| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器 | CN202211159797.0 | 2022-09-22 | CN115542207A | 2022-12-30 | 郭海平; 徐杰; 沈卫锋; 薛松生 |
| 本发明涉及传感器技术领域，提供了一种磁电阻结构及单轴向测量磁传感器，包括：磁隧道结结构，包括第一磁隧道结结构和第二磁隧道结结构，第一磁隧道结结构设置在第二磁隧道结结构上，或第一磁隧道结结构与第二磁隧道结结构分立设置；第一磁隧道结结构中包括第一偏置层，第二磁隧道结结构中包括第二偏置层；第一偏置层的偏置方向与第二偏置层的偏置方向与膜层平面平行，且垂直于待测轴向并相互反平行；磁隧道结结构设置在底电极与顶电极之间。解决了现有技术中存在的在与器件膜层平面平行的方向上，由于受到垂直于待测轴向的其他轴向产生相应的磁场分量干扰，难以准确反应出待测轴向上的磁场大小的技术问题。 | ||||||
| 2 | 一种锰基MXenes自旋场效应管及其制备和使用方法 | CN202211167512.8 | 2022-09-23 | CN115513368A | 2022-12-23 | 陈凯运; 贺加贝; 阚东晓; 宋梦珊 |
| 本发明公开了一种锰基MXenes自旋场效应管，包括基底、第一电极层、第一隔离层和氢原子钝化Mn2NO2层，氢原子钝化Mn2NO2层上间隔设置有第二隔离层和第三隔离层，第二电极层和第三电极层，另外还提供了一种锰基MXenes自旋场效应管的使用方法，通过施加局域电场诱发氢原子钝化Mn2NO2部分区域由半导体转变为半金属，形成半金属/半导体/半金属横向异质结，仅采用氢原子钝化Mn2NO2单一材料，通过采用局域电场的方式调控特定区域由半导体转变为半金属性，形成半金属/半导体的横向异质结，以不同外磁场对各个自旋场效应管进行磁化，用于写入信息，并通过检测各个通道中的自旋电子信号，进行逻辑运算与磁性存储。 | ||||||
| 3 | 表面图形磁性薄膜平面叠层巨磁阻抗传感器及制备方法 | CN202211274715.7 | 2022-10-18 | CN115513366A | 2022-12-23 | 穆宜敏; 王晓荣; 朱文俊; 张梦怡; 易阳 |
| 本发明公开了表面图形磁性薄膜平面叠层巨磁阻抗传感器，包括非磁性导电层；非磁性导电层的上方和下方对称的设置有表面图形磁性薄膜；表面图形磁性薄膜和非磁性导电层之间设有绝缘层；下层表面图形磁性薄膜连接绝缘基底；非磁性导电层的两端均设有电极；所述表面图形磁性薄膜由表面光滑磁性薄膜和多个条栅图案磁性薄膜组成；多个条栅图案磁性薄膜等间距地排列在表面光滑磁性薄膜上。本发明削弱了磁性薄膜宽度方向的退磁效应，可以显著增强表面图形磁性薄膜的巨磁阻抗效应，实现高灵敏度的磁场检测。 | ||||||
| 4 | 电子设备 | CN201810952937.7 | 2018-08-21 | CN109473544B | 2022-12-23 | 郑求烈; 林钟久; 金亮坤; 李哉衡 |
| 一种电子设备可以包括半导体存储器，并且所述半导体存储器可以包括：具有可变磁化方向的自由层；具有固定磁化方向的钉扎层；以及介于自由层与钉扎层之间的隧道阻挡层，其中，自由层可以包括：第一子层，其具有0.1或更小的阻尼常数；第二子层，其具有范围为1.0×104至1.0×108erg/cm3的垂直磁各向异性能量密度；以及插入层，其介于第一子层与第二子层之间。 | ||||||
| 5 | 基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法 | CN202211313444.1 | 2022-10-25 | CN115498102A | 2022-12-20 | 王浩敏; 孔自强; 王慧山; 陈令修; 肖相生 |
| 本发明提供一种基于石墨烯的量子电阻芯片的制备方法，以氢气退火处理后的碳化硅为衬底，硅乙烷为气体催化剂，乙炔作为碳源，采用化学气相沉积法外延生长单层石墨烯，可制备均匀性较好的石墨烯结构，制备的量子电阻芯片在6T的磁场强度和4.5K的温度下，霍尔电阻测量准确度达到1.2×10‑8，同时相对不确定度达到3×10‑8，复现性达到3×10‑9，在半年内的磁输运特性具有高度稳定性，该量子电阻芯片具有小型化、集成度高、成本优化、经济效益高、适用性强的优点，可直接将该量子电阻芯片集成于便携式量子电阻标准测量系统，有利于推动精密测量行业的进一步发展。 | ||||||
| 6 | 一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法 | CN202211029841.6 | 2022-08-25 | CN115498058A | 2022-12-20 | 刘富才; 李长存; 刘庆; 周雷 |
| 本发明公开了一种基于二维磁性材料的宽波段光电探测器及其制备方法，以二氧化硅为支撑衬底，二维磁性单晶薄膜为沟道层，金属电极为电极层，hBN为封装层制备得到，其中二维磁性单晶薄膜由二维磁性单晶材料经机械剥离后制得；宽波段光电探测器的可见光区响应时间为121.7ms，响应度为26.1A/W。本发明通过探索二维磁性材料的磁性和光电特性之间的相互作用，在开发先进的自旋‑光电器件应用方面具有巨大的潜能。 | ||||||
| 7 | 用于磁隧道结的间隔件堆叠件 | CN201910162848.7 | 2019-03-05 | CN110649061B | 2022-12-13 | 刘中伟; 蓝锦坤 |
| 本发明实施例描述形成具有金属化合物层的间隔件的示例性方法。该方法包括：在互连层上方形成磁隧道结(MTJ)结构和在磁隧道结结构和互连层上方沉积第一间隔件层。该方法还包括在第一间隔材料，磁隧道结结构和互连层上方沉积第二间隔件层，其中，第二间隔件层比第一间隔件层薄，并包括金属化合物。此外，该方法还包括：在第二间隔件层上方和MTJ结构之间沉积第三间隔件层。第二间隔件比第一间隔件薄。本发明实施例涉及用于磁隧道结的间隔件堆叠件。 | ||||||
| 8 | 具有增强隧穿磁阻比的存储器单元、包括其的存储器设备和系统 | CN201580084836.7 | 2015-12-24 | CN108292701B | 2022-12-13 | B·S·多伊尔; E·V·卡尔波夫; K·奥乌兹; K·P·奥布莱恩; C·C·郭; M·L·多齐; U·沙阿; 王奕 |
| 公开了具有提高的隧穿磁阻比(TMR)的存储器单元。在一些实施方式中，这样的设备可以包括与隧穿磁阻在增强元件(TMRE)串联耦合的磁阻式隧道结(MTJ)元件。MTJ元件和TMRE中的每个可以配置成例如响应于电压而在高和低电阻状态之间转换。在一些实施方式中，MTJ和TMRE配置成使得当读取电压施加到单元同时MTJ处于其低电阻状态中时，TMRE被驱动到低电阻状态，以及当这样的电压被施加同时MTJ处于其高电阻状态中时，TMRE保持在其高电阻状态中。还公开了包括这样的存储器单元的设备和系统。 | ||||||
| 9 | 具有逐步复位能力的NVM突触元件 | CN202180030542.1 | 2021-05-13 | CN115461881A | 2022-12-09 | 岩科晶代; 冈崎笃也; 安田岳雄 |
| 提供一种模拟磁阻随机存取存储器(MRAM)单元。所述模拟MRAM单元包含磁性自由层，所述磁性自由层具有第一畴、第二畴及畴壁，所述第一畴具有第一磁化方向，所述第二畴具有与所述第一磁化方向相反的第二磁化方向，所述畴壁位于所述第一畴与所述第二畴之间。所述模拟MRAM单元进一步包含磁性钉扎层。模拟MRAM单元还包含磁性自由层与磁性钉扎层之间的绝缘隧道势垒。模拟MRAM单元另外包含邻近于磁性自由层定位的电极，所述电极经配置以通过供应电流来产生热以减小磁性自由层的电导率率。 | ||||||
| 10 | 磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法 | CN202110613064.9 | 2021-06-02 | CN115440880A | 2022-12-06 | 王慧琳; 蔡锡翰; 许清桦; 翁宸毅; 许博凯; 张境尹 |
| 本发明公开一种磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法，其中该制作磁阻式随机存取存储器元件的方法为首先形成第一磁性隧穿结(magnetictunneling junction,MTJ)于基底上，然后形成一第一上电极于该第一MTJ上，再形成一保护层环绕第一MTJ，其中保护层包含V形且该V形的谷点高于第一上电极顶表面。 | ||||||
| 11 | 交换耦合膜以及使用该交换耦合膜的磁阻效应元件及磁检测装置 | CN201780048184.0 | 2017-08-02 | CN109716548B | 2022-12-06 | 齐藤正路; 小池文人; 远藤广明 |
| 本发明的交换耦合膜(10)，层叠有反铁磁性层(2)和固定磁性层(3)和自由磁性层(5)，反铁磁性层(2)由PtCr层(2A)与XMn层(2B)(其中，X为Pt或Ir)构成，XMn层(2B)与固定磁性层(3)接触，在上述XMn层(2B)层叠于PtCr层(2A)的情况下，PtCr层(2A)为PtαCr100at％－α(α为44at％以上58at％以下)，在XMn层(2B)层叠于固定磁性层(3)的情况下，PtCr层(2A)为PtαCr100at％－α(α为44at％以上57at％以下)，因此固定磁性层(3)的磁化的方向反转的磁场(Hex)较大，高温条件下的稳定性较高。 | ||||||
| 12 | 一种三轴磁传感器及其制备方法 | CN201910464493.7 | 2019-05-30 | CN110137345B | 2022-12-02 | 王俊杰; 张振兴 |
| 本发明提供了一种三轴磁传感器及其制备方法，所述三轴磁传感器的制备方法中，以图形化的所述光刻胶层为掩模，对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，暴露出所述第一凹槽的侧壁上的Z轴磁阻结构，再去除所述光刻胶层，以在所述第二凹槽中形成COMS晶体管与AMR的互连通孔时，通过对所述硬掩模层进行各向同性刻蚀，使得第一凹槽侧壁上的硬掩模层可以一次性被去除，从而减少了工艺步骤，降低了生产成本，还提高了三轴磁传感器中Z轴磁阻条的反应灵敏度，提高了三轴磁传感器的性能。另外，本发明使用的各向同性刻蚀工艺和去除光刻胶层的工艺在同一个设备中进行，无需更换设备，缩短了工艺时间，降低了生产成本。 | ||||||
| 13 | 真随机数发生器及产生真随机数的方法 | CN202210951179.3 | 2022-08-09 | CN115411176A | 2022-11-29 | 曹易; 王超; 任睿智 |
| 本发明公开了一种真随机数发生器及产生真随机数的方法。该真随机数发生器包括随机数发生模块，其包括：导电层，两端分别设有用于通入第一电流的第一电极和第二电极以及并列地设置在导电层上的多个磁隧道结，每个磁隧道结均包括：第一磁性层，位于导电层之上；自旋流抵消层，位于第一磁性层之上；绝缘势垒层，位于自旋流抵消层之上；第二磁性层，位于绝缘势垒层之上；钉扎层，位于第二磁性层之上；其中，每个磁隧道结的钉扎层的远离第二磁性层的一端均设有第三电极，第一电极和第三电极用于通入第二电流。本发明提供的真随机数发生器，集成度高、随机性好和使用寿命长，具有很好的应用前景。 | ||||||
| 14 | 半导体元件及其制作方法 | CN201810425128.0 | 2018-05-07 | CN110459673B | 2022-11-29 | 洪庆文; 王裕平 |
| 本发明公开一种半导体元件及其制作方法，该制作半导体元件的方法为，主要先提供一基底包含一磁性隧穿接面(magnetic tunneling junction,MTJ)区域以及一边缘区域，然后形成一第一金属间介电层于该基底上，再形成一第一磁性隧穿接面以及一第二磁性隧穿接面于第一金属间介电层上，其中第一磁性隧穿接面设于磁性隧穿接面区域上而第二磁性隧穿接面则设于边缘区域上。之后再形成一第二金属间介电层于第一磁性隧穿接面以及第二磁性隧穿接面上。 | ||||||
| 15 | 一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器 | CN202210916550.2 | 2022-08-01 | CN115394761A | 2022-11-25 | 黄意雅; 张辉; 单欣; 朱冠伦; 任宏宇; 徐秀兰; 于广华 |
| 本发明提供一种磁传感器芯片及其制备方法以及磁编码器，其中，磁传感器芯片包括基板、设置在基板上的磁阻元件组和与磁阻元件组连接的电极。磁阻元件组设置为八组，八组磁阻元件组沿同一圆心均布；每组磁阻元件组包括两个磁阻元件，每个磁阻元件包括四个与磁阻元件组同心并呈扇形均布的磁阻条；每组磁阻元件组中一个磁阻元件的磁阻条与另一个磁阻元件中对应位置的磁阻条的圆心角为15°；一组磁阻元件组中的磁阻条与其相邻的另一组磁阻元件组中对应位置的磁阻条的圆心角为30°。通过磁阻元件组和构成磁阻元件的磁阻条的布置方式，能够有效消除芯片输出信号中的三次谐波，使得输出信号更接近完整的正弦波与余弦波，从而提高旋转角度的检测分辨率。 | ||||||
| 16 | 半导体装置 | CN202110538461.4 | 2021-05-18 | CN115377284A | 2022-11-22 | 郭致玮; 许家彰 |
| 本发明公开一种半导体装置，其包括基底、第一磁性隧穿结结构、第二磁性隧穿结结构以及互连结构。第一磁性隧穿结结构、第二磁性隧穿结结构与互连结构设置在基底上。互连结构在第一水平方向上位于第一磁性隧穿结结构与第二磁性隧穿结结构之间，且互连结构包括第一金属互连与第二金属互连。第二金属互连设置在第一金属互连上且接触第一金属互连。第二金属互连的材料组成不同于第一金属互连的材料组成。 | ||||||
| 17 | 非挥发性存储器元件及其制造方法 | CN202110532868.6 | 2021-05-17 | CN115377141A | 2022-11-22 | 林承毅; 翁堂钧; 许家彰; 陈永珅; 林佳弘 |
| 本发明公开一种非挥发性存储器元件及其制造方法。所述非挥发性存储器元件包括基底、内连线结构、多个存储器单元、多个导电通孔以及多个虚设通孔。基底具有存储器区域以及虚设区域，其中虚设区域围绕存储器区域。内连线结构设置于基底上，且位于存储器区域中。所述多个存储器单元设置于内连线结构上，且自俯视方向来看以阵列方式排列，其中所述多个存储器单元包括位于存储器区域中的多个第一存储器单元以及位于虚设区域中的多个第二存储器单元。所述多个导电通孔设置于存储器区域中，且位于所述多个第一存储器单元与内连线结构之间，以分别电连接第一存储器单元中的每一个与内连线结构。所述多个虚设通孔设置于虚设区域中，且围绕存储器区域。 | ||||||
| 18 | 人工神经元 | CN202210975433.3 | 2022-08-15 | CN115358372A | 2022-11-18 | 涂华垚; 曾中明; 雒雁翔; 张宝顺 |
| 本发明公开了一种人工神经元，包括微波单元，器件单元以及权重单元。所述微波单元用于产生微波信号；所述器件单元响应于所述微波信号，并输出符合不同峰值响应点的多条钟型曲线的直流电压信号；所述权重单元赋予权重值以调节所述直流电压信号强度。本发明的具有高灵活性的基于群体编码的人工神经元，可以实现单神经元具有多种可调的非线性激活特性，可以适应不同人工智能计算场景的需要。 | ||||||
| 19 | 存储装置及电子设备 | CN202180024777.X | 2021-03-17 | CN115349169A | 2022-11-15 | 大贯达也; 池田隆之 |
| 提供一种存储容量大且功耗低的存储装置。该存储装置包括第一层及含有第一层的第二层，第一层包括电路，第二层包括第一存储单元。电路包括将信号供应到第一存储单元的位线驱动电路及/或字线驱动电路。第一存储单元包括第一晶体管、第二晶体管、导电体以及MTJ元件。此外，MTJ元件包括自由层。自由层与导电体电连接，第一晶体管的第一端子与第二晶体管的第一端子通过导电体电连接。此外，自由层位于导电体上方。电路包括在沟道形成区域中含有硅的晶体管，第一晶体管及第二晶体管各自的沟道形成区域包含金属氧化物。 | ||||||
| 20 | 一种高阻值半导体结构、自旋电子器件结构及其制备方法 | CN202210983344.3 | 2022-08-16 | CN115347114A | 2022-11-15 | 芦红; 李秉欣; 丁元丰; 谢景龙 |
| 本发明提供了一种高阻值半导体结构及其制备方法。该结构包括：自下而上依次为衬底、高阻值缓冲层、拓扑材料层，高阻值缓冲层为III‑V族半导体层，其中，高阻值缓冲层的厚度为5‑50 nm。本发明还公开了一种基于高阻值半导体结构的自旋电子器件结构。高阻值半导体结构通过在拓扑材料层和衬底间引入高阻值缓冲层，在保证拓扑材料层质量的同时，极大地提高了拓扑材料层的外延成功率和可控性，并且可以极大地减小输运实验和器件应用中衬底的分流效应。 | ||||||
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