子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 操作自旋注入操作磁随机存取存储器件的方法及相关器件 | CN200510091996.2 | 2005-08-12 | CN1747060A | 2006-03-15 | 郑元哲; 金奇南; 郑弘植; 郑基泰; 朴哉炫 |
| 提供用于操作包括存储单元的磁随机存取存储器件的方法，该存储单元具有在衬底上的磁隧道结结构的。具体，可以通过磁隧道结结构提供写电流脉冲，以及可以通过磁隧道结结构提供写磁场脉冲。此外，至少部分写磁场脉冲可以相对于至少部分写电流脉冲及时重叠，以及至少部分写电流脉冲和/或至少部分写磁场脉冲彼此可以不及时重叠。还论述了相关的器件。 | ||||||
| 82 | 降低功耗的MRAM器件各向异性轴角选择方法和结构 | CN200510079133.3 | 2005-06-24 | CN1725370A | 2006-01-25 | 菲利普·L.·特洛尔劳德; 戴维·W.·亚伯拉罕; 约翰·K.·德布洛斯 |
| 一种用于对磁随机访问存储器(MRAM)器件确定期望各向异性轴角度的方法，所述方法包括选择各向异性轴角度的多个最初值，对每个所选最初值，确定MRAM器件至少一个铁磁层的最小厚度。最小厚度对应MRAM器件内单个单元的预定激励能量。对于每个所选值，还确定出在MRAM器件的字线方向和位线方向上的最小施加磁场值，以便保持所述预定激励能量。对于每个所选值，计算每位所施加功率值，其中，期望各向异性轴角度为对应于最小每位功率值的所选各向异性轴角度。 | ||||||
| 83 | 在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜异质结材料及制备方法 | CN200410068866.2 | 2004-07-13 | CN1722390A | 2006-01-18 | 吕惠宾; 何萌; 黄延红; 相文峰; 陈正豪; 周岳亮; 程波林; 金奎娟; 杨国桢 |
| 本发明涉及在硅片上外延生长掺杂锰酸镧薄膜和异质结材料及制备方法，该材料包括在n型硅片上生长一层p型的掺杂锰酸镧La1－xAxMnO3薄膜，形成p－n异质结材料；其中A为：Ca、Sr、Ba、Pb或Sn，所有x的取值范围为0.05～0.5；或在p型硅片上生长一层n型的掺杂锰酸镧La1－xBxMnO3薄膜，形成p－n异质结材料；其中B为：Ce、Pr、Te、Nb、Sb或Ta，所有x的取值范围为0.05～0.5。制备方法采用两步法，将锰酸镧或掺杂的锰酸镧材料直接外延生长在硅衬底上，或把在硅片上生长的锰酸镧或掺杂锰酸镧作为缓冲层，然后再外延生长其它钙钛矿氧化物薄膜，或多层膜。 | ||||||
| 84 | 可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器 | CN02105717.6 | 2002-04-15 | CN1231917C | 2005-12-14 | 日高秀人 |
| 本发明提供一种可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器。在确保数据读出时的信号容限的同时，可减小数据写入时所必要的数据写入电流，抑制消耗电流和磁噪声。构成磁性体存储单元的隧道磁阻元件(TMR)具有：具有一定方向的固定磁场的固定磁层(102)；由施加磁场进行磁化的自由磁层(103)；以及在隧道结区(115)中作为设置在固定磁层(102)与自由磁层(103)之间的绝缘体膜的隧道阻挡层。 | ||||||
| 85 | 基于微机电系统的力敏器件 | CN200510026604.4 | 2005-06-09 | CN1693864A | 2005-11-09 | 周勇; 陈吉安; 丁文; 曹莹; 周志敏 |
| 一种基于微机电系统的力敏器件。本发明由硅衬底、引脚、曲折状三明治结构软磁多层膜力敏器件和硅悬臂梁组成，引脚从力敏器件两端的铜层引出，并设置在带SiO2层的硅悬臂梁上，曲折状三明治结构软磁多层膜力敏器件位于硅悬臂梁上，硅悬臂梁与硅衬底相连。本发明具有高的灵敏度和响应速度快等优点，具有广泛的用途。薄膜材料可以与大规模集成电路完全兼容，易于大批量生产，重复性好；避免了采用非晶丝和薄带作为力敏材料时器件易碎、器件性能重复性差和加工困难及批量化等带来的问题；大大提高了多层膜的SI效应及力敏器件的灵敏度；可实现加速度、压力、振动等的检测；方便实现滤波、调谐、振荡等。 | ||||||
| 86 | 磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法 | CN200510066413.0 | 2005-04-20 | CN1691201A | 2005-11-02 | 林文钦; 邓端理; 赖理学; 王昭雄 |
| 本发明是有关于一种磁性随机存取记忆体的写入线路及其制造方法，其中该磁性随机存取记忆体主要包括磁性穿隧式接面、第一写入线路以及正交于第一写入线路的第二写入线路，且第一写入线路与第二写入线路其中至少一者的宽度小于磁性穿隧式接面的宽度。本发明的写入线路的宽度小于MTJ晶胞质或是守护层，以增加MRAM记忆体阵列的磁场。此外，该方法还可减少因写入线路的不平坦CMP表的宽度，可以有效缩小MRAM记忆体所使用的面积。并且使用环绕的磁性材面而导致元件缺陷的可能性。 | ||||||
| 87 | 线性磁场传感器及其制作方法 | CN200510072052.0 | 2005-05-27 | CN1687802A | 2005-10-26 | 王磊; 韩秀峰; 李飞飞; 姜丽仙; 张谢群; 詹文山 |
| 本发明公开了一种隧道结线性磁场传感器及其制作方法：在沉积非磁性层时在主溅射腔内原位更换掩膜，即在沉积时利用掩膜挡住第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的溅射，造成第1、3自旋阀元件或第2、4自旋阀元件上非磁性层的厚度较薄或较厚，然后再拿掉掩膜，溅射上其余的自旋阀元件材料。本发明可以在一次沉积中即可实现桥式磁性传感器中的4个自旋阀元件中的两个其钉扎层的方向与另外两个自旋阀元件的顶扎层方向相反，实现传感器对外磁场的线性感应，即不需要设置电流偏磁法，也不用设置永磁体偏磁法，大大简化了制备工艺，可以有效地提高产品的一致性。 | ||||||
| 88 | 磁阻式随机存取内存及集成电路组件 | CN200510063029.5 | 2005-04-01 | CN1677559A | 2005-10-05 | 林俊杰 |
| 本发明提供一种磁阻式随机存取内存(MRAM)及集成电路组件。上述磁阻式随机存取内存包括一磁性穿隧接面(MTJ)堆栈，通过一低介电常数材料，与其它一或多个邻近的导电层及/或一或多个邻近的磁性穿隧接面(MTJ)堆栈相隔离。 | ||||||
| 89 | 板式磁阻感测片元件的固定装置 | CN01141514.2 | 2001-09-28 | CN1213491C | 2005-08-03 | 姜应天 |
| 公开了一种磁阻感测片的固定装置。在其一面具有感测部件并在其两面的每个角具有电极的矩形磁阻感测片被固定在前面具有图形部分的PCB的前面，以便电极直接与图形部分相接触。PCB上设有涂敷有导体并与其背面的端子部件相连接的通孔。与磁阻感测片固定在一起的PCB被安装到装有磁体的电机板上。该安装通过将背面端子部件焊接到电机板来实现。感测部件与磁体间隔预定的距离面向磁体。在固定装置中，磁阻感测片可在不要求附加的支架而被固定到PCB并容易地被安装到电机板上。由于两面都形成有电极图形的板式磁阻感测片的新结构，在安装时磁体和磁阻感测片之间不产生干扰。 | ||||||
| 90 | 超导限流装置及其用途 | CN200410082094.8 | 2004-10-15 | CN1630156A | 2005-06-22 | 乔基姆·博克; 斯蒂芬·埃尔施纳; 弗兰克·布鲁尔 |
| 本发明涉及超导限流装置及其用途，该装置包括超导体元件(1)，其中每个超导体元件(1)具有一个其上缠绕有线圈(3)的超导体本体(2)，线圈与超导体本体(2)电连接，其中当超导体由超导状态转变为普通导电状态时，在超导限流装置中产生磁场。 | ||||||
| 91 | 磁随机存取存储器 | CN200310113535.1 | 2003-11-14 | CN1617257A | 2005-05-18 | 彭子龙; 王伟宁; 韩秀峰; 朱涛; 詹文山 |
| 本发明公开了一种磁随机存取存储器(MRAM)，MRAM单元中的位线BL和写字线WWL位于其中磁性薄膜存储单元的相同一侧，磁性薄膜存储单元通过接触孔与晶体管ATR的漏极相连接，并且MRAM单元中的地线GND与写字线WWL布置在同一个金属布线层中。这种结构的优点在于，一方面减少了金属布线层以及接触孔的数目，降低了工艺难度和制造成本，另一方面也可以提高MRAM的整体集成度。 | ||||||
| 92 | 一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法 | CN200410009938.6 | 2004-12-02 | CN1614714A | 2005-05-11 | 姜勇; 于广华; 王燕斌; 腾蛟 |
| 本发明提供了一种具有高磁电阻效应的双磁性隧道结及其制备方法。双磁性隧道结由底电极层、反铁磁层、钴铁合金、绝缘层、金属钌层、顶电极层组成。本发明采用二氧化硅基片，通过等离子体溅射或磁控溅射、分子束外延生长手段制备成双磁性隧道结。本发明的优点在于：巧妙的利用双隧道结、金属钌层和两层绝缘层的组合，大幅度地提高双磁性隧道结在室温下的磁电阻效应。 | ||||||
| 93 | 磁阻式随机存取内存电路 | CN200410004285.2 | 2004-02-12 | CN1534680A | 2004-10-06 | 林文钦; 邓端理; 池育德 |
| 一种磁阻式随机存取内存电路，包括下列组件，磁阻式记忆单元，具有固定磁轴层、自由磁轴层，以及设置于固定磁轴层以及自由磁轴层之间的绝缘层；一限流装置，其第一极耦接于自由磁轴层；开关装置耦接于固定磁轴层的一端，并具有一控制闸；第一选取线耦接于限流装置的第二极；第一编程线耦接于固定磁轴层的另一端，用以于执行编程动作时提供编程电流以及于读取动作时提供读取电流；第二编程线耦接于开关装置；第二选取线耦接于控制闸，用以提供致能信号以导通开关装置。 | ||||||
| 94 | 隧道结结构及其制造方法和磁敏传感器 | CN98108447.8 | 1998-05-15 | CN1167145C | 2004-09-15 | 佐藤雅重; 菊地英幸; 小林和雄 |
| 提供一种隧道结结构。第一磁性层形成于支撑衬底上。隧道绝缘层设置于第一磁性层上，隧道绝缘层含作为其一种组分的金属元素。第二磁性层设置于隧道绝缘层上。防止扩散层设置于第一磁性层和隧道绝缘层之间。防止扩散层抑制第一磁性层中的金属原子与隧道绝缘层中的金属原子的相互扩散。隧道绝缘层和防止扩散层都具有允许隧道电流在第一和第二磁性层之间流动的厚度。 | ||||||
| 95 | 掩埋磁隧道结存储器单元和方法 | CN200310120126.4 | 2003-12-05 | CN1527320A | 2004-09-08 | P·J·弗里克; A·科尔; A·L·范布罗克林 |
| 在衬底(50)上制作的磁存储器单元(20)具有第一金属导体(40)、布置在第一金属导体上的第一磁层(80)、具有穿过其延伸至第一磁层(80)的通道开口(65)的平面层间电介质(ILD)35、在位于通道开口内的第一磁层上面的掩埋隧道结(75)、填充该通道开口并掩埋隧道结的第二磁层(60)，耦合至第二磁层的第二金属导体。公开了在存储器(10)和其它器件中使用的存储器单元的方法以及具体适用于制作存储器单元的方法。 | ||||||
| 96 | 一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法 | CN02157977.6 | 2002-12-20 | CN1510701A | 2004-07-07 | 代波; 蔡建旺; 赖武彦 |
| 本发明涉及一种铁磁/锰系反铁磁多层膜钉扎材料及其制备方法，该钉扎材料包括一基片和在基片上设置的一缓冲层、一第二铁磁层及设在其上的一保护层，其中还包括一设于缓冲层上的引导层、一设于引导层上的反铁磁层、一设于反铁磁层上的第一铁磁层、及一纳米氧化层，设于第一铁磁层和第二铁磁层之间；其制备方法是在基片上依次沉积各层并退火得到该钉扎材料；由本发明方法制备的钉扎材料的反铁磁层厚度明显减薄，钉扎场更大，矫顽力更小，磁滞回线矩形度更好，在铁磁层中几乎没有Mn的扩散，而且还实现了Ni－Mn合金对Co－Fe合金的钉扎；制备工艺简单、材料性能稳定。 | ||||||
| 97 | 磁单元和磁存储器 | CN200310118602.9 | 2003-11-26 | CN1503270A | 2004-06-09 | 中村志保; 羽根田茂; 大沢裕一 |
| 本发明的目的在于提供一种能够降低在进行基于电流直接驱动的磁化反转时的反转电流的磁单元和使用它的磁存储器。该磁单元的特征在于具备：磁化(M1)的方向被实质上固定在第1方向上的第1强磁性层(C1)；磁化(M2)的方向被实质上固定在与上述第1方向相反的第2方向上的第2强磁性层(C2)；设置在上述第1和第2强磁性层之间，磁化(M)方向可变的第3强磁性层(A)；设置在上述第1和第3强磁性层之间的第1中间层(B1)；设置在上述第2和上述第3强磁性层之间的第2中间层(B2)。 | ||||||
| 98 | 使用了金属镶嵌工艺的磁存储器件及其制造方法 | CN200310104371.6 | 2003-10-24 | CN1499521A | 2004-05-26 | 中岛健太郎 |
| 一种磁存储器件，包括：在第一方向上延伸的第一布线；配置在所述第一布线上方的第一金属层；配置在所述第一金属层上的给定区域中的第一磁阻效应元件；配置在所述第一磁阻效应元件上的第一接触层；在与所述第一方向不同的第二方向上延伸的第二布线，所述第二布线配置在所述第一接触层上且具有覆盖所述第一接触层上部的突出部；掩埋在所述第一金属层、所述第一磁阻效应元件、所述第一接触层和所述第二布线的周围且表面高度与所述第二布线的表面高度相同的第一绝缘膜。 | ||||||
| 99 | 用于磁性随机存取存储器的反铁磁性耦合的双层传感器 | CN03154496.7 | 2003-09-30 | CN1497600A | 2004-05-19 | S·吉代尔; V·尼基廷 |
| 一种磁性隧道结(MTJ)存储器阵列，其具有一个磁性稳定的自由层，该自由层可以用最少的能量输入从一种记忆状态切换到另一种记忆状态。该存储器阵列包括一个MTJ单元，该单元具有一个反平行耦合的自由层。一个导电字线通过该自由层，使得通过导电字线的电流感应出一个磁场，该磁场作用于自由层的反平行耦合层上，使它们的磁化旋转，并同时保持相互反平行。 | ||||||
| 100 | 薄膜磁性体存储器及与之相关的半导体集成电路器件 | CN03148762.9 | 2003-06-25 | CN1490818A | 2004-04-21 | 大石司 |
| 在执行数据存储的正规MTJ存储单元(MC)被配置成矩阵状的MTJ存储单元阵列(10)的外围部中，还设置有按照与MTJ存储单元同样的尺寸和结构设计的形状虚设单元(SDC)。MTJ存储单元(MC)和形状虚设单元(SDC)被连续地配置成在整体上具有均匀间距。因此，在分别位于MTJ存储单元阵列(10)的中心部和边界部的MTJ存储单元之间，可消除因周围的存储单元的密度疏密引起的制造时的不均匀性。 | ||||||
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