一种晶圆快速热处理机台的监控方法
专利汇可以提供一种晶圆快速热处理机台的监控方法专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本 发明 公开了一种 晶圆 快速 热处理 机台的监控方法，对光 硅 片 进行 离子注入 ，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的 电阻 值测试；在制作监控片时，对清洗后的光 硅片 进行处理没有时间限制，同时不需要保存于氮气柜中，简化了监控片制作步骤及技术要求，本发明在简化监控片制作步骤及技术要求的同时，兼顾监控金属前和金属后500~1000℃的 温度 范围，起到有效监控的目的；防止因机台温度的 波动 和漂移导致晶圆加工工艺异常及晶圆报废，具有良好的市场应用价值。，下面是一种晶圆快速热处理机台的监控方法专利的具体信息内容。
1.一种晶圆快速热处理机台的监控方法，其特征在于，对光硅片进行离子注入，形成监控片，且离子注入的杂质在不被完全激活时，进行监控片的电阻值测试。
2.根据权利要求1所述一种晶圆快速热处理机台的监控方法，其特征在于，具体包括以下步骤：
S1、选取P型电阻率15-25ohm/cm3 光硅片；
S2、依次采用50：1 氢氟酸溶液、1号标准清洗液、2号标准清洗液进行光硅片清洗，分别去除光硅片的自然氧化层、表面颗粒及金属离子；
S3、对光硅片进行离子注入，离子注入条件为：注入杂质为P31+，能量为60～70KeV，剂量为8.0 E13～1.0E14ion/cm2；
S4、在800℃,20秒,氮气15L/Min条件下进行快速热处理；
S5、采用测试机台对监控片进行电阻值测试，确认电阻值稳定性；
S6、以一定的监控频次对监控片进行电阻值测试。
3.根据权利要求2所述一种晶圆快速热处理机台的监控方法，其特征在于，步骤S3中，离子注入的条件为：注入杂质P31+, 能量为65KeV，剂量为9.0E13ion/cm2。
4.根据权利要求2所述一种晶圆快速热处理机台的监控方法，其特征在于，步骤S2中，
50：1 氢氟酸溶液为去离子水：49%氢氟酸原溶液按体积比50：1配制，1号标准清洗液为氢氧化氨：过氧化氢：去离子水按体积比1：2：10配制，2号标准清洗液为盐酸：过氧化氢：去离子水按体积比1：2：10配制。
5.根据权利要求4或2所述一种晶圆快速热处理机台的监控方法，其特征在于，步骤S2为，依次采用50：1 氢氟酸溶液、去离子水、1号标准清洗液、去离子水、2号标准清洗液进行光硅片清洗，分别去除光硅片的自然氧化层、表面颗粒及金属离子。
6.根据权利要求2所述一种晶圆快速热处理机台的监控方法，其特征在于，步骤S6中，监控频次设置为每天一次。
一种晶圆快速热处理机台的监控方法
技术领域
背景技术
1.选取P型电阻率15-25ohm/cm3 光硅片；
2.对光硅片进行清洗；
3.生长钛和氮化钛，钛厚度为40纳米，氮化钛厚度为20纳米；此步必须在上一步骤完成之后2小时内进行生长，否则需要重新清洗一次。生长完钛和氮化钛的光硅片需放入氮气柜中保存，以防止钛和氮化钛表面氧化，需进行监控时拿出使用。
发明内容
S2、依次采用50：1 氢氟酸溶液、1号标准清洗液、2号标准清洗液进行光硅片清洗，分别去除光硅片的自然氧化层、表面颗粒及金属离子；
S3、对光硅片进行离子注入，离子注入条件为：注入杂质为P31+，能量为60～70KeV，剂量为8.0 E13～1.0E14ion/cm2；
S4、在800℃,20秒,氮气15L/Min条件下进行快速热处理；
S5、采用测试机台对监控片进行电阻值测试，确认电阻值稳定性；
S6、以一定的监控频次对监控片进行电阻值测试。
附图说明
图3为本发明的流程示意图；
图4为本发明电阻变化与温度关系图；
图5为本发明电阻重复性监控数据图。
具体实施方式
S2、依次采用50：1 氢氟酸溶液、1号标准清洗液、2号标准清洗液进行光硅片清洗，分别去除光硅片的自然氧化层、表面颗粒及金属离子；
S3、对光硅片进行离子注入，离子注入条件为：注入杂质为P31+，能量为60～70KeV，剂量为8.0 E13～1.0E14ion/cm2；此步与上一步清洗中间没有时间限制，同时不需要保存在氮气柜中，简化监控片的制作步骤，同时由于是金属前的机台进行制作，所以可以在金属前和金属后机台上同时使用，确保金属后使用过不能进入金属前机台即可。
S6、以每天一次的监控频次对监控片进行电阻值测试。
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