| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 采用车削方式制作Dk＞10的覆铜板基材的方法 | CN201710517151.8 | 2017-06-29 | CN107311517A | 2017-11-03 | 高绍兵; 刘国强 |
| 本发明涉及覆铜板领域，具体涉及采用车削方式制作Dk＞10的覆铜板基材的方法，产品的操作过程：1、钛酸钡陶瓷粉料与聚四氟乙烯粉料混合，技术特征：(a)钛酸钡粉料粒径被聚四氟乙烯粉料粒径包袱；(b)陶瓷粉料与聚四氟乙烯粉料要混合均匀。2、将两种粉料成型烧结加工成坯料，技术特征:(a)两种物粉成型时压力从60kg/cm2升到100kg/cm2；(b)烧结温度380℃和时间是50h。3、将坯料车削成板，板厚从0.5-9mm，此板即为Dk＞10覆铜板基材，本发明制作工艺中不使用损耗偏大的玻璃纤维布，节能环保；由于不使用损耗偏大的玻璃纤维布，所制得的Dk＞10覆铜板基材介质损耗低。 | ||||||
| 2 | 用于松散黝铜矿材料的电接触部和热接触部及其制备方法 | CN201580072115.4 | 2015-12-16 | CN107112407A | 2017-08-29 | 琳赛·米勒; 约翰·P·赖芬贝格; 道格拉斯·克兰; 亚当·洛里默; 马里奥·阿吉雷; 乔丹·蔡斯; 马修·L·斯卡林 |
| 在一方面，结构包括黝铜矿基底；第一接触金属层，其被布置在黝铜矿基底上面并且与黝铜矿基底直接接触；以及第二接触金属层，其被布置在第一接触金属层上面。热电装置可以包含此类结构。在另一方面，方法包括提供黝铜矿基底；将第一接触金属层布置在黝铜矿基底上面并且与黝铜矿基底直接接触；以及将第二接触金属层布置在第一接触金属层上面。制作热电装置的方法可以包括此类方法。 | ||||||
| 3 | 多孔碳组合物 | CN201380031662.9 | 2013-05-17 | CN104411628B | 2017-05-03 | H·拉克劳特; M·J·马克斯; L·瓦勒特; D·D·拉萨姆 |
| 用于制备多孔碳组合物的可固化液态碳前体制剂，所述制剂包含(a)至少一种芳族环氧树脂；(b)(i)至少一种芳族共反应性固化剂，或(b)(ii)至少一种催化固化剂，或(b)(iii)其混合物；和(c)至少一种致孔剂；其中所述液态组合物在添加致孔剂之前、在添加任选的组分之前、在固化之前和在碳化之前，在25℃时具有小于10,000mPa‑s的净粘度；并且其中经受固化的液态组合物具有至少35重量％的碳收率，不考虑所述致孔剂和存在于所述组合物中的任何任选组分的重量；从上述制剂制备所述多孔碳组合物的方法，所述方法包括以下步骤：固化所述制剂，和碳化从固化所述制剂产生的所述固化产物，从而产生多孔碳组合物；以及通过上述方法制造的多孔碳组合物。 | ||||||
| 4 | 用于制造电镀敷通孔的方法和相应的电路板 | CN201380040759.6 | 2013-07-26 | CN104508757B | 2016-10-19 | A.蒂姆; K.赫尔曼 |
| 本发明涉及一种用来制造在电路板中的镀敷通孔镀敷通孔的方法以及这种方式制造的电路板。 | ||||||
| 5 | GaN基半导体结晶成长用多晶氮化铝基材及使用该基材的GaN基半导体的制造方法 | CN201180035289.5 | 2011-09-26 | CN103003920B | 2016-09-14 | 小森田裕; 中山宪隆; 高浪健太郎 |
| 本发明提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。 | ||||||
| 6 | 陶瓷电路基板 | CN201280019369.6 | 2012-07-13 | CN103492345B | 2016-04-06 | 星野政则; 佐藤英树; 小森田裕; 中山宪隆; 那波隆之 |
| 本发明涉及一种陶瓷电路基板，其在氧化铝基板上接合有金属电路板，其中，所述氧化铝基板含有94～98质量%的氧化铝Al2O3和2～6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分；所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物，所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计，在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01～1.5质量%；在所述氧化铝基板中，孔隙的最大直径为15μm以下，孔隙平均直径为10μm以下，维氏硬度为1300以上。 | ||||||
| 7 | 树脂浸渗氮化硼烧结体及其用途 | CN201480031954.7 | 2014-06-02 | CN105263886A | 2016-01-20 | 五十岚厚树; 野中脩平; 光永敏胜; 广津留秀树; 椎叶满 |
| 本发明提供导热系数和强度优异的树脂浸渗氮化硼烧结体；以及传导率优异、导热系数的各向异性小的树脂浸渗氮化硼烧结体。根据本发明，提供：一种树脂浸渗氮化硼烧结体，其包含氮化硼颗粒以三维方式连接的氮化硼烧结体30～90体积％和树脂10～70体积％，氮化硼烧结体的孔隙率为10～70％，氮化硼颗粒的平均长径为10μm以上，基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为4.0以下，基于I.O.P.的取向度为0.01～0.05或20～100；以及一种树脂浸渗氮化硼烧结体，其含有氮化硼颗粒以三维方式连接的氮化硼烧结体30～90体积％和树脂10～70体积％，氮化硼烧结体的钙的含有率为500～5000ppm，氮化硼烧结体的基于粉末X射线衍射法的石墨化指数为0.8～4.0，氮化硼烧结体由平均长径10μm以上的鳞片状氮化硼颗粒形成，I.O.P.的取向度为0.6～1.4。 | ||||||
| 8 | 天线用磁性材料、以及天线和无线通信器械 | CN201210062089.5 | 2012-03-09 | CN102682947B | 2015-08-05 | 石仓友和; 村本充广; 原田明洋; 川崎克己; 黑田朋史 |
| 本发明提供一种可以实现在高频率下可宽频带且高效率地使用且在生产性和经济性方面表现优良的小型天线等的天线用磁性材料、以及使用其的天线和无线通信器械。天线用磁性材料包含用通式(1)：MA·Fe12-X·MBX·O19(式中，MA是选自Sr和Ba中的至少一种，MB是MC或MD，MC是选自Al、Cr、Sc和In中的至少一种，MD是选自Ti、Sn和Zr中的至少一种与选自Ni、Zn、Mn、Mg、Cu和Co中的至少一种的等量混合物，X是1以上5以下的数)表示的M型六方晶铁氧体作为主相，并且，平均结晶粒径为5μm以上。 | ||||||
| 9 | 多孔碳组合物 | CN201380031662.9 | 2013-05-17 | CN104411628A | 2015-03-11 | H·拉克劳特; M·J·马克斯; L·瓦勒特; D·D·拉萨姆 |
| 用于制备多孔碳组合物的可固化液态碳前体制剂，所述制剂包含(a)至少一种芳族环氧树脂；(b)(i)至少一种芳族共反应性固化剂，或(b)(ii)至少一种催化固化剂，或(b)(iii)其混合物；和(c)至少一种致孔剂；其中所述液态组合物在添加致孔剂之前、在添加任选的组分之前、在固化之前和在碳化之前，在25℃时具有小于10,000mPa-s的净粘度；并且其中经受固化的液态组合物具有至少35重量％的碳收率，不考虑所述致孔剂和存在于所述组合物中的任何任选组分的重量；从上述制剂制备所述多孔碳组合物的方法，所述方法包括以下步骤：固化所述制剂，和碳化从固化所述制剂产生的所述固化产物，从而产生多孔碳组合物；以及通过上述方法制造的多孔碳组合物。 | ||||||
| 10 | 经碳化硅被覆的碳材料的制造方法 | CN201080045170.1 | 2010-10-07 | CN102574747B | 2014-10-15 | 青木良隆 |
| 提供一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，其将通过对非熔融性固体状硅酮加热而得的非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境下进行加热，从而在碳基材上形成碳化硅被膜。本发明可以获得耐热性优异、具有均匀的碳化硅被覆的经碳化硅被覆的碳材料。 | ||||||
| 11 | 铝-碳化硅质复合体及其加工方法 | CN200780015978.3 | 2007-05-08 | CN101438401B | 2013-08-28 | 岩元豪; 广津留秀树 |
| 本发明提供适合作为功率模块用底板等的铝—碳化硅质复合体。它是将以铝为主要成分的金属含浸至平板状的碳化硅质多孔体中而形成的铝—碳化硅质复合体，其特征在于，两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，对侧面部及孔部进行水喷射加工，使侧面不具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层。 | ||||||
| 12 | GaN基半导体结晶成长用多晶氮化铝基材及使用该基材的GaN基半导体的制造方法 | CN201180035289.5 | 2011-09-26 | CN103003920A | 2013-03-27 | 小森田裕; 中山宪隆; 高浪健太郎 |
| 本发明提供对使GaN结晶成长有效的多晶氮化铝基板。其是用于使GaN基半导体晶粒成长的作为基板材料的多晶氮化铝基材，其特征在于，含有1～10质量％的烧结助剂成分，热传导率150W/m·K以上，且在基板表面没有最大直径超过200μm的凹部。 | ||||||
| 13 | 新颖的硫改性的整体多孔性碳基材料、其制备方法、及其在能量储存和释放中的用途 | CN201110394137.6 | 2011-11-23 | CN102592698A | 2012-07-18 | D·艾梅-佩多; M·迪厄多法; P·索塔克; A·C·帕基耶 |
| 本发明的主题涉及一种新颖的通过用硫基强酸浸渍来制备硫改性的整体多孔性碳基材料的方法、能够根据该方法得到的材料、以及这些具有提高的超电容特性的材料用于生产储能系统所用电极的用途。由根据本发明的硫改性的整体多孔性碳基材料组成的电极，并且包含这些电极的锂电池和超级电容器也构成了本发明的一部分。 | ||||||
| 14 | 经碳化硅被覆的碳材料的制造方法 | CN201080045170.1 | 2010-10-07 | CN102574747A | 2012-07-11 | 青木; 良隆 |
| 提供一种经碳化硅被覆的碳材料的制造方法，其将通过对非熔融性固体状硅酮加热而得的非晶质无机陶瓷物质与碳基材在非氧化性气体环境下进行加热，从而在碳基材上形成碳化硅被膜。本发明可以获得耐热性优异、具有均匀的碳化硅被覆的经碳化硅被覆的碳材料。 | ||||||
| 15 | 高速烧制用导体膏 | CN200810161424.0 | 2008-09-25 | CN101399092B | 2012-07-04 | 杉村健一; 平尾和久 |
| 本发明提供一种高速烧制用导体膏，其为被供给在陶瓷生片上，与该生片一起，以从室温到最高烧制温度的升温速度为600℃/hr以上的高速升温条件进行烧制的高速烧制用导体膏。该膏作为导体形成用粉末材料，含有以镍粉末为主要成分的导电性金属粉末、和作为添加剂的平均粒径为10nm～80nm的钛酸钡类陶瓷粉末。相对于100质量份的上述导电性金属粉末，上述陶瓷粉末的含量是5～25质量份。 | ||||||
| 16 | 用于减少颗粒脱落的封装涂层 | CN200880128476.6 | 2008-02-05 | CN101983438A | 2011-03-02 | 穆罕默德·哈桑纳利; 卡尔·萨鲁波; 史蒂夫·克弗林; 弗雷德·M·金奥克 |
| 本发明的各实施例涉及涂覆有精确施加到在切块期间暴露出的元件边缘的聚合物材料的封装陶瓷元件。公开了施加所述聚合物的方法、以及特别有用的特定聚合物。例如，可以使用精确施加方法施加所述聚合物材料，诸如将材料精确地直接写到特别期望的位置的喷墨印刷。在照相平版印刷方法的使用中描述了另一种方法。另外，发明人已经结合某些方面确定聚酰亚胺是特别有用的聚合物材料。 | ||||||
| 17 | 高Q值金属化线圈体(电感) | CN200980107738.5 | 2009-03-06 | CN101970380A | 2011-02-09 | K·赫尔曼 |
| 本发明涉及一种由陶瓷材料制成的物体，具有由至少一种例如钨玻璃或钼玻璃化合物等导电材料形成的金属化基层，以及具有粘性耐腐蚀的导电表层。为了改善能量损失，亦即，提高Q系数，建议该表层含有/带有至少一个功能层，后者由比导电材料和表层其他组成部分的电阻率更低的一种和/或多种金属形成。 | ||||||
| 18 | 散热器以及用于制造散热器的方法 | CN200880125268.0 | 2008-11-27 | CN101925999A | 2010-12-22 | M·利昂哈特 |
| 本发明推荐了由一种复合材料构成的散热器，该复合材料具有一种第一材料和一种第二材料，其中该第一材料包含有一种电绝缘体，该第二材料包含有一种电导体，其中该散热器具有平行于该散热器的主延伸平面的一个第一侧，并且其中该散热器具有垂直于该主延伸平面与该第一侧相对的、基本与该第一侧平行的一个第二侧，并且其中另外在该第一侧的区域中该第一材料的材料成分大于在该第二侧区域中该第一材料的材料成分。 | ||||||
| 19 | 碳纳米管/锆钛酸铅/水泥压电复合材料及其制备方法 | CN200910020659.2 | 2009-04-16 | CN101531490B | 2010-10-06 | 龚红宇; 张玉军; 李宗津; 李爱菊; 全静 |
| 本发明涉及一种土木工程传感器用的碳纳米管/锆钛酸铅/水泥压电复合材料及其制备方法。该压电复合材料由碳纳米管、锆钛酸铅及水泥组成。制备方法为：均匀混合碳纳米管、锆钛酸铅粉体及水泥粉体，加水后成型，然后水化、干燥。所得材料经极化、老化后即可用于制备土木工程传感器。本发明的压电复合材料具有良好的压电响应。 | ||||||
| 20 | 铝-碳化硅复合体和使用该复合体的散热零件 | CN200780014043.3 | 2007-04-23 | CN101427367A | 2009-05-06 | 广津留秀树; 岩元豪; 塚本秀雄; 日隈智志; 桥本信行 |
| 本发明提供适合作为电源模块用底板的铝－碳化硅复合体。该电源模块用底板的特征在于，由铝－碳化硅复合体形成，该复合体通过将平板状碳化硅多孔体成形或加工成面内厚度差为100μm以下后以1～20Nm的面方向的紧固力矩用脱模板夹持而层叠、并使其含浸以铝为主要成分的金属而得到；在两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层，该铝层的平均厚度为10～150μm，铝层的面内厚度的最大值与最小值之差为80μm以下，两主面的铝层的平均厚度之差为50μm以下，且上述碳化硅多孔体的形状是长方形，或是在长方形上附加了将孔部包围的部分的外周部而形成的形状。 | ||||||
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