一种IGBT驱动保护电路
专利汇可以提供一种IGBT驱动保护电路专利检索，专利查询，专利分析的服务。并且本实用新型公开了一种IGBT驱动保护 电路 ，包括：设置在输入 端子 与输出端子之间用于控制 上管 IGBT且依次连接的输入端子、上管短脉冲抑制电路、上管一阶电路、上管死区延时电路、上管钳位保护电路，以及控制 下管 IGBT且依次连接的下管短脉冲抑制电路、下管一阶电路、下管死区延时电路、下管钳位保护电路；本实用新型的IGBT驱动保护电路采用简单的 硬件 电路结构，抑制短脉冲，实现IGBT上、下管死区延时控制，并具有 二极管 钳位电路来抗干扰，不仅成本低，可靠性也高。，下面是一种IGBT驱动保护电路专利的具体信息内容。
1.一种IGBT驱动保护电路，其特征在于包括：
一输入端子（J1），该输入端子接收外部控制器输出的两路PWM信号，该两路PWM信号记为PWM-A、PWM-B；
一上管短脉冲抑制电路（10），其输入端与输入端子（J1）的PWM-A信号端连接；
一下管短脉冲抑制电路（20），其输入端与输入端子（J1）的PWM-B信号端连接；
一上管一阶电路（30），其连接在上管短脉冲抑制电路（10）输出端，用于提供时间常数t1;
一下管一阶电路（40），其连接在下管短脉冲抑制电路（20）输出端，用于提供时间常数t2;
一上管死区延时电路（50），其输入端连接在上管短脉冲抑制电路（10）输出端；
一下管死区延时电路（60），其输入端连接在连接在下管短脉冲抑制电路（20）输出端；
一上管钳位保护电路（70），其输入端连接在上管死区延时电路（50）的输出端；
一下管钳位保护电路（80），其输入端连接在下管死区延时电路（60）的输出端；
一输出端子（J2），该输出端子包括两路PWM信号端，分别为PWM1、PWM2，其中，PWM1信号端连接上管钳位保护电路（70），PWM2信号端连接下管钳位保护电路（80）。
2.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述上管短脉冲抑制电路（10）包括第一电容（C1）、第一比较器（U1C）、第三电阻（R3）、第一二极管（D1）；该第一电容（C1）一端连接PWM-A信号端，另一端接地；第三电阻（R3）和第一二极管（D1）串联在第一比较器（U1C）的正输入端与输出端之间，该第一比较器（U1C）的正输入端还与PWM-A信号端连接，该第一比较器（U1C）的负输入端为阈值电压输入端，该第一比较器（U1C）的输出端为上管短脉冲抑制电路（10）的输出端。
3.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述下管短脉冲抑制电路（20）包括第二电容（C2）、第二比较器（U1B）、第四电阻（R4）、第二二极管（D2）；该第二电容（C2）一端连接PWM-B信号端，另一端接地；第四电阻（R4）和第二二极管（D2）串联在第二比较器（U1B）的正输入端与输出端之间，该第二比较器（U1B）的正输入端还与PWM-B信号端连接，该第二比较器（U1B）的负输入端为阈值电压输入端，该第二比较器（U1B）的输出端为下管短脉冲抑制电路（20）的输出端。
4.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述上管一阶电路（30）包括自电源输入端+VCC依次连接的第五电阻（R5）、第三电容（C3），第三电容（C3）接地，第五电阻（R5）和第三电容（C3）之间的连接点Q1与上管短脉冲抑制电路（10）输出端连接，时间常数t1等于第五电阻（R5）与第三电容（C3）的乘积。
5.根据权利要求4所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述上管死区延时电路（50）包括第三比较器（U1D）、第一施密特反相器（U2A）、第七电阻（R7）、第九电阻（R9）；该第三比较器（U1D）电源输入为+VCC及地，第三比较器（U1D）的反向输入端与上管短脉冲抑制电路（10）输出端连接，其正向输入端为阈值电压VTH2输入端并依次串联第七电阻（R7）、第九电阻（R9）至+VCC，其输出端分别与第一施密特反相器（U2A）的输入端、第七电阻（R7）和第九电阻（R9）的连接点Q3连接，第一施密特反相器（U2A）的输出端为上管死区延时电路（50）的输出端；第三比较器（U1D）输出端翻转时间滞后于第三比较器（U1D）输入时间的差值为死区时间Td，Td与阈值电压VTH2的函数关系为VTH2=VCC*[1-exp(-Td/t1)]。
6.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述下管一阶电路（40）包括自电源输入端+VCC依次连接的第六电阻（R6）、第四电容（C4），第四电容（C4）接地，第六电阻（R6）和第四电容（C4）之间的连接点Q2与上管短脉冲抑制电路（10）输出端连接，时间常数t2等于第六电阻（R6）和第四电容（C4）的乘积。
7.根据权利要求6所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述下管死区延时电路（60）包括第四比较器（U1A）、第二施密特反相器（U2B）、第八电阻（R8）、第十电阻（R10）；
该第四比较器（U1A）电源输入为+VCC及地，第四比较器（U1A）的反向输入端与下管短脉冲抑制电路（20）输出端连接，其正向输入端为阈值电压VTH2输入端并依次串联第八电阻（R8）、第十电阻（R10）至+VCC，其输出端分别与第二施密特反相器（U2B）的输入端、第八电阻（R8）和第十电阻（R10）的连接点Q4连接，第二施密特反相器（U2B）的输出端为下管死区延时电路（60）的输出端；第四比较器（U1A）输出端翻转时间滞后于第四比较器（U1A）输入时间的差值为死区时间Td，Td与阈值电压VTH2的函数关系为VTH2=VCC*[1-exp(-Td/t2)]。
8.根据权利要求1所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述上管钳位保护电路（70）包括自电源+VCC依次连接的第三二极管（D3）、第四二极管（D4），第四二极管（D4）接地，其第三二极管（D3）和第四二极管（D4）之间的连接点Q5连接在上管死区延时电路（50）的输出端；所述下管钳位保护电路（80）包括自电源+VCC依次连接的第五二极管（D5）、第六二极管（D6），第六二极管（D6）接地，其第五二极管（D5）、第六二极管（D6）之间的连接点Q6连接在下管死区延时电路（60）的输出端。
9.根据权利要求2所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：第一比较器（U1C）的正输入端与PWM-A信号端之间连接有第一电阻（R1）。
10.根据权利要求3所述的一种IGBT驱动保护电路，其特征在于：所述第二比较器
（U1B）的正输入端与PWM-B信号端之间连接有第二电阻（R2）。
一种IGBT驱动保护电路
技术领域
背景技术
具体实施方式
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