子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 141 | 一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件 | CN201410454375.5 | 2014-09-09 | CN104347794B | 2017-01-18 | 何金良; 胡军; 韩金池; 王善祥; 余占清; 曾嵘 |
| 本发明涉及一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件，属于多铁性功能器件技术领域。本扭振磁电耦合器件，包括紧固件、管状压电复合件和永磁体，管状压电复合件的一端与紧固件相对固定，另一端通过粘接方式与永磁体相对固定，永磁体的磁化方向与管状压电复合件的中心轴线垂直，管状压电复合件包括瓦片状压电条和薄金属电极片，瓦片状压电条和薄金属电极片相互间隔沿圆周均布，相邻两个薄金属电极片之间的极性相反。本扭振磁电耦合器件利用剪切模式压电效应实现强磁电耦合，易于小型化，具有广阔的应用前景，如磁场/电流传感器、微波换能器及能量采集等应用领域。 | ||||||
| 142 | 一种基于电压控制的磁存储器 | CN201410072318.0 | 2014-02-28 | CN103794715B | 2016-09-28 | 张雨; 赵巍胜; 张博宇; 张有光 |
| 一种基于电压控制的磁存储器，该磁存储器的MTJ结构基于垂直磁各向异性即PMA，在经典MTJ结构即自由层、参考层和隧道势垒层的三层结构基础上，添加了一层隧穿势垒层；该磁存储器的MTJ结构从下到上由底电极，反铁磁金属混合层，铁磁金属一，氧化物一，铁磁金属二，氧化物二及顶电极共七层构成。本发明具有稳定的非易失性、高读写速度和无限读写次数等特点，由于其基于电压控制改变储存单元的磁化状态，改变存储单元的状态所需的电流较低，在保持高读写速度的同时，实现了低功耗以及高的功耗利用率。 | ||||||
| 143 | 一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法 | CN201410148982.9 | 2014-04-15 | CN103904211B | 2016-08-17 | 宋成; 王钰言; 潘峰 |
| 本发明涉及一种基于垂直交换耦合的磁场探测器及其制备和使用方法，磁场探测器的制备方法包括以下步骤：采用磁控溅射或电子束蒸镀方法，在基片上依次沉积底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，得到多层膜结构；采用紫外曝光和氩离子刻蚀工艺，将得到的多层膜结构加工成一十字形结构。本发明制备得到的磁场探测器包括基片、底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极，基片采用十字形结构，底电极、铁磁层、非磁性层和顶电极依次沉积在基片上，且形状均与基片的形状呈匹配设置；铁磁层由垂直磁化膜构成，非磁性层由反铁磁层或氧化层构成，底电极和顶电极均采用Pt电极。本发明可以广泛应用于磁场探测过程中。 | ||||||
| 144 | 一种基于铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的微纳米磁电耦合器件 | CN201610248539.8 | 2016-04-17 | CN105789432A | 2016-07-20 | 刘晓燕; 邸永江; 李江宇; 谢淑红 |
| 本发明针对高性能微纳米磁电耦合器件不容易进行可控制备的问题，提出了一种通过压电力响应显微技术对铁电薄膜进行图形化+Z和?Z铁电畴加工，再通过光化学沉积法在铁电畴表面极化自组装磁性金属纳米颗粒，制备出具有铁电薄膜和自组装磁性纳米颗粒结构的磁电耦合器件。该器件包括铁电薄膜层，支撑铁电薄膜的导电基底，以及在铁电薄膜层上自组装形成的磁性纳米颗粒结构。本发明利用压电力响应显微技术加工微纳米级按任意图形极化分布的PZT铁电畴，通过光化学沉积法自组装磁性金属纳米颗粒结构，生产工艺简单，适宜于微纳米磁电耦合器件的集成化制备。 | ||||||
| 145 | 用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构及制造工艺 | CN201511029027.4 | 2015-12-31 | CN105470384A | 2016-04-06 | 马可军; 俞振中; 郑律 |
| 本发明公开了一种用于InSb磁敏器件的薄膜材料结构及制造工艺，通过过渡层，屏蔽了掺杂效应，保证了薄膜层的电学性质；过渡层选用与薄膜层同类材料，二者热膨胀系数差异很小，降低了因热膨胀系数不同而对薄膜层的影响；当衬底层材料选用陶瓷时，由于过渡层设置，避免了陶瓷上孔洞对薄膜层的影响；而过渡层与薄膜层均为导电层，二者之间增加绝缘层起到了绝缘的作用。 | ||||||
| 146 | 一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺 | CN201511028597.1 | 2015-12-31 | CN105470382A | 2016-04-06 | 马可军; 俞振中; 郑律 |
| 本发明公开了一种具有延伸电极的磁敏器件及制造工艺，通过将电极从InSb薄膜上延伸至基底的上表面，而打线时则在电极的位于基底上表面的那一部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。 | ||||||
| 147 | 一种柔性多铁性器件 | CN201310182434.3 | 2013-05-15 | CN103268915B | 2015-09-30 | 谢亚丽; 刘宜伟; 李润伟; 詹清峰 |
| 本发明提供了一种新型结构的柔性多铁性器件。该器件包括柔性多铁材料与支撑体；其中，支撑体与柔性多铁材料的接触面分布在柔性多铁材料的底部边缘，并且柔性多铁材料以该接触面为支撑呈悬空状。实验证实，这种结构一方面保证了该器件的“自支撑性”，从而能够避免柔性多铁材料底面直接置于其他刚性支撑体等表面而导致受到钉扎束缚作用大大减弱磁电耦合效应；另一方面保证了该器件的“柔性”，由于柔性多铁材料大部分呈悬空状，使磁电耦合过程中产生的震动被尽可能放大，从而能够实现较大的磁电耦合效应，因此，该器件在磁传感器和能量收集等领域具有广泛的应用前景。 | ||||||
| 148 | 交换偏置场可调控的结构单元、其制备方法及调控方法 | CN201410077376.2 | 2014-03-04 | CN104900799A | 2015-09-09 | 詹清峰; 荣欣; 李润伟; 刘宜伟; 张晓山 |
| 本发明提供了一种交换偏置场可调控的结构单元。该结构单元包括衬底、金属缓冲层、铁磁层、反铁磁层与保护层，其中衬底采用具有各向异性热膨胀系数与压电效应的柔性衬底，铁磁层具有磁致伸缩效应，从而对应力敏感。当温度、电场导致应力变化时，该结构单元的交换偏置场发生变化，因此能够通过温度、电场调控其交换偏置场。与现有技术相比，该结构单元具有柔韧性，其交换偏置场的调控手段灵活，调控方便易行，在传感、信息、医疗、军事等领域具有良好的应用前景。 | ||||||
| 149 | 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法 | CN201210212556.8 | 2012-06-21 | CN102768854B | 2015-07-29 | 李扩社; 胡权霞; 彭海军; 张洪滨; 李红卫; 于敦波; 谢佳君; 李廷先; 严辉 |
| 一种磁电复合多态存储器单元及其制备方法，包括在衬底上依次沉积底电极、铁电层和顶电极，所述底电极为铁磁层，所述顶电极为铁磁层或材料为Ag、Au、Pt、Cu或Al的薄膜层；该铁磁层的材料为La1-xSrxMnMyO3，其中0.15≤x≤0.5，0≤y≤0.1，M为Ag、Bi、Cu、Co、Ni和Sc元素中的至少一种；铁电层的材料为BaTiO3；铁磁层与铁电层的材料均具有(110)取向；所述铁磁层与铁电层的厚度比为0.1-20。本发明的磁电复合多态存储器单元铁磁、铁电两相结构匹配及界面耦合性较好、成分控制容易、制备工艺简单，不仅实现了数据的多态存储功能，而且具有存储数据非易失性、数据读取简单、速度快，与传统半导体工艺兼容性较好等优点。 | ||||||
| 150 | 各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法 | CN201310728928.7 | 2013-12-25 | CN103647022A | 2014-03-19 | 闻永祥; 季锋; 刘琛; 饶晓俊 |
| 本发明提供的一种各向异性磁阻传感器垂直结构及其制造方法，该结构包括：半导体衬底；第一绝缘层，覆盖该半导体衬底；磁性电阻金属条，位于该第一绝缘层上；接触金属层，位于该磁性电阻金属条上；磁阻金属短路条，位于该接触金属层上；第二绝缘层，覆盖该磁阻金属短路条、磁性电阻金属条以及第一绝缘层，并且该第二绝缘层在该磁阻金属短路条的上方具有通孔；置位复位金属布线层，位于第二绝缘层上并通过该通孔与该磁阻金属短路条接触；第三绝缘层，覆盖该置位复位金属布线层和第二绝缘层。本发明的各向异性磁阻传感器结构简单，并且其形成方法和微电子工艺的匹配性很好，适合大批量工业化生产，有利于提高产品的可靠性，具有广泛的应用性。 | ||||||
| 151 | 一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件及其制造方法 | CN201310288266.6 | 2013-07-10 | CN103424719A | 2013-12-04 | 张晓明; 刘俊; 唐军; 李杰; 陈国彬; 王宇; 赵代弟; 杨国欢; 赖正喜 |
| 本发明涉及微型磁传感器，具体是一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件及其制造方法。本发明解决了现有微型磁传感器不适用于深空、深海、深地的磁场矢量信息测量的问题。一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件包括SiO2基底、下金属电极板、磁敏材料层、上金属电极板；其中，磁敏材料层由N个Fe3O4纳米颗粒层与N+1个聚合物层交替层叠构成，N为正整数；下金属电极板层叠于SiO2基底的上表面；磁敏材料层层叠于下金属电极板的上表面；上金属电极板层叠于磁敏材料层的上表面。本发明适用于各种场合的磁场矢量信息测量，尤其适用于深空、深海、深地的磁场矢量信息测量。 | ||||||
| 152 | 包括合成存储层的自参考磁随机存取存储器元件 | CN201210597124.3 | 2012-12-12 | CN103165171A | 2013-06-19 | I·L·普雷贝亚努; L·隆巴尔; Q·施泰纳; K·麦凯 |
| 本发明涉及包括合成存储层的自参考磁随机存取存储器元件。本发明涉及一种包括磁隧道结的MRAM元件，该磁隧道结包括：存储层，感测层，以及包含在存储层与感测层之间的隧道势垒层；存储层包括具有第一存储磁化的第一磁性层；具有第二存储磁化的第二磁性层；以及非磁性耦合层，将第一和第二磁性层分开，使得第一存储磁化与第二存储磁化基本上反平行；第一和第二磁性层被布置成使得：在读温度处，第一存储磁化基本上等于第二存储磁化；并且在高于读温度的写温度处，第二存储磁化大于第一存储磁化。所公开的MRAM元件当在低温下冷却磁隧道结时产生低杂散场。 | ||||||
| 153 | 磁存储单元 | CN201080068817.2 | 2010-08-31 | CN103069493A | 2013-04-24 | 安东尼奥·鲁多路 |
| 所公开的主题涉及一种非易失性存储器比特单元（500或600）用于固态数据存储，其例如包括细长的磁性元件（102）或磁性“点”。对于适当的点的几何形状和尺寸，可稳定两重的能量简并的磁位形（100或200）。这样一种稳定的位形可以由两个磁涡旋（1081，1082）和花状态区域（110）组成。由于能量最小化的原因，因此花状态区域可偏离中心（相对于短轴（106））并沿点的长轴（104）。垂直于平面上或邻近于点的中心流动的电流（302）可以根据电流的极性在两种镜像磁稳定位形之间切换点的位形或状态（例如，写操作）。单元状态的读取可以通过使用磁阻效应来实现。 | ||||||
| 154 | 一种可控多谐振频率的磁电复合材料结构及其制备方法 | CN201210549404.7 | 2012-12-17 | CN103022340A | 2013-04-03 | 周济; 毕科 |
| 本发明特别涉及一种可控多谐振频率的磁电复合材料结构及其制备方法，属于多铁性磁电材料技术领域。本发明由不同直径的具有同心圆结构的圆环层状磁电复合材料组成，不同直径的圆环层状磁电复合材料之间有圆环状间隙；圆环状压电材料内侧和外侧分别与一层圆环状磁致伸缩材料相连；不同直径的圆环层状磁电复合材料通过导线相连，形成串联或并联结构；本发明圆环层状磁电复合材料通过镀膜工艺在不同直径的圆环状压电材料的内外表面分别沉积一层圆环状磁致伸缩材料，制备得到。本发明实现了在一定的交变磁场频率范围内的多谐振频率及谐振峰，而且可以通过改变每个圆环层状磁电复合材料的直径来调控相对应谐振频率的大小。 | ||||||
| 155 | 一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件 | CN201210065381.2 | 2012-03-13 | CN102593348A | 2012-07-18 | 赵永刚; 张森; 杨军杰; 李培森; 曲天良 |
| 本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300纳米，钽层的厚度为5-10纳米，铁磁层的厚度为10-20纳米，为非晶层，铁电层的厚度为0.2-0.5毫米，晶体具有三方对称性，第二金层的厚度为300-500纳米。此外，本发明的信息存储器件，在实际应用中可以直接实现电场E对磁化强度M的调控，同时撤掉电场后，被调制的磁化强度M能够较好地保持，从而方便电场对磁记录操控，并能节省能耗。 | ||||||
| 156 | 超高灵敏度磁阻抗传感器 | CN201080017925.7 | 2010-04-23 | CN102414570A | 2012-04-11 | 本藏义信; 山本道治; 滨田典彦; 下出晃广 |
| 本发明提供作为磁传感器灵敏度高、测定范围大的MI传感器。本发明的磁阻抗传感器，包括：磁阻抗元件，该磁阻抗元件具有由成为零磁致伸缩的软磁性合金的非晶构成的磁敏丝和在所述磁敏丝的周围经由绝缘物的检测线圈，通过向所述磁敏丝施加高频电流，而检测出根据外部磁场从检测线圈产生的电压；电流供给装置，向所述磁阻抗元件供给高频电流；信号处理电路，对来自检测线圈的输出进行信号处理，所述磁敏丝至少具有在丝的圆周方向进行自旋排列的表面层，所述高频电流具有0.3以上、1.0GHz以下的频率。 | ||||||
| 157 | 磁检测装置 | CN201080012402.3 | 2010-03-26 | CN102356328A | 2012-02-15 | 本藏义信; 山本道治; 滨田典彦; 下出晃广; 加藤诚之 |
| 本发明的磁检测装置的特征在于，具备：至少一对第一磁敏体，该第一磁敏体由沿第一轴向延伸的软磁性材料构成且对第一轴向的外部磁场进行感应；由软磁性材料构成的磁场变向体，将与第一轴向不同的其他轴向的外部磁场向具有第一轴向的分量的测定磁场变向而能够由至少一对第一磁敏体进行感应。根据该磁检测装置，还能通过第一磁敏体检测其他轴向的外部磁场。其结果是，能够进行高精度的磁检测，并且省略在其他轴向上变长的磁敏体而实现磁检测装置的小型化或薄型化。 | ||||||
| 158 | 一种复合自由层STT-RAM存储单元 | CN201110076492.9 | 2011-03-29 | CN102298962A | 2011-12-28 | 邓宁; 张树超; 焦斌; 陈培毅 |
| 本发明公开了数据存储技术领域中的一种复合自由层STT-RAM存储单元。该单元包括上电极、盖帽层、复合自由层、绝缘氧化层、固定层、铂锰种子层、缓冲层、下电极；其中，复合自由层采用复合材料CoFeSiO，绝缘氧化层为Mgo，固定层包括钴铁硼CoFeB层、钌Ru层、钴铁CoFe层。本发明的复合自由层可以降低磁化翻转的临界电流密度、提高自由层的热稳定性，并且降低了制造难度。 | ||||||
| 159 | 磁存储器件及其控制和制造方法 | CN200510129769.4 | 2005-12-05 | CN1866395B | 2011-09-21 | 黄仁俊; 金泰完; 郑元哲 |
| 本发明公开了一种磁随机存取存储(MRAM)器件及其控制和制造方法。所述器件的示范性实施例包括：具有自由层的磁隧道结；具有覆盖自由层表面的第一部分的第一电极(第一磁场产生元件)，以及通过一连接而连接到第一电极的电源，该连接覆盖第一电极的的第一部分的不到一半。MRAM器件的另一示范性实施例包括：磁隧道结；在该磁隧道结的相对侧上直接连接到所述磁隧道结的第一和第二电极(第一和第二磁场产生元件)；以及电源，具有通过第一连接而连接到第一电极的一个极和通过第二连接而连接到第二电极的第二极，其中第一和第二连接从第一和第二电极与磁隧道结之间的连接横向偏移。 | ||||||
| 160 | 磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器 | CN201010116951.7 | 2010-03-02 | CN101834271B | 2011-09-14 | 南策文; 李峥; 舒立; 胡嘉冕; 王婧; 马静; 林元华 |
| 本发明公开了一种具有所述磁电随机存储单元的存储器包括：多个磁电随机存储单元；多个分别与所述磁电随机存储单元中的第一电极相连的访问晶体管；多个控制所述访问晶体管的字线；多个分别与所述磁电随机存储单元中的第二电极相连的第一板线；多个分别与访问晶体管相连的第一位线；多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁固定层相连的第二位线；和多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁自由层相连的第二板线。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低，存储密度高等优点。 | ||||||
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