子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器 | CN201310644182.1 | 2013-12-03 | CN103855297B | 2018-02-09 | D.阿帕尔科夫; V.尼基丁; M.T.克朗比 |
| 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（Jc0）的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。 | ||||||
| 22 | 半导体装置及其制造方法、磁检测装置、以及电子罗盘 | CN201610795404.3 | 2016-08-31 | CN107658381A | 2018-02-02 | 石原祐子; 瀬良和彦 |
| 提供一种具备磁性体的半导体装置及其制造方法、磁检测装置、以及电子罗盘。半导体装置具备：基板；焊盘，其配置于基板上；磁性体，其配置于基板上；第一绝缘层，其配置于磁性体上；连接盘，其配置于第一绝缘层上；以及再配线层，其将焊盘与连接盘连接，其中，在俯视时磁性体的至少一部分与连接盘重叠。另外，半导体装置的制造方法包括以下步骤：在上表面具有焊盘的基板的上方形成磁性体；在磁性体上形成第一绝缘层；在第一绝缘层上形成重叠于磁性体的至少一部分的上方的连接盘，并且在第一绝缘层上从焊盘到连接盘形成再配线层；以及在连接盘上形成外部端子部。 | ||||||
| 23 | 一种改变源极金属连线方向的磁性随机存取存储器 | CN201610533243.0 | 2016-07-06 | CN107591477A | 2018-01-16 | 陆宇; 戴强; 李辉辉; 孟皓; 刘少鹏; 刘波 |
| 本发明涉及一种改变源极金属连线方向的磁性随机存取存储器，该发明提供一种将源极的金属层方向与位线垂直，规避源漏金属连线平行放置时所需要满足金属间的设计规范而牺牲的面积，来提高MRAM存储密度的方法。本发明避免了源漏极金属平行走线，可以基于最小设计规范尺寸，避免了由金属间以及金属和孔之间的最小设计规范而损失的面积。 | ||||||
| 24 | 高速进动切换磁性逻辑 | CN201380054209.X | 2013-10-22 | CN104737318B | 2017-08-22 | S·马尼帕特鲁尼; D·E·尼科诺夫; I·A·扬 |
| 本发明描述了高速进动开关磁性逻辑器件和架构。在第一示例中，磁性逻辑器件包括具有第一纳米磁体的输入电极和具有第二纳米磁体的输出电极。所述第二纳米磁体的自旋与所述第一纳米磁体的自旋非共线。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。在第二示例中，磁性逻辑器件包括具有平面内纳米磁体的输入电极和具有垂直磁各向异性(PMA)磁体的输出电极。沟道区和相对应的接地电极设置在所述输入电极与所述输出电极之间。 | ||||||
| 25 | 多层膜异质结构、其制备方法及应用 | CN201710073117.6 | 2017-02-10 | CN106784299A | 2017-05-31 | 郑晓丽; 蔡建旺 |
| 本发明提供一种多层膜异质结构、其制备方法及应用。本发明提供的该多层膜异质结构能够排除其他热磁效应的干扰，清晰有效地将自旋流探测层的逆自旋霍尔效应ISHE和反常能斯特效应ANE以及反常里吉‑勒杜克效应ARL分离开来，减小了自旋流在界面处的反射，实现了室温下对纵向自旋塞贝克效应的测量；且不限制自旋流探测层材料的矫顽力，扩大了可进行实际应用的材料范围。 | ||||||
| 26 | 具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件 | CN201510426980.6 | 2015-07-20 | CN106374033A | 2017-02-01 | 姜俊; 张轩; 郭鹏; 张晓光; 韩秀峰 |
| 本发明涉及具有负微分电阻的磁性隧道结及包括其的自旋电子学器件。一种磁性隧道结包括：第一磁层，其具有固定磁化；第二磁层，其磁化方向能随外磁场而自由转动；以及势垒层，其由绝缘材料制成，并且被夹置在所述第一磁层和所述第二磁层之间，其中，所述势垒层具有拱形的能带曲线。所述磁性隧道结在预定的偏压范围中可以具有负微分电阻。本发明还涉及包括该磁性隧道结的振荡电路和交流放大电路。 | ||||||
| 27 | 集成型磁开关及其制造方法 | CN201610884916.7 | 2016-10-10 | CN106229406A | 2016-12-14 | 陈雪平; 闻永祥; 刘琛; 孙伟 |
| 本发明提供了一种集成型磁开关及其制造方法，通过半导体工艺将磁电阻条制作于ASIC电路上，由此可以极大的减小所形成的集成型磁开关的体积。进一步的，采用剥离工艺形成第一金属层，从而有效地避开了连接孔刻蚀、连接金属淀积前的溅射刻蚀时对磁电阻条的损伤，即提高了所形成的集成型磁开关的质量与可靠性。 | ||||||
| 28 | 一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法 | CN201510737115.3 | 2015-11-03 | CN105355780A | 2016-02-24 | 刁治涛; 李占杰; 罗逍 |
| 本发明提供了一种磁性元件、存储器系统及其写操作方法；磁性元件包括磁固定层、非磁性隔离层、磁自由层和覆盖层；非磁性隔离层设置于磁固定层与磁自由层之间；覆盖层连接磁自由层与外部半导体晶体管电路。磁性自由层具有垂直于膜平面方向的退磁能和对应于垂直各向异性的各向异性能。其垂直各向异性能低于垂直于膜平面方向的退磁能。当写电流通过该磁性元件时，通过自旋扭矩传递效应，其磁性自由层可实现在平面方向的平行及反平行磁状态之间切换以达到磁存储的目的。 | ||||||
| 29 | 磁存储器器件及其制造方法 | CN201510459661.5 | 2015-07-30 | CN105322089A | 2016-02-10 | 姜信在; 朴钟撤; 裴丙才; 权载奭; 申铉受 |
| 本发明提供了一种制造磁存储器器件的方法和磁存储器器件。所述方法可包括：在衬底上按次序形成第一磁性层、隧道势垒层和第二磁性层；在第二磁性层上形成掩模图案，以暴露出第二磁性层的一部分；在掩模图案的侧壁和第二磁性层的所述部分上形成封盖绝缘层；通过封盖绝缘层将氧离子注入到第二磁性层的所述部分中，以形成氧化物层；各向异性地蚀刻封盖绝缘层，以形成封盖间隔件；以及利用掩模图案和封盖间隔件将氧化物层、隧道势垒层和第一磁性层图案化。 | ||||||
| 30 | 一种磁隧道结单元及其制备方法 | CN201510359389.3 | 2015-06-25 | CN104993046A | 2015-10-21 | 程晓敏; 黄婷; 关夏威; 缪向水 |
| 本发明公开了一种磁隧道结单元及其制备方法，具体为，通过在磁隧道结的磁性层薄膜中插入一层极薄的金属层，形成磁性层/金属层/磁性层的结构，该金属插层的厚度为0.5nm～2nm，通过人为地增加磁性层中的界面数，大大强化了界面垂直磁各向异性，客观上提高了整个膜层结构垂直磁各向异性。本发明通过特定种类和厚度的金属层的扩散作用以及磁性层/金属层之间的界面作用有效地提高了磁性层薄膜的垂直各向异性，同时也增加了垂直取向较好的磁性层薄膜的厚度，为工业界垂直各向异性MTJ单元及器件的制备提供了新的突破。 | ||||||
| 31 | 一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件及其制造方法 | CN201310288266.6 | 2013-07-10 | CN103424719B | 2015-09-09 | 张晓明; 高丽珍; 刘俊; 唐军; 李杰; 陈国彬; 王宇; 赵代弟; 杨国欢; 赖正喜 |
| 本发明涉及微型磁传感器，具体是一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件及其制造方法。本发明解决了现有微型磁传感器不适用于深空、深海、深地的磁场矢量信息测量的问题。一种基于纳米磁颗粒的磁矢量敏感元件包括SiO2基底、下金属电极板、磁敏材料层、上金属电极板；其中，磁敏材料层由N个Fe3O4纳米颗粒层与N+1个聚合物层交替层叠构成，N为正整数；下金属电极板层叠于SiO2基底的上表面；磁敏材料层层叠于下金属电极板的上表面；上金属电极板层叠于磁敏材料层的上表面。本发明适用于各种场合的磁场矢量信息测量，尤其适用于深空、深海、深地的磁场矢量信息测量。 | ||||||
| 32 | 一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件 | CN201410454375.5 | 2014-09-09 | CN104347794A | 2015-02-11 | 何金良; 胡军; 韩金池; 王善祥; 余占清; 曾嵘 |
| 本发明涉及一种基于剪切压电效应的扭振磁电耦合器件，属于多铁性功能器件技术领域。本扭振磁电耦合器件，包括紧固件、管状压电复合件和永磁体，管状压电复合件的一端与紧固件相对固定，另一端通过粘接方式与永磁体相对固定，永磁体的磁化方向与管状压电复合件的中心轴线垂直，管状压电复合件包括瓦片状压电条和薄金属电极片，瓦片状压电条和薄金属电极片相互间隔沿圆周均布，相邻两个薄金属电极片之间的极性相反。本扭振磁电耦合器件利用剪切模式压电效应实现强磁电耦合，易于小型化，具有广阔的应用前景，如磁场/电流传感器、微波换能器及能量采集等应用领域。 | ||||||
| 33 | 采用压电层的自旋晶体管以及相关存储器、存储器系统和方法 | CN201380024185.3 | 2013-05-09 | CN104303326A | 2015-01-21 | Y·杜 |
| 本发明公开了自旋晶体管以及相关的存储器、存储器系统和方法。自旋晶体管由具有共享多铁层的至少两个磁性隧道结(MTJ)提供。所述多铁层由具有金属电极(金属)的铁磁薄膜(FM通道)之上的压电(PE)薄膜形成。铁磁层用作自旋通道，并且压电层用于转移压电应力，以控制所述通道的自旋状态。共享层的一侧上的MTJ形成自旋晶体管的源极，并且共享层的另一侧上的MTJ形成自旋晶体管的漏极。 | ||||||
| 34 | 磁电子器件和测量方法 | CN201080021072.4 | 2010-05-03 | CN102439745B | 2014-12-17 | R.赫特尔; 颜明 |
| 根据本发明的磁电子器件包括至少一个由铁磁材料组成的微长的工作结构，其中磁畴壁能够沿着所述工作结构迁移；用于给所述工作结构施加电流的装置；以及用于从工作结构出发的磁场的至少一个磁场传感器。根据本发明，如此设计工作结构，使得所述工作结构能够构造畴壁，其中所述畴壁的横向磁化方向在其中心在垂直于沿着工作结构的其迁移方向的平面中不具有从优方向，和/或无质量的畴壁。已识别出，这种移动的畴壁的动能消失。因此，所述动能既不遭受沃克极限也不遭受固有牵制。由此器件能够更快地读入、存储或处理和最有输出信息。本发明还涉及一种用于测量铁磁材料的非绝热自旋转移参数β的方法。该方法在更准确地研究所识别的现象的过程中得以阐明。 | ||||||
| 35 | 磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器 | CN201310644182.1 | 2013-12-03 | CN103855297A | 2014-06-11 | D.阿帕尔科夫; V.尼基丁; M.T.克朗比 |
| 本发明公开了一种磁性结及其提供方法以及包含该磁性结的磁存储器。该磁性结包括被钉扎层、非磁性间隔层和自由层。非磁性间隔层在被钉扎层和自由层之间。该自由层具有临界切换电流密度（Jc0）的梯度使得自由层的第一部分的第一Jc0比自由层的第二部分的第二Jc0小。自由层的第二部分比第一部分远离非磁性间隔层。磁性结配置为使得当写电流经过磁性结时自由层可在多个稳定的磁性状态之间切换。 | ||||||
| 36 | 超高灵敏度磁阻抗传感器 | CN201080017925.7 | 2010-04-23 | CN102414570B | 2014-06-04 | 本藏义信; 山本道治; 滨田典彦; 下出晃广 |
| 本发明提供作为磁传感器灵敏度高、测定范围大的MI传感器。本发明的磁阻抗传感器，包括：磁阻抗元件，该磁阻抗元件具有由成为零磁致伸缩的软磁性合金的非晶构成的磁敏丝和在所述磁敏丝的周围经由绝缘物的检测线圈，通过向所述磁敏丝施加高频电流，而检测出根据外部磁场从检测线圈产生的电压；电流供给装置，向所述磁阻抗元件供给高频电流；信号处理电路，对来自检测线圈的输出进行信号处理，所述磁敏丝至少具有在丝的圆周方向进行自旋排列的表面层，所述高频电流具有0.3GHz以上、1.0GHz以下的频率。 | ||||||
| 37 | 一种纵向驱动式磁阻抗元件 | CN201410024746.6 | 2014-01-20 | CN103730569A | 2014-04-16 | 满其奎; 强健; 常春涛; 王新敏; 李润伟 |
| 本发明提供了一种纵向驱动式磁阻抗元件。该元件将磁性非晶芯体材料插入激励线圈内组成一个等效阻抗元件，交流电流流经激励线圈产生平行于该芯体样品长轴方向的交流驱动磁场。与现有的将交流电流直接流经该磁性非晶芯体材料的横向驱动式阻抗元件相比，该元件一方面大大提高了阻抗随外磁场的变化率，并且提高了其线性度，另一方面简化了制作工艺、提高了元件性能稳定性与一致性，因此在高灵敏微弱磁场的检测，例如用于地磁场、生物磁场等弱磁场检测方面具有良好的应用前景。 | ||||||
| 38 | 磁检测装置 | CN201080012402.3 | 2010-03-26 | CN102356328B | 2014-04-02 | 本藏义信; 山本道治; 滨田典彦; 下出晃广; 加藤诚之 |
| 本发明的磁检测装置的特征在于，具备：至少一对第一磁敏体，该第一磁敏体由沿第一轴向延伸的软磁性材料构成且对第一轴向的外部磁场进行感应；由软磁性材料构成的磁场变向体，将与第一轴向不同的其他轴向的外部磁场向具有第一轴向的分量的测定磁场变向而能够由至少一对第一磁敏体进行感应。根据该磁检测装置，还能通过第一磁敏体检测其他轴向的外部磁场。其结果是，能够进行高精度的磁检测，并且省略在其他轴向上变长的磁敏体而实现磁检测装置的小型化或薄型化。 | ||||||
| 39 | 一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件 | CN201210065381.2 | 2012-03-13 | CN102593348B | 2013-10-23 | 赵永刚; 张森; 杨军杰; 李培森; 曲天良 |
| 本发明涉及一种非易失性电场调控磁化强度的信息存储器件，属于信息存储技术领域。存储器件由第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层组成。第一金层、钽层、铁磁层、铁电层和第二金层由上而下依次重叠。第一金层的厚度为200-300纳米，钽层的厚度为5-10纳米，铁磁层的厚度为10-20纳米，为非晶层，铁电层的厚度为0.2-0.5毫米，晶体具有三方对称性，第二金层的厚度为300-500纳米。此外，本发明的信息存储器件，在实际应用中可以直接实现电场E对磁化强度M的调控，同时撤掉电场后，被调制的磁化强度M能够较好地保持，从而方便电场对磁记录操控，并能节省能耗。 | ||||||
| 40 | 一种柔性多铁性器件 | CN201310182434.3 | 2013-05-15 | CN103268915A | 2013-08-28 | 谢亚丽; 刘宜伟; 李润伟; 詹清峰 |
| 本发明提供了一种新型结构的柔性多铁性器件。该器件包括柔性多铁材料与支撑体；其中，支撑体与柔性多铁材料的接触面分布在柔性多铁材料的底部边缘，并且柔性多铁材料以该接触面为支撑呈悬空状。实验证实，这种结构一方面保证了该器件的“自支撑性”，从而能够避免柔性多铁材料底面直接置于其他刚性支撑体等表面而导致受到钉扎束缚作用大大减弱磁电耦合效应；另一方面保证了该器件的“柔性”，由于柔性多铁材料大部分呈悬空状，使磁电耦合过程中产生的震动被尽可能放大，从而能够实现较大的磁电耦合效应，因此，该器件在磁传感器和能量收集等领域具有广泛的应用前景。 | ||||||
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