| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 光掩模的制造方法和相移掩模的制造方法 | CN200710149057.8 | 2007-09-07 | CN101211104B | 2011-04-06 | 郑浩龙 |
| 本发明提供了一种光掩模的制造方法，包括：在透明掩模衬底上形成将转移到晶片上的掩模图形；转移掩模图形到晶片上从而形成晶片图形；在转移到晶片上的晶片图形中选择需要线宽修改的临界尺寸修改区域；对应于临界尺寸修改区域形成用于选择性地暴露衬底的一部分的抗蚀图形；采用抗蚀图形作为离子注入掩模，通过注入离子到暴露的部分中，改变衬底的暴露部分的光透射率；和选择性地去除抗蚀图形。本发明还提供了一种相移掩模的制造方法。 | ||||||
| 22 | 相移光掩模及其制造方法 | CN200710145848.3 | 2007-08-30 | CN101144971B | 2011-03-30 | 斯科特·艾伦·安德森; 小伊·陈; 迈克尔·N·格里姆博根; 阿杰伊·库玛 |
| 本发明公开了一种包含在透明衬底上形成的构图膜叠层的相移光掩模以及制造该光掩模的方法。在一实施方式中，膜叠层包括具有对光刻系统的照射源的光具有预定的透明度值的第一层和基本对光透明并有助于光产生预定相移的第二层。 | ||||||
| 23 | 一种用于制造光掩模的方法 | CN200710169253.1 | 2007-11-07 | CN101183211A | 2008-05-21 | C·K·黄; J·P·莱文; T·B·福尔; S·B·克劳福德 |
| 提供了用于制造光掩模例如玻璃上铬光掩模和相移光掩模的方法。在制造方法中的选择性的主铬蚀刻和选择性的铬过蚀刻提供了具有改善的图像质量的光掩模，并且在当前的工艺流程和制造步骤内提供了跨光掩模的标称图像尺寸控制和图像尺寸均匀性。选择性的蚀刻方法利用主蚀刻工艺，其中抗蚀剂蚀刻选择性(去除的铬对去除的抗蚀剂的量)比在过蚀刻步骤中高，在所述过蚀刻步骤中蚀刻选择性地去除所述抗蚀剂层超过所述铬层。为了控制蚀刻选择性，可以调整蚀刻剂化学的成分和/或蚀刻剂反应器硬件设定(功率、电压等等)。 | ||||||
| 24 | 具有改进了的吸收层的远紫外线掩模 | CN02807802.0 | 2002-02-14 | CN100354753C | 2007-12-12 | G·张; P·-Y·颜 |
| 本发明公开了一种具有一定厚度的改进了的吸收层的EUV掩模，此吸收层由金属和非金属组成，其中金属对非金属的比率在整个改进了的吸收层的厚度内改变，并公开了这种EUV掩模的制造方法。 | ||||||
| 25 | 使用所选掩模的双大马士革铜工艺 | CN200610023301.1 | 2006-01-13 | CN101000886A | 2007-07-18 | 曾繁中; 吴启熙; 简维廷 |
| 一种用于在仅使用一个光刻和掩蔽步骤时产生双大马士革结构的方法。常规的双大马士革结构利用两个光刻步骤：一个用来掩蔽和曝光通路，而第二步骤用来掩蔽和曝光沟槽互连。该用于产生双大马士革结构的新颖方法允许较小数量的处理步骤，因此减小了用于完成该双大马士革结构的处理时间。另外，可以需要较低数量的掩模。在工艺中使用的示例性掩模或掩模版结合了具有不同透射率的不同区。在曝光步骤期间，来自曝光源的光通过掩模以曝光位于晶片顶部的光刻胶层部分。取决于不同区的透射率，光刻胶层的不同厚度被曝光并且随后通过显影液去除，这允许随后的蚀刻工艺去除电介质层以及光刻胶层两者的部分而产生双大马士革结构。 | ||||||
| 26 | 铬光罩制造方法 | CN200510008205.5 | 2005-02-07 | CN1749852A | 2006-03-22 | 蔡晴夫 |
| 本发明揭示一种铬光罩制造方法。一光罩基材以活化剂活化其上表面，以用于无电极铬电镀。其次，该活化光罩基材接着沉浸于无电极铬电镀溶液中，以镀上薄的铬层，此无电极铬电镀制程将一直持续到所要的厚度形成为止。较佳地，当最初的无电极电镀铬层成长至所要的厚度之后，一电镀制程可被使用。接着，将具有铬层的该光罩基材暴露于氧化环境，以于该铬层上形成一抗反射层。之后，一光阻膜形成于该反射层上。接着该光阻膜根据预先决定的图案形成图案。其次，穿过该带有图案光阻膜上的开口，干式蚀刻或湿式蚀刻该反射层及该铬层，随后再将该光阻膜去除以形成所要的光罩。 | ||||||
| 27 | 有中间检查薄膜层的改进的光学掩模 | CN03820165.8 | 2003-07-08 | CN1678962A | 2005-10-05 | 马修·拉斯特; 迈克尔·坎格米 |
| 本发明一般涉及改进的光刻中使用的光学掩模，用于制作集成电路及其他半导体装置，更准确地说，是涉及检测这种光学掩模中在处理后的缺陷。具体说，本发明针对一种在其内淀积一层或多层中间层的空白光学掩模，中间层的材料，由在检查设备波长上比在曝光设备波长上有更高消光系数的材料构成。中间层材料要能吸收足够量的光，以满足检查设备的光学要求，同时透过足够量的光，以满足曝光设备的光学要求。结果是，该光学掩模改进了光学掩模的检查结果，又不牺牲半导体写入过程中的透射性质。 | ||||||
| 28 | 掩模以及使用掩模的制造方法 | CN03815898.1 | 2003-06-13 | CN1666148A | 2005-09-07 | I·D·弗伦奇; J·赫维特 |
| 一种掩模12包括半色调层16和光阻挡层20。半色调层16是富含硅的氮化硅SiNx:H，其中x可以在0到1范围内，优选为0.2到0.6，以便使光学带隙可以在2.1eV到2.5eV。已经发现，当使用掩模12时，光致抗蚀剂的去除非常依赖于带隙，而不太依赖于厚度，因此可以获得TFT制造的良好控制。 | ||||||
| 29 | 具有改进了的吸收层的远紫外线掩模 | CN02807802.0 | 2002-02-14 | CN1500230A | 2004-05-26 | G·张; P·-Y·颜 |
| 本发明公开了一种具有一定厚度的改进了的吸收层的EUV掩模，此吸收层由金属和非金属组成，其中金属对非金属的比率在整个改进了的吸收层的厚度内改变，并公开了这种EUV掩模的制造方法。 | ||||||
| 30 | 照相乳剂面保护层转印膜及具有该保护层的光掩模 | CN01801565.4 | 2001-06-01 | CN1380992A | 2002-11-20 | 高田俊彦; 佐久间真; 永岛和夫; 大村知伸 |
| 本发明涉及一种照相乳剂面保护层的转印膜,其特征在于,该转印膜在具有剥离性的支持体的任一表面上设计有具有粘合性的未固化的照相乳剂面保护层,该未固化的照相乳剂面保护层含有具有亲水性基团的单官能(甲基)丙烯酸酯以及多官能(甲基)丙烯酸酯所的电离辐射固化型树脂组合物。上述转印膜的粘合层,不仅耐损伤性优异,与乳剂面的紧密粘合性优异,而且耐溶剂性优异,因此特别是当将其用作光掩模乳剂面的保护层时,能够制备具有长时间使用稳定性的光掩模。 | ||||||
| 31 | 移相掩模及其制造方法 | CN96191933.7 | 1996-10-23 | CN1174613A | 1998-02-25 | 悳昭彦; 小林良一; 吉冈信行; 渡壁弥一郎; 宫崎顺二; 成松孝一郎; 山下重则 |
| 移相掩模200的第2光透射部4由透射率为2%以上且小于5%的钼硅化合物的氧化氮化膜或钼硅化合物的氧化膜4构成。在第2光透射部4的制造过程中,用溅射法形成钼硅化合物的氧化膜或钼硅化合物的氧化氮化膜。因此,相对于现有的透射率为5～40的衰减型移相掩模来说,能提高移相掩模的分辨率,能防止由于在抗蚀剂图形的周围生成的旁瓣所造成的抗蚀剂膜的破坏。 | ||||||
| 32 | 用于黑白光热成像单元显影助剂的酰肼化合物 | CN95197267.7 | 1995-11-20 | CN1171846A | 1998-01-28 | S·M·希姆普森; L·S·哈伦格 |
| 三苯甲基肼及甲酰基－苯肼可作为显影助剂与受阻酚显影剂共用,生成光热成像及热成像单元。这类显影助剂形如下式R1－(C=O)－NH－NH－R2其中R1表示氢,R2表示芳基或取代芳基;或者R1表示氢,是有最多20个碳原子的烷基,或链烯基;有最多20个碳原子的烷氧基,硫代烷氧基,或酰氨基;有最多20个碳原子的芳基,烷芳基,或芳烷基;有最多20个碳原子的芳氧基,硫代芳氧基,或苯胺基;有最多6个环碳原子的酯族或芳族杂环基;有最多6个环碳原子的碳环基;或者是含14个环原子的稠环或桥键基团;且R2表示一个三苯甲基。本发明光热成像及热成像单元可用作印刷模板、接触晒板或复制模,其中紫外或短波长辐射光敏成像介质随后经曝光。 | ||||||
| 33 | 光掩模板 | CN93112904.4 | 1993-11-16 | CN1091210A | 1994-08-24 | H·U·阿尔普莱; R·H·弗伦奇; F·D·卡尔克 |
| 公开了一种透光埋置相移器光掩模板，其包括光学上不均匀衰减薄膜，该膜有至少0.001的透光度和基本上由金属组分和电介质组分组合而成。薄膜的一个表面有比另一表面较高含量的金属组分，贯穿整个薄膜厚度，消光系数变化的分布呈缓变状态。选择消光系数变化的分布和薄膜厚度，在选定波长的情况下，提供大约180°的相移(或者它的奇数倍相移)。 | ||||||
| 34 | 掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置 | CN201710447407.2 | 2017-06-14 | CN107247386A | 2017-10-13 | 王小元; 杨妮; 方琰; 齐智坚; 李云泽; 许亨艺 |
| 本发明提供一种掩膜版、过孔及显示基板的形成方法、显示基板及装置，该掩膜版用于在膜层上形成过孔，包括：用于形成过孔的透光图案，所述透光图案具有弯曲的边缘。由于掩膜版上的透光图案具有弯曲的边缘，因而采用上述掩膜版形成的过孔的底部也具有弯曲的边缘，从而能够增加通过过孔电连接的上下导电层接触的边界线的长度，降低上下导电层之间的接触电阻，提高上下导电层的连接性，另外，在形成过孔的曝光工艺中，透光图案边缘处的光的透过量较小，该部分对应的膜层只能曝光掉一部分厚度，使得形成的过孔内壁的坡度角较小，从而降低了过孔的段差，避免上层导电层在过孔内断裂，进一步提高了连接性。 | ||||||
| 35 | 溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯 | CN201110322364.8 | 2011-10-21 | CN102453862B | 2017-06-23 | 金子英雄; 稻月判臣; 吉川博树 |
| 本发明涉及溅射用靶材、含硅膜的形成方法和光掩模坯。本发明提供了在溅射过程期间不易产生粒子且形成低缺陷(高品质)含硅膜的硅靶材。将室温下的比电阻为20Ω·cm以上的硅靶材用于形成该含硅膜。所述硅靶材可以为多晶或非晶的。然而，当所述硅靶材为单晶时，可以获得更稳定的放电状态。另外，其中通过FZ方法生长晶体的单晶硅是作为高纯硅靶材的优选材料，因为其氧含量低。另外，具有n型导电性且含有施主杂质的靶材是优选的，从而获得稳定的放电特性。可以将根据本发明的仅一种或多种硅靶材用于含硅膜的溅射成膜。 | ||||||
| 36 | 相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模 | CN201180018078.0 | 2011-04-08 | CN102834773B | 2016-04-06 | 野泽顺; 宍户博明; 酒井和也 |
| 本发明的课题在于提供一种相移掩模坯料及其制造方法、以及相移掩模，其中，该相移掩模坯料可提高由以过渡金属、硅和氮为主要成分的材料构成的光学半透光膜(相移膜)对于波长为200nm以下的曝光光的耐光性，可以改善掩模寿命。本发明的相移掩模坯料是为了制作应用ArF准分子激光曝光光的相移掩模所使用的相移掩模坯料，其特征在于，在透光性基板上具备半透光膜，所述半透光膜由以过渡金属、硅和氮为主要成分的不完全氮化物膜构成，所述半透光膜的过渡金属在过渡金属和硅之间的含有比率小于9%。 | ||||||
| 37 | 用于高NA极紫外光刻物镜的掩模结构 | CN201510962156.2 | 2015-12-21 | CN105446071A | 2016-03-30 | 王君; 王丽萍; 金春水; 谢耀 |
| 本发明涉及一种用于高NA极紫外光刻物镜的掩模结构，包括：掩模基底、多层膜、帽层和吸收层；其中所述多层膜由高折射率材料和低折射率材料在所述基底上交替沉积而成；所述吸收层的上表面处于所述帽层表面以下一定深度处。本发明的用于高NA极紫外光刻物镜的掩模结构，能够针对特定光刻系统和曝光线宽完全消除掩模阴影效应，进而完全消除曝光图案的横向-纵向特征尺寸偏差。 | ||||||
| 38 | 半色调掩模、半色调掩模坯料及半色调掩模的制造方法 | CN201180062123.2 | 2011-12-21 | CN103299241B | 2016-03-30 | 中村大介; 影山景弘 |
| 本发明提供了一种在使用浓硫酸的洗净处理中可对刻蚀阻挡层的侧蚀进行抑制的半色调掩模。所述半色调掩模具有透光部(TA)、半透光部(HA)和遮光部(PA)。遮光部(PA)包括基材(S)、半透光层11、设置在半透光层上且由Cr或Cr的化合物形成的遮光层(13)以及设置在半透光层(11)和遮光层(13)之间的刻蚀阻挡层(12)。刻蚀阻挡层(12)含有第一元素、第二元素。所述第一元素由选自Mo和W构成的组中的至少一种元素构成，且具有6.4mol％以上且38.2mol％以下的组成比。所述第二元素由选自Zr、Nb、Hf和Ta构成的组中的至少一种元素构成。 | ||||||
| 39 | 成像装置、其形成方法以及形成半导体装置结构的方法 | CN201180066649.8 | 2011-12-22 | CN103339711B | 2016-01-13 | 何元; 卡韦里·贾殷; 勾力晶; 张姿淑; 安东·J·德维利耶; 迈克尔·海厄特; 周建明; 斯科特·莱特; 丹·B·米尔沃德 |
| 本发明揭示一种成像装置，其包括至少一个阵列图案区和至少一个衰减区。所述至少一个阵列图案区中的多个成像特征与所述至少一个衰减区中的多个辅助特征具有彼此大体上相同的大小且大体上按某一间距形成。还揭示了形成成像装置的方法以及形成半导体装置结构的方法。 | ||||||
| 40 | 掩膜板及其制备方法和显示面板中封框胶的固化方法 | CN201510020570.1 | 2015-01-15 | CN104503203A | 2015-04-08 | 张治超; 郭总杰; 刘正; 张小祥; 陈曦; 刘明悬 |
| 本发明公开了一种掩膜板及其制备方法和显示面板中封框胶的固化方法，其中该掩膜板包括：透明基板和位于透明基板上的对位标识，对位标识用于将掩膜板与待紫外固化处理的显示面板进行对位，对位标识的材料为感光树脂。本发明的技术方案通过将掩膜板中对位标识的材料设置为感光树脂，从而在制备该由感光树脂构成的对位标识时，仅需经过感光树脂薄膜涂覆工序、曝光工序和显影工序即可完成对位标识的制备。与现有技术相比，本发明的技术方案可省去金属材料沉积工序、刻蚀工序和光刻胶剥离工序，即本发明技术方案可使得制备对位标识过程中所需要的工序数量减少，简化制作掩膜板的工艺流程，节省成本。 | ||||||
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