1.一种用于显示装置的焊盘，所述显示装置包括显示区域和焊盘区域，所述焊盘将源于一个或多个驱动器的栅极线和数据线与显示区域中的显示元件连接，所述焊盘包括：
形成在基板上的氧化物半导体层；
形成在所述氧化物半导体层上以与所述氧化物半导体层至少部分重叠的下部绝缘层；
形成在所述下部绝缘层上的一个或多个线层；
形成在所述一个或多个线层上的上部绝缘层；和
形成在所述上部绝缘层上并通过形成于所述上部绝缘层中的接触孔与所述一个或多个线层中的一个连接的焊盘电极。
2.根据权利要求1所述的焊盘，进一步包括：
缓冲层，在所述缓冲层上形成所述氧化物半导体层。
3.根据权利要求1所述的焊盘，其中所述氧化物半导体包括氧化锌(ZnO)半导体、氧化铟锌(IZO)半导体、氧化铟铝锌(IAZO)半导体、氧化铟镓锌(IGZO)半导体和氧化铟锡锌(ITZO)半导体中的至少一个。
4.根据权利要求1所述的焊盘，其中所述一个或多个线层包括：
由与所述栅极线相同的材料形成的下层；和
形成在所述下层上方的上层，所述上层由与所述数据线相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的焊盘，其中所述一个或多个线层包括由与栅极线或数据线相同的材料形成的单层，所述栅极线或数据线与所述焊盘耦接。
6.根据权利要求1所述的焊盘，其中所述焊盘电极由与所述显示装置的显示区域中的像素电极相同的材料形成。
7.一种显示装置，包括：
显示区域，在所述显示区域中，在基板上通过传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线的交叉而界定有像素区域；
第一焊盘单元，所述第一焊盘单元包括形成在所述显示区域外部的第一区域中的至少两个第一焊盘，所述至少两个第一焊盘每一个与所述栅极线连接；和
第二焊盘单元，所述第二焊盘单元包括形成在所述显示区域外部的第二区域中的至少两个第二焊盘，所述至少两个第二焊盘每一个与所述数据线连接，
其中所述第一和第二焊盘单元的至少一个包括：形成在基板上的氧化物半导体层、形成在所述氧化物半导体层上并与所述氧化物半导体层至少部分重叠的下部绝缘层、形成在所述下部绝缘层上的一个或多个线层、形成在所述一个或多个线层上的上部绝缘层、和形成在所述上部绝缘层上并通过形成于所述上部绝缘层中的接触孔与所述一个或多个线层中的一个连接的焊盘电极。
8.根据权利要求7所述的显示装置，进一步包括：
形成在所述基板上的缓冲层，其中所述氧化物半导体层形成在所述缓冲层上。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述氧化物半导体包括氧化锌(ZnO)半导体、氧化铟锌(IZO)半导体、氧化铟铝锌(IAZO)半导体、氧化铟镓锌(IGZO)半导体和氧化铟锡锌(ITZO)半导体中的至少一个。
10.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述一个或多个线层包括：
形成在所述下部绝缘层上的下层，所述下层由与所述栅极线相同的材料形成；和形成在所述下层上方的上层，所述上层由与所述数据线相同的材料形成。
11.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述一个或多个线层包括由与所述栅极线或所述数据线相同的材料形成的单层。
12.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述焊盘电极由与所述显示区域中形成的像素电极相同的材料形成。
13.一种显示装置，包括：
显示区域，在所述显示区域中，在基板上通过传输栅极信号的栅极线和传输数据信号的数据线的交叉而界定有像素区域，所述像素区域包括像素电极；
第一焊盘单元，所述第一焊盘单元包括形成在所述显示区域外部的第一区域中的至少两个第一焊盘，所述至少两个第一焊盘每一个与所述栅极线连接；和
第二焊盘单元，所述第二焊盘单元包括形成在所述显示区域外部的第二区域中的至少两个第二焊盘，所述至少两个第二焊盘每一个与所述数据线连接，
其中所述第一和第二焊盘单元的至少一个包括由与所述像素电极相同的材料形成的焊盘电极，
其中在所述至少两个第一焊盘或所述至少两个第二焊盘横向之间的基板的区域上方形成有氧化物半导体层。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述至少两个第一焊盘或所述至少两个第二焊盘横向之间的基板的区域上方的所述氧化物半导体层包括氧化物半导体层的两个或多个分离的非接触部分
15.一种制造显示装置的焊盘的方法，所述焊盘将源于一个或多个驱动器的栅极线和数据线与显示装置的像素区域中的显示元件连接，所述方法包括：
在基板上方形成氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上形成下部绝缘层，从而所述下部绝缘层与所述氧化物半导体层至少部分重叠；
在所述下部绝缘层上形成一个或多个线层；
在所述一个或多个线层上形成上部绝缘层；
形成穿过所述上部绝缘层的接触孔；和
在所述上部绝缘层上形成焊盘电极，从而所述焊盘电极通过所述接触孔与所述一个或多个线层中的一个连接。
16.根据权利要求15所述的方法，进一步包括：在形成所述氧化物半导体层之前在所述基板上形成缓冲层，其中所述氧化物半导体层形成在所述缓冲层上。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述氧化物半导体包括氧化锌(ZnO)半导体、氧化铟锌(IZO)半导体、氧化铟铝锌(IAZO)半导体、氧化铟镓锌(IGZO)半导体和氧化铟锡锌(ITZO)半导体中的至少一个。
18.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述一个或多个线层包括：
在所述下部绝缘层上形成下层，所述下层由与所述显示装置的所述栅极线相同的材料形成；和
在所述下层上方形成上层，所述上层由与所述显示装置的所述数据线相同的材料形成。
19.根据权利要求15所述的方法，其中形成所述一个或多个线层包括：
由与所述显示装置的所述栅极线或所述数据线相同的材料形成单层。
20.根据权利要求17所述的方法，其中形成所述焊盘电极包括：
由与所述显示装置的像素电极相同的材料形成所述焊盘电极。
21.一种显示装置，包括：
基板；
形成在所述基板上方的缓冲层；
形成在所述缓冲层的第一部分上方的像素区域中的多个像素层；
形成在所述缓冲层的第二部分上方的焊盘区域中的多个焊盘层；
所述多个像素层包括：
形成在所述像素区域中的所述缓冲层上的有源层；
形成在所述像素区域中的所述有源层上的栅极绝缘层；
形成在所述像素区域中的所述栅极绝缘层上的栅极线；
形成在所述像素区域中的所述栅极线上的层间介电层；
形成在所述像素区域中的所述层间介电层上并与数据线连接的源极/漏极层；
形成在所述像素区域中的所述源极/漏极层上的平坦化层；和
形成在所述像素区域中的所述平坦化层上的像素电极；
所述多个焊盘层包括：
形成在所述焊盘区域中的所述缓冲层上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层由与所述有源层相同的材料形成；
形成在所述焊盘区域中的所述氧化物半导体层上方的数据线层，所述数据线层由与所述数据线相同的材料形成；
形成在所述焊盘区域中的所述数据线层上方的上部绝缘层，所述上部绝缘层由与所述平坦化层相同的材料形成；和
形成在所述焊盘区域中的所述上部绝缘层上的焊盘电极，所述焊盘电极由与所述像素电极相同的材料形成。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述多个焊盘层进一步包括：
形成在所述氧化物半导体层上的下部绝缘层，所述下部绝缘层由与所述栅极绝缘层相同的材料形成；
形成在所述焊盘区域中的所述下部绝缘层上的栅极线层，所述栅极线层由与所述栅极线相同的材料形成；
形成在所述栅极线层上的层间绝缘层，所述层间绝缘层由与所述层间介电层相同的材料形成，
其中所述数据线层形成在所述层间绝缘层上且所述上部绝缘层形成在所述数据线层上。
23.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述多个焊盘层进一步包括：
形成在所述氧化物半导体层上的下部绝缘层，所述下部绝缘层由与所述栅极绝缘层相同的材料形成，其中所述数据线层形成在所述下部绝缘层上；
形成在所述数据线层上的层间绝缘层，所述层间绝缘层由与所述层间介电层相同的材料形成，其中所述上部绝缘层形成在所述层间绝缘层上。
24.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述多个焊盘层进一步包括：
形成在所述氧化物半导体层上的下部绝缘层，所述下部绝缘层由与所述层间介电层相同的材料形成；
其中所述数据线层形成在所述下部绝缘层上且所述上部绝缘层形成在所述数据线层上。
25.根据权利要求24所述的显示装置，其中所述氧化物半导体层在所述数据线层下方包括多个分离的非接触部分，所述多个分离的非接触部分之间具有间隙，所述间隙由所述下部绝缘层填充。
26.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述氧化物半导体层横向延伸进焊盘区域中的相邻焊盘之间的区域。
27.根据权利要求21所述的显示装置，其中所述氧化物半导体层被构造成，在相邻两个焊盘横向之间的区域之间存在所述氧化物半导体层中的间隙，所述间隙由绝缘层填充。