专利汇可以提供具有低暗电流的针扎光电二极管专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且本公开涉及具有低暗 电流 的针扎光电 二极管 。一种制造针扎 光电二极管 的方法,包括:在第二导电类型的衬底上形成将 光子 转换成电荷的第一导电类型的区域;用第二导电类型的重掺杂绝缘体层涂覆所述区域;和 退火 以确保从重掺杂绝缘体层的 掺杂剂 扩散。,下面是具有低暗电流的针扎光电二极管专利的具体信息内容。
1.一种制造针扎光电二极管的方法,包括:
在第二导电类型的衬底上形成第一导电类型的转换区域,所述转换区域被配置成将光子转换成电荷;
在所述转换区域上形成所述第二导电类型的浅半导体区域;
用掺杂有所述第二导电类型的掺杂剂的重掺杂绝缘体层涂覆所述浅半导体区域,所述浅半导体区域位于所述转换区域与所述重掺杂绝缘体层之间;以及
将掺杂剂扩散从所述重掺杂绝缘体层提供到所述浅半导体区域中。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述转换区域是N型的并且所述重掺杂绝缘体层是掺杂硼的氧化硅层。
3.根据权利要求2所述的方法,其中所述掺杂硼的氧化硅层掺杂有从5x1021at./cm3至
2x1022at./cm3的硼浓度。
4.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在所述转换区域上形成所述第二导电类型的浅半导体区域,其中提供所述掺杂剂扩散包括使掺杂剂从所述重掺杂绝缘体层扩散到所述浅半导体区域中至小于50nm的渗透深度。
5.根据权利要求4所述的方法,其中所述渗透深度小于10nm。
6.根据权利要求1所述的方法,包括在用所述重掺杂绝缘体层涂覆所述第二导电类型的注入层之前,利用具有在从1017at./cm3至1018at./cm3的范围内的最大掺杂水平的所述第二导电类型的所述注入层涂覆所述转换区域。
7.根据权利要求1所述的方法,其中提供所述掺杂剂扩散包括使掺杂剂从所述重掺杂绝缘体层扩散到所述转换区域中至小于50nm的渗透深度。
8.一种针扎光电二极管,包括:
第一导电类型的转换区域,形成在第二导电类型的衬底上,所述转换区域被配置成将光子转换成电荷;
所述第二导电类型的扩散层,形成在所述转换区域上;
所述第二导电类型的浅半导体区域,位于所述扩散层和所述转换区域之间;和重掺杂绝缘体层,所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层,所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。
9.根据权利要求8所述的针扎光电二极管,其中所述重掺杂绝缘体层是处于从
5x1021at./cm3至2x1022at./cm3硼浓度的掺杂硼的氧化硅。
10.根据权利要求8所述的针扎光电二极管,进一步包括被定位在所述扩散层与所述转换区域之间的所述第二导电类型的浅半导体区域。
11.根据权利要求10所述的针扎光电二极管,其中所述浅半导体区域具有在1018at./
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cm的数量级上的最大掺杂并且所述扩散层具有在10 at./cm的数量级上的最大掺杂。
12.一种电子器件,包括:
转移晶体管;和
针扎光电二极管,所述针扎光电二极管包括:
第一导电类型的转换区域,形成在第二导电类型的衬底上,所述转换区域被配置成将光子转换成电荷;
所述第二导电类型的扩散层,形成在所述转换区域上;
所述第二导电类型的浅半导体区域,位于所述扩散层和所述转换区域之间;和重掺杂绝缘体层,所述重掺杂绝缘体层涂覆所述扩散层,所述重掺杂绝缘体层是所述第二导电类型的。
13.根据权利要求12所述的电子器件,其中所述重掺杂绝缘体层是处于从5x1021at./cm3至2x1022at./cm3硼浓度的掺杂硼的氧化硅。
14.根据权利要求12所述的电子器件,进一步包括被定位在所述扩散层与所述转换区域之间的所述第二导电类型的浅半导体区域。
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15.根据权利要求14所述的电子器件,其中所述浅半导体区域具有在10 at./cm的数量级上的最大掺杂并且所述扩散层具有在1020at./cm3的数量级上的最大掺杂。
16.根据权利要求12所述的电子器件,其中所述转移晶体管包括绝缘栅极、漏极和源极,所述源极是所述转换区域的至少一部分。
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