子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 二烯丙胺类与二氧化硫的共聚物的制备方法 | CN201180025714.2 | 2011-05-13 | CN102892811A | 2013-01-23 | 佐藤裕辅; 福岛祐介; 中田泰仁 |
| 本发明提供通过在酸和自由基聚合引发剂的存在下，于极性溶剂中使二烯丙胺类与二氧化硫共聚，来制备与通过现有制备方法得到的相比高分子量且为水溶性的二烯丙胺类与二氧化硫的共聚物的制备方法。 | ||||||
| 42 | 苯并二噻吩的聚合物及其作为有机半导体的用途 | CN201180019788.5 | 2011-03-23 | CN102844312A | 2012-12-26 | S·提尔奈; N·布鲁因; W·密特彻; 王常胜; M·卡拉斯克-欧罗兹克; F·E·梅耶 |
| 本发明涉及新型苯并二噻吩聚合物、它们的制备方法和材料，它们在有机电子（OE）器件中作为半导体的用途，以及涉及包含这些聚合物的OE器件。 | ||||||
| 43 | 包含改性硫的粘结材料以及制备包含改性硫的材料的方法 | CN200680050969.3 | 2006-11-13 | CN101370745B | 2012-04-25 | 木原勉; 森弘敏夫; 中塚康夫; 上撫忠广 |
| 本发明提供了一种制备包含改性硫的粘结材料的方法，所述粘结材料可提供优异的阻燃性、机械强度、水密封性能和对硫氧化细菌的耐性，且可用于密封家庭和工业废物。本发明还提供了一种使用所述粘结材料、通过简单控制来制备包含改性硫的材料的方法。所述制备粘结材料的方法包括以下步骤：提供用于改性硫的原料，所述原料由100质量份硫和0.1-25质量份亚乙基降冰片烯(ENB)组成；将所述原料于120-160℃下以熔融态混合；和在所得熔融混合物于140℃下的粘度为0.050-3.0Pa·s时，将所述熔融混合物冷却至不高于120℃的温度。所述制备包含改性硫的材料的方法包括以下步骤：在制备了所述粘结材料后，将10-50％质量粘结材料与50-90％质量骨材于120-160℃下混合，同时保持所述粘结材料于140℃下的粘度为0.050-3.0Pa·s；和将所得混合物冷却至不高于120℃的温度。 | ||||||
| 44 | 含硫组合物及其制造方法 | CN201110229955.0 | 2005-02-17 | CN102408366A | 2012-04-11 | M·D·雷夫韦克; D·M·哈森伯格; C·W·布朗; M·S·马特森; J·D·拜尔斯; D·M·索拉斯; M·S·汉金森; S·J·赫伦; L·L·卡斯滕斯; B·邢 |
| 本发明的名称是含硫组合物及其制造方法。提供了硫羟酸酯组合物、制造该硫羟酸酯组合物的方法和使用该硫羟酸酯组合物的方法。在一些实施方案中，硫羟酸酯组合物包括硫羟酸酯、羟基硫羟酸酯及交联硫羟酸酯。硫羟酸酯组合物可用于生产交联硫羟酸酯、含磺酸酯、含磺酸盐酯及含硫代丙烯酸酯的酯。硫羟酸酯组合物可用于生产聚硫氨酯。聚硫氨酯可用于肥料和肥料包膜。 | ||||||
| 45 | 通过亚磺酸盐烷基化得到的共价键交联聚合物和聚合物膜 | CN01801863.7 | 2001-05-21 | CN100354344C | 2007-12-12 | 约翰·凯瑞斯; 张伟; 陈志明; 托马斯·翰翎 |
| 本发明涉及由一种或多种聚合物组成的以共价键交联的聚合物或聚合物膜，它可含有以下官能团(M＝卤素(F，Cl，Br，I)，OR，NR2；R＝烷基，羟烷基，芳基)；(Me＝H，Li，Na，K，Cs或其它金属阳离子或铵离子)；a)阳离子交换基团的前体：SO2M和/或POM2和/或COM，b)亚磺酸盐基团SO2Me，它可以是用以下有机化合物以共价键交联的：a)二，三或寡官能团卤代烷或卤代芳族化物，这些化合物与亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在聚合物中/在聚合物共混物中/在聚合物膜中产生如下交联桥键(Y＝交联桥键，Y＝-(CH2)x-；-亚芳基-；-(CH2)x-亚芳基-；-CH2-亚芳基-CH2-，x＝3-12)：-SO2Y-SO2-，和/或b)含有如下基团的化合物：卤素-(CH2)x-NHR，其一端(卤素-)与亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在另一端(-NHR)与SO2M基团反应，从而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中存在以下的交联桥键：-SO2-(CH2)x-NR-SO2-，和/或c)含有以下基团的化合物：NHR-(CH2)x-NHR，它与SO2M反应而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中产生如下交联桥键：-SO2-NR-(CH2)x-NR-SO2-。 | ||||||
| 46 | 含有硫原子的防反射膜 | CN200580008475.4 | 2005-03-15 | CN1934500A | 2007-03-21 | 广井佳臣; 岸冈高广; 中山圭介; 坂本力丸 |
| 本发明提供一种防反射膜和用于形成防反射膜的组合物，所述的防反射膜，防反射光的效果高，不发生与光致抗蚀剂的混合，能够在使用F2受激准分子激光(波长157nm)或ArF受激准分子激光(波长193nm)等短波长的光的光刻工艺中使用。本发明的用于形成防反射膜的组合物，其特征在于，包含固体成分和溶剂，硫原子在该固体成分中所占的比例为5～40质量％。上述固体成分包含具有至少5质量％的硫原子的聚合物等。 | ||||||
| 47 | 可固化组合物及其固化制品 | CN99805119.5 | 1999-03-25 | CN1133678C | 2004-01-07 | 金生敏彦 |
| 本发明公开了一种可固化组合物，该组合物即使在低至-20至5℃的温度下仍具有固化性能，在低温时具有低粘度，并能得到固化制品，该制品具有令人满意的材料性能，如防水性、耐化学性和机械强度。该组合物包含由通式(1)表示的杂环化合物(A)、每个分子中含有2个或更多个能与硫醇或-S-基团反应的亲电基团的化合物(B)、以及每个分子具有2个或更多个亲核基团的化合物(C)。式(1)中，n是1-10的整数，X1、Y1和Z1各自表示氧原子或硫原子，R1表示含环醚基团的化合物(D)的残基或氢原子；R2表示C2-10烃基。 | ||||||
| 48 | 通过亚磺酸盐烷基化得到的共价键交联聚合物和聚合物膜 | CN01801863.7 | 2001-05-21 | CN1440438A | 2003-09-03 | 约翰·凯瑞斯; 张伟; 陈志明; 托马斯·翰翎 |
| 本发明涉及由一种或多种聚合物组成的以共价键交联的聚合物或聚合物膜，它可含有以下官能团(M＝卤素(F，Cl，Br，I)，OR，NR2；R＝烷基，羟烷基，芳基)；(Me＝H，Li，Na，K，Cs或其它金属阳离子或铵离子)；a)阳离子交换基团的前体：SO2M和/或POM2和/或COM，b)亚磺酸盐基团SO2Me，它可以是用以下有机化合物以共价键交联的：a)二，三或寡官能团卤代烷或卤代芳族化物，这些化合物与亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在聚合物中/在聚合物共混物中/在聚合物膜中产生如下交联桥键(Y＝交联桥键，X＝卤素(F，Cl，Br，I)，OR，Y＝－(CH2)x－；－亚芳基－；－(CH2)x－亚芳基－；－CH2－亚芳基－CH2－，x＝3－12)：聚合物－SO2Y－SO2－聚合物，和/或b)含有如下基团的化合物：卤素－(CH2)x－NHR，其一端(卤素－)与亚亚磺酸盐基团SO2Me反应，而在另一端(－NHR)与SO2M基团反应，从而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中存在以下的交联桥键：聚合物－SO2－(CH2)x－NR－SO2－聚合物，和/或c)含有以下基团的化合物：NHR－(CH2)x－NHR，它与亚磺酸盐基团SO2Me反应而在聚合物/聚合物共混物/聚合物膜中产生如下交联桥键：聚合物－SO2－NR－(CH2)x－NR－SO2－聚合物。 | ||||||
| 49 | MATERIALS FOR ELECTRONIC DEVICES | PCT/EP2013003136 | 2013-10-18 | WO2014072017A8 | 2014-07-24 | MUJICA-FERNAUD TERESA; MONTENEGRO ELVIRA; VOGES FRANK; KROEBER JONAS VALENTIN; STOESSEL PHILIPP |
| The application relates to a compound of a formula (I) which is suitable for use as a functional material in electronic devices. | ||||||
| 50 | PREPARATION OF OLIGOMERS AND CO-OLIGOMERS OF HIGHLY FLUORINATED SULFINIC ACIDS AND SALTS THEREOF | PCT/US2011064566 | 2011-12-13 | WO2012082703A3 | 2012-08-16 | GUERRA MIGUEL A; DAHLKE GREGG D; DUCHESNE DENIS; FUKUSHI TATSUO; GROOTAERT WERNER M A; QIU ZAI-MING |
| There is provided a method for preparing oligomers and co-oligomers of highly fluorinated sulfinic acids and salts thereof. | ||||||
| 51 | SULFUR-CONTAINING COMPOSITIONS AND PROCESSES FOR MAKING SAME | PCT/US2005005110 | 2005-02-17 | WO2005080325A3 | 2006-05-04 | REFVIK MITCHELL D; HASENBERG DANIEL M; BROWN CHAD W; MATSON MICHAEL S; BYERS JIM D; SOLAAS DALE M; HANKINSON MICHAEL S; HERRON STEVEN J; CARSTENS LESLIE L; XING BAOZHONG |
| Thiol ester compositions, methods of making the thiol ester compositions, and methods of using the thiol ester compositions are provided. In some embodiments, the thiol ester compositions include thiol esters, hydroxy thiol esters and cross-linked thiol esters. The thiol ester composition can be used to produce cross-linked thiol esters, sulfonic acid-containing esters, sulfonate containing esters and thiocrylates containing esters. The thiol ester composition can be used to produce polythiourethanes. The polythiourethanes can be used in fertilizers and fertilizer coatings. | ||||||
| 52 | 저밀도 내연료성 황-함유 중합체 조성물 및 이의 용도 | KR1020177021853 | 2016-01-08 | KR1020170102947A | 2017-09-12 | 라오찬드라비; 이토마피; 린레네 |
| 저밀도조성물, 및강화된내연료성을나타내는황-함유예비중합조성물로제조된밀봉제가개시된다. 저밀도및 강화된내연료성은폴리페닐렌설파이드충전제를사용하여달성된다. | ||||||
| 53 | 화학 방사선에 의한 경화된 실란트의 제조 방법 및 관련 조성물 | KR1020177017556 | 2015-12-04 | KR1020170088417A | 2017-08-01 | 켈레드지안라퀄; 린레네; 라오찬드라비; 버넬슨브루스 |
| 본발명은경화된실란트의제조방법에관한것이다. 이방법은미경화된실란트조성물을기재상에증착시키는단계; 및미경화된실란트조성물을화학방사선에노출시켜경화된실란트를제공하는단계를포함한다. 미경화된실란트조성물은티올-종결된폴리티오에터, 폴리비닐에터및/또는폴리알릴화합물을포함하는폴리엔, 및하이드록시-작용성비닐에터를포함한다. 본발명은또한관련실란트조성물에관한것이다. | ||||||
| 54 | 설폰-함유 폴리티오에터, 그의 조성물 및 합성 방법 | KR1020157025109 | 2014-03-11 | KR101726118B1 | 2017-04-11 | 라오찬드라비; 카이주엑샤오; 린렌헤 |
| 설폰-함유폴리티오에터, 설폰-함유폴리티오에터를함유하는조성물, 설폰-함유폴리티오에터의합성방법및 항공우주용밀봉제적용에서설폰-함유폴리티오에터의용도가개시되어있다. 설폰-함유폴리티오에터는폴리티오에터의주쇄내에혼입된설폰기를갖는다. 설폰-함유폴리티오에터를포함하는경화된밀봉제조성물은증대된내열성을나타낸다. | ||||||
| 55 | 전자 소자용 재료 | KR1020157015563 | 2013-10-18 | KR101716069B1 | 2017-03-13 | 뮤히카-페르나우드테레사; 몬테네그로엘비라; 포게스프랑크; 크뢰버요나스팔렌틴; 슈퇴쎌필립 |
| 본발명은전자소자에서관능성재료로서사용하기에적합한식 (I) 의화합물에관한것이다. | ||||||
| 56 | 전기화학 전지의 보호층 및 다른 구성요소로 사용하기 위한 중합체 | KR1020167036856 | 2015-05-27 | KR1020170012468A | 2017-02-02 | 플라이슈만스벤; 바이너베로니카 |
| 전기화학전지의보호층및 다른구성요소로사용하기위한중합체가제공된다. 일부실시양태에서, 전기화학전지는리튬-계전기화학전지이다. | ||||||
| 57 | 디옥시헤테로사이클-기반의 일렉트로크로믹 폴리머들을 제조하는 방법 | KR1020167001389 | 2014-06-18 | KR1020160023788A | 2016-03-03 | 레이놀즈,존,알.; 에스트라다,레안드로; 데닌저,제임스; 애로야브-몬드라곤,프랭크,안토니오 |
| 공액폴리머를제조하는방법은 3,4-디옥시티오펜, 3,4-디옥시퓨란또는 3,4-디옥시피롤과, 선택적으로, 적어도하나의제2 공액모노머를촉매를이루는 Pd 또는 Ni, 비양자성용매, 카르복실산의존재하에서 120 °C 이상에서 DHAP 중합화하는것과관련된다. 모노머들중 적어도하나는수소반응성작용기들로치환되고모노머들중 적어도하나는 Cl, Br 및/또는 I로치환된다. 중합화는 140 °C 이상의온도에서수행될수 있고, DHAP 중합화는포스핀리간드또는상 전이제없이수행될수 있다. 결과적인폴리머는 2 미만의분산도(dispersity)를나타내고 10이넘는중합도를가질수 있다. | ||||||
| 58 | 전자 소자용 재료 | KR1020157015563 | 2013-10-18 | KR1020150083917A | 2015-07-20 | 뮤히카-페르나우드테레사; 몬테네그로엘비라; 포게스프랑크; 크뢰버요나스팔렌틴; 슈퇴쎌필립 |
| 본발명은전자소자에서관능성재료로서사용하기에적합한식 (I) 의화합물에관한것이다. | ||||||
| 59 | 신규한 싸이오펜 유도체, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기태양전지 | KR1020130119962 | 2013-10-08 | KR1020150041434A | 2015-04-16 | 황석호; 나윤정 |
| 작은밴드갭을갖는싸이오펜단위와비닐렌단위로이루어진전자주게블록과전자받게블록을공중합함으로써태양광의효과적인흡수를통한고효율의태양전지를제조할수 있는신규한싸이오펜유도체, 그제조방법및 이를포함하는유기태양전지가제공된다. 본발명에따르면, 작은밴드갭을가지는신규한싸이오펜유도체를통하여태양광을효과적으로흡수할수 있고, 용해도를증가시킬수 있으며, 성능이향상된유기태양전지를제공할수 있다. | ||||||
| 60 | 열가소성 수지 조성물 및 그 성형품 | KR1020147001012 | 2012-11-28 | KR101427558B1 | 2014-08-06 | 미야모토,코헤이; 하마구치,미츠시게; 우메츠,히데유키 |
| [과제] 높은 레이저 마킹성과 내열성을 가지는 열가소성 수지 조성물 및 그리고 되는 성형품을 제공한다. [해결 수단] 열가소성 수지 조성물은, 액정성 폴리에스테르 및/또는 폴리페닐렌 설파이드인 열가소성 수지(a) 100 중량부에 대해, 단좌 또는 이좌의 배위자와 동, 아연, 니켈, 망간, 코발트, 크롬 및 주석으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 금속 및/또는 그 염과로부터 구성되는 금속 착염(b)을, 0.001에서 10 중량부 함유한다.
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