专利汇可以提供Mos type semiconductor integrated circuit device and process for produ ction of same专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: Si substrate is used to make a silicon on insulator construction, whereby MOSFET featuring higher speed and higher degree of integration by having the advantages of both conventional MOSFET and SMOS-MOSFET is composed.
COPYRIGHT: (C)1977,JPO&Japio,下面是Mos type semiconductor integrated circuit device and process for produ ction of same专利的具体信息内容。
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