一种多元高熵合金薄膜及其制备方法
阅读：812发布：2024-01-11
专利汇可以提供一种多元高熵合金薄膜及其制备方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种多元高熵 合金 薄膜 及其制备方法。其组成成分为NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜或者NiCrCoCuFeAl4.5六元高熵合金薄膜；制备方法步骤包括：将单面 抛光 过的 硅 片 基体依次通过丙 酮 、酒精和去离子 水 进行超声清洗；抛光面向上晾干；将 硅片 基体和高熵合金 块 体靶材分别放入直流 磁控溅射 设备 真空 室中的样品台和 蒸发 源 位置 上；将气压抽真空，冲入氩气；关闭样品台和蒸发源的 阀 门 并进行预溅射；转动样品台，打开阀门进行溅射，取出得到多元高熵合金薄膜。本发明方法，溅射速率稳定，获得厚度均匀的高熵合金薄膜材料；冷却速率快，有利于抑制金属间化合物的形成，促进单一 固溶体 相的形成；操作工艺简单易行，扩展了高熵合金材料的应用范围。，下面是一种多元高熵合金薄膜及其制备方法专利的具体信息内容。
1.一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：
1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗；
2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上；
3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上；
-4
4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将真空室的气压抽真空至低于4×10 Pa，冲入体积百分比为大于等于98%的氩气作为工作气体；
5)在0.3～1Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层；
6)然后持续转动样品台，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射30～60min，最后取出得到多元高熵合金薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中的高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材或者NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1，NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:
Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
3.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1)中用丙酮、酒精和去离子水的超声清洗的时间均为10～25min，超声功率均为80～
100w。
4.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2)中硅片基体通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干。
5.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤3)中样品台与蒸发源的工作距离为8cm。
6.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤4)中将真空室的气压抽真空先通过机械泵将气压抽至低于2Pa，再用分子泵将气压抽至-4
低于4×10 Pa。
7.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤5)中预溅射时间为15～20min。
8.根据权利要求1所述的一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤6)中样品台转速为5～10圈每分钟，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W。
一种多元高熵合金薄膜及其制备方法
技术领域
[0001] 本发明涉及一种合金薄膜及其制备方法，特别是涉及一种多元高熵合金薄膜及其制备方法。
背景技术
[0002] 传统的金属合金体系设计理念是以某一种或两种元素作为基本组元，添加少量的次要组员以期获得优良的性能来满足人们日常生活和工业生产工艺的需求。如以铁元素为主元的钢铁材料，以铜元素为主元的铜合金材料和以锆元素为主元的高合金材料等。基于对物理冶金学和二元、三元相图的理解，人们认为当合金体系的组元数增多时，该体系更倾向于形成结构复杂的金属间化合物，增加了我们研究合金体系组织结构、性能及两者之间相互关系的难度，同时限制了合金体系在实际生产中的应用领域。2004年，台湾科学家叶均蔚等研究者们提出了一种全新的合金体系设计方案，即以五种或者更多的元素为主要组元的高熵合金体系。高熵合金由摩尔比接近的元素组成，每种组元的含量在5％～35％之间。高熵合金体系的混合熵很大，抑制了金属间化合物的形成，促进了简单的体心立方（BCC）或面心立方（FCC）晶体相的形成。高熵合金独特的组织结构，使其具有优良的耐磨、耐腐蚀、耐高温以及抗高温氧化等性能，决定了其作为涂层材料在镀膜领域的巨大应用潜力。
发明内容
[0004] 为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种多元高熵合金薄膜及其制备方法，得到了膜厚均匀的高熵合金薄膜材料，该薄膜分别是由简单FCC固溶体相和简单BCC固溶体相构成，没有发现第二相的存在（没有第二相，或者其含量较少而没有被发现）。
[0005] 本发明的技术方案是：
[0006] 一、一种多元高熵合金薄膜：
[0007] 其组成成分为NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜或者NiCrCoCuFeAl4.5六元高熵合金薄膜。
[0008] 所述的NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜的厚度为456～920nm，所述的NiCrCoCuFeAl4.5六元高熵合金薄膜的厚度为302～610nm。
[0009] 二、一种多元高熵合金薄膜的制备方法，其步骤如下：
[0013] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将真空室的气压抽真空至低于4×10-4Pa，冲入体积百分比为大于等于98%的氩气作为工作气体；
[0015] 6)然后持续转动样品台，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射30～60min，最后取出得到多元高熵合金薄膜。
[0016] 所述的步骤2)中的高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材或者NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1，NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
[0017] 所述的步骤1)中用丙酮、酒精和去离子水的超声清洗的时间均为10～25min，超声功率均为80～100w。
[0019] 所述的步骤3)中样品台与蒸发源的工作距离为8cm。
[0021] 所述的步骤5)中预溅射时间为15～20min。
[0023] 本发明的有益效果在于：
[0024] 本发明方法的溅射速率稳定，能够获得厚度均匀的高熵合金薄膜材料，且可以通过控制溅射时间来控制薄膜的厚度；本方法冷却速率快，有利于抑制金属间化合物的形成，促进单一固溶体相（简单FCC或BCC固溶体相）的形成；该方法操作工艺简单易行，适于工业化生产，大大扩展了高熵合金材料的应用范围。附图说明
[0025] 图1是按照实施例1和实施例4制备得到的本发明高熵合金薄膜材料的XRD图。
[0026] 图2是按照实施例1方法制备得到的本发明薄膜样品的SEM横截面图。
[0027] 图3是按照实施例4方法制备得到的本发明薄膜样品的SEM横截面图。
[0028] 图4是按照实施例1方法制备得到的本发明薄膜样品的TEM衍射图。
[0029] 图5是按照实施例4方法制备得到的本发明薄膜样品的TEM衍射图。
具体实施方式
[0030] 下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
[0031] 本发明的一种多元高熵合金薄膜，其组成成分为NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜，摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1，其厚度为456～920nm；或者为NiCrCoCuFeAl4.5六元高熵合金薄膜，摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:4.5，其厚度为302～610nm。
[0032] 本发明的一种多元高熵合金薄膜的制备方法如下：
[0033] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗；
[0034] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上；
[0035] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上；
[0036] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于4×10-4Pa，冲入体积百分比为大于等于98%的氩气作为工作气体；
[0037] 5)在0.3～1Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层；
[0038] 6)然后持续转动样品台，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射30～60min，最后取出得到高熵合金薄膜，溅射时间决定了高熵合金薄膜的厚度。
[0039] 步骤2)中的高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材或者NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1，NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
[0040] 步骤1)中用丙酮、酒精和去离子水的超声清洗的时间均为10～25min，超声功率均为80～100w。
[0041] 步骤2)中硅片基体通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干。
[0042] 步骤3)中样品台与蒸发源的工作距离为8cm。
[0043] 步骤4)中将真空室的气压抽真空先通过机械泵将气压抽至低于2Pa，再用分子泵-4将气压抽至低于4×10 Pa。
[0044] 步骤5)中预溅射时间为15～20min。
[0045] 步骤6)中样品台转速为5～10圈每分钟，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W。
[0046] 本发明的实施例如下：
[0047] 实施例1：
[0048] 该实施例采用本发明中所提到的直流磁控溅射的方法，成功制备出了NiCrCoCuFe（各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1）五元高熵合金薄膜材料。该高熵合金薄膜材料厚度均匀，且在该薄膜材料中只发现了简单FCC固溶相，没有发现第二相的存在。
[0049] 该高熵合金薄膜材料的制备方法，其步骤如下：
[0050] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗10min，超声功率为80w，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗，清洗的时间均为10min，超声功率均为80w；
[0051] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上，通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干；
[0052] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上，样品台与蒸发源的工作距离为8cm，高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1。
[0053] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于3×10-4Pa，冲入体积百分比为98%的氩气作为工作气体；
[0054] 5)在0.3Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层，预溅射时间为15min；
[0055] 6)然后持续转动样品台，样品台转速为8圈每分钟，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W，溅射时间为30min，最后取出得到高熵合金薄膜。
[0056] 结合图2可知，所制备得到的NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜样品厚度均匀，为456nm。由图1可知，样品的XRD衍射图谱中只含有一个布拉克峰，对应一种固溶体相，再结合图4中TEM衍射环图谱可知，该固溶体相为简单FCC固溶体相，而没有发现第二中物相的存在。这说明该种方法能够得到膜厚均匀的五元高熵合金薄膜，且该材料是由简单FCC固溶体相构成的，而没有发现第二相的存在。
[0057] 实施例2：
[0058] 该实施例采用本发明中所提到的直流磁控溅射的方法，成功制备出了NiCrCoCuFe（各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1）五元高熵合金薄膜材料。该高熵合金薄膜材料厚度均匀，且在该薄膜材料中只发现了简单FCC固溶相，没有发现第二相的存在。
[0059] 该高熵合金薄膜材料的制备方法，其步骤如下：
[0060] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗15min，超声功率为90w，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗，清洗的时间均为15min，超声功率均为90w；
[0061] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上，通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干；
[0062] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上，样品台与蒸发源的工作距离为8cm，高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1。
[0063] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于3×10-4Pa，冲入体积百分比为98%的氩气作为工作气体；
[0064] 5)在0.5Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层，预溅射时间为18min；
[0065] 6)然后持续转动样品台，样品台转速为10圈每分钟，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W，溅射时间为45min，最后取出得到高熵合金薄膜。
[0066] 所制备得到的NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜样品厚度均匀，为689nm。样品的XRD衍射图谱中只含有一个布拉克峰，对应一种固溶体相，再结合TEM衍射环图谱可知，该固溶体相为简单FCC固溶体相，而没有发现第二中物相的存在。这说明该种方法能够得到膜厚均匀的五元高熵合金薄膜，且该材料是由简单FCC固溶体相构成的，而没有发现第二相的存在。
[0067] 实施例3：
[0068] 该实施例采用本发明中所提到的直流磁控溅射的方法，成功制备出了NiCrCoCuFe（各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1）五元高熵合金薄膜材料。该高熵合金薄膜材料厚度均匀，且在该薄膜材料中只发现了简单FCC固溶相，没有发现第二相的存在。
[0069] 该高熵合金薄膜材料的制备方法，其步骤如下：
[0070] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗25min，超声功率为100w，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗，清洗的时间均为25min，超声功率均为100w；
[0071] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上，通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干；
[0072] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上，样品台与蒸发源的工作距离为8cm，高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFe五元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe=1:1:1:1:1。
[0073] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于3×10-4Pa，冲入体积百分比为98%的氩气作为工作气体；
[0074] 5)在1Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层，预溅射时间为20min；
[0075] 6)然后持续转动样品台，样品台转速为5圈每分钟，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射20min，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W，溅射时间为60min，最后取出得到高熵合金薄膜。
[0076] 所制备得到的NiCrCoCuFe五元高熵合金薄膜样品厚度均匀，为920nm。样品的XRD衍射图谱中只含有一个布拉克峰，对应一种固溶体相，再结合TEM衍射环图谱可知，该固溶体相为简单FCC固溶体相，而没有发现第二中物相的存在。这说明该种方法能够得到膜厚均匀的五元高熵合金薄膜，且该材料是由简单FCC固溶体相构成的，而没有发现第二相的存在。
[0077] 实施例4：
[0078] 该实施例采用本发明中所提到的直流磁控溅射的方法，成功制备出了NiCrCoCuFeAl（各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:4.5）六元高熵合金薄膜材料。该高熵合金薄膜材料厚度均匀，且在该薄膜材料中只发现了简单BCC固溶相，没有发现第二相的存在（第二相不存在，或含量少而不能被检测出来）。
[0079] 该高熵合金薄膜材料的制备方法，其步骤如下：
[0080] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗10min，超声功率为80w，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗，清洗的时间均为10min，超声功率均为80w；
[0081] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上，通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干；
[0082] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上，样品台与蒸发源的工作距离为8cm，高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
[0083] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于3×10-4Pa，冲入体积百分比为98%的氩气作为工作气体；
[0084] 5)在0.3Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层，预溅射时间为15min；
[0085] 6)然后持续转动样品台，样品台转速为8圈每分钟，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W，溅射时间为30min，最后取出得到高熵合金薄膜。
[0086] 结合图3可知，所制备得到的NiCrCoCuFeAl六元高熵合金薄膜样品厚度均匀，为302nm。由图1可知，样品的XRD衍射图谱中只含有一个布拉克峰，对应一种固溶体相，再结合图5中TEM衍射环图谱可知，该固溶体相为简单BCC固溶体相，而没有发现第二中物相的存在。这说明该种方法能够得到膜厚均匀的六元高熵合金薄膜，且该材料是由简单BCC固溶体相构成的，而没有发现第二相的存在（第二相不存在，或含量少而不能被检测出来）。
[0087] 实施例5：
[0088] 该实施例采用本发明中所提到的直流磁控溅射的方法，成功制备出了NiCrCoCuFeAl（各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:4.5）六元高熵合金薄膜材料。该高熵合金薄膜材料厚度均匀，且在该薄膜材料中只发现了简单BCC固溶相，没有发现第二相的存在（第二相不存在，或含量少而不能被检测出来）。
[0089] 该高熵合金薄膜材料的制备方法，其步骤如下：
[0090] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗20min，超声功率为90w，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗，清洗的时间均为20min，超声功率均为90w；
[0091] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上，通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干；
[0092] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上，样品台与蒸发源的工作距离为8cm，高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
[0093] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于3×10-4Pa，冲入体积百分比为98%的氩气作为工作气体；
[0094] 5)在0.6Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层，预溅射时间为18min；
[0095] 6)然后持续转动样品台，样品台转速为5圈每分钟，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射20min，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W，溅射时间为45min，最后取出得到高熵合金薄膜。
[0096] 所制备得到的NiCrCoCuFeAl六元高熵合金薄膜样品厚度均匀，为457nm。样品的XRD衍射图谱中只含有一个布拉克峰，对应一种固溶体相，再结合TEM衍射环图谱可知，该固溶体相为简单BCC固溶体相，而没有发现第二中物相的存在。这说明该种方法能够得到膜厚均匀的六元高熵合金薄膜，且该材料是由简单BCC固溶体相构成的，而没有发现第二相的存在（第二相不存在，或含量少而不能被检测出来）。
[0097] 实施例6：
[0098] 该实施例采用本发明中所提到的直流磁控溅射的方法，成功制备出了NiCrCoCuFeAl（各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:4.5）六元高熵合金薄膜材料。该高熵合金薄膜材料厚度均匀，且在该薄膜材料中只发现了简单BCC固溶相，没有发现第二相的存在（第二相不存在，或含量少而不能被检测出来）。
[0099] 该高熵合金薄膜材料的制备方法，其步骤如下：
[0100] 1)首先将单面抛光过的硅片基体放在丙酮中超声清洗25min，超声功率为100w，再依次通过酒精和去离子水进行超声清洗，清洗的时间均为25min，超声功率均为100w；
[0101] 2)然后将洗好之后的硅片基体放在滤纸上晾干，抛光面向上，通过吹风机从硅片基体一侧的方向进行吹干；
[0102] 3)将晾干后的硅片基体和高熵合金块体靶材分别放入直流磁控溅射设备真空室中的样品台和蒸发源位置上，样品台与蒸发源的工作距离为8cm，高熵合金块体靶材为NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材，NiCrCoCuFeAl六元高熵合金块体靶材各元素的摩尔比为Ni:Cr:Co:Cu:Fe:Al=1:1:1:1:1:2.5。
[0103] 4)关闭直流磁控溅射设备的真空室，将气压抽真空至低于3×10-4Pa，冲入体积百分比为98%的氩气作为工作气体；
[0104] 5)在1Pa的工作气压下，在样品台阀门和蒸发源阀门关闭的同时，对靶材进行预溅射直到完全去除高熵合金块体靶材表面的氧化层，预溅射时间为20min；
[0105] 6)然后持续转动样品台，样品台转速为10圈每分钟，打开样品台阀门和蒸发源阀门进行溅射，直流溅射电流为0.15A，电压为500V，工作功率固定为75W，溅射时间为60min，最后取出得到高熵合金薄膜。
[0106] 所制备得到的NiCrCoCuFeAl六元高熵合金薄膜样品厚度均匀，为610nm。样品的XRD衍射图谱中只含有一个布拉克峰，对应一种固溶体相，再结合TEM衍射环图谱可知，该固溶体相为简单BCC固溶体相，而没有发现第二中物相的存在。这说明该种方法能够得到膜厚均匀的六元高熵合金薄膜，且该材料是由简单BCC固溶体相构成的，而没有发现第二相的存在（第二相不存在，或含量少而不能被检测出来）。
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| N型电池及其选择性发射极的制备方法、以及N型电池 | 2020-05-08 | 937 |
| 用于硅片的中、精抛布的活化方法 | 2020-05-08 | 538 |
| 一种均匀遂穿氧化层的制作方法及TopCon太阳能电池制备方法 | 2020-05-08 | 26 |
| 一种适用于圆片级真空封装的玻璃腔体制造方法 | 2020-05-08 | 320 |
| 带空腔SOI晶圆的对准标记制作方法和空腔位置确定方法 | 2020-05-11 | 93 |
| 一种晶圆快速热处理机台的监控方法 | 2020-05-08 | 855 |
| 一种清洗刻蚀系统 | 2020-05-11 | 198 |
| 真空腔体装置和处理硅片的方法 | 2020-05-08 | 388 |
| 一种用于平板式镀膜系统的硅片承载架及载板 | 2020-05-08 | 638 |
| 一种研抛设备的自动分液排放和循环装置 | 2020-05-08 | 677 |
高效检索全球专利专利汇是专利免费检索,专利查询,专利分析-国家发明专利查询检索分析平台，是提供专利分析，专利查询，专利检索等数据服务功能的知识产权数据服务商。
我们的产品包含105个国家的1.26亿组数据，免费查、免费专利分析。
分析报告
专利汇分析报告产品可以对行业情报数据进行梳理分析，涉及维度包括行业专利基本状况分析、地域分析、技术分析、发明人分析、申请人分析、专利权人分析、失效分析、核心专利分析、法律分析、研发重点分析、企业专利处境分析、技术处境分析、专利寿命分析、企业定位分析、引证分析等超过60个分析角度，系统通过AI智能系统对图表进行解读，只需1分钟，一键生成行业专利分析报告。
QQ群二维码
意见反馈
意见反馈