器具有确定所述放射源的操作者的定影区域的定影区域模块，以及所述放射控制器部分基于所确定的所述操作者的定影区域产生校准仪控制信号；以及与所述放射控制器连接的校准仪，该校准仪基于所述校准仪控制信号持续过滤在感兴趣区域外的放射以降低从所述放射源放射到所述感兴趣区域外的放射剂量。 | ||||||
| 183 | 栅格以及制造用于选择性地透射电磁辐射特别是用于乳房摄影应用的X射线辐射的栅格的方法 | CN200980140564.2 | 2009-10-07 | CN102187403B | 2014-07-09 | G·福格特米尔 |
| 本发明提出一种制造用于选择性地透射电磁辐射——特别是X射线辐射——的栅格(1)的方法。该方法包括：提供具有自支撑稳定性的支撑元件(3)，其中该支撑元件(3)由基本不吸收选择性地透射通过该栅格的电磁辐射的材料制成；在该支撑元件(3)的表面上施加金属层(5)；以及用吸收选择性地透射通过该栅格的电磁辐射的材料在该金属层(5)的表面上构建选择性透射结构(7)，其中该透射结构是利用选择性激光烧结构建的。由于该支撑元件(3)提供足够的机械稳定性但并不吸收相应的辐射，在其上利用选择性地烧结构建的选择性透射结构(7)可能不必随后与制造基底分离，从而防止了分离/划片损失，此外其可能在结构上得以保持并且在处理栅格期间不受损害。 | ||||||
| 184 | 一种CT机及其X射线准直器 | CN201310715096.5 | 2013-12-19 | CN103876767A | 2014-06-25 | 于军 |
| 本发明提供一种CT机及其X射线准直器，其准直效果较好。所述X射线准直器，包括分别在CT机的周向和轴向延伸的若干第一板和第二板，所述第一板和第二板插接，两相邻的所述第一板与两相邻的所述第二板共同围合形成通孔，所述通孔的各个侧壁的延长线相交于X射线源的焦点，以便X射线沿直线穿射所述通孔。通孔的各侧壁的延长线相交于X射线源的焦点，则通孔在与其对应的各X射线的延伸方向上贯通，从X射线源的焦点发出的X射线可以直线状态穿射通孔，最终到达X射线检测器的检测单元，不会对X射线产生遮挡，其准直效果较好；通孔的侧壁可以对散射光线进行吸收和隔挡，防止其对处于通孔内的X射线进行干扰，提高抗散射效果，以提高检测精度。 | ||||||
| 185 | 放射线摄影装置以及图像获取方法 | CN200980161254.9 | 2009-09-02 | CN102481129B | 2014-06-18 | 高桥涉 |
| 本发明的目的在于提供如下一种放射线摄影装置：即使是具有补偿滤波器(5)的结构也能够简便且准确地估计直接放射线，获得对比度良好的X射线透视图像(p)或断层图像。本发明具备直接射线衰减率获取部(12)，该直接射线衰减率获取部(12)根据入射到被检体(M)的直接放射线的剂量和从被检体(M)射出的直接放射线的剂量来求出直接放射线的衰减率。本发明将一次间接射线衰减率设为与直接射线衰减率相等来求出直接射线衰减率，该一次间接射线衰减率是由补偿滤波器(5)产生的一次间接放射线通过被检体(M)而减少的比例。通过这样，能够提供一种不用像以往那样进行复杂的运算就能够简便地获得X射线透视图像(p)或断层图像的X射线摄影装置(1)或X射线摄影装置(37)。 | ||||||
| 186 | 用于发射电磁辐射的微装置 | CN201280024076.7 | 2012-05-16 | CN103858015A | 2014-06-11 | 杰斯伯·格鲁克斯塔德; 达尔文·帕里马 |
| 本发明涉及一种用于发射电磁辐射的微装置，该微装置适应于可由比如光的电磁辐射所控制。该微装置包括第一电磁辐射发射单元，该第一电磁辐射发射单元被设置用于发射电磁辐射1728，以便能将电磁辐射照射到所关注的结构1740上。该微装置进一步包括机构，该结构用于实现对微装置的在三维空间中的平移和绕至少两根轴线旋转运动进行的非接触式的空间控制。本发明由此提供了一种器械，该器械能实现受控的光照射落在所关注的物体的纳米尺度的非常精密地限定的区域上。此外，该装置实现了对光的接收，并因此可作为光控微型内窥镜。 | ||||||
| 187 | 具有可偏转电子束的X射线设备 | CN201310757041.0 | 2013-12-06 | CN103854940A | 2014-06-11 | C·奥林格; C·米歇尔森; A·克莱内; J·格拉夫 |
| 公开了一种具有可偏转电子束的X射线设备。一种X射线设备(1)，包括：电子束源(2)，发射电子束(3)；靶(4)，电子束(3)被引导到其上，从而在靶(4)上形成焦斑(5；5a，5b)；X射线光学元件(6)，收集从焦斑(5；5a，5b)发射出的X射线，并形成X射线束(8)；以及样品位置(9)，X射线束(8)被引导到该样品位置(9)处，其特征在于，X射线设备(1)还包括适用于使焦斑(5；5a，5b)在靶(4)上移动的静电或电磁电子束偏转装置(10)，以及在任意方向(x，y，z)上，焦斑(5；5a，5b)的扩展范围比靶(4)的扩展范围小至少F倍，F＝1.5。本发明提供一种X射线设备，其中简化了相对于微焦距X射线源的X射线光学元件的对准。 | ||||||
| 188 | 固体闪烁体及使用该固体闪烁体的电子束检测器 | CN201280045309.1 | 2012-10-26 | CN103842471A | 2014-06-04 | 森本一光; 足达祥卓; 齐藤昭久; 小柳津英二; 丰岛正规 |
| 本发明提供了在含有稀土氧化物烧结体的固体闪烁体中，该固体闪烁体的光输出从最大值变为该最大值的1/e需要的时间，即余辉时间为200ns以下的固体闪烁体。所述稀土氧化物烧结体优选具有由下述通式（1）表示的组成：[化1]LnaXbOc：Ce（1）（式中，Ln为选自Y、Gd及Lu的一种以上的元素，X为选自Si、Al及B的一种以上的元素，a、b及c满足1≤a≤5、0.9≤b≤6、2.5≤c≤13）。 | ||||||
| 189 | 辐射成像系统 | CN201280038351.0 | 2012-08-02 | CN103826540A | 2014-05-28 | 张铉晳 |
| 公开了一种辐射成像系统，其包含：辐射转换器层；位于辐射转换器层上的顶部电极；和电耦合至辐射转换器层的像素单元阵列，其中所述辐射转换器层包含：有机基质，其包含电荷传递材料(CTM)；和用于吸收辐射的闪烁粒子，其被分散在有机基质中，其中闪烁粒子与电荷产生材料(CGM)接触。 | ||||||
| 190 | 调节粘着性的方法 | CN201280045063.8 | 2012-09-12 | CN103814093A | 2014-05-21 | 罗宾·E·赖特; 内德林·B·约翰逊; 哈尔·A·拉弗勒三世 |
| 本发明公开了调节带有粘合剂的基底的粘着性的方法。所述方法包括通过使粘合剂层经受来自辐射源的辐射输出来调节所述粘合剂层的粘着性。所述辐射输出的至少一部分具有小于200纳米的波长。 | ||||||
| 191 | 间接方式的闪烁体面板及其制造方法 | CN201310453419.8 | 2013-09-29 | CN103778988A | 2014-05-07 | 许闰成; 洪兑权; 韩基烈 |
| 本发明涉及间接方式的闪烁体面板及其制造方法，包括基板、反射层、闪烁体层、透射用氧化物层。基板透射X光。反射层是在基板上形成，透射X光，反射可视光线。闪烁体层是在反射层上形成，将X光转换成可视光线。氧化物层密封住闪烁体层，透射可视光线，阻断湿气透过。 | ||||||
| 192 | 反射镜、光刻设备以及器件制造方法 | CN200980129219.9 | 2009-07-16 | CN102105837B | 2014-04-30 | V·班尼恩; L·斯基曼恩奥克; A·M·雅库尼恩 |
| 本发明的实施例涉及一种反射镜(30)。反射镜包括镜面反射表面和具有外表面的形成轮廓的涂覆层(32a)，其中一个或多个楔形元件由相对于镜面反射表面的外表面形成，和其中一个或多个楔形元件具有在大约10-200mrad范围内的楔角(θ)。形成轮廓的涂覆层可以具有曲面的外表面。形成轮廓的涂覆层可以由下面的材料中的至少一种形成：Be、B、C、P、K、Ca、Sc、Br、Rb、Sr、Y、Zr、Ru、Nb、Mo、Ba、La、Ce、Pr、Pa和U。 | ||||||
| 193 | EUVL用光学部件的平滑化方法及光学面平滑化后的EUVL用光学部件 | CN200980135762.X | 2009-08-19 | CN102150218B | 2014-04-16 | 小野元司; 渡边满; 横山美华 |
| 本发明提供一种将EUVL用光学部件的具有凹陷缺陷点的光学面平滑化的方法。具体而言，本发明提供一种如下所述将EUVL用光学部件的光学面平滑化的方法，即，对含有TiO2且以SiO2为主成分的石英玻璃材料制的EUV光刻(EUVL)用光学部件的具有凹陷缺陷点的光学面，在水蒸气分压3.6mmHg以下的气氛中，以能量密度0.3～1.5J/cm2，照射以EUVL用光学部件的吸收系数为0.01μm-1以上的波长进行振荡的激光，从而将EUVL用光学部件的光学面平滑化。 | ||||||
| 194 | EUVL用光学部件及其平滑方法 | CN200980105684.9 | 2009-02-19 | CN101946208B | 2014-04-16 | 小野元司; 渡边满; 伊藤正文 |
| 本发明提供一种使EUVL用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面平滑的方法。本发明涉及一种使EUVL用光学部件的光学表面平滑的方法，其包括：用波长为250nm以下的准分子激光以0.5～2.0J/cm2的能量密度照射EUV光刻(EUVL)用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面，所述光学部件由包含SiO2作为主要成分的含TiO2的石英玻璃材料制成。 | ||||||
| 195 | 多焦斑X射线射辐射滤波 | CN201280037773.6 | 2012-05-30 | CN103718251A | 2014-04-09 | G·福格特米尔; R·皮蒂格; C·勒夫; M·K·迪尔; G·J·卡尔森 |
| 本发明涉及对在多个焦斑处生成的X射线辐射进行滤波。为了生成多能量X射线辐射，提供了一种用于生成多能量X射线辐射的X射线管（10），所述X射线管（10）包括阳极（12）和滤波单元（14）。所述阳极至少包括第一焦斑位置（16）和第二焦斑位置（18），所述第一焦斑位置（16）和所述第二焦斑位置（18）在与X射线辐射投射方向相交的偏移方向（20）上彼此相偏移。所述滤波单元包括具有用于X射线辐射的第一滤波特性的第一多个（22）第一区段（24）和具有用于X射线辐射的第二滤波特性的第二多个（26）第二区段（28），其中，所述滤波单元是适于使得，从所述第一焦斑位置发出的第一X射线束（30）的至少第一部分经由所述第一区段至少部分地穿过所述滤波单元，以及从所述第二焦斑位置发出的第二X射线束（32）的至少第二部分在穿过所述滤波单元时通过所述第二区段，的定向滤波器。所述第二X射线束的所述第二部分比所述第一X射线束的所述第一部分大。所述第一X射线束的经由所述第一区段穿过所述滤波单元的部分的区段和所述第二X射线束的在穿过所述滤波单元时通过所述第二区段的区段穿过所述滤波单元的公共区域。 | ||||||
| 196 | 基于铽的探测器闪烁体 | CN201280037639.6 | 2012-07-03 | CN103718063A | 2014-04-09 | C·R·龙达; N·康拉茨; H·奥兰德; H·施赖讷马赫尔 |
| 一种成像系统（100）包括辐射源（110）和辐射敏感探测器阵列（116），所述辐射敏感探测器阵列包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce。一种方法，包括利用成像系统（100）的辐射敏感探测器阵列（116）探测辐射，其中，所述辐射敏感探测器阵列包括基于Gd2O2S：Pr，Tb，Ce的闪烁体阵列（118）。一种辐射敏感探测器阵列（116）包括闪烁体阵列（118）和被光学耦合到所述闪烁体阵列的光传感器阵列（120），其中，所述闪烁体阵列包括Gd2O2S：Pr，Tb，Ce，并且Gd2O2S：Pr，Tb，Ce中Tb3+的量等于或小于200摩尔百万分率。 | ||||||
| 197 | 用于改变X射线辐射的局部强度的设备和方法 | CN201310445038.5 | 2013-09-25 | CN103700418A | 2014-04-02 | O.海登; L.里克特; M.鲁里格; O.施密特 |
| 本发明涉及一种用于改变X射线辐射(2)的局部强度的设备。该设备包括带有多个可填充以铁磁流体(6)的吸收室(4)的X射线滤波器(3)。吸收室(4)在X射线辐射方向上堆叠地布置。此外，X射线滤波器(3)包括多个其内可存储铁磁流体(6)的存储容器(5)。在此，每个吸收室(4)分别与一个存储容器(5)连接。通过以铁磁流体(6)填充各个吸收室(4)实现对于所施加的X射线辐射(2)的吸收。通过填充多个不同的吸收室(4)可简单、精确且快速地改变X射线辐射(2)的局部强度。 | ||||||
| 198 | 配向紫外线烘烤装置 | CN201310711814.1 | 2013-12-20 | CN103676238A | 2014-03-26 | 刘小成 |
| 本发明提供的配向紫外线烘烤装置，包括多个紫外光源和反射板，其中，所述反射板包括正对紫外光源的反射面、相对于所述反射面的背面以及垂直于反射面的侧面，所述反射板还包括设于反射面上的以相对于所述背面具有凹槽的方式形成的第一光学部。本发明提供的配向紫外线烘烤装置，通过在反射板的反射面上设有的第一光学部以及反射板的侧面设有的第二光学部来使紫外光源发出的未照射到基板上的光反射到基板上，从而增加紫外光的利用率，增加紫外光的照度及照射的均匀性，进而缩短照射时间，提高工作效率。 | ||||||
| 199 | 便携式潜在指纹显现装置 | CN201210526245.9 | 2012-12-07 | CN103654794A | 2014-03-26 | 柳一宁; 吴元植; 黄熙荣; 任成彬; 成洛道; 崔龙馥; 成庆模; 林康秀; 李成国 |
| 本发明涉及一种便携式潜在指纹显现装置，更详细地涉及利用振荡器将指纹显现液进行微小喷射后，利用紫外线发光二极管可视地确认指纹的外形，并通过摄像机来拍摄之后将该照片提供给外部终端的便携式潜在指纹显现装置。通过本发明提供利用振荡器将指纹显现液进行微小喷射后，利用紫外线发光二极管可视地确认指纹的外形，同时通过摄像机来拍摄相关照片之后将该照片提供给外部终端并能够保存拍摄照片的效果。 | ||||||
| 200 | 制造用于EUV光刻的反射光学元件的方法 | CN201280029959.7 | 2012-06-19 | CN103635974A | 2014-03-12 | A.库兹尼佐夫; M.格里森; R.W.E.范德克鲁杰斯; F.比杰科克 |
| 为了减少存在活性氢时多层系统的最上层中的起泡和分裂以及碎裂的趋势，提出了一种制造用于EUV光刻的反射光学元件(50)的方法，该元件在位于5nm至20nm范围内的工作波长下具有最大反射率，该方法包括以下步骤：将多层系统(51)施加至基板(52)，该多层系统由一个布置在另一个上方的三十个至六十个层堆(53)构成，其中各个层堆具有厚度为dMLs的、由在工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层(54)和厚度为dMLa的、由在工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层(55)，其中厚度比为dMLa/(dMLa+dMLs)=ΓML；将一个、两个、三个、四个或五个另外的层堆(56)施加至多层系统，所述至少一个另外的层堆具有厚度为ds的、由在工作波长下具有较高折射率实部的材料构成的层(54)和厚度为da的、由在工作波长下具有较低折射率实部的材料构成的层(55)，其中厚度比为da/(da+ds)=Γ且其中Γ≠ΓML。 | ||||||
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