[0001] 本
申请参照于2011年9月15日在先提交到韩国知识产权局并被适时编号为10-2011-0093072的申请，将该申请包含于此并要求该申请的所有权益。
技术领域
[0002] 本
发明总体涉及一种制造掩模的方法。更具体地说，本发明涉及一种制造用于沉积工艺的沉积掩模或用于曝光工艺的光掩模的方法。
背景技术
[0003] 平板显示器或
半导体装置的形成可包括在基底上沉积薄的图案的步骤。例如，可利用沉积掩模将薄的图案直接形成在基底上。可选地，可通过将雕刻在光掩模上的图案转印到沉积在基底上的层上来形成薄的图案。近来，为了满足高
密度半导体装置或高
分辨率平板显示器的要求，已经需要能够在基底上沉积或转印高分辨率图案的沉积掩模或光掩模。
发明内容
[0004] 本发明的
实施例提供一种制造具有高
精度精细图案的掩模的方法。
[0005] 根据本发明的实施例，一种制造掩模的方法可以包括：将掩模基底
图案化以形成初始肋；去除初始肋的上边缘部分以形成最终肋，最终肋限定缝隙并且最终肋的顶部宽度小于初始肋的顶部宽度。
[0006] 在一些实施例中，形成初始肋的步骤和形成最终肋的步骤可包括至少一个
光刻工艺。
[0007] 在一些实施例中，形成初始肋的步骤可包括：在掩模基底的顶表面上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案的顶部宽度大于最终肋的顶部宽度；在掩模基底的底表面上形成第二光致抗蚀剂图案，以面对第一光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案的底部宽度基本等于最终肋的底部宽度；利用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的顶表面和底表面，以形成第一凹陷和第二凹陷；形成第三光致抗蚀剂图案以
覆盖第一光致抗蚀剂图案和第一凹陷；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案和第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底，以形成限定初始肋的
侧壁的通孔。
[0008] 在一些实施例中，第一光致抗蚀剂图案之间的空间可比缝隙的宽度小。
[0009] 在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖第二光致抗蚀剂图案和初始肋的侧壁的一部分；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案、第三光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分。在俯视图中，底部光致抗蚀剂图案的宽度与最终肋的顶部宽度可以基本相等。
[0010] 在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：去除第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案；形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖初始肋的底表面和侧壁；在初始肋的顶表面上形成上光致抗蚀剂图案，上光致抗蚀剂图案具有与最终肋的顶部宽度基本相等的宽度并且面对底部光致抗蚀剂图案；利用上光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分。
[0011] 在一些实施例中，可利用
湿蚀刻工艺以
各向同性蚀刻的方式执行形成通孔的步骤。
[0012] 在一些实施例中，掩模可以是用于沉积工艺的沉积掩模和用于光刻工艺的光掩模中的一种。
[0013] 在一些实施例中，每个最终肋可具有顶部宽度可大于其底部宽度的镜像对称的梯形剖面，最终肋可包括从最终肋的顶表面的边缘沿竖直方向向下延伸的线性侧壁，以及从线性侧壁的边缘以向上凹的方式延伸至最终肋的底表面的边缘的弯曲侧壁。
[0014] 根据本发明的实施例，一种制造掩模的方法可包括下述步骤：利用光刻工艺形成初始肋；利用光刻工艺去除初始肋的上边缘部分，以形成限定缝隙并且顶部宽度小于初始肋的顶部宽度的最终肋。最终肋可具有顶部宽度可大于底部宽度的镜像对称的梯形剖面，最终肋可包括从最终肋的顶表面的边缘沿竖直方向向下延伸的线性侧壁，以及从线性侧壁的边缘以向上凹的方式延伸至最终肋的底表面的边缘的弯曲侧壁。
[0015] 在一些实施例中，形成初始肋的步骤可包括：在掩模基底的顶表面上形成第一光致抗蚀剂图案，第一光致抗蚀剂图案包括以比缝隙的宽度小的空间布置的部分，第一光致抗蚀剂图案的每个部分的宽度大于最终肋的顶部宽度；在掩模基底的底表面上形成第二光致抗蚀剂图案，第二光致抗蚀剂图案包括这样的部分，每个部分的宽度可与最终肋的底部宽度基本相等，并且每个部分可以与穿过第一光致抗蚀剂图案的对应部分的中心的轴对齐；利用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的顶表面以形成深度可小于最终肋的线性侧壁的竖直长度的第一凹陷，并且利用第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底的底表面以形成深度可小于最终肋的弯曲侧壁的高度的第二凹陷；形成第三光致抗蚀剂图案，以覆盖第一光致抗蚀剂图案和第一凹陷；利用第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底，以形成延伸的曲线侧壁，延伸的曲线侧壁的曲线长度大于最终肋的弯曲侧壁的曲线长度。
[0016] 在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖第二光致抗蚀剂图案和初始肋的延伸的曲线侧壁的一部分；利用第一光致抗蚀剂图案、第二光致抗蚀剂图案、第三光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的延伸的曲线侧壁，以形成具有线性侧壁和弯曲侧壁的最终肋。在俯视图中，底部光致抗蚀剂图案的宽度可与最终肋的顶部宽度基本相等。
[0017] 在一些实施例中，形成最终肋的步骤可包括：去除第一光致抗蚀剂图案至第三光致抗蚀剂图案；形成底部光致抗蚀剂图案，以覆盖初始肋的底表面和延伸的曲线侧壁；在初始肋的顶表面上形成上光致抗蚀剂图案，上光致抗蚀剂图案包括这样的部分，每个部分的宽度可以与最终肋的顶部宽度基本相等，并且每个部分可以与穿过底部光致抗蚀剂图案的对应部分的中心的轴对齐；利用上光致抗蚀剂图案和底部光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋的上边缘部分，以形成具有线性侧壁和弯曲侧壁的最终肋。
[0018] 在一些实施例中，掩模可以是用于平板显示器和/或半导体装置的沉积工艺的沉积掩模，或者是用于平板显示器和/或半导体装置的光刻工艺的光掩模。
[0019] 在一些实施例中，可以利用湿蚀刻工艺以各向同性蚀刻的方式执行形成初始肋的延伸的曲线侧壁的步骤。
附图说明
[0020] 当与附图结合地考虑时，通过参照下面的详细描述，对本发明的更完整的理解以及本发明的许多附加优点将随着本发明被更清楚地理解而容易明白，在附图中相同的标号指示相同或相似的组件，其中：
[0021] 图1是用于制造平板显示器的沉积设备的剖视图；
[0022] 图2是示出图1中的掩模组件的放大透视图；
[0023] 图3是放大了图2中的图案区的一部分的剖视图；
[0024] 图4A至图4H是示出根据本发明实施例的制造掩模的方法的剖视图；
[0025] 图4I是示出根据本发明实施例的图4A至图4H中示出的制造掩模的方法的
流程图；
[0026] 图5A至图5I是示出根据本发明其它实施例的制造掩模的方法的剖视图；
[0027] 图5J是示出根据本发明其它实施例的图5A至图5H中示出的制造掩模的方法的流程图。
[0028] 应当注意的是，这些附图意图示出在特定实施例中应用的方法、结构和/或材料的共同特性，以对下面提供的文字描述进行补充。然而，这些附图并不是成比例的，并且可能不会精确地反应任何给出的实施例的精确的结构或性能特性，而不应被解释为限定或限制由示例性实施例所包括的值或性质的范围。例如，为了清楚起见，可缩小或夸大分子、层、区域和/或结构元件的相对厚度和
定位。在不同的附图中使用相似或相同的标号意图表示存在的相似或相同的元件或特征。
具体实施方式
[0029] 现在将参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例，在附图中示出了示例性实施例。然而，本发明的示例性实施例可以以许多不同的形式实施，并且不应被解释为局限于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完全的，并且这些实施例将把本发明实施例的构思充分地传达给本领域普通技术人员。在附图中，为了清楚起见，夸大了层和区域的厚度。相同的标号在附图中指示相同的元件，因此将省略对它们的描述。
[0030] 应该理解的是，当元件被称作“连接”或“结合”到另一元件时，该元件可以直接连接或结合到所述另一元件，或者可存在中间元件。相反，当元件被称作“直接连接”或“直接结合”到另一元件时，不存在中间元件。相同的标号始终表示相同的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。用于描述元件或层之间的关系的其它词语(例如，“在…之间”与“直接在…之间”、“相邻”与“直接相邻”、“在…上”与“直接在…上”)应当以相似的方式解释。
[0031] 应当理解的是，虽然在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离示例性实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分可被命名为第二元件、组件、区域、层或部分。
[0032] 为了易于描述，在这里可使用空间相对术语，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”、“上面的”等，用来描述在图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应该理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附图中的装置被翻转，则描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定位为“在”其它元件或特征“上方”。因而，示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并对在这里使用的空间相对描述符做出相应的解释。
[0033] 这里使用的术语仅为了描述特定实施例的目的，而不意图限制示例性实施例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还应理解的是，术语“包含”和/或“包括”(如果在此使用的话)说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
[0034] 在此参照作为示例性实施例的理想实施例(和中间结构)的示意图的剖视图来描述本发明的示例性实施例。这样，预计会出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的示例性实施例不应该被理解为局限于在此示出的区域的特定形状，而将包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出为矩形的注入区域在其边缘可具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二元变化。同样，通过注入形成的埋区会导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，在图中示出的区域实际上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，也不意图限制示例性实施例的范围。
[0035] 除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明的示例性实施例所属领域的普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的那些术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而不将理想地或者过于正式地解释它们的意思。
[0036] 为了简单起见，下面的描述将涉及本实施例的示例，其中掩模是例如用于制造平板显示器(FPD)的沉积设备的沉积掩模，然而本发明的示例性实施例可不限于此。例如，这里描述的制造掩模的方法可被用于制造多种掩模，例如用于制造半导体装置的沉积掩模或用于光刻工艺的光掩模。
[0037] 在一些实施例中，沉积掩模可用来沉积用作例如有机电致发光(EL)显示装置的
电极(即，
阳极和
阴极)和有机发射层的层。在其它实施例中，沉积掩模可用来利用热沉积法或
电子束沉积法在
半导体晶片上形成图案。
[0038] 光掩模可用来利用光刻工艺将设置在其中的图案图像转印至设置在基底上的光致抗蚀剂层上。在一些实施例中，光掩模的图案图像可对应于构成
液晶显示装置的
薄膜晶体管或
像素电极的元件。在其它实施例中，光掩模的图案图像可对应于构成半导体装置的至少一个元件。
[0039] 图1是用于制造平板显示器的沉积设备的剖视图。
[0040] 参照图1，沉积设备10可包括室100、沉积源200、掩模组件300和紧固构件400。
[0041] 室100可被构造为提供用于沉积工艺的空间。为此，可执行沉积工艺来供应有机材料并在基底S上沉积有机发射层。
真空泵(未示出)可连接到室100，以降低室100的压
力。
[0042] 在一些实施例中，沉积源200可设置在室100的内部空间的下部，以将有机材料供应到设置在室100的内部空间的上部的基底S的沉积表面。掩模组件300可包括掩模
框架320和掩模340，并可设置在室100的内部空间的上部，以面对沉积源200。基底S可设置在掩模组件300上。基底S可被设置为与掩模组件300竖直地分隔开预定的空间。另外，在俯视图中，基底S可与掩模框架320的开口322的整个敞开区域重叠。从沉积源200供应的有机材料可穿过掩模框架320的开口322和掩模340的缝隙图案(未示出)沉积在基底S的沉积表面(即，底表面)上。结果，沉积在基底S上的有机层可包括有机图案，有机图案的形状可对应于掩模340的缝隙图案的形状。紧固构件400可设置在有机材料从沉积源200到基底S的供应路径外部，以
支撑掩模组件300的边缘部分。
[0043] 图2是示出图1中的掩模组件的放大透视图。
[0044] 参照图2，掩模组件300可包括掩模框架320和多个掩模340。
[0045] 掩模框架320可为类似其内设置有开口322的矩形板的形状。掩模340可通过
焊接工艺的方式紧固在掩模框架320上。掩模框架320可由具有高刚性(即，在外力作用下表现出低
变形特性)的金属材料形成。开口322可形成为具有足够大的敞开面积来充分覆盖沉积工艺的目标物体(例如，图1中的基底S的显示区)，并且可以例如为类似矩形的形状。
[0046] 在下文中，为了简单起见，将使用第一方向I和第二方向II来分别表示与掩模框架320的长边和短边平行的方向，将使用第三方向III来表示与掩模框架320垂直的方向，如图2中所示。
[0047] 每个掩模340的形状可像沿第二方向II延伸的矩形板。掩模340可以是由金属膜形成的精细金属掩模。例如，掩模340可包括由不锈
钢、不胀钢(invar)、镍、钴或它们的任意
合金形成的层。在掩模340的纵向方向(即，第二方向II)中，每个掩模340可具有设置在其中心区域的图案区350，焊接区342和344设置在中心区的两侧。多个掩模340可以在掩模框架320上沿第一方向I彼此相邻地一维地布置。可设置每个掩模340以覆盖掩模框架320的开口322。掩模340的焊接区342和344可焊接到掩模框架320的长边。
[0048] 图3是放大了图2中的图案区的一部分的剖视图。
[0049] 参照图2和图3，每个掩模340的图案区350可包括限定多个缝隙352的多个最终肋354和354′。每个缝隙352可具有由分别设置在其左侧和右侧的两个最终肋354和354′限定的剖面。在一些实施例中，最终肋354和354′可具有彼此相同的形状。
[0050] 最终肋354的顶表面354a可比最终肋354的底表面354b宽，并且最终肋354可相对于穿过其中心点具有镜像对称。例如，在剖视图中，最终肋354的形状可像对称的梯形。最终肋354可包括线性侧壁354c和弯曲侧壁354d，每个线性侧壁354c从顶表面354a的边缘沿竖直方向向下延伸，每个弯曲侧壁354d从对应的线性侧壁354c的边缘以向上凹的方式延伸至底表面354b的边缘。
[0051] 缝隙352可包括分别由最终肋354和354′的弯曲侧壁354d和354′d限定的的入口352a以及分别由最终肋354和354′的线性侧壁354c和354′c限定的的出口352b。从沉积源200(在图1中)供应的有机材料可穿过掩模框架320的开口322并穿过缝隙352的入口352a和出口352b沉积在基底S(在图1中)的沉积表面上。
[0052] 为了实现高分辨率平板显示器，掩模340应当被构造为具有精细的图案。例如，最终肋354和354′应当被形成为具有减小的间距和/或减小的尺寸。然而，最终肋354和354′的尺寸减小会导致制造掩模340的工艺中的技术难度。例如，线性侧壁354c和354′c可能会从最终肋354和354′中消失。如果未将线性侧壁354c和354′c形成为具有期望的结构，则最终肋354和354′可能会具有降低的刚性，并且可能会变形或扭曲。
这会导致掩模340的图案失效。
[0053] 上述困难可通过根据本发明示例性实施例的制造掩模的方法克服。例如，该方法可包括分别形成最终肋354和354′的线性侧壁354c和354′c，以具有期望的尺寸、形状和/或结构。在下文中，将参照附图更详细地描述根据本发明示例性实施例的制造掩模的方法。
[0054] 图4A至图4H是示出根据本发明实施例的制造掩模的方法的剖视图。图4I是示出根据本发明实施例的图4A至图4H中示出的制造掩模的方法的流程图。
[0055] 参照图3和图4A至图4I，制造掩模的方法可包括如参照图4A至图4E所描述的形成初始肋的步骤以及如参照图4F和图4G所描述的形成最终肋354和354′的步骤。可将初始肋形成为具有比最终肋354和354′的顶表面宽的顶表面，并且最终肋354和354′的形成可包括去除初始肋的顶表面的两个端部。在一些实施例中，初始肋的形成可包括至少一个光刻工艺(如参照图4A至图4E所描述的)，最终肋的形成可包括至少一个光刻工艺(如参照图4F和图4G所描述的)。
[0056] 参照图4A和图4I，在步骤401，可设置掩模基底MS以形成初始肋并形成缝隙图案。掩模基底MS可以是由
不锈钢、不胀钢、镍、钴或它们的任意合金的金属板。
[0057] 参照图4B和图4I，在步骤402，可在掩模基底MS的顶表面上形成第一光致抗蚀剂图案PR-1。第一光致抗蚀剂图案PR-1可被形成为具有比最终肋354或354′的顶表面的宽度大的宽度。第一光致抗蚀剂图案PR-1之间的空间可比缝隙352的出口352b的宽度小。在步骤402，可在掩模基底MS的底表面上形成第二光致抗蚀剂图案PR-2。第二光致抗蚀剂图案PR-2可被形成为具有与最终肋354或354′的底表面的宽度对应(例如，相等)的宽度。第二光致抗蚀剂图案PR-2可形成在掩模基底MS的底表面上，以面对设置在掩模基底MS的顶表面上的第一光致抗蚀剂图案PR-1，并与穿过第一光致抗蚀剂图案PR-1的中心点的轴对齐。
[0058] 参照图4C和图4I，可利用第一光致抗蚀剂图案PR-1作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底MS的顶表面，以形成第一凹陷(或顶部凹陷)E1(步骤403)。第一凹陷E1可被形成为具有比最终肋354或354′的线性侧壁354c的竖直长度浅的深度。可利用第二光致抗蚀剂图案PR-2作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底MS的底表面，以形成第二凹陷(或底部凹陷)E2(步骤403)。第二凹陷E2可被形成为具有相应地比最终肋354或354′的弯曲侧壁354d和354′d的竖直厚度浅的深度。可分别利用各向同性蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)来形成第一凹陷E1和第二凹陷E2。
[0059] 参照图4D和图4I，在步骤404，可在掩模基底MS的顶表面上形成第三光致抗蚀剂图案PR-3，以覆盖第一光致抗蚀剂图案PR-1和第一凹陷E1。
[0060] 参照图4E和图4I，在步骤405，可分别利用第一光致抗蚀剂图案PR-1、第二光致抗蚀剂图案PR-2和第三光致抗蚀剂图案PR-3作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底MS的底表面，以形成限定侧壁354d-1和354′d-1一级初始肋354-1和354′-1的通孔。具体地说，可分别利用第一光致抗蚀剂图案PR-1、第二光致抗蚀剂图案PR-2和第三光致抗蚀剂图案PR-3作为蚀刻掩模来蚀刻掩模基底MS的底表面，以扩大第二凹陷E2。可执行第二凹陷E2的扩大，以暴露第一凹陷E1的底表面并分别形成由延伸的曲线侧壁354d-1限定的初始肋354-1和由延伸的曲线侧壁354′d-1限定的初始肋354′-1。延伸的曲线侧壁354d-1和
354′d-1可被形成为具有在第一凹陷E1的附近延伸的部分，因此，延伸的曲线侧壁354d-1和354′d-1的每个的曲线长度可大于弯曲侧壁354d或354′d的曲线长度。可利用各向同性蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)来执行第二凹陷E2的扩大。
[0061] 在下文中，将参照图4F至图4H描述形成最终肋354和354′的步骤。
[0062] 参照图4F和图4I，在步骤406，可在掩模基底MS的底表面上形成底部光致抗蚀剂图案PR-L1，以覆盖设置在初始肋354-1和354′-1上的第二光致抗蚀剂图案PR-2。在一些实施例中，底部光致抗蚀剂图案PR-L1可延伸为部分地覆盖延伸的曲线侧壁354d-1和354′d-1。底部光致抗蚀剂图案PR-L1可被形成为限定最终肋354和354′的
位置和平面占据面积。例如，底部光致抗蚀剂图案PR-L1可包括具有与最终肋的平面形状相同的平面形状的部分。根据本发明的一个实施例，在俯视图中，底部光致抗蚀剂图案PR-L1的宽度与最终肋的顶部宽度基本相等。
[0063] 参照图4G和图4I，在步骤407，可分别利用第一光致抗蚀剂图案PR-1、第二光致抗蚀剂图案PR-2和第三光致抗蚀剂图案PR-3以及底部光致抗蚀剂图案PR-L1作为蚀刻掩模来分别蚀刻初始肋354-1和354′-1的延伸的曲线侧壁354d-1和354′d-1，以形成最终肋354和354′。最终肋354可被形成为具有线性侧壁354c和弯曲侧壁354d，最终肋354′可被形成为具有线性侧壁354′c和弯曲侧壁和354′d。在一些实施例中，可利用各向同性蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)或
各向异性蚀刻工艺来执行对延伸的曲线侧壁354d-1和354′d-1的的蚀刻。
[0064] 参照图4H和图4I，在步骤408，可分别去除第一光致抗蚀剂图案PR-1、第二光致抗蚀剂图案PR-2、第三光致抗蚀剂图案PR-3以及底部光致抗蚀剂图案PR-L1，以暴露最终肋354和354′。在一些实施例中，最终肋354和354′可被形成为限定缝隙352。
[0065] 图5A至图5I是示出根据本发明其它实施例的制造掩模的方法的剖视图。图5J是示出根据本发明其它实施例的图5A至图5H中示出的制造掩模的方法的流程图。
[0066] 参照图3和图5A至图5J，制造掩模的方法可包括由图5A至图5E描述的形成初始肋的步骤以及由图5H至图5I描述的形成最终肋354和354′的步骤。可将初始肋形成为具有比最终肋354和354′的顶表面宽的顶表面，最终肋354和354′的形成可包括去除初始肋的顶表面的两个端部。在一些实施例中，初始肋的形成可包括至少一个光刻工艺(如图5A至图5E所描述的)，最终肋的形成可包括至少一个光刻工艺(如图5F至图5I所描述的)。
[0067] 在一些实施例中，可以以参照图4A至图4E所描述的方式基本相同的方式来执行图5A至图5E中示出的形成初始肋的步骤501-505，因此，为了简要起见，将不再详细描述这些步骤。在下文中，将参照图5F至图5J描述根据本发明的其它示例性实施例的形成最终肋354和354′的步骤506-509。
[0068] 参照图5F和图5J，在步骤506，可分别去除第一光致抗蚀剂图案PR-1、第二光致抗蚀剂图案PR-2和第三光致抗蚀剂图案PR-3，以暴露初始肋354-1和354′-1。
[0069] 参照图5G和图5J，在步骤507，可将底部光致抗蚀剂图案PR-L2形成为完全覆盖初始肋354-1和354′-1的底表面354b-1和354b′-1以及延伸的曲线侧壁354d-1和354d′-1。可在初始肋354-1和354′-1的顶表面上形成上光致抗蚀剂图案PR-U2。上光致抗蚀剂图案PR-U2可被形成为限定最终肋354和354′的位置和平面占据面积。例如，上光致抗蚀剂图案PR-U2可包括与最终肋354和354′具有相同的平面形状的部分。上光致抗蚀剂图案PR-U2可形成在初始肋354-1和354′-1上，以面对底部光致抗蚀剂图案PR-L2并且与穿过底部光致抗蚀剂图案PR-L2的中心点的轴对齐。
[0070] 参照图5H和图5J，在步骤508，可分别使用上光致抗蚀剂图案PR-U2和底部光致抗蚀剂图案PR-L2作为蚀刻掩模来蚀刻初始肋354-1和354′-1的顶表面。结果，可去除初始肋354-1和354′-1的被上光致抗蚀剂图案PR-U2暴露的部分，以分别形成最终肋354和354′。最终肋354可被形成为具有线性侧壁354c和弯曲侧壁354d，最终肋354′可被形成为具有线性侧壁354′c和弯曲侧壁和354′d。在一些实施例中，可利用各向同性蚀刻工艺(例如，湿蚀刻工艺)或各向异性蚀刻工艺来执行对初始肋354-1和354′-1的局部去除。
[0071] 参照图5I和图5J，在步骤509，可分别去除上光致抗蚀剂图案PR-U2和底部光致抗蚀剂图案PR-L2，以分别暴露最终肋354和354′。在一些实施例中，最终肋354和354′可被形成为限定缝隙352。
[0072] 根据本发明的前述示例性实施例，最终肋的形成可包括形成初始肋以及去除初始肋的边缘部分。这里，可将初始肋形成为顶部宽度大于最终肋的顶部宽度，初始肋之间的空间可比由最终肋限定的缝隙的宽度小。作为去除初始肋的边缘部分的结果，每个最终肋的顶部宽度可小于初始肋的顶部宽度。
[0073] 根据上述掩模制造方法，掩模可被制造为包括精细图案，即使在肋应当具有小的间距和小的尺寸以满足掩模图案最小化的要求的情况下，所述精细图案也能够满足其尺寸和形状的技术要求。结果，能够防止掩模的精细图案变形。
[0074] 根据本发明的前述示例性实施例，能够提供一种具有高精度精细图案的掩模。另外，能够防止掩模的精细图案变形。结果，该掩模能够满足高密度半导体装置或高分辨率平板显示器的技术要求。例如，掩模可被用于将设置在其上的高分辨率图案转印至目标物体。
[0075] 虽然已经具体示出并描述了本发明的示例性实施例，但是本领域普通技术人员应当理解，在不脱离
权利要求书的精神和范围的情况下，可以在此做出形式和细节上的改变。
