异质外延
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| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法 | 2020-05-08 | 675 |
| 基于漏场板的电流孔径异质结晶体管及其制作方法 | 2020-05-11 | 625 |
| 带有沟槽肖特基二极管和异质结栅极的碳化硅屏蔽型MOSFET | 2020-05-11 | 638 |
| 一种发光二极管外延片及其制造方法 | 2020-05-11 | 262 |
| 多结太阳能电池及其制备方法 | 2020-05-11 | 296 |
| 一种省隔离器边发射光器件及制作方法 | 2020-05-08 | 1026 |
| 一种高分散异质界面复合纳米线及其制备方法与应用 | 2020-05-08 | 281 |
| 弧形栅-漏复合场板电流孔径异质结器件 | 2020-05-11 | 139 |
| 衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成方法及器件 | 2020-05-11 | 408 |
| 基于表面等离激元的硅基纳米激光器及其制备方法 | 2020-05-08 | 385 |
| 一种发光二极管外延片及其制备方法 | 2020-05-11 | 238 |
| 结晶多纳米片应变沟道FET及其制造方法 | 2020-05-11 | 632 |
| 一种磷化铟双异质结双极型晶体管制造方法 | 2020-05-08 | 126 |
| GaN基横向超结器件及其制作方法 | 2020-05-11 | 963 |
| 一种异质集成单晶钻石薄膜的制备方法 | 2020-05-11 | 504 |
| 一种硅重掺杂氮化镓异质外延的材料结构及应力控制方法 | 2020-05-11 | 734 |
| 一种基于二维材料/氮化镓的双极型三极管及其制备方法 | 2020-05-08 | 201 |
| 一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法 | 2020-05-11 | 283 |
| 一种三结GaAs太阳能电池外延结构 | 2020-05-08 | 84 |
| 一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件 | 2020-05-08 | 242 |
| 标题 | 发布/更新时间 | 阅读量 |
|---|---|---|
| 一种基于互补型SiC的新型晶体管器件及其制备方法 | 2020-05-08 | 675 |
| 多结太阳能电池及其制备方法 | 2020-05-11 | 296 |
| 衬底转移外延生长的HEMT与LED的单片集成方法及器件 | 2020-05-11 | 408 |
| 采用分子束外延技术生长用于缓解/消除铝镓氮薄膜表面裂纹的超晶格插入层的方法 | 2020-05-12 | 947 |
| 集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器及其制作方法 | 2020-05-12 | 125 |
| 波导型GeSn光电晶体管及其制造方法 | 2020-05-12 | 581 |
| 包含晶格匹配的稀释氮化物结的薄膜柔性多结光电器件及制造方法 | 2020-05-13 | 1 |
| 具有工作温度实时监控功能的高温三维霍尔传感器及其制作方法 | 2020-05-12 | 991 |
| 半导体器件和用于形成半导体器件的方法 | 2020-05-13 | 687 |
| 一种材料结构倒置型异质衬底肖特基二极管电路制作方法 | 2020-05-11 | 283 |
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