信息处理结构体
阅读：959发布：2020-05-29
专利汇可以提供信息处理结构体专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 是通过单 电子 动作可以得到高速稳定的动作的基于单电子 电路 的信息处理结构体，该信息处理结构体在微细的MOSFET(11)的栅极 电极 (12)的正上方，形成 纳米级 大小的多个 量子点 (13)，在量子点与栅极电极之间构成电子能够直接穿过的 能量 势垒，利用在量子点与栅极电极之间移动的电子的总数来表示信息，构成为设置成电源的一个电源电极，使之与量子点 接触 ，在量子点与电源电极(14)之间构成电子能够直接穿过的能量势垒，设置2个信息电极(15)，使之与量子点接触，量子点与信息电极进行 电容耦合 ，电子根据由信息电极决定的电位，利用库仑阻断现象通过量子点，在电源电极与栅极电极之间移动。，下面是信息处理结构体专利的具体信息内容。
1.一种信息处理结构体，该信息处理结构体是在MOSFET的栅极 电极的正上方形成由多个纳米级大小的微小导电体或者微小半导体 构成的第1量子点，在上述第1量子点与上述栅极电极之间，构成由 电子或者空穴构成的电荷载体能够直接穿过的能量势垒，利用在上述 第1量子点与上述栅极电极之间移动的电荷载体的总数来表示信息， 特征在于：
排列与上述第1量子点接触而与上述栅极电极不接触的至少由3 个以上的微小导电体或者微小半导体构成的第2量子点，形成与该第 2量子点排列两端的量子点接触来表示信息的信息电极，
在上述第1量子点与上述第2量子点排列之间以及在该第2量子 点排列与上述信息电极之间，以电荷载体不能够移动的电容结耦合，
根据由上述信息电极决定的电位，改变上述第2量子点排列中电 荷载体的位置分布，由此，控制在上述第1量子点与上述栅极电极之 间电荷载体的移动。
2.如权利要求1所述的信息处理结构体，特征在于：
上述第1量子点由多个量子点的列构成，在该量子点列的量子点 之间形成电荷载体能够直接穿过的能量势垒。
3.如权利要求1或2所述的信息处理结构体，特征在于：
上述信息电极由微小导电体或者微小半导体构成的至少一个第3 量子点构成，利用在该第3量子点中存储的电荷载体的个数来表示信 息。
4.如权利要求1或2所述的信息处理结构体，特征在于：
与由上述第3量子点构成的信息电极接触形成第2电源电极，在 上述信息电极与上述第2电源电极之间形成电荷载体不能够直接穿过 的能量势垒，
电荷载体利用施加在该能量势垒上的电压或者光能，在上述信息 电极与上述第2电源电极之间移动。
技术领域
本发明涉及例如利用10nm至0.3nm左右的纳米级电子结构体进行 信息处理的信息处理结构体，特别是涉及利用单电子动作检测图形的 相似性的信息处理结构体。
背景技术
近年来，在半导体装置的制造中，伴随着半导体的微细加工技术 的进步，已经能够制造例如10nm以下的所谓纳米级的结构体。如果利 用这样的微细加工技术制做静电电容极小的结构体，则能够观测到该 结构体内的一个电子的静电能量增长，其它的电子不能够进入该结构 体内这样的所谓库仑阻断现象，同时，通过电子相互的库仑排斥力， 能够控制各个电子的动作。
从而，通过把电子能够直接穿过的能量势垒(以下称为隧道结) 与电子不能够直接穿过的势垒的结(以下称为电容结)组合起来，制 做由电子能够存在的微小导电体或者微小半导体构成的微小区域(以 下称为量子点)，进而通过把这样的量子点组合起来，能够构成电子 结构体。上述量子点众所周知，例如能够通过基于甲硅烷的减压CVD 的硅量子点的自组织化形成方法而形成(参照Mat.Res.Soc.Symp. Proc.452(1997)243，“通过低压化学气相淀积自组装生成硅量子 点(Self-Assembling Formation of Silicon Quantum Dots by Low Pressure Chemical Vapor Deposition)”)。
由这样的电子结构体得到的电子器件通过一个电子的移动能够进 行器件动作。这样的电子结构体被称为所谓的单电子器件，现在已经 提出了利用单电子器件的各种单电子电路。例如，作为单电子器件， 能够构成与CMOSFET类似的互补型晶体管，还已经提出了使用这种互 补型晶体管的单电子逻辑电路(参照1992年，J.R.Tucker“基于库 仑阻断现象的互补数字逻辑(Complementary Digital Logic Based on the Coulomb Blockade)”，J.Appl.Phys.，vol.72，No.9， pp.4399-4413)。
但是，这样的单电子逻辑电路以往只是提出了把隧道结与电容器 组合起来的电路图水平的电路结构，还几乎没有进行作为实际电路的 实现形态，即作为结构体的方案。
另外，关于存储器，提出了把以往浮置栅极结构微细化的「量子 点浮置栅极存储器结构」，进而进行了尝试，但是，还没有进行用于 实现逻辑的信息处理的电路实现形态，即作为结构体的方案。
作为重要的信息处理之一，有检测2个图形的相似性的处理。这 是可以在联想存储器或矢量量化、运动预测等图形识别或者数据压缩 等大范围的信息处理中利用的基本处理。
在这样的处理中，有作为表示数字图形相似性的指标的「汉明距 离」。这是用数字图形相互之间不同的比特数定义的，比特数越小， 则汉明距离越小，2个图形的相似性越高，可以说2个图形相似了。这 里，该汉明距离例如可以通过对于数字图形的各个比特计算“异” (XOR)、把成为1的加以综合来进行计算。
如图14(A)所示，把由2个隧道结1以及2构成的单电子晶体管 (以下称为SET)与电容器Co(例如500aF)组合的电路示出基于上 述库仑阻断现象的非单调特性(参照应用物理第66卷第2号(1997) P.100)，由此，在2个隧道结1以及2的中点，即，SET的孤立节 点3上分别经过电容器输入了电压Va、Vb时，根据Va、Vb的H电平 或者L电平的组合，示出图14(B)所示的输出电压Vco的时间特性。 利用这样的特性，提出了通过1个SET与电容器Co的组合，实现XNOR (异非)门的单电子逻辑电路(1998年T.YAMANAKA等“利用单电子 器件的随机相关存储器及其在数字模式关联上的应用(A Stochastic Associative Memory Using Single-Electron Devices and Its Application to Digit Pattern Association)”，in Ext.Abs.of Int.Conf.on Solid State Devices and Materials，pp.190- 191，Hiroshima，Sept.1998)。
图15所示的单电子逻辑电路是在电源Vdd与电容器Co之间并联 连接2个上述SET，Va、Vb的翻转电压也同时输入的所谓互补型结构。 准备与数字图形的比特数相等个数的该单电子逻辑电路，在通过把它 们与共同的电容器(Co)连接而构成的数字图形的比特比较器(参照 图16)中，把Va作为要进行比较的数字图形的比特电压，把Vb作为 要进行比较的数字图形的比特电压，由此，在比特一致(Va＝Vb)的 SET对中，电子从电容器Co向电源Vdd移动，如在图15(B)中所示， 通过电容器电位Vco上升，一致的比特数越多则电容器电位Vco越迅 速地上升。从而，通过调查电位上升的过渡变化，能够了解相对的汉 明距离的大小。现在已经提出了基于这样结构的数字图形的比特比较 器。
另外，由于用单电子器件构成的电路概率地进行动作，因此通过 反过来积极地利用该概率，已知能够实现在现有的CMOS电路中难以实 现的智能处理(参照上述1998年山中等，以及1998年，M.Saen等 “利用单电子器件的随机相关存储器(A Stochastic Associative Memory Using Single-Electronic Devices)”IEICE Trans. Electron.，vol.E81-C，No.1，pp30-35，1998)。
但是，这样的单电子逻辑电路并没有提出实际上制做什么样的结 构体。
另外，由于随着时间的经过，电容器Co的电位Vco不依赖于汉明 距离而成为一定，因此存在着在稳定状态下不能够测定汉明距离这样 的问题。
另外，使用现存的CMOS逻辑电路的结构格式制做单电子逻辑电 路，则原理上存在以下致命的问题。
即，第1，由于在单电子电路的动作中作为基本的隧道现象是概率 性的，因此为了使动作确定需要比较长的时间，动作速度缓慢。从而， 在使用CMOS逻辑电路的结构格式的单电子逻辑电路中，与现有的CMOS 电路相比较动作速度缓慢，没有优越性。
第2，如果一个电子的静电能量不充分大于热能，则不能够得到稳 定的单电子动作，因此为了在室温下使单电子逻辑电路动作，需要实 现极小的电容，例如，为了使在室温下1010个门以上的超大规模电路 在长达10年左右的长时间内没有错误地进行动作，必须实现10-20F级 的电容(S.Shimano，K.Masu，and K.Tsubouchi，“基于Eb/Eo-比 特错误率特性的单电子晶体管电路的可靠性(Reliability of Single Electro Transistor Circuit Based on Eb/No-Bit Error Rate Characteristics)”JPN.J.Appl.Phys.，vol.38，pp.403-405， 1999)。
从而，为了实现这样的小电容，需要原子级以下的结构体，这在 实际上是不能够实现的。
第3，在点的周围不可避免地存在的杂质或者电荷陷入界面能级 中，由此，存在着由该被陷入的电荷在点中感应出电荷的所谓「偏置 电荷」或者「基底电荷」，为此存在着不能够实现理想的单电子动作 这样的问题。
鉴于以上各点，本发明的目的在于提供在室温下，通过单电子动 作，能够得到高速稳定动作的基于单电子电路的信息处理结构体。
从而，通过把电子能够直接穿过的能量势垒(以下称为隧道结) 与电子不能够直接穿过的势垒的结(以下称为电容结)组合起来，制 做由电子能够存在的微小导电体或者微小半导体构成的微小区域(以 下称为量子点)，进而通过把这样的量子点组合起来，能够构成电子 结构体。上述量子点众所周知，例如能够通过基于甲硅烷的减压CVD 的硅量子点的自组织化形成方法而形成(参照Mat.Res.Soc.Symp. Proc.452(1997)243，“通过低压化学气相淀积自组装生成硅量子 点(Self-Assembling Formation of Silicon Quantum Dots by Low Pressure Chemical Vapor Deposition)”)。
由这样的电子结构体得到的电子器件通过一个电子的移动能够进 行器件动作。这样的电子结构体被称为所谓的单电子器件，现在已经 提出了利用单电子器件的各种单电子电路。例如，作为单电子器件， 能够构成与CMOSFET类似的互补型晶体管，还已经提出了使用这种互 补型晶体管的单电子逻辑电路(参照1992年，J.R.Tucker“基于库 仑阻断现象的互补数字逻辑(Complementary Digital Logic Based on the Coulomb Blockade)”，J.Appl.Phys.，vol.72，No.9， pp.4399-4413)。
但是，这样的单电子逻辑电路以往只是提出了把隧道结与电容器 组合起来的电路图水平的电路结构，还几乎没有进行作为实际电路的 实现形态，即作为结构体的方案。
另外，关于存储器，提出了把以往浮置栅极结构微细化的「量子 点浮置栅极存储器结构」，进而进行了尝试，但是，还没有进行用于 实现逻辑的信息处理的电路实现形态，即作为结构体的方案。
作为重要的信息处理之一，有检测2个图形的相似性的处理。这 是可以在联想存储器或矢量量化、运动预测等图形识别或者数据压缩 等大范围的信息处理中利用的基本处理。
在这样的处理中，有作为表示数字图形相似性的指标的「汉明距 离」。这是用数字图形相互之间不同的比特数定义的，比特数越小， 则汉明距离越小，2个图形的相似性越高，可以说2个图形相似了。这 里，该汉明距离例如可以通过对于数字图形的各个比特计算“异” (XOR)、把成为1的加以综合来进行计算。
如图14(A)所示，把由2个隧道结1以及2构成的单电子晶体管 (以下称为SET)与电容器Co(例如500aF)组合的电路示出基于上 述库仑阻断现象的非单调特性(参照应用物理第66卷第2号(1997) P.100)，由此，在2个隧道结1以及2的中点，即，SET的孤立节 点3上分别经过电容器输入了电压Va、Vb时，根据Va、Vb的H电平 或者L电平的组合，示出图14(B)所示的输出电压Vco的时间特性。 利用这样的特性，提出了通过1个SET与电容器Co的组合，实现XNOR (异非)门的单电子逻辑电路(1998年T.YAMANAKA等“利用单电子 器件的随机相关存储器及其在数字模式关联上的应用(A Stochastic Associative Memory Using Single-Electron Devices and Its Application to Digit Pattern Association)”，in Ext.Abs.of Int.Conf.on Solid State Devices and Materials，pp.190- 191，Hiroshima，Sept.1998)。
图15所示的单电子逻辑电路是在电源Vdd与电容器Co之间并联 连接2个上述SET，Va、Vb的翻转电压也同时输入的所谓互补型结构。 准备与数字图形的比特数相等个数的该单电子逻辑电路，在通过把它 们与共同的电容器(Co)连接而构成的数字图形的比特比较器(参照 图16)中，把Va作为要进行比较的数字图形的比特电压，把Vb作为 要进行比较的数字图形的比特电压，由此，在比特一致(Va＝Vb)的 SET对中，电子从电容器Co向电源Vdd移动，如在图15(B)中所示， 通过电容器电位Vco上升，一致的比特数越多则电容器电位Vco越迅 速地上升。从而，通过调查电位上升的过渡变化，能够了解相对的汉 明距离的大小。现在已经提出了基于这样结构的数字图形的比特比较 器。
另外，由于用单电子器件构成的电路概率地进行动作，因此通过 反过来积极地利用该概率，已知能够实现在现有的CMOS电路中难以实 现的智能处理(参照上述1998年山中等，以及1998年，M.Saen等 “利用单电子器件的随机相关存储器(A Stochastic Associative Memory Using Single-Electronic Devices)”IEICE Trans. Electron.，vol.E81-C，No.1，pp30-35，1998)。
但是，这样的单电子逻辑电路并没有提出实际上制做什么样的结 构体。
另外，由于随着时间的经过，电容器Co的电位Vco不依赖于汉明 距离而成为一定，因此存在着在稳定状态下不能够测定汉明距离这样 的问题。
另外，使用现存的CMOS逻辑电路的结构格式制做单电子逻辑电 路，则原理上存在以下致命的问题。
即，第1，由于在单电子电路的动作中作为基本的隧道现象是概率 性的，因此为了使动作确定需要比较长的时间，动作速度缓慢。从而， 在使用CMOS逻辑电路的结构格式的单电子逻辑电路中，与现有的CMOS 电路相比较动作速度缓慢，没有优越性。
第2，如果一个电子的静电能量不充分大于热能，则不能够得到稳 定的单电子动作，因此为了在室温下使单电子逻辑电路动作，需要实 现极小的电容，例如，为了使在室温下1010个门以上的超大规模电路 在长达10年左右的长时间内没有错误地进行动作，必须实现10-20F级 的电容(S.Shimano，K.Masu，and K.Tsubouchi，“基于Eb/Eo-比 特错误率特性的单电子晶体管电路的可靠性(Reliability of Single Electro Transistor Circuit Based on Eb/No-Bit Error Rate Characteristics)”JPN.J.Appl.Phys.，vol.38，pp.403-405， 1999)。
从而，为了实现这样的小电容，需要原子级以下的结构体，这在 实际上是不能够实现的。
第3，在点的周围不可避免地存在的杂质或者电荷陷入界面能级 中，由此，存在着由该被陷入的电荷在点中感应出电荷的所谓「偏置 电荷」或者「基底电荷」，为此存在着不能够实现理想的单电子动作 这样的问题。
鉴于以上各点，本发明的目的在于提供在室温下，通过单电子动 作，能够得到高速稳定动作的基于单电子电路的信息处理结构体。
发明内容
如果依据本发明第1结构，则信息处理结构体是在微细的MOSFET 的栅极电极的正上方，形成由纳米级大小的多个微小导电体或者微小 半导体构成的量子点，同时，在各个量子点与栅极电极之间，构成由 电子或者空穴构成的电荷载体能够直接穿过的能量势垒，利用在各个 量子点与栅极电极之间移动的电荷载体的总数来表示信息，通过以下 方法来达到上述目的：设置成为电源的1个电源电极，使之与各个量 子点接触，并且在各个量子点与电源电极之间构成电荷载体能够直接 穿过的能量势垒，同时，设置输入信息的至少2个信息电极，使之同 样与各个量子点接触，并且各个量子点与各个信息电极以电荷载体不 能够移动的电容结耦合，电荷载体根据由信息电极决定的电位，利用 库仑阻断现象通过各个量子点，在电源电极与栅极电极之间移动。
另外，如果依据本发明第2结构，则信息处理结构体是在微细的 MOSFTP的栅极电极的正上方，形成由纳米级大小的多个微小导电体或 者微小半导体构成的第1量子点，同时，在各个第1量子点与栅极电 极之间构成由电子或者空穴构成的电荷载体能够直接穿过的能量势 垒，利用在各个第1量子点与栅极电极之间移动的电荷载体的总数来 表示信息，通过以下方法来达到上述的目的：设置与各个第1量子点 接触而与栅极电极不接触的至少由3个第2量子点构成的量子点列， 同时，设置与该电量子点列的两个端部接触，输入信息的信息电极， 在各个第1量子点与上述量子点列之间以及在量子点列与信息电极之 间，以电荷载体不能够移动的电容结耦合，根据由信息电极决定的电 位，改变量子点列中的电荷载体的位置分布，由此控制第1量子点与 栅极电极之间电荷载体的移动。
本发明的信息处理结构体最好是第1量子点由多个量子点列构 成。
本发明的信息处理结构体最好是信息电极至少由一个第3量子点 构成，利用存储在第3量子点中的电荷载体的个数来表示信息。
本发明的信息处理结构体最好设置第2电源电极，使之与信息电 极接触，在该信息电极与第2电源电极之间构成电荷载体能够直接穿 过的能量势垒，电荷载体利用加入在该能量势垒上的电压或者光能在 信息电极与第2电源电极之间移动。
另外，如果依据本发明的第3结构，则通过具有以下特征的信息 处理结构体来达到上述的目的：该信息处理结构体的特征在于排列由 多个微小导电体或者微小半导体构成的量子点，在量子点排列的量子 点之间形成电荷载体能够直接穿过的能量势垒，与量子点排列两端的 量子点接触形成信息电极，信息电极与量子点排列两端的量子点以电 荷载体不能够移动的电容结耦合，与位于量子点排列中心的量子点接 触形成电源电极，在位于电源电极与量子点排列中心的量子点之间以 电荷载体不能够移动的电容结耦合，在电源电极上加入电压、使得量 子点排列的电位分布以位于量子点排列中心的量子点为中心而形成波 谷，设置在位于量子点排列中心的量子点上的电荷载体根据两端的信 息电极的电压、利用热波动向两端的信息电极的某一方移动或者不移 动。
如果依据上述第1结构，利用由形成在MOSFET的栅极电极上的各 个量子点和信息电极、电源电极构成的单电子电路进行并行信息处 理，通过把处理结果作为MOSFET的漏极电流取出，能够由MOSFET综 合各个单电子电路的处理结果，进行宏信息处理。从而，能够在一个 MOSFET上进行多比特图形的相似性计算。
这种情况下，由于各个单电子电路的功耗极低，同时，显示出极 高的集成性，因此能够进行超并行动作，作为电路总体可以得到高速 的处理速度。
另外，通过多个量子点的并行动作，不是进行严密的动作，而是 进行概率的动作，因此即使在室温下也能够充分进行动作。
进而，通过多个量子点的并行动作，利用冗余结构以及多数逻辑， 作为电路总体能够尽可能抑制偏置电荷的影响。
这种情况下，由于电源电极以及信息电极可对多个量子点共同提 供同一的输入信号，因此，由于与量子点的大小相比即使较大都行， 故能够利用以往的光刻布线来构成。
另外，如果依据上述第2结构，则与第1结构同样进行动作，同 时，相似性(汉明距离)作为稳定状态的电荷载体的个数，能够更明 确地定量。
如果依据上述第3结构，则能够谋求提高动作温度，即使在室温 下也能够充分动作。
设置第2电源电极，使之与信息电极接触，在该信息电极与第2 电源电极之间构成电荷载体能够直接穿过的能量势垒，电荷载体利用 加入到该能量势垒的电压或者光能在信息电极与第2电源电极之间移 动时，借助上述电压或者光能的辅助，通过由信息电极放置、保存电 荷载体，对于信息电极能够容易地输入信息。
附图说明
通过以下详细的说明以及示出本发明实施例的附图将能够更充分 地理解本发明。另外，附图中所示的实施例并不是限定本发明，而是 为了使说明以及理解容易。
图1示出本发明的信息处理结构体第1实施形态的结构，(A)是 概略斜视图，(B)是剖面图。
图2示出包含图1的信息处理结构体的1对量子点的单电子电路 的等效电路。
图3示出本发明的信息处理结构体第2实施形态的结构，(A)是 概略斜视图，(B)是剖面图。
图4是示出图3的信息处理结构体中字长与电容器所需容量之的 关系的曲线图。
图5是示出图3的信息处理结构体结构的等效电路。
图6是示出图3的信息处理结构体的动作原理的概略图。
图7示出图3的信息处理结构体的变形例的结构，(A)是概略斜 视图，(B)是剖面图。
图8是示出图7的信息处理结构体结构的等效电路。
图9是示出本发明的信息处理结构体第3实施形态的等效电路。
图10是图示地示出图9的信息处理结构体的概略图。
图11是示出图9的信息处理结构体的工作原理的概略图。
图12是示出图9的信息处理结构体中的势垒的曲线图。
图13是示出图9的信息处理结构体的动作模拟的曲线图。
图14示出单电子晶体管的结构，(A)是电路图，(B)是示出动 作的曲线图。
图15示出单电子晶体管对的逻辑电路的结构，(A)是电路图， (B)是示出动作的曲线图。
图16是示出把多个图15的单电子晶体管对组合起来的单电子逻 辑电路的概略图。
另外，如果依据本发明第2结构，则信息处理结构体是在微细的 MOSFTP的栅极电极的正上方，形成由纳米级大小的多个微小导电体或 者微小半导体构成的第1量子点，同时，在各个第1量子点与栅极电 极之间构成由电子或者空穴构成的电荷载体能够直接穿过的能量势 垒，利用在各个第1量子点与栅极电极之间移动的电荷载体的总数来 表示信息，通过以下方法来达到上述的目的：设置与各个第1量子点 接触而与栅极电极不接触的至少由3个第2量子点构成的量子点列， 同时，设置与该电量子点列的两个端部接触，输入信息的信息电极， 在各个第1量子点与上述量子点列之间以及在量子点列与信息电极之 间，以电荷载体不能够移动的电容结耦合，根据由信息电极决定的电 位，改变量子点列中的电荷载体的位置分布，由此控制第1量子点与 栅极电极之间电荷载体的移动。
本发明的信息处理结构体最好是第1量子点由多个量子点列构 成。
本发明的信息处理结构体最好是信息电极至少由一个第3量子点 构成，利用存储在第3量子点中的电荷载体的个数来表示信息。
本发明的信息处理结构体最好设置第2电源电极，使之与信息电 极接触，在该信息电极与第2电源电极之间构成电荷载体能够直接穿 过的能量势垒，电荷载体利用加入在该能量势垒上的电压或者光能在 信息电极与第2电源电极之间移动。
另外，如果依据本发明的第3结构，则通过具有以下特征的信息 处理结构体来达到上述的目的：该信息处理结构体的特征在于排列由 多个微小导电体或者微小半导体构成的量子点，在量子点排列的量子 点之间形成电荷载体能够直接穿过的能量势垒，与量子点排列两端的 量子点接触形成信息电极，信息电极与量子点排列两端的量子点以电 荷载体不能够移动的电容结耦合，与位于量子点排列中心的量子点接 触形成电源电极，在位于电源电极与量子点排列中心的量子点之间以 电荷载体不能够移动的电容结耦合，在电源电极上加入电压、使得量 子点排列的电位分布以位于量子点排列中心的量子点为中心而形成波 谷，设置在位于量子点排列中心的量子点上的电荷载体根据两端的信 息电极的电压、利用热波动向两端的信息电极的某一方移动或者不移 动。
如果依据上述第1结构，利用由形成在MOSFET的栅极电极上的各 个量子点和信息电极、电源电极构成的单电子电路进行并行信息处 理，通过把处理结果作为MOSFET的漏极电流取出，能够由MOSFET综 合各个单电子电路的处理结果，进行宏信息处理。从而，能够在一个 MOSFET上进行多比特图形的相似性计算。
这种情况下，由于各个单电子电路的功耗极低，同时，显示出极 高的集成性，因此能够进行超并行动作，作为电路总体可以得到高速 的处理速度。
另外，通过多个量子点的并行动作，不是进行严密的动作，而是 进行概率的动作，因此即使在室温下也能够充分进行动作。
进而，通过多个量子点的并行动作，利用冗余结构以及多数逻辑， 作为电路总体能够尽可能抑制偏置电荷的影响。
这种情况下，由于电源电极以及信息电极可对多个量子点共同提 供同一的输入信号，因此，由于与量子点的大小相比即使较大都行， 故能够利用以往的光刻布线来构成。
另外，如果依据上述第2结构，则与第1结构同样进行动作，同 时，相似性(汉明距离)作为稳定状态的电荷载体的个数，能够更明 确地定量。
如果依据上述第3结构，则能够谋求提高动作温度，即使在室温 下也能够充分动作。
设置第2电源电极，使之与信息电极接触，在该信息电极与第2 电源电极之间构成电荷载体能够直接穿过的能量势垒，电荷载体利用 加入到该能量势垒的电压或者光能在信息电极与第2电源电极之间移 动时，借助上述电压或者光能的辅助，通过由信息电极放置、保存电 荷载体，对于信息电极能够容易地输入信息。
附图说明
通过以下详细的说明以及示出本发明实施例的附图将能够更充分 地理解本发明。另外，附图中所示的实施例并不是限定本发明，而是 为了使说明以及理解容易。
图1示出本发明的信息处理结构体第1实施形态的结构，(A)是 概略斜视图，(B)是剖面图。
图2示出包含图1的信息处理结构体的1对量子点的单电子电路 的等效电路。
图3示出本发明的信息处理结构体第2实施形态的结构，(A)是 概略斜视图，(B)是剖面图。
图4是示出图3的信息处理结构体中字长与电容器所需容量之的 关系的曲线图。
图5是示出图3的信息处理结构体结构的等效电路。
图6是示出图3的信息处理结构体的动作原理的概略图。
图7示出图3的信息处理结构体的变形例的结构，(A)是概略斜 视图，(B)是剖面图。
图8是示出图7的信息处理结构体结构的等效电路。
图9是示出本发明的信息处理结构体第3实施形态的等效电路。
图10是图示地示出图9的信息处理结构体的概略图。
图11是示出图9的信息处理结构体的工作原理的概略图。
图12是示出图9的信息处理结构体中的势垒的曲线图。
图13是示出图9的信息处理结构体的动作模拟的曲线图。
图14示出单电子晶体管的结构，(A)是电路图，(B)是示出动 作的曲线图。
图15示出单电子晶体管对的逻辑电路的结构，(A)是电路图， (B)是示出动作的曲线图。
图16是示出把多个图15的单电子晶体管对组合起来的单电子逻 辑电路的概略图。
具体实施方式
下面，参照附图详细地说明本发明的信息处理结构体中的最佳的 第1实施形态。
图1以及图2示出本发明的信息处理结构体的第1实施形态。
图1中，信息处理结构体10由形成在MOSFET11的栅极电极12的 正上方的10nm至0.3nm大小的多个量子点13；从上方与各个量子点 13接触那样形成在量子点13上的电源电极14；以及对于各个量子点 13分别从两侧接触那样形成的信息电极15构成。
各个量子点13沿着栅极电极12排成一列，例如是通过自组织化 形成法形成的微小导电体或者微小半导体，相当于SET的孤立节点。
进而，各个量子点13对于栅极电极12构成隧道结。另外，MOSFET11 的栅极电容相当于上述的电容器Co。
上述电源电极14在图示的情况下，形成片形使得从上方与所有的 量子点13接触，对于各个量子点13构成隧道结。进而，对上述电源 电极14供给电源电压Vdd。
上述信息电极15由位于各个量子点13一侧的接受输入图形的第1 信息电极15a(Va)和位于另一侧的接受参考图形的第2信息电极15b (Vi)构成，每一个都通过电容结对于量子点13进行耦合。
这种情况下，信息电极15例如通过基于光刻的布线图形构成，但 也可以通过存储电荷的量子点构成。
进而，由于同一的输入信号也可以共同地输入到多个量子点13， 因此与量子点13的大小相比较，信息电极15的布线图形粗，或者其 量子点大。
这样，一对量子点13与两对信息电极15a、15b一起构成SET对， 构成图2所示的等效电路。成为与图15所示的单电子逻辑电路相同的 结构。
本发明的信息处理结构体10如以上那样构成，在各个SET对中， 在一对信息电极15a、15b上接受要进行比较的两个数字图形的各比特 的输入电压Va、Vi，在另一对信息电极15a、15b上接受Va、Vi的翻 转电压，由此，与图15的单电子逻辑电路相同地进行信息处理，其结 果电容器Co的电位Vco上升，进而作为MOSFET的漏极电流取出。
由此，与图15所示的单电子逻辑电路相同，要进行比较的两个数 字图形的相似性越大，则汉明距离越小，电容器Co的电位上升越快， 因此根据其上升速度的比较能够相对地决定汉明距离。
这种情况下，由于各个SET对的功耗极低，同时显示出极高的集 成性，因此通过进行超并行动作，作为电路总体可以得到高速的处理 速度。
进而，通过多个量子点13的并行动作，利用冗余结构以及多数逻 辑，作为电路总体能够尽可能抑制偏置电荷的影响。
这里，电源电极14例如可利用以往的光刻布线来构成，因此能够 更简单地以低成本形成并行结构或者冗余结构。
进而，在信息电极15由量子点构成的情况下，由于信息电极15 可以保持电子，因此能够使信息存储在信息电极15自身中，从而不需 要对于信息电极15设置存储信息的装置。
其次，说明本发明的信息处理结构体的第2实施形态。
图3至图6示出本发明的信息处理结构体的第2实施形态。图3 中，信息处理结构体20由形成在MOSFET11的栅极电极12正上方的多 个量子点13；由从上方与各个量子点13接触那样形成在量子点13上 的3个第2量子点12a组成的量子点列21；从上方与该量子点列21 接触那样形成在量子点列21上的电源电极14；以及对于各个量子点列 21两端的第2量子点21a分别从两侧接触那样形成的作为信息电极的 量子点22构成。
另外，在与图1所示的信息处理结构体10中的构成要素相同的构 成要素上标注相同的符号，省略其说明。
上述量子点列21中，在各个第2量子点21a之间构成隧道结，同 时，在两端的第2量子点21a与信息电极22之间，而且在第2量子点 21a与电源电极14之间，构成电容结。
信息电极22分别设置在量子点列21的两端，同时分别由量子点 构成。
这里，图4是根据蒙特卡罗模拟法，把量子点的寄生电容也作为 参数，计算该单电子逻辑电路为了进行动作所需要的上述电容器Co的 容量范围的图。如图4所示，由于在10-15F级下也能够进行动作，因 此作为MOSFET11，能够利用栅极长度10nm级的微细MOSFET。
在这样构成的信息处理结构体20中，一个量子点13与一组量子 点列21、一对信息电极22一起，构成图5所示的等效电路。
而且，如图6所示，在上述量子点列21的第2量子点21a(图示 的情况下，是中央的量子点21a)上放置电子eM。这可以通过在电源电 极14上加入高电压，例如利用福勒·诺德海姆·隧道现象，把电子提 供给该量子点21a进行。
另外，在量子点列21的外侧，还可以设置电容耦合的第2电源电 极(未图示)，在该第2电源电极上加入高电压，同样利用福勒·诺 德海姆·隧道现象，把电子提供到该量子点21a。这种情况下，还可以 在该部分上照射光，通过光能的辅助，使电子穿过。
如果这样做，则不需要单独配置用于放置电子的布线图形，而且 能够直接使图像数据等的数字图形存储在量子点中。
这里，在两端的信息电极22的电位相等时，由于作用在电子eM 上的库仑力对称，因此如图6(B)所示，电子eM在中央的量子点21a 稳定。
与此相反，在两个信息电极22的电位不相等时，如图6(C)所示， 电子eM脱离中央的量子点21a，移动并稳定在某一个端部的量子点21a (图示的情况是左端的量子点21a)。
由此，根据电子eM是否位于中央的量子点21a，能够判断2个信 息电极22的数据是否相等。即，量子点列21成为作为判断点列实现 异逻辑。
这样，在量子点列21中，通过电子eM根据2个信息电极22的电 位而移动，能够利用位于量子点13的电子eR检测该电子eM。
即，如图5所示，在电子eM位于量子点列21的中央的第2量子点 21a时，量子点13的电子eM利用库仑排斥力穿过电容器Co。由此，信 息处理结构体20实现比特比较器，即异逻辑(XOR)，与图1的信息 处理结构体10的情况相同，通过共用电容器Co、把多个比特比较器连 接，在电容器Co中存储对应于汉明距离的个数的电子，能够将其作为 MOSFET的漏极电流取出。这种情况下，汉明距离通过电容器Co的稳 定状态作为电子的个数来检测，因此能够表示正确的汉明距离。
另外，经过电容结对电子eM存在的量子点13加入偏置电压，通过 适当地调整该偏置电压使移动了的电子返回到电容器Co，来进行初始 化。
在图3所示的信息处理结构体20中，与量子点列21的中央的第2 量子点21a相对，设置量子点13，而也可以如图7所示，对于量子点 列21两端的第2量子点21a，设置2个量子点13使得分别相对，在中 央的第2量子点21a放置电子eM。这种情况下，2个量子点13与一组 量子点列21一对信息电极22一起构成图8所示的等效电路。
如果依据这样的结构，则同样在量子点列21中，通过电子eM根据 2个信息电极22的电位而移动，能够利用放置在量子点13的电子eR 检测该电子eM。
即，如图8所示，在电子eM不位于量子点列21的中央的第2量子 点21a的情况下，任何一方的量子点13的电子eR利用位于与其相对的 第2量子点21a的电子eM之间的库仑排斥力穿过电容器Co。由此，通 过信息处理结构体20实现比特比较器即实现异非(XNOR)，同样，通 过共用电容器Co、连接多个比特比较器，在电容器Co中存储对应于汉 明距离的个数的电子，可将其作为MOSFET的漏极电流取出。
其次，说明本发明的信息处理结构体的第3实施形态。
图9至图13示出本发明信息处理结构体的最佳的第3实施形态。
图9中，信息处理结构体30与图3所示的信息处理结构体20相 比较，结构上的不同点在于把构成量子点列21的第2量子点21a例如 增加到11个，同时，利用由3个量子点31a组成的量子点列31来构 成量子点13，进而，量子点列21的中央的第2量子点21a通过电容结 (C3)接地。如果通过量子点、量子点间的距离以及量子点与电极间 的距离模式地示出该结构，则信息处理结构体30成为图10所示的结 构。
如果依据这样结构的信息处理结构体30，则通过适当地设定信息 电极22的电位，如图11(A)所示，在量子点列21总体中构成势垒， 使得在中央部分电势稍低，在两端电势为最低。
从而，在双方的信息电极22的电位相等时，根据这样的势垒，位 于中央的电子滞留在中央而不能够移动。当然，如果温度上升并且经 过长时间，通过热能的辅助，即通过热波动，位于中央的电子能够越 过两侧的势垒移动到两端的量子点21a。
与此不同，在双方的信息电极22的电位不同时，如图11(B)所 示，由于量子点列21的一侧(图示的情况是右侧)的端部附近的势垒 最低，并且一直到该处势垒都在降低，因此位于中央的电子可以向右 端的量子点21a移动。图12示出对电子存在的量子点的位置与系统总 体的能量的关系进行模拟的结果。
这样，在室温附近某个时间范围内观察时，在信息电极22、22的 电位相同时，电子位于量子点列的中央的量子点，在信息电极的电位 不同时，电子位于量子点列的某一个端部的量子点。
从而，与图3所示的信息处理结构体20的情况相同，通过共用电 容器Co，连接多个图9的结构，在作为MOSFET的栅极电容的电容器 Co中存储对应于汉明距离的个数的电子，能够把其作为MOSFET的漏 极电流取出。
这种情况下，信息处理结构体30通过由多个量子点21a构成量子 点列21，能够利用热波动进行概率性的动作，由此，即使在室温下也 能够充分地进行动作。
例如，如果把电容器Co的容量取为100aF，隧道电阻取为5MΩ， 在10-6秒左右的时间范围内进行观测，则如图13的模拟结果所示那 样，在室温(300K)下，能够进行大致正常的XOR动作。
另外，这种情况下由于信息处理结构体30进行概率性的动作，因 此虽然没有成为严密的XOR动作，但是通过求适当时间中的平均电位， 能够提高动作精度，同时通过积极地利用概率性的动作，还能够进行 在现有的CMOS电路中不能够实现的智能处理。
在上述的实施形态中，说明了根据信息电极的电位而移动的电荷 载体是电子的情况，但是并不限定于此，作为电荷载体显然也可以是 空穴。
另外，本发明对于例示的实施例进行了说明，而在不脱离本发明 的宗旨以及范围的情况下，可以进行实施例中的各种变更、省略和添 加。从而，本发明并不是限定于上述的实施例，而必须理解为包括根 据在权利要求的范围内所述的要素规定的范围及其均等范围。
产业上的可用性
如从以上的说明所理解的那样，本发明的信息处理结构体利用包 含在MOSFET的栅极电极上形成的10nm至0.3nm级大小的量子点的单 电子电路进行并行信息处理，通过把其处理结果作为MOSFET的漏极电 流取出，能够利用MOSFET综合各个单电子电路的处理结果进行宏信息 处理。从而，能够在一个MOSFET上进行多比特图形的相似性计算。
在第1实施形态中说明的本发明的信息处理结构体能够以简单的 结构比较图形的相似性。在第2实施形态中说明的本发明的信息处理 结构体与第1实施形态相比较虽然稍稍复杂，但是具有能够把相似性 (汉明距离)作为稳定状态的电子的个数明确地定量化的优点。另外， 在第3实施形态中说明的本发明的信息处理结构体能够谋求提高动作 温度，在室温下也能进行动作。
如以上那样，如果依据本发明，则由于功耗极低、同时显示出极 高的集成性，因此通过进行超并行动作可以得到高速的处理速度。进 而，根据由多个量子点进行的并行动作，利用冗余结构以及多数逻辑， 作为电路总体能够尽可能抑制偏置电荷的影响。从而，本发明的信息 处理结构体能够应用在利用图形的相似性进行信息处理的装置或者基 于神经网络的智能处理机·学习机，以及联想处理装置等中。
这样，如果依据本发明，则提供在室温下通过单电子动作可以得 到高速稳定的动作的基于极其出色的单电子电路的信息处理结构体。
本申请是申请号为01801126.8、申请日为2001年3月27日的原 案申请的分案申请，该原案的国际申请号为PCT/JP01/02469，最早优 先权日为2000年4月28日。
图1以及图2示出本发明的信息处理结构体的第1实施形态。
图1中，信息处理结构体10由形成在MOSFET11的栅极电极12的 正上方的10nm至0.3nm大小的多个量子点13；从上方与各个量子点 13接触那样形成在量子点13上的电源电极14；以及对于各个量子点 13分别从两侧接触那样形成的信息电极15构成。
各个量子点13沿着栅极电极12排成一列，例如是通过自组织化 形成法形成的微小导电体或者微小半导体，相当于SET的孤立节点。
进而，各个量子点13对于栅极电极12构成隧道结。另外，MOSFET11 的栅极电容相当于上述的电容器Co。
上述电源电极14在图示的情况下，形成片形使得从上方与所有的 量子点13接触，对于各个量子点13构成隧道结。进而，对上述电源 电极14供给电源电压Vdd。
上述信息电极15由位于各个量子点13一侧的接受输入图形的第1 信息电极15a(Va)和位于另一侧的接受参考图形的第2信息电极15b (Vi)构成，每一个都通过电容结对于量子点13进行耦合。
这种情况下，信息电极15例如通过基于光刻的布线图形构成，但 也可以通过存储电荷的量子点构成。
进而，由于同一的输入信号也可以共同地输入到多个量子点13， 因此与量子点13的大小相比较，信息电极15的布线图形粗，或者其 量子点大。
这样，一对量子点13与两对信息电极15a、15b一起构成SET对， 构成图2所示的等效电路。成为与图15所示的单电子逻辑电路相同的 结构。
本发明的信息处理结构体10如以上那样构成，在各个SET对中， 在一对信息电极15a、15b上接受要进行比较的两个数字图形的各比特 的输入电压Va、Vi，在另一对信息电极15a、15b上接受Va、Vi的翻 转电压，由此，与图15的单电子逻辑电路相同地进行信息处理，其结 果电容器Co的电位Vco上升，进而作为MOSFET的漏极电流取出。
由此，与图15所示的单电子逻辑电路相同，要进行比较的两个数 字图形的相似性越大，则汉明距离越小，电容器Co的电位上升越快， 因此根据其上升速度的比较能够相对地决定汉明距离。
这种情况下，由于各个SET对的功耗极低，同时显示出极高的集 成性，因此通过进行超并行动作，作为电路总体可以得到高速的处理 速度。
进而，通过多个量子点13的并行动作，利用冗余结构以及多数逻 辑，作为电路总体能够尽可能抑制偏置电荷的影响。
这里，电源电极14例如可利用以往的光刻布线来构成，因此能够 更简单地以低成本形成并行结构或者冗余结构。
进而，在信息电极15由量子点构成的情况下，由于信息电极15 可以保持电子，因此能够使信息存储在信息电极15自身中，从而不需 要对于信息电极15设置存储信息的装置。
其次，说明本发明的信息处理结构体的第2实施形态。
图3至图6示出本发明的信息处理结构体的第2实施形态。图3 中，信息处理结构体20由形成在MOSFET11的栅极电极12正上方的多 个量子点13；由从上方与各个量子点13接触那样形成在量子点13上 的3个第2量子点12a组成的量子点列21；从上方与该量子点列21 接触那样形成在量子点列21上的电源电极14；以及对于各个量子点列 21两端的第2量子点21a分别从两侧接触那样形成的作为信息电极的 量子点22构成。
另外，在与图1所示的信息处理结构体10中的构成要素相同的构 成要素上标注相同的符号，省略其说明。
上述量子点列21中，在各个第2量子点21a之间构成隧道结，同 时，在两端的第2量子点21a与信息电极22之间，而且在第2量子点 21a与电源电极14之间，构成电容结。
信息电极22分别设置在量子点列21的两端，同时分别由量子点 构成。
这里，图4是根据蒙特卡罗模拟法，把量子点的寄生电容也作为 参数，计算该单电子逻辑电路为了进行动作所需要的上述电容器Co的 容量范围的图。如图4所示，由于在10-15F级下也能够进行动作，因 此作为MOSFET11，能够利用栅极长度10nm级的微细MOSFET。
在这样构成的信息处理结构体20中，一个量子点13与一组量子 点列21、一对信息电极22一起，构成图5所示的等效电路。
而且，如图6所示，在上述量子点列21的第2量子点21a(图示 的情况下，是中央的量子点21a)上放置电子eM。这可以通过在电源电 极14上加入高电压，例如利用福勒·诺德海姆·隧道现象，把电子提 供给该量子点21a进行。
另外，在量子点列21的外侧，还可以设置电容耦合的第2电源电 极(未图示)，在该第2电源电极上加入高电压，同样利用福勒·诺 德海姆·隧道现象，把电子提供到该量子点21a。这种情况下，还可以 在该部分上照射光，通过光能的辅助，使电子穿过。
如果这样做，则不需要单独配置用于放置电子的布线图形，而且 能够直接使图像数据等的数字图形存储在量子点中。
这里，在两端的信息电极22的电位相等时，由于作用在电子eM 上的库仑力对称，因此如图6(B)所示，电子eM在中央的量子点21a 稳定。
与此相反，在两个信息电极22的电位不相等时，如图6(C)所示， 电子eM脱离中央的量子点21a，移动并稳定在某一个端部的量子点21a (图示的情况是左端的量子点21a)。
由此，根据电子eM是否位于中央的量子点21a，能够判断2个信 息电极22的数据是否相等。即，量子点列21成为作为判断点列实现 异逻辑。
这样，在量子点列21中，通过电子eM根据2个信息电极22的电 位而移动，能够利用位于量子点13的电子eR检测该电子eM。
即，如图5所示，在电子eM位于量子点列21的中央的第2量子点 21a时，量子点13的电子eM利用库仑排斥力穿过电容器Co。由此，信 息处理结构体20实现比特比较器，即异逻辑(XOR)，与图1的信息 处理结构体10的情况相同，通过共用电容器Co、把多个比特比较器连 接，在电容器Co中存储对应于汉明距离的个数的电子，能够将其作为 MOSFET的漏极电流取出。这种情况下，汉明距离通过电容器Co的稳 定状态作为电子的个数来检测，因此能够表示正确的汉明距离。
另外，经过电容结对电子eM存在的量子点13加入偏置电压，通过 适当地调整该偏置电压使移动了的电子返回到电容器Co，来进行初始 化。
在图3所示的信息处理结构体20中，与量子点列21的中央的第2 量子点21a相对，设置量子点13，而也可以如图7所示，对于量子点 列21两端的第2量子点21a，设置2个量子点13使得分别相对，在中 央的第2量子点21a放置电子eM。这种情况下，2个量子点13与一组 量子点列21一对信息电极22一起构成图8所示的等效电路。
如果依据这样的结构，则同样在量子点列21中，通过电子eM根据 2个信息电极22的电位而移动，能够利用放置在量子点13的电子eR 检测该电子eM。
即，如图8所示，在电子eM不位于量子点列21的中央的第2量子 点21a的情况下，任何一方的量子点13的电子eR利用位于与其相对的 第2量子点21a的电子eM之间的库仑排斥力穿过电容器Co。由此，通 过信息处理结构体20实现比特比较器即实现异非(XNOR)，同样，通 过共用电容器Co、连接多个比特比较器，在电容器Co中存储对应于汉 明距离的个数的电子，可将其作为MOSFET的漏极电流取出。
其次，说明本发明的信息处理结构体的第3实施形态。
图9至图13示出本发明信息处理结构体的最佳的第3实施形态。
图9中，信息处理结构体30与图3所示的信息处理结构体20相 比较，结构上的不同点在于把构成量子点列21的第2量子点21a例如 增加到11个，同时，利用由3个量子点31a组成的量子点列31来构 成量子点13，进而，量子点列21的中央的第2量子点21a通过电容结 (C3)接地。如果通过量子点、量子点间的距离以及量子点与电极间 的距离模式地示出该结构，则信息处理结构体30成为图10所示的结 构。
如果依据这样结构的信息处理结构体30，则通过适当地设定信息 电极22的电位，如图11(A)所示，在量子点列21总体中构成势垒， 使得在中央部分电势稍低，在两端电势为最低。
从而，在双方的信息电极22的电位相等时，根据这样的势垒，位 于中央的电子滞留在中央而不能够移动。当然，如果温度上升并且经 过长时间，通过热能的辅助，即通过热波动，位于中央的电子能够越 过两侧的势垒移动到两端的量子点21a。
与此不同，在双方的信息电极22的电位不同时，如图11(B)所 示，由于量子点列21的一侧(图示的情况是右侧)的端部附近的势垒 最低，并且一直到该处势垒都在降低，因此位于中央的电子可以向右 端的量子点21a移动。图12示出对电子存在的量子点的位置与系统总 体的能量的关系进行模拟的结果。
这样，在室温附近某个时间范围内观察时，在信息电极22、22的 电位相同时，电子位于量子点列的中央的量子点，在信息电极的电位 不同时，电子位于量子点列的某一个端部的量子点。
从而，与图3所示的信息处理结构体20的情况相同，通过共用电 容器Co，连接多个图9的结构，在作为MOSFET的栅极电容的电容器 Co中存储对应于汉明距离的个数的电子，能够把其作为MOSFET的漏 极电流取出。
这种情况下，信息处理结构体30通过由多个量子点21a构成量子 点列21，能够利用热波动进行概率性的动作，由此，即使在室温下也 能够充分地进行动作。
例如，如果把电容器Co的容量取为100aF，隧道电阻取为5MΩ， 在10-6秒左右的时间范围内进行观测，则如图13的模拟结果所示那 样，在室温(300K)下，能够进行大致正常的XOR动作。
另外，这种情况下由于信息处理结构体30进行概率性的动作，因 此虽然没有成为严密的XOR动作，但是通过求适当时间中的平均电位， 能够提高动作精度，同时通过积极地利用概率性的动作，还能够进行 在现有的CMOS电路中不能够实现的智能处理。
在上述的实施形态中，说明了根据信息电极的电位而移动的电荷 载体是电子的情况，但是并不限定于此，作为电荷载体显然也可以是 空穴。
另外，本发明对于例示的实施例进行了说明，而在不脱离本发明 的宗旨以及范围的情况下，可以进行实施例中的各种变更、省略和添 加。从而，本发明并不是限定于上述的实施例，而必须理解为包括根 据在权利要求的范围内所述的要素规定的范围及其均等范围。
产业上的可用性
如从以上的说明所理解的那样，本发明的信息处理结构体利用包 含在MOSFET的栅极电极上形成的10nm至0.3nm级大小的量子点的单 电子电路进行并行信息处理，通过把其处理结果作为MOSFET的漏极电 流取出，能够利用MOSFET综合各个单电子电路的处理结果进行宏信息 处理。从而，能够在一个MOSFET上进行多比特图形的相似性计算。
在第1实施形态中说明的本发明的信息处理结构体能够以简单的 结构比较图形的相似性。在第2实施形态中说明的本发明的信息处理 结构体与第1实施形态相比较虽然稍稍复杂，但是具有能够把相似性 (汉明距离)作为稳定状态的电子的个数明确地定量化的优点。另外， 在第3实施形态中说明的本发明的信息处理结构体能够谋求提高动作 温度，在室温下也能进行动作。
如以上那样，如果依据本发明，则由于功耗极低、同时显示出极 高的集成性，因此通过进行超并行动作可以得到高速的处理速度。进 而，根据由多个量子点进行的并行动作，利用冗余结构以及多数逻辑， 作为电路总体能够尽可能抑制偏置电荷的影响。从而，本发明的信息 处理结构体能够应用在利用图形的相似性进行信息处理的装置或者基 于神经网络的智能处理机·学习机，以及联想处理装置等中。
这样，如果依据本发明，则提供在室温下通过单电子动作可以得 到高速稳定的动作的基于极其出色的单电子电路的信息处理结构体。
本申请是申请号为01801126.8、申请日为2001年3月27日的原 案申请的分案申请，该原案的国际申请号为PCT/JP01/02469，最早优 先权日为2000年4月28日。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种基于SOI量子线的单电子晶体管及其制作方法 | 2020-06-01 | 630 |
| 利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法 | 2020-06-16 | 346 |
| 提高AlGaN/GaN异质结场效应晶体管线性度的方法 | 2020-06-06 | 584 |
| 用于无中子和中子聚变的旋转高密度聚变反应器 | 2020-06-18 | 684 |
| 单电子磁电阻结构及其应用 | 2020-05-12 | 302 |
| 对电荷超敏感的库仑计及其制备方法 | 2020-05-14 | 587 |
| 有自校准功能的对电荷超敏感的库仑计及其制备方法 | 2020-06-14 | 867 |
| 亚稳态辅助量子点共振隧穿二极管及工作条件 | 2020-06-12 | 602 |
| 对电荷超敏感的库仑计 | 2020-05-23 | 415 |
| 一种基于量子点的单电子自旋过滤器 | 2020-05-16 | 592 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
库仑势垒热门专利
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈