子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 具有串联二极管的磁随机存取存储器的三次取样读出 | CN03108328.5 | 2003-03-24 | CN1459792A | 2003-12-03 | F·A·佩尔纳; L·T·特兰; K·J·埃尔德雷奇 |
| 一种数据存储装置包括电阻存储单元(170，175)的阵列(165)。电阻存储单元(170，175)可以包括磁隧道结和薄膜二极管(260)。所述数据存储装置可以包括与所述阵列(165)电连接并且能够监测流经所选选择存储单元(175)的信号电流的电路。一旦已经监测了信号电流，所述电路能够将信号电流与平均基准电流进行比较，以便确定所选电阻存储单元(175)是处于第一电阻态还是处于第二电阻态。此外，一种用于操作所述数据存储装置的方法。 | ||||||
| 102 | 磁存储器的导体结构 | CN03122470.9 | 2003-04-25 | CN1453791A | 2003-11-05 | M·巴塔查里亚; T·C·安东尼 |
| 本发明公开一种磁存储器的导体结构。所述导体结构包括一个或几个导体，它们的宽度小于导体与存储单元交叉方向上存储单元的尺寸。导体的厚度被预选成可减小导体的截面积因而增加导体中的电流密度。由于电流密度的增加，流经导体中的减小的电流就能产生足以旋转存储单元数据层中可变磁化取向的磁场。或者，可以通过增加导体的厚度以增加其面积以减小其电阻、并将导体部分地包覆以减小导体周围的总磁路从而增强磁场，这样也能减小电流量。 | ||||||
| 103 | 磁性体逻辑元件及磁性体逻辑元件阵列 | CN03108383.8 | 2003-03-28 | CN1448946A | 2003-10-15 | 中村志保; 羽根田茂 |
| 提供一种小型、能进行逻辑处理的新的磁性体逻辑元件及将该元件阵列化了的磁性体逻辑元件阵列。该磁性体逻辑元件具有：至少两个以上的磁性层(HM、SM)；磁性层之间的中间单元；以及磁性层(SM)的磁化方向控制单元，将控制磁性层(SM)的磁化方向用的输入信号设为A、B两个以上，分别分配0、1，用输入信号A、B的组合，决定磁性层(SM)的磁化，将通过了中间单元的磁致电阻效应的大小作为输出信号C。 | ||||||
| 104 | 磁存储装置及其制造方法 | CN02161137.8 | 2002-11-29 | CN1442860A | 2003-09-17 | 浅尾吉昭 |
| 磁存储装置具备：第一存储器部和在第一方向与第一存储器部相邻并共用沿第一方向延伸的第一布线的第二存储器部，分别具有沿第二方向延伸的多个第二布线和第三布线、多个磁阻效应元件彼此串联连接的第一和第二存储元件部以及连接在第一和第二存储元件部一端上的第一和第二开关元件；第一和第二存储元件部分别在第一和第二布线之间以及第一和第三布线之间与上述布线间隔配置磁阻效应元件。 | ||||||
| 105 | 磁性随机存取存储器 | CN02160834.2 | 2002-12-27 | CN1442859A | 2003-09-17 | 岩田佳久; 东知辉 |
| TMR元件被设置在字线和位线之间的交叉点处。每个字线的一端通过行选择开关连接到接地点。每个位线的一端连接到位线偏置电路。在读取操作中，该位线偏置电路把偏置电势施加到所有位线。该被选择的字线被短路到接地点。未被选择的字线被设置在浮置状态。 | ||||||
| 106 | 使用磁阻效应的半导体存储器件 | CN02160414.2 | 2002-12-30 | CN1438650A | 2003-08-27 | 东知辉 |
| 一种半导体存储器件，其中包括存储单元阵列、字线、副读出线、主读出线、行解码器、列解码器、第一开关元件、读出电路、以及写入电路。每个存储单元阵列具有包括磁阻元件的存储单元的一个矩阵。每个磁阻元件具有第一和第二磁性层以及在第一和第二磁性层之间的第一绝缘层。该字线连接到在每一行上的第一磁性层。该副读出线连接到在每一列上的第二磁性层。该主读出线连接到每个副读出线。该行解码器和列解码器选择一条字线和副读出线。该第一开关元件把由该列解码器所选择的副读出线连接到该主读出线。该读取电路从存储单元中读出数据。该写入电路在存储单元中写入数据。 | ||||||
| 107 | 能够降低编程能耗的用在MRAM设备中的磁轭结构及其生产方法 | CN03103460.8 | 2003-01-30 | CN1435841A | 2003-08-13 | 潘威; 许胜籘 |
| 一种MRAM设备，其包括基底；多个包括位线和字线的导线；和包括一对磁轭结构的MTJ堆栈，其中，所说的每一个磁轭结构都环绕导线。一种制造用在MRAM结构中的磁轭结构的方法，其包括制备基底；在基底上形成第一个导线；制造MTJ堆栈，包括制造环绕第一个导线的第一个磁轭结构；在MTJ堆栈上形成第二个导线；制造环绕第二个导线的第二个磁轭结构；在该结构上沉积氧化物层；和金属化该结构。 | ||||||
| 108 | 磁开关元件和磁存储器 | CN02160830.X | 2002-12-27 | CN1430292A | 2003-07-16 | 齐藤好昭 |
| 提供一种磁开关元件和磁存储器。该磁开关元件具备磁化(M1)实质上已固定的强磁性层，和设置在来自上述强磁性层的磁场所波及的范围内，通过施加电压从常磁状态迁移到强磁状态的磁性半导体层(10)，其特征在于：在给上述磁性半导体层加上电压时，在上述磁性半导体层内形成与上述强磁性层的上述磁化方向对应的磁化(M2)的磁开关元件和采用设置2个磁开关元件的办法，进行对磁阻效应元件的记录层的写入的磁存储器。 | ||||||
| 109 | 电子设备 | CN02151493.3 | 2002-11-22 | CN1422051A | 2003-06-04 | 加藤博万; 佐藤秀树; 后藤道彦; 村松利彦 |
| 一种蜂窝电话机，包括：X轴磁性传感器，用于输出相应于沿主体横轴方向的外部磁场分量的第一值；和Y轴磁性传感器，用于输出相应于沿主体纵轴方向的外部磁场分量的第二值。该蜂窝电话机包括ROM，它存储定义第一和第二值同主体纵轴的方位角和倾斜角值之间的关系。该蜂窝电话机根据X轴和Y轴磁性传感器实际输出的第一和第二值并查阅转换表确定方位角和倾斜角。 | ||||||
| 110 | 磁性随机访问存储器 | CN02152456.4 | 2002-11-28 | CN1421865A | 2003-06-04 | 梶山健 |
| 本发明涉及磁性随机访问存储器。将MTJ元件在半导体底板上分层叠置。在MTJ元件上连接沿X方向延伸的上部线和下部线。在各层中配置的MTJ元件个数从下层向上层逐次增多。就上部线而言，位于上层的上部线连接在靠近MTJ元件的阵列存在的晶体管上，位于上层的上部线连接在远离MTJ元件的晶体管上。就下部线而言，下层的下部线连接在较比上层的下部线更靠近MTJ元件的阵列的晶体管上。 | ||||||
| 111 | 磁阻元件,具有其的存储元件及使用该存储元件的存储器 | CN02119828.4 | 2002-04-02 | CN1384503A | 2002-12-11 | 池田贵司; 小金井昭雄; 冈野一久 |
| 一种磁阻膜,包括一非磁膜,磁膜形成在所述非磁膜的两侧。至少所述磁膜之一为垂直磁化膜。一个磁膜形成在所述磁膜接触所述垂直磁化膜但不接触所述非磁膜的位置,该磁膜的易磁化轴与垂直于膜表面的方向倾斜。本发明还公开了一种存储器,磁元件,磁阻元件以及磁元件的制造方法。 | ||||||
| 112 | 可进行稳定的数据读出和数据写入的薄膜磁性体存储器 | CN02105717.6 | 2002-04-15 | CN1383155A | 2002-12-04 | 日高秀人 |
| 构成磁性体存储单元的隧道磁阻元件(TMR)具有:具有一定方向的固定磁场的固定磁层(102);由施加磁场进行磁化的自由磁层(103);以及在隧道结区(115)中作为设置在固定磁层(102)与自由磁层(103)之间的绝缘体膜的隧道阻挡层。在自由磁层(103)中,将与具有作为存储单元所希望的特性的易磁化轴区域(110)相当的区域作为隧道结区(115)来使用。另一方面,具有作为存储单元不希望的特性的难磁化轴区域(112,114)不作为隧道磁阻元件(TMR)的构成部分来使用。 | ||||||
| 113 | 用于动态钉扎软参考层的包层读导线 | CN02103334.X | 2002-01-31 | CN1379485A | 2002-11-13 | M·沙马; L·T·特兰 |
| 公开一种隧道结(10),具有包层的读导线,由用于被动态钉扎的软参考层的高磁导率软磁材料形成。隧道结包括数据层(11)、形成在数据层上的势垒层(13)、形成在势垒层上的盖层(15)和形成在盖层上的软参考层(17)。软参考层(17)包括读导线(19)、完全包围读导线(19)以形成包层的读导线的包层(21)。软参考层(17)具有未被钉扎的磁化取向(M1)。当外部供给读电流流经读导线时,读导线(19)产生基本包含在包层(21)中的并且可操作在需要的方向上动态钉扎磁化取向(M1)的磁场。存储在数据层(11)中的位数据通过测量数据层(11)与软参考层(17)之间的电势差来读出。 | ||||||
| 114 | 提高磁隧道结中击穿电压的方法 | CN01140855.3 | 2001-09-18 | CN1354519A | 2002-06-19 | J·H·尼克尔 |
| 一种磁隧道结(30)包括具有不完全处理(例如欠氧化)的基底材料的隧道层(40)。这种磁隧道结(30)可用于磁随机存取存储(“MRAM”)器件(8)中。 | ||||||
| 115 | 集成电路装置 | CN01137156.0 | 2001-09-06 | CN1341967A | 2002-03-27 | J·班格尔特 |
| 该集成电路装置具有至少一个电流导体,该导体在流过电流的状态时产生一个磁场,该磁场至少影响该电路装置的另一部分,其中为了影响所产生的磁场,从横截面上看电流导体(2,3,16)在朝着该部分的面上具有至少一个凹陷(17)或凹槽或具有一个低电导率的区域(22)。 | ||||||
| 116 | 隧道结结构及其制造方法和磁敏传感器 | CN98108447.8 | 1998-05-15 | CN1213866A | 1999-04-14 | 佐藤雅重; 菊地英幸; 小林和雄 |
| 提供一种隧道结结构。第一磁性层形成于支撑衬底上。隧道绝缘层设置于第一磁性层上,隧道绝缘层含作为其一种组分的金属元素。第二磁性层设置于隧道绝缘层上。防止扩散层设置于第一磁性层和隧道绝缘层之间。防止扩散层抑制第一磁性层中的金属原子与隧道绝缘层中的金属原子的相互扩散。隧道绝缘层和防止扩散层都具有允许隧道电流在第一和第二磁性层之间流动的厚度。 | ||||||
| 117 | 磁传感器 | CN202080077823.8 | 2020-08-17 | CN114651186A | 2022-06-21 | 筱龙德 |
| 磁传感器(1)的特征在于，具有：多个感应元件(31)，所述多个感应元件(31)由软磁体构成，具有长边方向和短边方向，在与长边方向交叉的方向上具有单轴磁各向异性，通过磁阻抗效应感应磁场，所述多个感应元件在短边方向上隔着间隙排列；以及连接部(32)，所述连接部(32)将在短边方向上相邻的感应元件(31)的长边方向上的端部连接，连接部(32)随着沿着长边方向接近感应元件(31)而短边方向上的宽度变窄。 | ||||||
| 118 | 磁传感器及其制造方法 | CN201711159781.9 | 2017-11-20 | CN108461627B | 2022-03-22 | 太田尚城; 高杉圭祐 |
| 本发明提供一种容易确保磁轭的高度并且容易引导磁场感测膜检测磁场的方向上的磁通的磁传感器。磁传感器包括：第一磁场检测元件(21)，具有检测第一方向(X)上的磁场的第一磁场感测膜(38)；和第一磁轭(23)，包括相对于第一方向(X)位于第一磁场感测膜(38)的一侧上的第一部分(23a)和在与第一方向(X)正交的方向(Z)上与第一部分(23a)接触的第二部分(23b)。第二部分(23b)在第一方向(X)上的平均尺寸大于第一部分(23a)在第一方向(X)上的平均尺寸。 | ||||||
| 119 | 超灵敏微磁传感器 | CN201880039861.7 | 2018-05-18 | CN110832336B | 2022-02-25 | 本蔵义信; 本蔵晋平 |
| 为了将上升脉冲检波的线性度改善到0.5％以下，并且发挥上升脉冲检波的优点即磁场灵敏度和线性度，本发明的磁传感器具备在一个线圈(3)中设置两根磁导线(21、22)并使脉冲电流向相反方向流动的结构，该两根磁导线(21、22)具有20G以下的各向异性磁场、并具有两相磁畴结构，该两相磁畴结构由具有周向自旋排列的表面磁畴和沿轴向自旋排列的中央部芯磁畴构成，以0.2～4.0GHz的频率，向磁导线(21、22)施加可在磁导线(21、22)的表面上产生各向异性磁场1.5倍以上的圆周方向磁场所需的强度的脉冲电流。并且，线圈(3)的线圈节距为10μm以下。 | ||||||
| 120 | 磁识别传感器 | CN202080009541.4 | 2020-01-16 | CN113302693A | 2021-08-24 | 川濑正博; 关河裕贵; 佐藤匠 |
| 增大磁识别传感器中的滑动面侧的施加磁场，实现传感器的输出提高和波形的稳定化。提出一种磁识别传感器，在与被输送的介质相接的滑动面的下部组装有磁铁以及磁检测元件，判别介质内的磁体部分的磁图案，其特征在于，将相对于滑动面具有垂直的NS方向的长方体的一对磁铁以成为互相逆极性的方式以预定的间隔平行地在介质输送方向上排列，各个磁铁的单侧的磁极与滑动面下部接近地配置，而且，该滑动面的相对侧的磁极彼此由铁基的轭材料连结，形成大致コ字状(马蹄形)的着磁部分，在其内侧的空间中配置相对于滑动面具有垂直方向的磁场探测方向的磁检测元件，利用所述磁检测元件对通过滑动面上的一对磁铁上而在介质输送方向上被磁化的介质的磁图案进行读取。 | ||||||
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