| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 21 | 粉末的制造方法、该粉末以及使用该粉末的多层陶瓷电容器 | CN200610068265.0 | 2006-03-22 | CN1837058A | 2006-09-27 | 藤川佳则; 上田智子; 时田浩司 |
| 本发明的目的是为了得到能够在低温下进行烧结，并且即使进行烧结壳部分的厚度也均匀的核壳结构的粉末，在烧结粉末之前，预先已形成在粒子内部与表面中的组成不同的核壳结构。此外，其目的在于：通过使用在烧结前具有粒子的内部与表面的组成不同的核壳结构的粉末制造多层陶瓷电容器，提供长寿命的多层陶瓷电容器。本发明的粉末的制造方法是一种在包含原料的液体中合成粒子的粉末的制造方法，其特征在于：将作为上述粒子成分掺入的组合物供给到上述液体中，以便在合成过程中连续地或断续地改变上述液体的组成，得到至少粒子的内部和表面的组成不同的粒子。 | ||||||
| 22 | 机械加工陶瓷的方法 | CN200480011018.6 | 2004-03-29 | CN1777662A | 2006-05-24 | R·W·拉孔托; D·E·沃德 |
| 一种机械加工含铝陶瓷基材的方法，该方法包括在基材和机床之间提供浆液，该浆液包含氧化铝磨料和含有磷化合物的添加剂，使基材相对于机床进行运动。 | ||||||
| 23 | 铱－钽－氧化物电极的等离子体腐蚀方法及腐蚀后的清洗方法 | CN02121860.9 | 2002-05-14 | CN1237579C | 2006-01-18 | H·嬴; F·张; J·-S·马; S·T·许 |
| 一种在集成电路中形成电极的方法，包括制备基于硅的衬底，包括衬底上形成半导体结构以形成集成衬底结构；在衬底结构上淀积一层电极材料；构图电极材料层形成电极部件，其中所述构图包括在含有氟成分的腐蚀气体气氛中的等离子体反应室中等离子体腐蚀电极材料层；以及在去离子水槽中清洗衬底结构和电极部件。 | ||||||
| 24 | 制备均匀的钨－铜假合金的方法 | CN00128341.3 | 1996-11-15 | CN1192837C | 2005-03-16 | L·P·多夫曼; M·J·塞豪尔; D·L·豪克; M·帕利瓦; G·T·迈耶斯; F·J·文斯吉蒂斯 |
| 本发明提供了一种制备均匀的钨-铜假合金的方法，包括将压缩钨包覆铜复合粉末形成密实体，并烧结该密实体，所述钨-铜复合粉末包含具有钨相和铜相个体颗粒，其中钨相基本上包封着铜相。 | ||||||
| 25 | 固态材料 | CN98814380.1 | 1998-12-30 | CN1177754C | 2004-12-01 | 埃琳娜·伊戈维娜·克鲁托瓦; 朱里·列昂尼多维奇·斯皮林; 弗拉基米尔·斯捷潘诺维奇·杜比宁; 德米特里·弗拉基米罗维奇·弗罗洛夫 |
| 一种处理固态材料的处理方法，其中：在材料的表面层中形成微孔，所述微孔有达200纳米的直径。用与坯件不同或相同的材料制造的微丝填充所述微孔。这产生了材料的数个特性的改进，包括强度和声损耗。本发明可以相当成功地用于压电陶瓷的制造。 | ||||||
| 26 | 陶瓷电子元件制造方法与凹版印刷法 | CN200410007020.8 | 2004-02-23 | CN1525504A | 2004-09-01 | 石本裕一; 桥本宪 |
| 一种陶瓷电子元件制造方法，包括第一与第二凹版印刷步骤，其中在包括陶瓷生片的合成片上印制导电膏和台阶消除陶瓷膏。在执行第二凹版印刷步骤前，先印出第一印记，而在第二凹版印刷步骤之前，先测定第一印记的位置并将它与其期望的位置作比较。然后执行第二凹版印刷步骤，相对于第一印记位置在合适的位置印刷第二印记。 | ||||||
| 27 | 电压非线性电阻体及其制造方法 | CN00106199.2 | 2000-05-08 | CN1154120C | 2004-06-16 | 今井俊哉; 宇田川刚 |
| 本发明在于提高对雷脉冲或过电压等电涌的保护能力。在具备以氧化锌作为主成分的烧结体1、在该烧结体1的侧面上具有高电阻层3的电压非线性电阻体中，高电阻层3以Al6Si2O13(莫来石)作为主成分、以至少含有1.0～25重量%的AlPO4(正磷酸铝)、0.1～15重量%的MnFe2O4(铁酸盐)、0.1～15重量%的Fe2O3(氧化铁)的成分构成。 | ||||||
| 28 | 中孔碳材料,碳/金属氧化物复合材料和使用它们的电化学电容器 | CN00819536.6 | 2000-12-29 | CN1452592A | 2003-10-29 | 吴承模; 玄泽焕; 张宗铉; 尹城勋 |
| 本发明涉及具有2～20nm中孔，高孔隙率的碳材料、用所述碳材料制备金属氧化物沉积在碳孔隙中的碳/金属氧化物复合材料、使用所述碳材料制成的电双层电容器以及使用所述碳/金属氧化物复合材料制成的电化学电容器。当中孔碳用作电双层电容器的电极材料时，尽管由于其低表面积导致单位重量的电容值低，但由于其低等效串联电阻，所述电双层电容器比已有的电双层电容器具有更高的电荷储存容量。而且，当所述碳/金属氧化物复合材料用作电双层电容器的电极材料时，通过电双层电容器与金属氧化物伪电容器的组合，所述电容器具有更高的单位重量电容值，即254F/g。 | ||||||
| 29 | 复合基片，用它的EL面板及其制造方法 | CN02147087.1 | 2002-10-29 | CN1416303A | 2003-05-07 | 斎田良夫; 萩原淳; 白川幸彦; 薄田真人 |
| 本发明的目的是提供确保厚膜电介质层的绝缘性，而且由簿膜制成的发光层等的功能性薄膜能够稳定工作，特别是可以稳定发光的复合基片和EL面板及其制造方法，并提供在用溶胶凝胶电介质层确保厚膜陶瓷电介质层的表面平坦性的EL元件中，制造稳定性高，没有元件驱动时的EL发光不均匀的EL元件的制造方法和EL元件，为了达到这个目的，本发明提出了具有至少具有基片，在这个基片上形成的电极和作为在这个电极上形成的厚膜电介质的第1电介质层，在上述第1电介质层上，在第1电介质层的下部和/或第1电介质层之间用溶液涂敷烘烤法形成的第2电介质层的构成的复合基片和EL面板及其制造方法。 | ||||||
| 30 | 高热导性复合材料及其制备方法 | CN02105653.6 | 2002-03-20 | CN1392219A | 2003-01-22 | 菖蒲一久; 坂本满; 田原龙夫; 平井寿敏; 北原晃; 佐藤富雄; 山下勇 |
| 高热导性复合材料，含有占20～75％体积比的SiC和占其余体积比的Cu，和介于该SiC和Cu界面上的防止两者反应的防反应层，上述防反应层是由碳，或选自Cr，Nb，Ta，W中至少一种元素的碳化物形成的厚度为0.01～10微米的薄膜形成的。另外热膨胀系数为4.5～10×10－6/K，热导率为200W/mK以上。 | ||||||
| 31 | 用于氮化铝衬底的厚膜导体浆料组合物 | CN96110998.X | 1996-08-16 | CN1096685C | 2002-12-18 | K·冈本 |
| 本发明涉及厚膜导体浆料组合物，可用厚膜技术将其加于氮化铝衬底上，可用丝网印刷或涂覆然后焙烧的方法在衬底上形成厚膜导体。将导体粉和硼化物分散于有机媒体中制成该组合物。 | ||||||
| 32 | 钙钛矿型复合氧化物析出物的制造方法 | CN96190373.2 | 1996-03-15 | CN1083402C | 2002-04-24 | 八尾健 |
| 本发明涉及在(1)具有稀土金属和/或碱土金属原子M1的氟金属配位化合物和/或金属氟化物的水溶液或氢氟酸溶液和；(2)具有过渡金属和/或3B族金属原子M2的氟金属配位化合物和/或金属氟化物的水溶液或氢氟酸溶液的混合液中，于氟化物离子捕集剂存在下，形成由含有M1及M2的钙钛矿型复合氧化物组成的析出物的金属氧化物析出物的制造方法，使用的装置简单，而且不需要用于结晶化的加热工序，适合于制造钙钛矿型复合氧化物的析出物，特大面积或在复杂基材表面的薄膜等析出物。 | ||||||
| 33 | 固态材料 | CN98814380.1 | 1998-12-30 | CN1336901A | 2002-02-20 | 埃琳娜·伊戈维娜·克鲁托瓦; 朱里·列昂尼多维奇·斯皮林; 弗拉基米尔·斯捷潘诺维奇·杜比宁; 德米特里·弗拉基米罗维奇·弗罗洛夫 |
| 一种处理固态材料的处理方法,其中:在材料的表面层中形成微孔,所述微孔有达200纳米的直径。用与坯件不同或相同的材料制造的微丝填充所述微孔。这产生了材料的数个特性的改进,包括强度和声损耗。本发明可以相当成功地用于压电陶瓷的制造。 | ||||||
| 34 | 钨－铜复合粉 | CN00128340.5 | 1996-11-15 | CN1329955A | 2002-01-09 | L·P·多夫曼; M·J·塞豪尔; D·L·豪克; M·帕利瓦; G·T·迈耶斯; F·J·文斯吉蒂斯 |
| 提供一种高性能的钨－铜复合粉末,它由包括钨相和铜相且钨相基本上包封着铜相的个体颗粒所组成。钨包覆铜复合粉末可以经压缩和烧结制成钨铜假合金物件,这种物件有着钨相和铜相的均匀分布且没有铜漏失,它也可用于电子工业中的陶瓷上敷金属。 | ||||||
| 35 | 在陶瓷基材上涂覆铜膜的方法 | CN95100364.X | 1995-01-29 | CN1072736C | 2001-10-10 | 吉泽出; 高桥广明; 川原智之 |
| 一种在陶瓷基材上涂覆铜膜的方法，包括以下步骤：在陶瓷基材上形成含铜的底涂层，在氧化气氛中对覆有底涂层的陶瓷基材进行热处理，在底涂层中得到氧化铜层，在还原溶液池中将氧化铜层还原成为金属铜层，最后在金属铜层上再形成附加的铜层，就得到了铜膜。氢硼化盐、二甲胺甲硼烷等可用作还原溶液。当还原溶液为二甲胺甲硼烷时，还原步骤可以在30℃至50℃的温度下进行。 | ||||||
| 36 | 钨－铜复合粉 | CN96114471.8 | 1996-11-15 | CN1068909C | 2001-07-25 | L·P·多夫曼; M·J·塞豪尔; D·L·豪克; M·帕利瓦; G·T·迈耶斯; F·J·文斯吉蒂斯 |
| 提供一种高性能的钨-铜复合粉末，它由包括钨相和铜相且钨相基本上包封着铜相的个体颗粒所组成。钨包覆铜复合粉末可以经压缩和烧结制成钨铜假合金物件，这种物件有着钨相和铜相的均匀分布且没有铜漏失，它也可用于电子工业中的陶瓷上敷金属。 | ||||||
| 37 | 涂层粉末形成的固结材料及其生产方法 | CN97199239.8 | 1997-08-20 | CN1235567A | 1999-11-17 | 中塚胜人; 新子贵史 |
| 本发明涉及由几种涂层粉末形成的固结材料,在通过互相结合具有一定性能的粉末颗粒,形成一种模制品时,可以使粉末颗粒具有要求的排列方向,或可以以这样的预定的距离排列,以使固结材料达到所要求的性能。在粉末颗粒上有厚度0.01—20微米均匀涂膜,或者粘附各含有基体颗粒的粉末,在粉末颗粒上有多层涂膜,每层厚度均匀,为0.01—5微米,其中至少任何相邻的涂膜是不同类的,该粉末颗粒在涂膜处或通过粘合剂固结在一起,固结材料的特性归因于在其上有涂膜的粉末颗粒的特性,本发明也公开了一种由涂层粉末颗粒形成固结材料的方法。 | ||||||
| 38 | 非金属盘镀层 | CN96107934.7 | 1996-06-04 | CN1140208A | 1997-01-15 | 斯蒂芬·F·斯塔克; 约汉·D·阿蒙德森; 道格拉斯·H·皮尔廷斯鲁德; 詹姆斯·A·哈甘 |
| 本发明是一种涂敷非金属基底的方法，包括下列步骤：在基底上沉积一个附着加强膜；处理该附着加强膜，使该膜具有催化性；和在该附着加强膜上形成一个外涂层和钝化涂层。所得涂层的非金属基底可以包含任何一些用作内基底的材料，例如氧化物、氮化物、磷化物、碳化物，玻璃，陶瓷，及其混合物。所得基底可应用于任何类型的数据存储与检索。 | ||||||
| 39 | 具有分段冶炼结构的氮化铝体 | CN95120028.3 | 1995-12-01 | CN1134397A | 1996-10-30 | 江·阿尔弗雷德·卡西; 卡拉·纳塔利亚·科德罗; 本杰明·维托·法萨诺; 戴维·布赖恩·高兰; 罗伯特·汉农; 焦纳森·H·哈里斯 |
| 所公开的是一种具有分段冶炼结构的氮化铝体及一种用于制造这种体的方法。该氮化铝体具有至少一个通孔及包括一层与该氮化铝体直接接触的第一层及与第一层直接接触并完全密封第一层的第二层。第一层包括百分之30至60体积的氮化铝和百分之40至70体积的钨和/或钼，而第二层包括百分之90至100体积的钨和/或钼及百分之0至10体积的氮化铝。 | ||||||
| 40 | 用于基体涂层的浆料，其制造方法及其应用 | CN94115882.9 | 1994-09-13 | CN1102424A | 1995-05-10 | B·E·克里斯默; U·泰斯; P·拉德斯塔特; R·胡恩纳特 |
| 本发明涉及用于基体涂层的浆料及其制备方法和其用途，该浆料包括存在于液体分散体中的粉末材料，所说粉末材料选自金属，金属化合物和/或金属合金和/或硼和/或碳。 | ||||||
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