| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 掩膜版及滤光板的制造方法 | CN201310407873.X | 2013-09-09 | CN104423084A | 2015-03-18 | 唐文静; 陈颖明; 范刚洪 |
| 一种掩膜版及滤光板的制造方法，该掩膜版用于形成滤光板上的遮光图案层或滤光层，遮光图案层具有遮光图案和位于遮光图案之间的第一开口，滤光层具有多个间隔排列的子画素滤光层，该掩膜版包括基板和位于基板上的遮光层，遮光层具有透光区域及遮光区域，所述透光区域与遮光图案或子画素滤光层的位置对应，所述遮光区域与遮光图案层中的第一开口或滤光层中子画素滤光层之间的间隙的位置对应，所述透光区域包括图案区域，所述图案区域具有设有多个第二开口的遮光部，所述图案区域与滤光板上副间隔柱的位置对应。利用本发明的掩膜版解决了在形成滤光板的具有段差的主间隔柱和副间隔柱时，容易出现副间隔柱剥离的问题。 | ||||||
| 42 | 半色调掩膜及其制造方法 | CN201080032763.4 | 2010-05-20 | CN102460645B | 2015-03-18 | 金武成 |
| 本发明提供一种半色调掩膜及其制造方法，其被配置为减少具有多个半透过单元的半色调掩膜的制造过程的数目，由此减少制造成本和时间，其中，所述半色调掩膜，包括：衬底；透射区，形成在所述衬底上，用于透射照射的预定波长范围的光；以及半透过区，具有多个半透过单元，所述半透过单元使用两种或更多半透过材料从而对于照射在所述衬底上的预定波长范围的光具有两种或更多互不相同的透射率。 | ||||||
| 43 | 灰色调掩模坯和灰色调掩模 | CN201210412083.6 | 2009-07-30 | CN102929096B | 2015-02-18 | 深谷创一; 金子英雄 |
| 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30%，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。 | ||||||
| 44 | 掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构 | CN201410421343.5 | 2014-08-25 | CN104330954A | 2015-02-04 | 吴海东; 金泰逵; 马群; 白娟娟 |
| 本发明提供了一种掩膜版、掩膜版组、像素的制作方法及像素结构，其中掩膜版包括交替排列的遮挡区和开口区，开口区的宽度为一个亚像素宽度的二倍，相邻两个开口区之间的遮挡区的宽度为一个亚像素宽度的四倍。在掩膜版厚度相同的情况下，本发明中的掩膜版上遮挡区和开口区的宽度能够制作的更窄，即亚像素的宽度能够制作的更精细，从而提高了OLED显示器件的画面细腻程度。 | ||||||
| 45 | 掩膜版、利用其形成的隔垫物及利用其制备隔垫物的方法 | CN201410482872.6 | 2014-09-19 | CN104317160A | 2015-01-28 | 张洪术 |
| 本发明公开一种掩膜版、利用其形成的隔垫物及利用其制备隔垫物的方法，涉及液晶显示装置制作中的曝光工艺技术领域，解决了在保证柱状隔垫物顶端尺寸的同时，减小底端尺寸以满足高分辨率的TFT-LCD设计要求的问题。本发明提供的所述掩膜版，包括掩膜版基板，所述掩膜版基板上设有透光区域和遮光区域；所述透光区域处设有菲涅耳波带片，所述菲涅尔波带片用于在玻璃基板上形成圆柱状隔垫物和/或倒锥状隔垫物。本发明主要用于液晶显示装置的生产中。 | ||||||
| 46 | 一种掩模板及使用掩模板制作光阻间隔物的方法 | CN201410449673.5 | 2014-09-05 | CN104298011A | 2015-01-21 | 吕启标 |
| 本发明提供一种掩模板及使用掩模板制作光阻间隔物的方法，所述掩模板包括第一透光区域，所述第一透光区域包括遮光部分；所述制作光阻间隔物的方法包括：在液晶显示器的基板的表面涂布负向光阻材料；使用所述掩模板对所述负向光阻材料进行曝光；对所述曝光后的负向光阻材料进行显影，以形成具预设高度的次光阻间隔物；其中根据所述次光阻间隔物的预设高度，确定所述第一透光区域的所述遮光部分的面积。本发明的掩模板及使用掩模板制作光阻间隔物的方法，通过在第一透光区域上设置面积不同的遮光部分，从而得到高度不同的次光阻间隔物，以提高玻璃基板间间隙宽度的均匀性，进而提高液晶显示器的显示效果。 | ||||||
| 47 | 乳胶掩膜用电离辐射线固化型保护液及使用其的乳胶掩膜 | CN201080063279.8 | 2010-02-08 | CN102754025B | 2014-09-24 | 根岸朋子; 长谷川刚 |
| 本发明提供一种可在短时间内形成保护膜，形成保护膜的乳胶掩膜的粘接性与表面硬度优异的乳胶掩膜用保护液及使用其的乳胶掩膜。乳胶掩膜用电离辐射线性固化型保护液含有(甲基)丙烯酸酯低聚物和/或(甲基)丙烯酸系单体，及可与前述所述低聚物和/或单体共聚的反应性亲水性物质。而且反应性亲水性物质为(甲基)丙烯酸改性的亲水性物质，尤其是(甲基)丙烯酸改性的磷酸酯和/或(甲基)丙烯酸改性的季铵盐。 | ||||||
| 48 | 一种掩模板的设计 | CN201310261540.0 | 2013-06-27 | CN103941481A | 2014-07-23 | 秦丹丹; 夏志强 |
| 本发明公开了一种封框胶固化的掩膜板，包括不透光区域、完全透光区域和部分透光区域，其中所述完全透光区域对应封框胶固化区域，所述部分透光区域设置于不透光区域与完全透光区域之间。本发明提供的用于紫外线照射封框胶固化的掩膜板设计以及一种封框胶的固化方法，通过在掩膜板设置部分透光区域，可减轻显示区域边缘的液晶分子被紫外线照射分解造成的显示不良，提高液晶显示装置的良率。 | ||||||
| 49 | 光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法 | CN201310182376.4 | 2013-05-16 | CN103424980A | 2013-12-04 | 深谷创一; 中川秀夫; 笹本纮平 |
| 本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法以及相移掩模的制造方法。本发明提供能够在确保由铬系材料构成的遮光膜所要求的光学特性和化学特性等各种特性的同时提高该遮光膜的干蚀刻速度的新技术。设置在透明衬底(1)上的遮光膜(2)具有单层结构或多层结构，至少一层由含有锡的铬系材料形成。另外，该遮光膜(2)的光学浓度为2以上且4以下并且具有防反射功能。构成遮光膜(2)的由含有锡的铬系材料构成的层能够在不使遮光性降低的情况下显著提高含氧的氯类干蚀刻时的蚀刻速度。因此，将图案转印到该遮光膜上时对抗蚀剂图案和硬掩模图案的负荷得到减轻，能够以高精度进行图案转印。 | ||||||
| 50 | 多色调光掩模及其制法和基于此的薄膜晶体管基底的制法 | CN200710090492.8 | 2007-04-12 | CN101114119B | 2013-06-19 | 蔡钟哲; 尹铢浣; 金时烈; 尹珠爱 |
| 一种多色调光掩模包括基底、阻光图案、第一半透射图案和第二半透射图案。阻光图案在基底上形成。第一半透射图案在基底上形成。第二半透射图案与第一半透射图案部分叠置。该多色调光掩模具有至少五种不同的透光率，这些透光率对应于在基底上划分的多个区域。 | ||||||
| 51 | 半色调掩模、半色调掩模坯料及制造半色调掩模的方法 | CN200880114579.7 | 2008-10-29 | CN101842744B | 2013-01-02 | 影山景弘; 山田文彦 |
| 一种增加蚀刻停止层通用性的半色调掩模。所述半色调掩模(10)具有使用玻璃基板(S)的透光部分(TA)；包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层(11)的第一半透光部分(HA)；以及包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层(13)和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层(12)的挡光部分(PA)。所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。 | ||||||
| 52 | 半色调掩膜及其制造方法 | CN201080032763.4 | 2010-05-20 | CN102460645A | 2012-05-16 | 金武成 |
| 本发明提供一种半色调掩膜及其制造方法，其被配置为减少具有多个半透过单元的半色调掩膜的制造过程的数目，由此减少制造成本和时间，其中，所述半色调掩膜，包括：衬底；透射区，形成在所述衬底上，用于透射照射的预定波长范围的光；以及半透过区，具有多个半透过单元，所述半透过单元使用两种或更多半透过材料从而对于照射在所述衬底上的预定波长范围的光具有两种或更多互不相同的透射率。 | ||||||
| 53 | 制造掩膜版的方法 | CN200910197615.7 | 2009-10-23 | CN102043323A | 2011-05-04 | 陈新晋 |
| 一种制造掩膜版的方法，所述方法包括：提供基底；在基底上形成导电层；在导电层上涂覆光刻胶；将光刻胶图形化；通过电镀技术在导电层未被光刻胶覆盖的表面形成金属层；去除光刻胶图形；去除未被金属层覆盖的导电层。解决由于过刻蚀形成的倒梯形金属层所导致的金属线断开缺陷，从而提高掩膜版的合格率，提高半导体器件的可靠性。 | ||||||
| 54 | 光掩模坯料、加工方法和蚀刻方法 | CN201010148960.4 | 2010-03-25 | CN101846876A | 2010-09-29 | 渡边聪; 金子英雄; 小板桥龙二; 五十岚慎一; 河合义夫; 白井省三 |
| 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。 | ||||||
| 55 | 半色调掩模、半色调掩模坯料及制造半色调掩模的方法 | CN200880114579.7 | 2008-10-29 | CN101842744A | 2010-09-22 | 影山景弘; 山田文彦 |
| 一种增加蚀刻停止层通用性的半色调掩模。所述半色调掩模(10)具有使用玻璃基板(S)的透光部分(TA)；包括形成在所述玻璃基板上的第一半透光层(11)的第一半透光部分(HA)；以及包括所述第一半透光层、叠加在所述第一半透光层上方的挡光层(13)和形成在所述第一半透光层与所述挡光层之间的蚀刻停止层(12)的挡光部分(PA)。所述第一半透光层和所述挡光层各自由铬或从由铬的氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物及氧碳氮化物组成的组中选择的至少一种形成。所述蚀刻停止层包括从由铁(Fe)、镍(Ni)和钴(Co)组成的组中选择的至少一种的第一元素及从由铝(Al)、硅(Si)、钛(Ti)、铌(Nb)、钽(Ta)、铪(Hf)和锆(Zr)组成的组中选择的至少一种的第二元素。 | ||||||
| 56 | 灰度光罩及其制造方法 | CN200710301827.6 | 2007-12-14 | CN101231460A | 2008-07-30 | 蔡晴夫 |
| 一种灰度光罩，包含透明基板及光线阻碍层。该光线阻碍层被配置于该透明基板上，并具有最小厚度的透光区、最大厚度的非透光区、及中间厚度的灰度区，其中该中间厚度介于该最小厚度及该最大厚度之间，且该灰度区的透光率的大约介于5％与95％之间。 | ||||||
| 57 | 用于远紫外掩模的泄漏吸收体 | CN200680009413.X | 2006-03-31 | CN101180576A | 2008-05-14 | P-Y·严 |
| 本发明公开了一种形成掩模的方法，包括：提供一衬底；在衬底上形成用于EUV光的多层镜；在多层镜上形成用于EUV光的泄漏吸收体；以及将泄漏吸收体图案化成强反射的第一区和弱反射的第二区。本发明还公开了一种EUV掩模，包括：衬底；位于衬底上的多层镜，该多层镜具有第一区和第二区；以及位于多层镜的第二区上的泄漏吸收体，该泄漏吸收体将入射光移相180度。 | ||||||
| 58 | 相移光掩模及其制造方法 | CN200710145848.3 | 2007-08-30 | CN101144971A | 2008-03-19 | 斯科特·艾伦·安德森; 小伊·陈; 迈克尔·N·格里姆博根; 阿杰伊·库玛 |
| 本发明公开了一种包含在透明衬底上形成的构图膜叠层的相移光掩模以及制造该光掩模的方法。在一实施方式中，膜叠层包括具有对光刻系统的照射源的光具有预定的透明度值的第一层和基本对光透明并有助于光产生预定相移的第二层。 | ||||||
| 59 | 多色调光掩模及其制法和基于此的薄膜晶体管基底的制法 | CN200710090492.8 | 2007-04-12 | CN101114119A | 2008-01-30 | 蔡钟哲; 尹铢浣; 金时烈; 尹珠爱 |
| 一种多色调光掩模包括基底、阻光图案、第一半透射图案和第二半透射图案。阻光图案在基底上形成。第一半透射图案在基底上形成。第二半透射图案与第一半透射图案部分叠置。该多色调光掩模具有至少五种不同的透光率，这些透光率对应于在基底上划分的多个区域。 | ||||||
| 60 | 掩模以及使用掩模的制造方法 | CN03815898.1 | 2003-06-13 | CN100343757C | 2007-10-17 | I·D·弗伦奇; J·赫维特 |
| 一种掩模12包括半色调层16和光阻挡层20。半色调层16是富含硅的氮化硅SiNx:H，其中x可以在0到1范围内，优选为0.2到0.6，以便使光学带隙可以在2.1eV到2.5eV。已经发现，当使用掩模12时，光致抗蚀剂的去除非常依赖于带隙，而不太依赖于厚度，因此可以获得TFT制造的良好控制。 | ||||||
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