标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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半导体器件及其制造方法 | 2021-05-15 | 934 |
生产多层体的方法 | 2021-05-16 | 777 |
减少应力的TSV和插入结构 | 2021-05-25 | 329 |
小型三维垂直NAND及其制造方法 | 2021-05-26 | 388 |
双端纳米管器件和系统及其制作方法 | 2021-05-28 | 863 |
多层体及其制造方法 | 2021-05-18 | 995 |
双端纳米管器件和系统及其制作方法 | 2021-05-29 | 459 |
多层线路基板、多层线路基板用基材、印刷线路基板及其制造方法 | 2021-05-27 | 70 |
小型三维垂直NAND 及其制造方法 | 2021-05-19 | 103 |
非易失性存储器单元与非易失性存储器阵列及其操作方法 | 2021-05-30 | 799 |
电子部件和半导体装置、其制造方法和装配方法、电路基板与电子设备 | 2021-05-13 | 835 |
设计和制造精确折叠的高强度的抗疲劳的结构物的方法和用于该结构物的板材 | 2021-05-31 | 977 |
电子部件和半导体装置、其制造方法和装配方法、电路基板与电子设备 | 2021-05-14 | 618 |
具有比字线更厚的选择栅极电极的三维存储器器件及其制造方法 | 2021-05-21 | 769 |
每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列 | 2021-05-22 | 142 |
每一存储单元电荷存储元件具有双重控制栅极的闪速存储单元阵列 | 2021-05-23 | 989 |
半导体器件及其制造方法 | 2021-05-20 | 533 |
对粒子和电磁辐射的探测、测量及控制 | 2021-05-24 | 524 |
半导体器件及其制造方法 | 2021-05-12 | 526 |
双极晶体管的缩放 | 2021-05-17 | 457 |
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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亚分辨率硅特征及其形成方法 | 2020-05-15 | 368 |
供各向同性铜蚀刻的蚀刻调配物 | 2020-05-11 | 344 |
铜的各向同性蚀刻方法 | 2020-05-11 | 900 |
在半导体器件中形成钨插头的方法 | 2020-05-15 | 355 |
用于在狭小空间各向同性蚀刻硅的无残留的系统和方法 | 2020-05-12 | 652 |
半导体装置的制造方法、半导体装置 | 2020-05-17 | 15 |
用于在狭小空间各向同性蚀刻硅的无残留的系统和方法 | 2020-05-12 | 300 |
有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻 | 2020-05-12 | 918 |
用于渐逝模式电磁波空腔谐振器的各向同性蚀刻空腔 | 2020-05-13 | 424 |
开成非易失性存储器的方法 | 2020-05-17 | 139 |
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