专利汇可以提供Manufacture of semiconductor laser专利检索,专利查询,专利分析的服务。并且PURPOSE: To obtain the title device excellent in electric properties and optical properties regardless of the value of the Al composition of the first upper clas layer, by a method wherein a protection layer made of AlGaAs with an Al composition set at less than a specific value is prepared during the first growing precess in the manufacture of AlGaAs series semiconductor lasers produced by an MBE device.
CONSTITUTION: During the first growing process, the protection layer 24 made of Al
x Ga
1-x As with an Al composition set at X,下面是Manufacture of semiconductor laser专利的具体信息内容。
标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
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