1.一种使EUVL用光学部件的光学表面平滑的方法，所述方法包括：
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用波长为250nm以下的准分子激光以0.5～2.0J/cm 的能量密度照射EUV光刻(EUVL)用光学部件的具有凹形缺陷的光学表面，所述光学部件由包含SiO2作为主要成分的含TiO2的石英玻璃材料制成，以及
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还用波长为250nm以下的准分子激光以0.5～2.0J/cm 的能量密度照射所述光学表面的与其相反的背面。
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2.如权利要求1所述的平滑方法，其中用所述准分子激光以0.7～2.0J/cm 的能量密度进行照射，从而使由下式定义的所述光学表面的凹形缺陷深度修复率达到50%以上：
凹形缺陷深度修复率(%)=((准分子激光照射前凹形缺陷的深度)-(准分子激光照射后凹形缺陷的深度))×100/(准分子激光照射前凹形缺陷的深度)。
3.如权利要求1所述的平滑方法，其中所述光学表面具有深度为大于2nm且为10nm以
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下的凹形缺陷，并且其中用所述准分子激光以0.7～2.0J/cm 的能量密度进行照射，从而获得满足以下要求(1)至(3)的EUVL用光学部件：
(1)所述准分子激光照射后的所述光学表面没有深度大于2nm的凹形缺陷，(2)所述准分子激光照射后的所述光学部件具有50nm以下的平坦度，以及(3)所述准分子激光照射后的所述光学表面具有0.15nm以下的表面粗糙度(RMS)。
4.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中对所述光学部件的整个光学表面进行所述准分子激光照射。
5.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中所述光学部件具有3～10质量%的TiO2浓度。
6.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中所述准分子激光具有100纳秒以下的脉冲宽度。
7.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中进行所述准分子激光照射，使得每个照射区域的照射数为10以上。
8.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中用于照射的所述准分子激光为直线束形式，并且在通过相对于所述光学表面移动所述直线束或者通过相对于所述直线束移动所述光学表面来用所述直线束扫描所述光学表面的同时进行所述准分子激光照射。
9.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中对整个所述背面进行所述背面的准分子激光照射。
10.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，满足下式的关系：
0.5≤F1/F2≤1.5
其中F1表示在所述光学表面的准分子激光照射中的能量密度，F2表示在所述背面的准分子激光照射中的能量密度。
11.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中用于照射所述背面的准分子激光具有100纳秒以下的脉冲宽度。
12.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中进行所述背面的准分子激光照射，使得每个照射区域的照射数为10以上。
13.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中用于照射所述背面的准分子激光为直线束形式，并且在通过相对于所述背面移动所述直线束或者通过相对于所述直线束移动所述背面来用所述直线束扫描所述背面的同时进行所述背面的准分子激光照射。
14.如权利要求1至3中任一项所述的平滑方法，其中在以100～1050℃的温度对所述光学部件进行加热的状态下，进行所述光学表面的准分子激光照射。
15.EUVL用光学部件，其通过权利要求1至8中任一项的方法获得，所述EUVL用光学部件由含所述光学表面的表面层、含与所述光学表面相反的背面的表面层和剩余的内部构成，其中所述含所述光学表面的表面层的假定温度比所述含所述背面的表面层和所述剩余的内部的假定温度高30℃以上。
16.EUVL用光学部件，其通过权利要求9至13中任一项的方法获得，所述EUVL用光学部件由含所述光学表面的表面层、含所述背面的表面层和剩余的内部构成，其中所述含所述光学表面的表面层和所述含所述背面的表面层各自的假定温度比所述剩余的内部的假定温度高30℃以上。