一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法
专利汇可以提供一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 涉及一种IC级重掺砷 硅 抛光 片表面粗糙度的控制方法，该方法是将抛光分为五个阶段，五个阶段的抛光过程 温度 控制到25℃-28℃；PH控制到10.5-11；在第三阶段将抛光时间缩短为6-8分钟；在第四阶段将抛光时间延长到2-3分钟，压 力 从0.1KN提高到0.2KN，同时在抛光结束前添加高纯 表面活性剂 至第五阶段结束；采用本发明，可以有效控制化学与机械抛光的平衡度，从而防止抛光片表面容易因化学或机械作用过强而引起 硅片 表面粗糙，使IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度符合标准，提高后续加工过程的图形良率。，下面是一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法专利的具体信息内容。
1.一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法，其特征在于它经过下列阶段：A、在抛光机中加入PH值为10.5～11的抛光液后，进入第一阶段抛光，将温度控制在20℃～
23℃，压力控制在0.3～0.5KN，时间控制在20～30秒；B、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第二阶段抛光，将温度控制在20℃～23℃，压力控制在0.5～1KN，时间控制在30～60秒；C、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第三阶段抛光，将温度控制在25℃～30℃，压力控制在2.0～2.5KN，时间控制在6～8分钟；D、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第四阶段抛光，将温度控制在25℃～30℃，压力控制在0.1～0.2KN，时间控制在2～3分钟，并在该阶段结束前20～25秒时将抛光液切换为高纯表面活性剂；F、进入第五阶段抛光，将温度控制在20℃～23℃，压力控制在0.1～0.3KN，时间控制在30～60秒，即可完成抛光。
一种IC级重掺砷硅抛光片表面粗糙度的控制方法
技术领域
背景技术
发明内容
具体实施方式
20℃～23℃，压力控制在0.3～0.5KN，时间控制在20～30秒；
二、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第二阶段抛光，将温度控制在20℃～23℃，压力控制在0.5～1KN，时间控制在30～60秒；
三、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第三阶段抛光，将温度控制在25℃～30℃，压力控制在2.0～2.5KN，时间控制在6～8分钟；
四、抛光液PH值保持在10.5～11，进入第四阶段抛光，将温度控制在25℃～30℃，压力控制在0.1～0.2KN，时间控制在2～3分钟，并在该阶段结束前20～25秒时将抛光液
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