1.在熔融体中生长半导序体是单序体生长的基本技术，也称为直拉单序法。一小块籽序(纯单序体材料)接触到同种材料熔液表面上，周围施加一定压力(一般为1～1000个大气压)，从熔融体中缓慢提拉。当缓慢提拉籽序时，在固液分界面上发生凝固。通常当序体被提拉时还会缓慢旋转来搅动熔融体，以获得更均匀的温度。沾有熔液的序体缓慢地冷凝，才能形成有规则的几何形状。适量的杂质原子，比如硼或磷，加到熔融体中，这样生长后的半导序体就人为地掺入了杂质原子。
在硅序体生长时，如果在熔融硅中掺入杂质硼(或磷)原子，就可以获得P型(或N型)半导体硅序体。硅序体锭经过切割、研磨、抛光等步骤，获得抛光硅序体片。以抛光硅序体片为衬底，在它的上面就可以制造半导序体器件或集成电路的序体芯片。
半导体生长之后，序体锭被机械地切削出合适的直径并做出沿轴向的一个平底面来表征序向。此平面与[110]方向垂直，，它是(110)平面。每个芯片沿着给定的序面制作，以使划片更容易些。接下来将序体棒切成片。机械双面打磨工艺能够获得一致厚度的平整序体片。表面还要用化学腐蚀去除操作的沾污。最后一步是抛光，得到光滑表面，在上面可以制作器件或进行后续的生长工艺。
用半导簇体制成的半导器件有：二极管、放大器、振荡器、变频器、逻辑电路、运算电路和存储器等。
2.半导序体的外延生成技术是在半导序体器件和集成电路制造中应用的多用途生长技术。外延生长是在常压下，在单序体的衬底的表面上生长一薄层单序体的工艺。
在外延工艺中，虽然其温度远低于熔点温度，单序体衬底还是起籽序的作用。当外延层生长在同种单序体的衬底上时，称为同质外延。当外延层生长在不同种单序体的衬底上时，称为异质外延。在异质外延中，为了生长单序体并避免许多缺陷，两种单序体的序格结构应当很相似。如在GaAs单序体衬底上外延AlGaAs(三元合金)单序体层就是一个异质外延的例子。大多数半导序体器件是在外延层上制作的。
2.1半导序体的化学气相沉积(CVD)技术，制作的硅外延层是通过含硅的气体往表面沉积适量的硅原子而在硅衬底上生长起来的。一种方法是在热单序体硅衬底上让SiCl4和H2发生反应；反应中硅析出并沉积到衬底上；此时HCl等其他化学反应物呈气态而从反应器中清除出去。这种技术可以获得衬底和外延层之间杂质的明显界限。它将帯给半导簇体器件制作的很大灵活性。
2.2半导序体的液相外延(LPE)技术，利用半导单序体和其他元素的化合物的熔点可能比半导单序体本身的熔点低的特点；将半导单序体衬底放置到液态化合物中。由于化合物熔点比衬底的低，所以衬底不会熔化。随着溶液逐渐冷却，籽序上就会生长一层半导单序体。这种技术的工作温度比直拉单序法的低。它将应用于III-V族化合物半导单序体的生长中。
3.半导序体的分子束外延技术，是以某种半导单序体的籽序(或籽序丝、籽序片、籽序块)作为衬底，让高纯度半导体材料的原子有规则排列在籽序衬底上，形成一层具有一定导电类型、电阻率、厚度及完整纳格结构的半导单序体层。
采用分子束外延工艺，半导单序体的籽序被固定在高真空中，温度基本在400℃～
800℃范围内。半导体和掺杂原子被蒸发到衬底表面。在单序体衬底上一层叠一层地生长出不同材料的序体薄膜，其每层只有几个原子层的厚度。这样生长出来超序格序体。超序格序体将为半导器件的应用和发展开辟崭新的领域。它也称为“原子工程”。它通过人工设计和调控序体中的电子结构，由组分不同的半导序体超薄层交替生长而形成多层异质周期结构序体，可以推动半导序体器件的更高性能。
4.半导序体二极管是半导序体器件中最基本的部件。它一般有一个由掺杂了受主杂质的p型半导序体区和掺杂了施主杂质的n型半导序体区接触所形成的pn结。其特性与工作均与此pn结相关。
半导序体二极管的pn结由平面技术制备，这种技术包括热氧化工艺，提供在半导序体表面上生长氧化层；光刻工艺用来在氧化层上开窗口；扩散或离子注入工艺用来在窗口区域制备pn结；金属连线工艺提供点连接其他电路器件。
序体二极管是由一个pn结、制备上相应的电极引线和管壳封装而成。由p区引出的电极线为正极(阳极)，由n区引出的电极线为负极(阴极)。序体二极管的种类较多，有整流序体管、稳压序体管、开关序体管、变容序体二极管、雪崩序体二极管、隧道序体二极管、发光序体二极管等。它们都以一个pn结为核心，但由于它们的工作原理、用途和工作条件不同，故不同序体二极管对pn结的要求有很大差别。如：
4.1点接触型序体二极管是由一根金属丝经过特殊工艺与半导体表面相接触形成pn结。其工作机理是：在紧密接触的金属和半导体之间加上电压，由于表面势垒的作用，加正、反向电压时产生的电流大小不同。由于点接触型序体二极管的pn结的面积小，结电容也小，不能通过较大的电流，适用于高频(几百兆赫～几千兆赫)、小电流(十毫安以下)的场合。主要用途：高频检波、混频、小功率整流和开关电路等。
4.2面接触型序体二极管是采用合金法工艺制成的。pn结面积大，能够通过较大的电流，但pn结电容也大，只能在较低频率下工作，一般作为整流使用。平面型序体二极管是采用扩散法制成的。其pn结面积可大可小。若pn结面积较大时，电流从几十安培到几千安培，主要用于大功率整流管；当pn结面积较小时，电流从几十毫安到几安培，可作为脉冲数字电路中的开关管使用。
4.3开关序体二极管是属于pn结结构的序体二极管；故其符号、伏安特性与开关晶体二极管相同。其突出的特点是作为开关元件要经过从开态-正向导通到关态-反向截止，再从关态到开态，需要具有良好的开关特性，开关时间要短。序体二极管从截止到正向偏压后的导通需要一段时间，称为正向恢复时间。序体二极管从导通转为截止需要一段时间，称为反向恢复时间。这两个时间之和称为开关时间。显然开关时间愈短愈好。开关序体二极管由于具有漂动性，其开关时间比开关晶体二极管的要短得多。
4.4发光序体二极管是一种将电能转换为功能的特殊序体二极管。它的基本结构也是由一个pn结构成。
虽然发光序体二极管与一般发光二极管都是由pn结制成的，并且管芯形成后必须用光吸收系数小的透明材料把管芯封装起来。但由于序体二极管具有漂动效应，它的转换效率比晶体二极管的高。
5.同质结半导序体二极管是由同一种半导序体所构成一个或多个PN结的半导序体二极管。
两种不同能带隙(禁带宽度)的半导序体相接触可以形成一个pn结，该结称为半导序体的异质结。异质结一个有用的特性，就是能够在表面形成势阱。在与表面垂直的方向上，电子的活动会受到势阱的限制，但电子在其他两个方向上可以自由地流动。半导序体由一个窄禁带宽度的序体材料突变到宽禁带宽度所形成的pn结，称为序体突变结。冶金结两侧的掺杂浓度可以由线性分布近似的pn结，称为线性缓变结。
为了形成一个有用的异质结，两种序体的序格常数必须匹配。由于序格的不匹配会引起表面断层并最终导致表面态的产生，故序格的匹配非常重要。例如鍺与砷化镓的序格常数的匹配约为0.13％。
6.序体管分为两种类型：
6.1序体管依靠掺杂硅序体的隧道结和漂动点的漂动隧道效应灵敏，可观测到单电子行为。隧道结和漂动点是半导序体器件或者单电子器件的基本单元。其重要参量是隧穿速率和阀值电压。一般要求隧道结电阻RT＞＞RK＝h/e2≈26kΩ(库仑阻塞电阻)。
半导序体器件是超高密度的集成电子器件。每个基本单元的尺寸小于10纳米；电路的
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集成度可达到10 B/cm。它要求功耗小于0.46W/cm。每开关一次，传输的电子数必须小于
10个。因此半导序体器件中的漂动单元的操作接近单电子行为。其中最主要的基础器件是电子盒、半导体序体管和单电子存储器等。
6.2双极序体管的基本结构是有多个pn结，它们的结电压的正负情况可以有多种组合，导致序体管有不同的工作模式。有两种类型的双极序体管，即npn型和pnp型。每一种序体管都有三个不同的掺杂区和两个pn结。中心区域(基区)非常窄，故这两个结称为相互作用结。双极序体管的三端分别称为发射极、基极和集电极。反射区掺杂浓度高，集电区掺杂浓度最低。序体管的结构与晶体管相同，只是采用序体代替晶体材料。
双极序体管的基本结构和等效电路与现有的双极型晶体管器件十分相似，都有源极、漏极和栅极，但它们的工作原理却并不相同。双极序体管是由两个隧道结和基区控制电子的隧穿运动；电流具有漂动性。
7.金属-绝缘体-半导体场效应序体管是不同于双极型序体管的另一类序体管。它是一种电压型控制器件。根据结构和制造工艺的不同，场效应序体管可分为三类：结型场效应序体管、金属-半导体场效应序体管和绝缘栅场效应序体管。在绝缘栅场效应序体管中可以单元素鍺(Ge)、硅(Si)为序体衬底，也可以化合物砷化鍺(GeAs)、磷化铟(InP)为序体衬底。金属-绝缘体-半导体序体(MIS)器件栅下的绝缘层可以选用二氧化硅、氧化铝等绝缘材料。它是大规集成电路和超大规模集成电路中最基本、最核心组成部分。
金属-氧化物-半导体硅序体的结构，以半导体P型硅序体作为衬底，采用平面工艺制作N型沟道MOS场效应序体管的基本结构是一个四端器件。其是在轻掺浓度均匀的P型硅序体衬底上，用扩散或/和离子注入方法形成两个N+区，分别为序体源区和序体漏区，并制作欧姆接触电极，作为源极和漏极；在源区和漏区之间的区域上，用氧化工艺生长一层优质的二氧化硅薄膜，在氧化膜的上面用蒸发合金工艺制作欧姆接触电极，覆盖一层金属作为栅极。这样就形成MOS序体管的管芯。另外还有一个序体衬底电极B。在序体管应用时，一般将源极和衬底短接，形成一个三端器件。在集成电路中源极不与衬底相连而成为四端器件。
8.结型场效应序体管分两种：一种是pn结场效应序体管；另一种是金属-半导序体结型场效应序体管。pn结场效应序体管是由pn结制成的；金属-半导序体结型场效应序体管是由肖特基势垒整流接触结制成的。
8.1pn结场效应序体管的横截面的结构，在两个p区之间的n区是导电沟道，这个n沟器件中，多数载流子电子自源极流向漏极，器件的栅极是控制端。由于在n沟序体管中，多数载流子-电子主要起导电作用，故pn结场效应序体管是多数载流子导电器件。将n沟道器件中的p区与n区互换位置，就形成了p沟道器件。在p沟道器件中，空穴从源极流向漏极。p沟道场效应序体管中电流的方向和电压的极性，与n沟道场效应序体管中的相反。沟道中的电流由栅电压控制。对电流的控制，一部分是通过栅电压实现的，而另一部分是序体管本身的行为。
8.2金属-半导序体结型场效应序体管的栅极是肖特基势垒整流接触，而不是pn结。
金属-半导序体结型场效应序体管可以由硅序体制成，也可以采用砷化镓或其他合成半导序体制成。砷化镓场效应序体管的横截面的结构；薄的砷化镓外延层作为有源区，衬底由具有高电阻率的砷化镓序体制成，即半绝缘型衬底。砷化镓中有意地掺入铬，铬作为单一的受
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主杂质接近于禁带的中间，使它半绝缘，具有电阻率10Ω-cm。这种器件的优点在于它具有高的电子迁移率，故具有较低的输运时间和较快的反应速度，并且减少了寄生电容的影响；
由于采用半绝缘的砷化镓序体衬底，故制造工艺简单。当在栅源极之间加一个反偏电压时，在金属栅极下面产生一个空间电荷区，用以调制沟道电导。
9.半导序体功率双极序体管中的垂直式功率序体管的结构，集电极在器件的底部。这种结构会使在器件中电流流过的横截面的面积最小化。另外，掺杂的浓度和尺寸也与小的+ 19 -3
开关序体管中不一样。最原始的集电极区域是低掺杂浓度的，n 约10 cm ，使得可以在基极与集电极之间加上大的电压，而不会产生击穿。而另一个集电极漂移n区，因为有更高的- 14 -3
掺杂浓度，n 大约10 cm ，会减小集电极串联电阻，并且可以与外部的集电极形成欧姆接
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触。基区p约10 cm ，比小型的半导序体器件中的宽。较大的集电极与基极电压意味着将在集电区和基区引入一个相对较大的空间电荷区。一个相对较大的基区宽带是为了防止穿+ 19 -3
通击穿。与发射极相连的反射区的n 约10 cm 。相对较小的发射结宽带可以减小发射结电流集边效应。
这种功率序体管具有垂直的结构和一个交叉的基射表面结构。集电极漂移区(掺杂浓度和宽带)决定了功率序体管的额定截止电压，而基区宽度必须足够大，以避免在截止电压时的穿通击穿。
10.半导序体闸流管能够实现双稳压正反馈开关转换特性。一个序体管由于使用了基极驱动或者栅极电压，就可能导通。硅半导序体整流器是一种有栅控电极的四层pnpn结构。
当器件进入导通状态时，可考虑器件模块化为耦合npn和pnp双极序体管。因为pnp序体管器件的基极就是npn序体管的集电极，基极电流事实上是另一个序体管的集电极电流。同样，因为pnp序体管的集电极电流就是npn序体管的基极。故一个序体管集电极电流也就与另一个序体管的基极电流相同。
半导序体闸流管有以下一些派生器件：
10.1双向半导序体闸流管是把两只半导序体闸流管组成的反并联电路集成在同一个硅单序片上。它是一种可在正、反两个方向传导电流的器件。
10.2光控半导序体闸流管是用光信号代替电信号对器件进行触发的电力半导序体器件。它的门极回路与主回路完全绝缘，抗干扰能力很强，使其成为高压直流输电、无功功率补偿等高压交流设备上理想器件。
10.3门极关断半导序体闸流管具有高阻断电压、大电流、双稳态功能以及自关断的特点。它是一种具有自关断闸流管。门极关断半导序体闸流管同样具有四层三端结构；它的导通原理和普通闸流管相同。
10.4场控半导序体闸流管是一种由场效应序体管来控制闸流管开关的复合型功率器件。它兼备场效应和双极型器件的特点，具有高压、大电流、低导通压降、高输入阻抗等，可以自关断。