标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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绝缘填充层的表面平坦化方法 | 2020-08-03 | 758 |
与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 | 2020-07-31 | 812 |
硅外延生长的工艺方法 | 2020-07-15 | 678 |
制作沟槽和浅沟槽隔离结构的方法 | 2020-07-16 | 451 |
热光移相器及其制造方法 | 2020-07-24 | 837 |
电光装置、其制造方法以及电子设备 | 2020-08-01 | 472 |
一种采用N型碳化硅衬底制作N沟道IGBT器件的方法 | 2020-07-18 | 273 |
一种肖特基势垒二极管芯片生产工艺 | 2020-07-19 | 806 |
一种选择性发射极的背钝化晶体硅太阳能电池的制备方法 | 2020-07-26 | 18 |
一种MOS场效应晶体管结构及其制备方法 | 2020-07-20 | 878 |
用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统 | 2020-07-27 | 98 |
与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 | 2020-07-28 | 481 |
一种MOS场效应晶体管结构及其制备方法 | 2020-07-21 | 772 |
用于清洗半导体薄膜沉积设备的化学溶液的加排液系统 | 2020-07-29 | 737 |
一种基于PN结的硅通孔结构及其制作方法 | 2020-07-30 | 600 |
一种采用N型碳化硅衬底制作N沟道IGBT器件的方法 | 2020-07-22 | 290 |
一种肖特基势垒二极管芯片及其生产工艺 | 2020-07-23 | 224 |
低K金属前电介质半导体结构 | 2020-07-17 | 779 |
MEMS器件及其制造方法 | 2020-07-25 | 550 |
隔离沟槽薄膜填充结构、半导体存储器件及制备方法 | 2020-08-02 | 833 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | 2020-05-25 | 988 |
化学气相淀积装置中硅基气体的控制方法 | 2020-05-18 | 21 |
控制气氛化学气相淀积的设备和方法 | 2020-05-13 | 286 |
一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅 | 2020-05-24 | 780 |
常压化学气相淀积反应腔 | 2020-05-11 | 686 |
制备氧化铁烟敏薄膜的方法 | 2020-05-16 | 973 |
常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统 | 2020-05-11 | 918 |
一种有效控制功率器件终端场氧化层角度的方法 | 2020-05-19 | 847 |
常压化学气相淀积中的工艺流程控制方法及系统 | 2020-05-11 | 886 |
B超探头消毒机 | 2020-05-16 | 527 |
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