技术领域
[0001] 本
说明书涉及包括pn结二极管的半导体装置和制造包括pn结二极管的半导体装置的方法。
背景技术
[0002] 在先进的全耗尽绝缘层上
硅(FDSOI)技术中，虽然大多数有源装置(例如，金属
氧化物半导体
场效应晶体管(MOSFET))建立在绝缘体是埋入式氧化物层的SOI区域上，但具有高
电流和高
电压的有源装置(例如，横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(LDMOS)、PN结二极管)构建在非SOI区域上(即，在已经移除了氧化物层的可以被称为混合(HYBRID)区域的常规体衬底上)。
反向偏置结
击穿电压是这些装置的关键品质因数(FoM)之一。
[0003] 图1示出了pn结二极管10的例子。二极管包括半导体衬底2，所述半导体衬底2可以是p型衬底。n阱4
定位在衬底2上。p型(P+)区域14形成二极管10的第一
电极(
阴极)。二极管10的另一个电极(
阳极)由n型区域12形成。电极12、14由隔离区域6分离。
[0004] 在图1所示种类的装置中，pn结定位在p型区域14的下侧与n阱4之间的界面处。因此，这种装置中出现最高
电场的点(以及因此发生击穿的点——在图1中以20指示)定位在衬底的深处(即，远离硅表面)。在这种装置中，击穿电压简单地由p型区域14与n阱4之间的结掺杂决定。此二极管是竖直装置。
发明内容
[0005] 在随附的独立
权利要求和
从属权利要求中阐述了本公开的各方面。来自从属权利要求的特征的组合可以视情况并且不是仅仅是像权利要求中明确阐述的那样与
独立权利要求的特征组合。
[0006] 根据本公开的一方面，提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：
[0007] 具有第一导电类型的半导体衬底；
[0008] 定位在所述衬底中的埋入式氧化物层；
[0009] 具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一导电类型的半导体区域形成pn结，其中所述pn结定位在所述埋入式氧化物层下方并且相对于所述衬底的主表面基本上
正交地延伸；以及
[0010] 场板电极，所述场板电极包括定位在所述埋入式氧化物层上方的用于通过向所述场板电极施加电势来改变所述pn结处的电场的半导体区域。
[0011] 根据本公开的另一方面，提供了一种制造包括pn结二极管的半导体装置的方法，所述方法包括：
[0012] 提供具有第一导电类型的半导体衬底；
[0013] 在所述衬底中形成埋入式氧化物层；
[0014] 形成具有第二导电类型的半导体区域，其中具有所述第二导电类型的所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一导电类型的半导体区域形成pn结，并且其中所述pn结定位在所述埋入式氧化物层下方并且相对于所述衬底的主表面基本上正交地延伸；以及
[0015] 形成场板电极，所述场板电极包括定位在所述埋入式氧化物层上方的用于通过向所述场板电极施加电势来改变所述pn结处的电场的半导体区域。
[0016] 相比于pn结定位在衬底更深处(通常在定位在n阱中的p型区域的下侧之间的
接口处，如图1所示)的已知装置，定位在埋入式氧化物层下方且相对于衬底的主表面基本上正交地延伸的pn结布置可以允许装置的击穿电压显著增加。此外，pn结接近埋入式氧化物层可以允许通过向所述场板电极施加偏置电压来调整所述装置的击穿电压和/或
泄漏电流。此二极管是横向装置。
[0017] 与具有所述第二导电类型的所述半导体区域形成所述pn结的具有所述第一导电类型的所述半导体区域可以包括掺杂半导体区域，所述掺杂半导体区域比所述衬底更高地掺杂并且定位在所述埋入式氧化物层正下方。以这种方式，可以形成高掺杂区域与具有第一导电类型的较低掺杂半导体区域之间的pn结二极管。更高掺杂的区域可以定位在埋入式氧化物层正下方，使得pn结本身更靠近场板电极，以便更严密地控制所述装置的击穿电压和/或泄
漏电流。
[0018] 所述装置可以包括具有所述第一导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层正下方定位在所述衬底中并且与所述pn结横向间隔开。此半导体区域可以比所述衬底更高地掺杂。这样可以通过降低装置的
电阻来提高性能，进而允许在导通电阻与装置的击穿电压之间实现更好的权衡。
[0019] 在所述埋入式氧化物层下方延伸的具有所述第二导电类型的所述半导体区域的定位在所述埋入式氧化物层正下方的一部分可以比在所述埋入式氧化物层下方延伸的具有所述第二导电类型的所述半导体区域的其余部分更高地掺杂。更高掺杂的区域可以定位在埋入式氧化物层正下方，使得pn结本身更靠近场板电极，以便更严密地控制所述装置的击穿电压和/或泄漏电流。
[0020] 形成所述场板电极的所述半导体区域可以具有所述第二导电类型。
[0021] 所述场板电极可以在定位在所述埋入式氧化物层下方的具有所述第二导电类型的基本上整个所述半导体区域上方延伸。
[0022] 所述场板电极可以在所述pn结上方延伸。再次，这可以允许更严密地控制所述装置的击穿电压和/或泄漏电流。
[0023] 在所述埋入式氧化物层下方延伸的具有所述第二导电类型的所述半导体区域的定位在所述埋入式氧化物层正下方的一部分可以比在所述埋入式氧化物层下方延伸的具有所述第二导电类型的所述半导体区域的其余部分更高地掺杂。更高掺杂的区域可以定位在埋入式氧化物层正下方，使得pn结本身更靠近场板电极，以便更严密地控制所述装置的击穿电压和/或泄漏电流。
[0024] 形成所述场板电极的所述半导体区域可以具有所述第一导电类型。
[0025] 所述场板电极可以在定位在所述埋入式氧化物层下方的具有所述第一导电类型的基本上整个所述半导体区域上方延伸。
[0026] 所述场板电极可以在所述pn结上方延伸。再次，这可以允许更严密地控制所述装置的击穿电压和/或泄漏电流。
[0027] 所述装置可以包括第一电极，所述第一电极包括具有所述第一导电类型的半导体区域，所述第一电极定位在形成所述pn结的具有所述第一导电类型的所述半导体区域中。所述装置还可以包括第二电极，所述第二电极包括具有所述第二导电类型的半导体区域，所述第二电极定位在具有所述第二导电类型的所述半导体区域中。
[0028] 所述第一电极和所述第二电极各自可以被一个或多个隔离区域彼此分离。
[0029] 在一些
实施例中，所述半导体衬底可以是全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底。在这种实施例中，埋入式氧化物层可以是FDSOI衬底的绝缘层。
[0030] 根据本公开的另外的方面，提供了一种ESD保护装置，所述ESD保护装置包括上文所述种类的半导体装置。
[0031] 根据本公开的另一方面，提供了一种用于电源管理
电路的
开关，所述开关包括上文所述种类的半导体装置。
[0032] 根据本公开的另一方面，提供了一种用于RF前端电路的开关，所述开关包括上文所述种类的半导体装置。
附图说明
[0033] 以下将参考附图仅通过举例描述本公开的一些实施例，在附图中，类似的附图标记表示类似的元件，并且在附图中：
[0034] 图1示出了包括pn结二极管的半导体装置的例子；
[0035] 图2示出了根据本公开的实施例的包括pn结二极管的半导体装置；
[0036] 图3示出了根据本公开的另一个实施例的包括pn结二极管的半导体装置；并且[0037] 图4示出了根据本公开的另外的实施例的包括pn结二极管的半导体装置。
具体实施方式
[0038] 以下参考附图对本公开的实施例进行描述。
[0039] 图2示出了根据本公开的实施例的包括pn结二极管的半导体装置10。
[0040] 装置10包括半导体衬底，所述半导体衬底可以包括硅。在一些实施例中，衬底可以是绝缘体上硅(SOI)衬底，并且具体地说，可以是全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底。
[0041] 如图2所示，此例子中的衬底可以包括第一区域8，埋入式氧化物层30定位在所述第一区域8上。在衬底包括SOI(例如，FDSOI)衬底的实施例中，埋入式氧化物层30可以由SOI/FDSOI衬底的绝缘层形成。可以在埋入式氧化物层30的顶部上形成装置的场板电极，如下文将更详细描述的。衬底还可以包括区域2，所述区域2不处于埋入式氧化物层30下方。在衬底包括SOI(例如，FDSOI)衬底的实施例中，区域2可以包括SOI/FDSOI衬底的所谓混合区域，所述混合区域中不存在SOI/FDSOI的绝缘层。
[0042] 衬底(包括区域2、8)具有第一导电类型。在本实施例中，第一导电类型是p型导电，但是可以设想在其它实施例中，第一导电类型可以是n型导电。
[0043] 装置10还包括在埋入式氧化物层30下方延伸的半导体区域4。半导体区域4具有第二导电类型，所述第二导电类型是与第一导电类型不同的导电类型。在本实施例中，第二导电类型是n型导电类型，但是可以设想在其它实施例中，第二导电类型可以是p型导电类型。
[0044] 半导体区域4与具有第一导电类型的半导体区域8形成pn结。pn结相对于衬底的主表面基本上正交地延伸。pn结定位在埋入式氧化物层30下方。
[0045] 装置10还包括场板电极16。此实施例中的场板电极16具有第二导电类型。场板电极16在具有第二导电类型的半导体区域4上方延伸，并且在此实施例中还在第一区域8的形成半导体区域4与第一区域8之间的pn结的一部分上方延伸。因此，pn结定位在场板电极16正下方。pn结接近埋入式氧化物层30可以允许通过向场板电极16施加偏置电压(VFP)来
修改pn结处的电场，以便调整装置的击穿电压和/或泄漏电流。在一些例子中，可以根据应用要求(例如，根据优先考虑较高击穿电压还是较低导通电阻(Ron)，或两者的组合)静态或动态地将场板16连接到接地、偏置为正或负。
[0046] 在本实施例中，半导体区域8设置有区域32，所述区域32具有第一导电类型并且比衬底的其余部分(例如，区域8)更高地掺杂。在一些实施例中，可以将高掺杂区域32设置为通常在多种FDSOI技术中可获得的层(例如，接地平面)的一部分。通过利用此层，可以在不必为高掺杂区域32进行特别准备的情况下(例如，在没有另外的注入物或相关联成本的情况下)构造装置10。
[0047] 在此实施例中，区域32与半导体区域4形成pn结。区域32定位在埋入式氧化物层30的正下方。以这种方式，可以将可能发生击穿的
位置20定位在场板电极16附近，以便通过向场板电极16施加偏置电压来严密地控制装置的击穿电压和/或泄漏电流。
[0048] 所述装置还包括第一电极14，所述第一电极14包括具有第一导电类型的半导体区域。第一电极14定位在半导体衬底中(具体地说，在区域2中)。此实施例中的第一电极14形成装置10的阴极。第一电极14可以比衬底的其余部分(例如，区域2)更高地掺杂。
[0049] 所述装置还包括第二电极12，所述第二电极12包括具有第二导电类型的半导体区域。第二电极12定位在具有第二导电类型的半导体区域4中，并且在此实施例中形成装置10的阳极。第二电极12可以比半导体区域4的其余部分更高地掺杂。
[0050] 在本实施例中，第二电极12和第一电极14各自被一个或多个隔离区域6彼此分离。
[0051] 图3示出了根据本公开的另一个实施例的包括pn结二极管的半导体装置10。图3中的装置10在某些方面与上文结合图2描述的装置10类似，并且下文将仅对差异进行描述。
[0052] 在本实施例中，半导体区域4设置有区域34，所述区域34具有第二导电类型并且比半导体区域4的其余部分更高地掺杂。在一些实施例中，可以将高掺杂区域34设置为通常在多种FDSOI技术中可获得的层(例如，接地平面)的一部分。通过利用此层，可以在不必为高掺杂区域34进行特别准备的情况下(例如，在没有另外的注入物或相关联成本的情况下)构造装置10。
[0053] 在此实施例中，区域34与半导体区域8形成pn结。区域34定位在埋入式氧化物层30的正下方。以这种方式，可以将可能发生击穿的位置20定位在场板电极16附近，以便通过向场板电极16施加偏置电压(VFP)来严密地控制装置的击穿电压和/或泄漏电流。此实施例不(一定)包括上文结合图2描述的种类的区域32。
[0054] 在本实施例中，场板电极16具有第一导电类型(在此实施例中为p型)。此外，与图2的实施例相反，场板电极16在定位在埋入式氧化物层30下方的具有第一导电类型的基本上整个半导体区域8上方延伸。场板电极16还可以在pn结上方延伸，并且任选地还在区域4的一部分上方延伸。因此，pn结定位在场板电极16正下方。pn结接近埋入式氧化物层30可以允许通过向场板电极16施加偏置电压(VFP)来修改pn结处的电场，以便调整装置的击穿电压和/或泄漏电流。再次，在一些例子中，可以根据应用要求(例如，根据优先考虑较高击穿电压还是较低导通电阻(Ron)，或两者的组合)静态或动态地将场板16连接到接地、偏置为正或负。
[0055] 图4示出了根据本公开的另外的实施例的包括pn结二极管的半导体装置10。图4中的装置10在某些方面与上文结合图3描述的装置10类似，并且下文将仅对差异进行描述。
[0056] 此实施例中的场板电极16具有第二导电类型。场板电极16在具有第二导电类型的半导体区域4上方延伸，并且在此实施例中还在第一区域8的形成半导体区域4与第一区域8之间的pn结的一部分上方延伸。因此，pn结定位在场板电极16正下方。pn结接近埋入式氧化物层30可以允许通过向场板电极16施加偏置电压(VFP)来修改pn结处的电场，以便调整装置的击穿电压和/或泄漏电流。再次，在一些例子中，可以根据应用要求(例如，根据优先考虑较高击穿电压还是较低导通电阻(Ron)，或两者的组合)静态或动态地将场板16连接到接地、偏置为正或负。
[0057] 在此实施例中，装置10包括具有第一导电类型的半导体区域38，所述半导体区域38定位在衬底的处于埋入式氧化物层30正下方的区域8中。半导体区域38可以比衬底的其余部分(例如，区域8)更高地掺杂。半导体区域38与形成于区域34与区域8之间的pn结横向间隔开。包括半导体区域38可以通过降低装置10的电阻来提高性能，进而允许在装置10的导通电阻与击穿电压之间实现更好的权衡。
[0058] 本文所描述的种类的半导体装置10可以设置在ESD保护装置中。本文所描述的种类的半导体装置10可以设置在用于电源管理电路的开关中。本文所描述的种类的半导体装置10可以设置在用于RF前端电路的开关中。
[0059] 制造包括本文所描述的种类的pn结二极管的半导体装置10的方法可以包括提供具有第一导电类型的半导体衬底。所述方法还可以包括在衬底中形成(例如，沉积)埋入式氧化物层30。所述方法可以另外包括形成具有第二导电类型的半导体区域4，其中具有第二导电类型的半导体区域4在埋入式氧化物层30下方延伸以与衬底的具有第一导电类型的半导体区域8形成pn结。pn结定位在埋入式氧化物层30下方并且相对于衬底的主表面基本上正交地延伸。所述方法还包括形成(例如，沉积和
图案化)场板电极16，所述场板电极16包括定位在埋入式氧化物层30上方用于通过向场板电极施加电势来改变pn结处的电场的半导体区域。
[0060] 因此，已经描述了包括pn结二极管的半导体装置及其制造方法。所述装置包括具有第一导电类型的半导体衬底。所述装置还包括定位在所述衬底中的埋入式氧化物层。所述装置另外包括具有第二导电类型的半导体区域，所述半导体区域在所述埋入式氧化物层下方延伸以与具有所述第一导电类型的半导体区域形成pn结。所述pn结定位在所述埋入式氧化物层下方并且相对于所述衬底的主表面基本上正交地延伸。所述装置还包括场板电极，所述场板电极包括定位在所述埋入式氧化物层上方的用于通过向所述场板电极施加电势来改变所述pn结处的电场的半导体区域。
[0061] 尽管已经描述了本公开的具体实施例，但是应当理解的是，可以在权利要求的范围内进行修改/添加和/或替换。
