序号 专利名 申请号 申请日 公开(公告)号 公开(公告)日 发明人
41 一种膜带连续单面化学装置及其方法 CN201310217985.9 2013-06-04 CN103290393B 2016-08-24 刘永进; 张伟锋; 高津平; 曹颖杰; 舒福璋
发明公开了一种膜带连续单面化学装置及其方法,该装置由阻流搅拌辊(3)、承载平台(4)、导入辊(6)、导出辊(10)和镀液承接盘(7)组成,阻流搅拌辊(3)均匀分布在承载平台(4)上,导入辊(6)位于承载平台(4)前方,导出辊(10)位于承载平台(4)后方,镀液承接盘(7)位于承载平台(4)下方。该化学镀的方法是:膜带由导入辊引到承载平台上,在承载平台上完成镀制,再由导出辊导出,化学镀液由镀液入口流入承载平台处的膜带上表面,形成液膜,最后由镀液出口流出。通过控制液膜在膜带传输方向上流动的稳定性实现镀液沿膜带传输方向浓度梯度的稳定性,从而实现膜带表面各处工艺历程的一致性,最终实现化学镀的均匀性。
42 一种在基板上制备超憎CNTs/TiO2杂化薄膜的方法 CN201410045534.6 2014-02-08 CN103757611B 2016-08-17 周忠华; 吴玉萍; 黄悦
一种在基板上制备超憎CNTs/TiO2杂化薄膜的方法,涉及CNTs/TiO2杂化薄膜。提供一种低温液相沉积法在基板上制备高分散、大小均匀的TiO2负载纳米管的超憎水CNTs/TiO2杂化薄膜的方法,以氟酸铵和酸的混合溶液为原料,同时添加碳纳米管,低温液相沉积,在基板上制备CNTs/TiO2杂化薄膜。1)基板表面抛光;2)基板表面沉积;3)基板表面修饰和固化。不需要复杂的处理即能得到分散性很好的高分散的TiO2负载碳纳米管的CNTs/TiO2杂化薄膜。表面涂布氟烷的前后,均具有光催化效果。是一种性能更优的自清洁功能薄膜材料。
43 一种针对空心件内表面施镀的导流式辅助施镀装置及施镀方法 CN201310215746.X 2013-06-01 CN103305885B 2016-06-22 李钒; 王岩; 王义智; 宫宏宇; 安振涛
一种针对空心件内表面施镀的导流式辅助施镀装置及施镀方法,适用于电镀化学镀领域。导流式辅助施镀装置为一填充件,与待镀的空心镀件内腔形状相符,在导流式辅助施镀装置的外表面加工有半圆形、三形或梯形的突起,形成不连续化流槽设计。将导流式辅助施镀装置置于空心镀件内部,同时将镀液灌装到空心镀件与导流式填充件的间隙内,按需求添加驱动装置搅拌镀液,以实现均一化施镀。本发明减少了镀液用量,降低了施镀成本,填充件表面不连续的导流槽设计,有助于施镀过程中的气体排放和动态施镀过程中镀液的径向传质,以防止在镀件的施镀表面形成层流,有利于均匀化施镀,最终减少镀层的缺陷性,提高器件在后续使用过程中的服役寿命。
44 一种在固体颗粒表面包覆非晶态膜的方法 CN201610036294.2 2016-01-20 CN105671522A 2016-06-15 刘岩; 代鹏飞; 李夏雯; 祝煜
发明属于无机膜制备领域,具体涉及一种在固体颗粒表面包覆非晶态膜的方法。本发明是首先制备固体颗粒悬浊液,然后于20~90℃配制硅酸钠浓度为0.0001~0.5g/mL的硅酸钠溶液,将硅酸钠水溶液与固体颗粒悬浊液混合,得到包覆溶液,向包覆溶液中通入二氧化气体,结束后采用过滤或者离心分离出包覆了二氧化硅膜的颗粒,用去离子水反复清洗两次,用无水乙醇清洗两次,用氮气将颗粒吹干。本发明反应步骤少,反应条件温和,条件易于控制,能够通过反应条件变化调节制备的二氧化硅层的疏密度,易于推广。
45 一种抗菌不锈及其制备方法 CN201310428631.9 2013-09-18 CN103451631B 2016-06-15 庞晋山
发明公开了一种抗菌不锈及其制备方法,其中,制备步骤包括超声除油、酸洗、渗和冲洗干燥,本方法在不锈钢表面渗镀纳米二抗菌材料,制备成本低,工艺简单,抗菌层与不锈钢基体的结合强。本方法区别于在不锈钢中添加抗菌元素,在不锈钢表面渗镀纳米二氧化钛不影响不锈钢的机械性能,不改变不锈钢材质的加工性能。本方法区别于离子型抗菌材料,纳米二氧化钛无毒无害,在杀灭或抑制细菌生长过程中,不会向接触环境中释放金属离子,同时其催化杀菌能力强,可有效杀死大肠杆菌、金黄色葡萄球菌等有害细菌。
46 复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法 CN201510747128.9 2015-11-06 CN105420780A 2016-03-23 何祖明; 江兴方; 孔祥敏
发明公开了一种复合纳米异质结薄膜材料及复合异质结太阳电池制备方法,所述复合纳米异质结薄膜材料制备方法中的复合纳米异质结薄膜材料包括基底、液相生长在基底上的n型ZnO 纳米棒阵列薄膜和采用连续离子沉积法在ZnO 纳米棒阵列间隙中填充ZnS薄膜,是采用ZnS薄膜填充到空隙,再用电化学沉积法把Cu2O沉积在ZnO或ZnS纳米棒表面。本发明在ZnO纳米棒阵列空隙中填充ZnS,再用电化学沉积技术将Cu2O沉积在ZnO或ZnS纳米棒表面形成ZnO/ZnS/Cu2O复合异质结薄膜材料及其制备太阳电池的方法,采用本方法制得的电池成本低,制备简单,电池性能好。
47 一种多层易导基板及其制备方法 CN201510895767.X 2015-12-08 CN105405956A 2016-03-16 缪希希
发明涉及LED照明技术领域,特别涉及一种多层易导基板及其制备方法,包括铝基板层、石墨烯层、散热胶层和萤石层,所述铝基板层表面设置有石墨烯层,所述石墨烯层上端加载有散热硅胶层,所述散热硅胶层上端分别设置有石墨烯层和石墨烯层上端的萤石层,并提供了该铝基板的制备方法。本发明不仅具有良好的导热性能,同时具有良好导电性能,电阻率低,符合节能效果,绝缘效果好,本发明提供的制备方法简单易操作,成本率高,环保无污染,成本低廉。
48 用于使化学液与基板表面均匀反应的方法及其设备 CN201210367178.0 2012-09-28 CN103695894B 2016-03-16 陈立凯; 游柏清; 约阿希姆·利奥波德·路德维希·穆勒; 陈传宜; 蓝受龙
一种用于使化学液与基板表面均匀反应的方法及其设备,用以供一化学反应盒进行化学反应;该设备至少包括一输送单元,输送单元又包含多个由横向排列的旋转体所构成,以对所述化学反应盒提供一输送方向进行横向往复的输送;其中,各旋转体对所述化学反应盒进行横向往复的输送中,以一渐进升降手段而与化学反应盒接触
49 化学沉积温控系统及其温度调节方法 CN201210250417.4 2012-07-18 CN102778150B 2016-03-02 冉彦祥; 赵喜华; 蔡志浩
发明提供一种化学沉积温控系统。所述化学沉积温控系统包括具收容空间的套管温度调节液体、热交换器及控制,所述热交换器设置在所述套管内,所述温度调节液体收容在所述套管的收容空间内,所述控制阀调节所述温度调节液体在所述套管内循环,所述液于所述热交换器内流动,并与所述温度调节液体之间通过所述热交换器实现热交换。本发明的化学沉积温控系统有效调整镀液温度,精确控制镀液的温度在设定范围内,方便作业。同时,本发明还提供上述化学沉积温控系统内镀液的温度调节方法。
50 化学浴法膜设备 CN201210029451.9 2012-02-08 CN103160815B 2016-02-24 徐为哲; 谢东坡; 蔡松雨
一种化学浴法膜设备,包括化学水浴法镀膜设备,包括第一盖板、第二盖板与溶液出入装置。第一盖板与第二盖板对应设置,构成镀膜空间。溶液出入装置位于第一盖板中,供溶液进出镀膜空间。溶液出入装置的位置为固定或可以在镀膜空间内移动。
51 一种回收沉液的保存方法 CN201310138387.2 2013-04-22 CN103243316B 2016-01-20 邹明亮; 张晃初; 夏国伟; 李建红
发明一种回收沉液的保存方法,包括以下步骤:a.对回收的沉铜液前处理,使沉铜液中Cu+浓度低于0.01mg/L;b.降低沉铜液的温度;c.添加稳定剂;d.降低沉铜液的pH值;e.持续搅拌沉铜液。本发明创造性地提出在保存回收的沉铜液前使用前处理剂降低Cu+浓度,进而降低保存过程中稳定剂的用量,同时兼顾了延长沉铜液保存期和维持沉铜液速两目的。
52 一种制备致密硫化镉薄膜的装置及方法 CN201510593851.6 2015-09-17 CN105132893A 2015-12-09 吴京锦; 刘晨光; 赵策洲; 汤楚帆; 柳鋆
发明公开了一种制备致密硫化镉薄膜的装置,包括自上而下依次设置的:箱,所述水箱内部装有水和反应容器,所述反应容器内装有至少一衬底、反应溶液和磁子,同时在所述水箱底部设置至少一个声波振子或在所述水箱内部设有超声波振板;磁搅拌器,设于所述水箱底部,并控制所述反应溶液温度和所述磁子转速;以及超声波发生器,位于磁力搅拌器下方。本发明的优点在于,不仅操作简单,成品质量高,成本低,稳定性高,而且既能够实现对化学水浴法中反应溶液的均匀充分搅拌,又能够减少大颗粒和团簇的附着,有助生长均匀致密的大尺寸硫化镉薄膜。
53 一种无电解设备 CN201510392377.0 2015-07-07 CN105002478A 2015-10-28 向延海
发明属于无电解领域,具体为一种无电解电镀设备,包括电镀设备壳体、电解液、工件固定装置,其中电解液位于电镀设备壳体内部,工件固定装置固定于电镀设备壳体底部,还包括声波发生装置、高压机构;所述超声波发生装置位于电镀设备壳体的侧壁上;所述高压风机构包括高压风机和鼓风管道,高压风机位于电镀设备壳体中的超声波发生装置的上方;鼓风管道位于电解液中,并且鼓风管道带有出风孔。因此,本发明的一种无电解电镀设备可应用于各类电子产品的电镀工艺,并且保证了电镀工件的镀层均匀稳定。
54 柔性化物薄膜的化学 CN201410018370.8 2014-01-15 CN104775108A 2015-07-15 只金芳; 吴良专; 李豫珍; 余愿
发明公开了一种制备柔性化物薄膜的化学法,该方法包括如下步骤:1)柔性基底膜预处理:将有机柔性膜浸润到π共轭结构分子的单体纯溶液中;2)用过氧化氢溶液溶解金属氢氧化物,随后加水稀释,接着加入催化剂或紫外灯光照数分钟,在常温下搅拌得到金属过氧化配合物水溶液;3)将步骤1)得到的固定有π共轭结构分子的柔性基底材料浸入步骤2)所制备的溶液中,得到柔性功能膜材料。本方法制备成本低廉,可操作性强,可以实现大面积柔性基底上晶体氧化物薄膜的制备,适用于批量制备,具备工业化生产的可能性,具有广泛的应用前景。
55 用于打印及覆工序的印制方法 CN201280073503.0 2012-04-01 CN104487609A 2015-04-01 桑尔·李; 俊熙·帕克; 以法莲·乌尔姆; 文伟·郭; 彦·赵; 董宇·李
发明提供一种用于打印在基板上的方法,包括:提供一基板,其具有至少一个三维表面;及通过仅在二维中利用重新定位一喷墨打印头相对于所述基板的位置,而在所述至少一个三维表面的至少一个部分进行一油墨的喷墨打印。
56 用于化学的装置 CN201410706549.2 2014-12-01 CN104357811A 2015-02-18 姚智俊; 姚文娣; 辛宏
发明公开了一种用于化学的装置,包括镀槽,在镀槽的下方设置有加热槽,在加热槽内设置有加热器,在加热槽的底部、加热器的下方设置有冷却器,在加热槽的一侧设置有。泵的进口管道和加热槽的底部连通,泵的出口管道和过滤器的进口连通,过滤器的出口管道分别与镀槽的下部和加热槽的上部连通。溢流管的一端与镀槽1的上部连通,溢流管的另一端流入加热槽。在所述的镀槽的下方设置有溢流管,溢流管的一端与镀槽1的上部连通,另一端流入加热槽。本发明结构简单、操作方便,镀液加热与施镀分开进行,镀槽内镀液温度易于调节、且温度分布均匀,提高了镀层的质量
57 能反映环境湿度的荧光薄膜材料及其制备方法 CN201410563424.9 2014-10-21 CN104342123A 2015-02-11 刘晓磊
发明属于有机-无机复合材料领域,具体涉及一种能反映环境湿度的荧光薄膜材料及其制备方法。所述的荧光薄膜材料先通过电解化法在金属基板上生成一层致密氧化铝层作为铝基底,再采用原位生长法在该基底上生成层板垂直铝基底排列的苯甲酸根插层滑石薄膜,在层间形成含有苯环的疏水性环境,然后将N-乙基咔唑引入并固定于水滑石层间制得;水滑石材料的化学式为:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(BA-)x(EK)y·mH2O。本发明插层结构稳定,同时该薄膜的荧光光谱的反射强度随周围环境的湿度变化呈现出规律性变化,可大规模应用于工农业等领域的湿度实时监测领域。
58 金属化合物和聚合物制品及制备方法以及油墨组合物和表面选择性金属化方法 CN201310113641.3 2013-04-02 CN104098138A 2014-10-15 宫清; 周维; 毛碧峰; 苗伟峰
发明公开了一种金属化合物及其制备方法和应用,该金属化合物的化学式为Cu2AαB2-αO4-β,其中,A为选自元素周期表中的第6列和第8列的一种元素或两种以上元素,B为选自元素周期表中的第13列的一种元素或两种以上元素,0<α<2,0<β<1.5。本发明还公开了含有所述金属化合物的聚合物制品及其制备方法和将聚合物制品表面选择性金属化的方法。本发明进一步公开了一种油墨组合物和将绝缘性基材表面选择性金属化的方法。所述金属化合物的颜色浅,且无需还原出金属单质即可作为化学促进剂。
59 湿式膜系统 CN201010146840.0 2010-04-15 CN102220571B 2014-10-15 裴绍凯
发明涉及一种湿式膜系统,其包括一个低温腔室、一个加热腔室、一个隔离腔室、一个传输装置、一个清洗槽、一个镀膜槽、一个热喷槽及一个加热槽。该隔离腔室连通该低温腔室及加热腔室以形成一个密闭的真空镀膜腔。该传输装置包括一个跨设该三个腔室的滑轨及一个滑动设置于该滑轨上、用于夹持一个基材的升降手臂。该清洗槽、镀膜槽、热风喷槽及加热槽顺着该滑轨自该低温腔室至该加热腔室的滑向依次设置于该滑轨下。该清洗槽及镀膜槽位于该低温腔室内;该热风喷槽位于该隔离腔室内;该加热槽位于该加热腔室内。如此,基材可在单一、密闭的环境内依次清洗、镀膜、风干及退火,避免基板不同设备中流装而被化,提升了良率。
60 一种采用化学浴反应制备ZnS薄膜的方法 CN201410263895.8 2014-06-13 CN104018137A 2014-09-03 张宁; 张亚飞; 余新平; 曹惠
发明是一种采用化学浴反应制备的ZnS薄膜的方法。本方法采用硫酸锌和硫脲分别作为锌源和硫源,以氯化铵为缓冲剂,和联氨为联合络合剂,在50℃~90℃水浴反应5min~30min即可制得ZnS薄膜,薄膜均匀致密,无针孔,透过率高,适合代替CdS用作CIGS薄膜太阳能电池缓冲层。此方法不仅设备简单,操作方便,工艺重复性好,而且反应速度快,制得的ZnS薄膜均匀致密、透过率高,厚度可控,克服了其他制备方法所需设备昂贵且反应时间长等缺点,显著降低生产成本,提高生产效率,非常适合大规模工业化生产。
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