子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 41 | 集成磁电子信号隔离耦合器件及其制备工艺 | CN201010617576.4 | 2010-12-31 | CN102148326B | 2013-07-31 | 钱正洪 |
| 本发明涉及一种集成磁电子信号隔离耦合器件及其制备工艺。该耦合器件上自下而上依次为：信号处理电路、第一绝缘介质层、磁敏电桥、绝缘隔离层、信号输入线圈、软磁屏蔽层，磁敏电桥和信号处理电路均与信号输入线圈在电气上是完全隔离。其制造工艺：在制备磁敏电桥；制作绝缘隔离层、开口；沉积金属层，刻蚀形成连接线；以光刻胶为模板通过电镀工艺形成铜柱；再制作信号输入线圈；再在信号输入线圈上面加制一层软磁屏蔽层，再沉淀隔离绝缘层。本发明具有的突出的实质性特点：设有双层结构的信号输入线圈，使输入信号电流焊接盘安排在线圈之外，从而有利于芯片整体排版和缩小芯片尺寸，单位电流通过双层线圈时能够产生更强的磁场信号。 | ||||||
| 42 | 磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器 | CN200880110503.7 | 2008-10-02 | CN101815953B | 2013-05-08 | 本藏义信; 山本道治 |
| 一种磁性阻抗元件和磁性阻抗传感器，该磁性阻抗元件具有感磁体(1)，感磁体(1)形成为线状，电磁特性随着从外部作用的磁场的变化而变化，并且从轴向的一端(1a)侧向另一端(1b)侧流过脉冲电流。导电层(3)隔着绝缘层(2)设在感磁体(1)的外表面上。而且，在感磁体(1)的轴向的另一端部(1b)，设有将感磁体(1)与导电层(3)电连接的连接部(4)。在导电层(3)的外周卷绕有检测线圈，当脉冲电流流过感磁体(1)时，该检测线圈输出与作用于感磁体(1)的外部磁场强度相对应的感应电压。并且，流过感磁体(1)的脉冲电流的方向与流过导电层(3)的脉冲电流的方向相反。 | ||||||
| 43 | 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法 | CN201210212556.8 | 2012-06-21 | CN102768854A | 2012-11-07 | 李扩社; 胡权霞; 彭海军; 张洪滨; 李红卫; 于敦波; 谢佳君; 李廷先; 严辉 |
| 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法，包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极，所述底电极为铁磁层，所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层；该铁磁层的材料为La1-xSrxMnMyO3，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；铁电层的材料为BaTiO3；铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单，不仅实现了数据的多态存储功能，而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快，与传统半导体工艺兼容性较好等优点。 | ||||||
| 44 | 磁存储器件及其操作和制造方法 | CN200510092762.X | 2005-08-23 | CN1750168B | 2012-05-16 | 卢振瑞; 金泰完; 金洪奭; 金恩植 |
| 本发明提供一种磁存储器件和操作该磁存储器件的方法，该磁存储器件具有一致翻转特性并且能够由低电流翻转。该磁存储器件包括具有圆柱形状和共轴形成的元件的MTJ(磁性隧道结)层。该MTJ层包括：被施加写电流的导电层、共轴形成在该导电层周围的绝缘层、以及形成在该绝缘层周围的材料层，该材料层与该导电层共轴并且具有多个磁层。该材料层至少包括沿该导电层顺序堆叠的下磁层、隧穿层和上磁层。当写电流施加到导电层时，在上磁层中感应闭合磁场并且上磁层的磁矩沿该闭合磁场排列。 | ||||||
| 45 | 一种柔性的层状磁电元件 | CN201110384434.2 | 2011-11-28 | CN102427111A | 2012-04-25 | 于昊 |
| 本发明公开了一种柔性的层状磁电元件，其特征在于，包括粘合在一起的柔性压电材料层和柔性磁致伸缩材料层，所述柔性压电材料层上下表面有电极。本发明的磁电元件为柔性的，可弯曲折叠的，可以应用于很多场合，特别是用于医疗领域的“可穿戴”磁传感器件。 | ||||||
| 46 | 利用磁畴壁移动的信息存储装置和制造该装置的方法 | CN200710305865.9 | 2007-12-28 | CN101211652B | 2011-11-30 | 林志庆 |
| 本发明涉及一种利用磁畴壁移动的信息存储装置和制造该装置的方法。所述信息存储装置包括：写入磁层，包含磁畴壁；信息存储磁层，连接到写入磁层，并包含至少一个磁畴壁。该信息存储磁层装置还包括用于读取记录在该信息存储磁层中的数据的读取器。连接层包括与写入磁层相邻的具有第一宽度的第一部分和与至少一个信息存储磁层相邻的具有第二宽度的第二部分，其中，第一宽度小于第二宽度。 | ||||||
| 47 | 磁阻抗传感器元件 | CN200980122231.7 | 2009-06-09 | CN102057290A | 2011-05-11 | 本藏义信; 山本道治; 西畑克彦 |
| 本发明的磁阻抗传感器元件(1)包括：基体(2)；非晶磁性线(3)；包覆绝缘体(4)；检测线圈(5)；具有端子搭载面(61)的端子台(6)；形成在端子搭载面(61)上的磁性线用电极端子(11)以及线圈用电极端子(12)；对磁性线用电极端子(11)与设置在非晶磁性线(3)上的一对的磁性线通电端(31)进行电连接的磁性线用连接配线(110)；以及对线圈用电极端子(12)与设置在检测线圈(5)上的一对线圈通电端(51)进行电连接的线圈用连接配线(120)。端子搭载面(61)的法线具有非晶磁性线(3)的长度方向成分，且在非晶磁性线(3)的长度方向上配置在非晶磁性线(3)的两端之间。 | ||||||
| 48 | 降低功耗的MRAM器件各向异性轴角选择方法和结构 | CN200510079133.3 | 2005-06-24 | CN1725370B | 2011-04-13 | 菲利普·L.·特洛尔劳德; 戴维·W.·亚伯拉罕; 约翰·K.·德布洛斯 |
| 一种用于对磁随机访问存储器(MRAM)器件确定期望各向异性轴角度的方法，所述方法包括选择各向异性轴角度的多个最初值，对每个所选最初值，确定MRAM器件至少一个铁磁层的最小厚度。最小厚度对应MRAM器件内单个单元的预定激励能量。对于每个所选值，还确定出在MRAM器件的字线方向和位线方向上的最小施加磁场值，以便保持所述预定激励能量。对于每个所选值，计算每位所施加功率值，其中，期望各向异性轴角度为对应于最小每位功率值的所选各向异性轴角度。 | ||||||
| 49 | 磁阻式随机存取内存及集成电路组件 | CN200510063029.5 | 2005-04-01 | CN1677559B | 2010-12-08 | 林俊杰 |
| 本发明提供一种磁阻式随机存取内存(MRAM)及集成电路组件。上述磁阻式随机存取内存包括一磁性穿隧接面(MTJ)堆栈，通过一低介电常数材料，与其它一或多个邻近的导电层及/或一或多个邻近的磁性穿隧接面(MTJ)堆栈相隔离。 | ||||||
| 50 | 温度受控、热辅助磁性存储器件 | CN200510009079.5 | 2005-02-17 | CN1658326B | 2010-11-03 | F·A·佩尔纳; M·K·巴塔查里亚 |
| 本发明提供一种温度受控、热辅助磁性存储器件(200)。在一特定实施例中，有一个SVM单元阵列(202)，所述每个SVM单元的特征在于具有可改变的磁化取向并且包括其中矫顽力随着温度的升高而减小的材料。另外，配备有与所述阵列(202)的SVM单元基本相似并非常接近的至少一个参考SVM(RSVM)单元(204)。所配备的反馈控温控制器(206)对应于温度从所述参考SVM单元(204)接收反馈电压，并调节施加给所述RSVM单元(204)和SVM单元的功率。本发明还提供一种相关联的方法。 | ||||||
| 51 | 通过施加P-衬底偏压和调节阈值电压提高磁性隧道结的编程电流 | CN201010148508.8 | 2010-04-14 | CN101867015A | 2010-10-20 | 庄建祥; 钟道文; 林春荣; 王郁仁 |
| 一种操作磁阻性随机存取存储器(MRAM)单元的方法包括：设置MRAM单元，该MRAM单元包括磁性隧道结(MTJ)器件和具有串联至MTJ器件的源-漏路径的字线选择器。负衬底偏压连接至字线选择器的主体，以增大字线选择器的驱动电流。还减小字线选择器的阈值电压。本发明还公开了一种通过施加P-衬底偏压和调节阈值电压提高磁性隧道结的编程电流的方法。 | ||||||
| 52 | 表面黏着型磁性元件及其置件方法 | CN200910004110.4 | 2009-02-12 | CN101807465A | 2010-08-18 | 郑瑞珠; 廖晟恩 |
| 本发明涉及一种表面黏着型磁性元件及其置件方法，该表面黏着型磁性元件适用于表面黏着技术系统且包括：电感单元以及贴附于电感单元上的平面盖体，其中电感单元具有绕组结构以及磁芯组；其中，当表面黏着技术系统的置件机进行置件作业时，将置件机的置件头末端的吸嘴对应覆盖于平面盖体上，以形成密合贴附状态，通过驱动装置的动作，使置件机对表面黏着型磁性元件产生真空吸引力，以使表面黏着型磁性元件密封吸附于置件头上，并自第一位置移动至第二位置。本发明可减少生产线作业中的抛料情况，还可于平面盖体上标示不同记号，以标示表面黏着型磁性元件的型号、脚位与极性，提供多重辨识方式，大幅增加作业上的便利性以及提高生产线的生产效率。 | ||||||
| 53 | 氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构及其制备方法 | CN200810031141.4 | 2008-04-24 | CN101262040B | 2010-06-16 | 王金斌; 何春; 钟向丽; 周益春; 郑学军 |
| 本发明公开了一种氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构，由如下三层结构组成：底层为衬底，中层为氧化物稀磁半导体薄膜，上层为铁电体薄膜。所述的衬底为Si、蓝宝石、SrRuO3或其它钙钛矿氧化物衬底；所述的氧化物稀磁半导体薄膜为宽禁带氧化物ZnO、TiO2或SnO2薄膜，掺杂有过渡金属元素Mn、Fe、Co、Ni或Cr；所述的铁电体薄膜为锆钛酸铅、钛酸钕铋或钛酸锶钡薄膜。本发明还公开了2种所述氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构的制备方法：脉冲激光沉积法和溶胶凝胶法。所述的氧化物稀磁半导体/铁电体异质结构在外加电场的作用下可对其铁磁性进行非挥发性调制，能广泛应用于电子计算机领域、自旋电子学领域及非挥发性存储器领域。 | ||||||
| 54 | 磁性随机存储元件 | CN200510090269.4 | 2005-08-12 | CN1783333B | 2010-05-05 | 刘继文; 江国庆; 曾鸿辉; 邓端理 |
| 本发明提供一种磁性随机存储元件。所述磁性随机存储元件，包括两个第一磁性层，分别地位于同一基底上。一第二磁性层夹置于该两个第一磁性层之间。以及两个介电层各接触该第二磁性层的相对面，并且各夹置于第二磁性层与该两个第一磁性层之一之间，其中各个该第一与第二磁性层与该介电层垂直于该基底或与该基底之间形成一介于60度至88度之间的锐角。本发明所述的磁性随机存储元件及其制造方法，可改善MRAM堆叠的空间，同时增加设计时的裕度及制程良率。 | ||||||
| 55 | 基于磁电阻效应的微声学器件 | CN200410034143.0 | 2004-04-26 | CN1571582B | 2010-05-05 | 任天令; 刘理天; 欧阳可青; 朱一平 |
| 本发明公开了属于半导体器件领域的一种基于磁电阻效应的微声学器件。该器件由沉积有硬磁薄膜的可动振膜结构和沉积有磁电阻多层膜的固定结构构成。其可动振膜结构，由底层向上依次由硅衬底、二氧化硅、氮化硅层、永磁材料层和二氧化硅层复合而成，固定部分的结构与可动振膜部分相同，只是将永磁材料层换成GMR磁电阻多层膜。本发明利用可动振膜和磁电阻多层膜实现电声信号之间的转换，从而得到极高灵敏度、低噪声、响应范围宽的微声学器件，且后续的处理电路非常简单，由于工艺步骤简单，其产品的性能可靠、成品率高且适应大批量生产的要求。 | ||||||
| 56 | 具有用于施加偏置磁场的模塑封装的传感器模块 | CN200910130314.2 | 2009-03-26 | CN101545914A | 2009-09-30 | 霍斯特·托伊斯; 赫尔穆特·维奇尔克 |
| 本发明涉及一种具有用于施加偏置磁场的模塑封装的传感器模块。还涉及一种制造传感器模块的方法，包括：提供包括磁灵敏传感器元件的基底。传感器元件和基底被至少一种模塑料封装，该模塑料被构造成对传感器元件施加偏置磁场。 | ||||||
| 57 | 磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器 | CN200410095989.5 | 2004-11-15 | CN100541652C | 2009-09-16 | 金泰完; 朴祥珍; 黄仁俊 |
| 本发明公开了磁性隧道结单元及磁性随机存取存储器。磁性隧道结(MTJ)单元包括具有低磁矩的自由磁层，磁性随机存取存储器(MRAM)包括MTJ单元。MRAM的MTJ单元包括：下电极；和顺序地堆叠在下电极上的下磁层、隧道层、上磁层和上电极。上磁层包括厚度为5nm或更小的自由磁层。MTJ单元的纵横比可以是2或更小，自由磁层的磁矩可以是800emu/cm3或更小。 | ||||||
| 58 | 与半导体元件的上面电极电连接的方法和结构 | CN200580036418.7 | 2005-10-25 | CN100524872C | 2009-08-05 | 布赖恩·R.·布彻; 格雷戈里·W.·格里克威驰; 科利·W.·凯勒; 肯尼斯·H.·史密斯; 理查德·G.·威廉姆斯 |
| 本发明公开一种与半导体元件的上面电极电连接的结构以及制造这种结构的方法。与上面电极电连接的结构(10)包括具有横向尺寸的第一电极(50)、在第一电极上面的半导体元件(14)、以及在半导体元件上面的第二电极(30)。第二电极(30)具有比第一电极(50)的横向尺寸小的横向尺寸。导电硬掩模(42)覆盖在第二电极上面并且与第二电极电连接。导电硬掩模(42)具有与第一电极的横向尺寸基本相等的横向尺寸。导电接触元件(56)与导电硬掩模电连接。 | ||||||
| 59 | 一种磁致电阻晶体管 | CN200410083673.4 | 2004-10-15 | CN100495752C | 2009-06-03 | 黄瀛文; 卢志权; 姚永德; 谢蓝青; 朱朝居; 黄得瑞 |
| 一种磁致电阻晶体管，是以磁致电阻组件作为发射极，并利用无源组件作为集电极，基极连接在发射极与集电极之间，以电导通于发射极与集电极。磁致电阻组件中的磁性多层膜经过外加磁场的控制，可产生平行态及反平行态两种磁化方向，进而可在固定电压之下产生不同大小的发射极输入电流，基极输出电流则随着发射极输入电流变化，并且可产生相当大的基极电流变化率。 | ||||||
| 60 | 掩埋磁隧道结存储器单元和方法 | CN200310120126.4 | 2003-12-05 | CN100481252C | 2009-04-22 | P·J·弗里克; A·科尔; A·L·范布罗克林 |
| 在衬底(50)上制作的磁存储器单元(20)具有第一金属导体(40)、布置在第一金属导体上的第一磁层(80)、具有穿过其延伸至第一磁层(80)的通道开口(65)的平面层间电介质(ILD)35、在位于通道开口内的第一磁层上面的掩埋隧道结(75)、填充该通道开口并掩埋隧道结的第二磁层(60)，耦合至第二磁层的第二金属导体。公开了在存储器(10)和其它器件中使用的存储器单元的方法以及具体适用于制作存储器单元的方法。 | ||||||
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