专利汇可以提供利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种利用调制的复合一维 纳米材料 制备单 电子 器件的方法,本发明的方法包括以下步骤:1)用 化学气相沉积 方法制备 碳 纳米管 ,在其生长过程中填充过量的金属或非金属引入势垒,得到有调制结构的复合一维 碳纳米管 ;2)用微电子 光刻 技术制备 电极 ;3)将上述有调制结构的碳纳米管和电极进行组装和纳米加工,得到单电子器件。用本发明的方法制备单电子器件,通过调节势垒的间距,可以使单电子器件的 工作 温度 达到室温或更高温,具有重要的理论及实际意义。,下面是利用调制的复合一维纳米材料制备单电子器件的方法专利的具体信息内容。
1.一种制备单电子器件的方法,包括以下步骤:1)用化学气相沉积方法制备 碳纳米管,在其生长过程中填充过量的金属或非金属引入势垒,得到有调制结构的 复合一维碳纳米管;2)用微电子光刻技术制备电极;3)将上述有调制结构的碳纳 米管和电极进行组装和纳米加工,得到单电子器件。
2.根据权利要求1所述的制备单电子器件的方法,其特征是决定单电子器件 工作温度的库仑岛的尺寸是由势垒间距决定的。
3.根据权利要求1所述的制备单电子器件的方法,其特征是,所述有调制结 构的复合一维碳纳米管是在二氯乙烷中超声分散后组装到所述电极上的;所述纳米 加工的手段为聚焦离子束工作站或电子束曝光机。
4.根据权利要求3所述的制备单电子器件的方法,其特征是所述复合一维碳 纳米管在二氯乙烷中超声分散后,通过滴洒组装在所述电极上的,通过控制滴洒的 溶液浓度和溶液量控制电极上碳管的数目。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的制备单电子器件的方法,其特征是所 述引入势垒制备有调制结构的复合一维碳纳米管时填充的金属为Fe、Co、Ni或 Ag。
6.根据权利要求5所述的制备单电子器件的方法,其特征是所述引入势垒制 备有调制结构的复合一维碳纳米管中使用的是溶解在300毫升芳香类有机溶剂中 的0.08克酞氰铁或二茂铁。
7.根据权利要求6所述的制备单电子器件的方法,其特征是所述芳香类有机 溶剂为二甲苯。
8.根据权利要求1或2或3或4所述的制备单电子器件的方法,其特征是所 述引入势垒制备有调制结构的复合一维碳纳米管时填充的非金属为N或P。
9.根据权利要求1或2或3或4所述的制备单电子器件的方法,其特征是所 述用微电子光刻技术制备的电极,电极间距100纳米到1微米,线宽100到300 纳米。
10.权利要求1所述的制备单电子器件的方法在纳电子学研究和纳电子器件制 备中的应用。
本发明属于纳电子学和纳电子器件领域,具体为利用调制的复合一维纳米材料 制备单子器件,并提高工作温度到室温或更高的方法。
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