41 |
在陶瓷材料上粘附金属沉积层的方法 |
CN87100186 |
1987-01-15 |
CN87100186A |
1987-08-12 |
马丁·伯克; 库特·海曼; 赫曼·约瑟夫·米德克; 戴特利夫·坦布伦克 |
本发明涉及一种为进行化学粘附金属镀层的陶瓷材料实施预处理的方法。其特点在于该陶瓷制品在化学金属化之前先用一种盐溶液对其进行糙化,该盐溶液的粘度用加入添加剂来提高,随后再把陶瓷制品干燥和加热。 |
42 |
用于降低LED结温的材料及其制备方法 |
CN201710382258.6 |
2017-05-26 |
CN107417166A |
2017-12-01 |
朱显成 |
本发明公开了用于降低LED结温的材料及其制备方法,其特征在于:包括复合两种以上具有高传递和高散走热量特性的无机物组分、复合两种以上的塑料组分和功能助剂组分;其中无机物组分重量份数为40-80份,塑料组分重量份数为20-50份,功能助剂重量份数为2-10份,以及以下步骤:(1)所有材料加热干燥;(2)有机与无机物分别混合后按比例分前后次序计量加入或全混合密炼塑化粘结后加入;无机物和有机物混合,高温1500°进一步融合,融合物加入容器;(3)容器中螺杆挤出,融合物机塑化分散均匀;(4)多孔模头挤出成条;(5)模头拉条冷却切粒;(6)注塑成型,包装出厂。进一步,作为本发明的优选方案,所述无机物组分包括碳酸盐、氢氧化钙和磷酸氢。 |
43 |
一种高压变电器 |
CN201710624599.X |
2015-11-14 |
CN107332147A |
2017-11-07 |
彭伟成 |
本发明公开一种高压变电器,包括机构箱和变电器,所述机构箱位于变电器的左侧,所述机构箱包括摆闸和驱动杆,所述摆闸位于机构箱内,所述摆闸与驱动杆相连接。所述驱动杆上设置有复位弹簧,所述变电器包括支撑绝缘子、灭弧室和驱动座,所述支撑绝缘子分别位于变电器的下方,所述支撑绝缘子的右上方设置有固定座,所述灭弧室位于变电器的内侧,所述灭弧室连接固定板,所述驱动座位于灭弧室的底部,所述驱动座内设置有导电夹,所述导电夹右侧设置有输电出口;该高压变电器有利于提高输电转换效果、同时能够对电流的输流起到保护的作用。 |
44 |
一种修板用红粉及其制备方法 |
CN201710221786.3 |
2017-04-06 |
CN106977137A |
2017-07-25 |
付学明; 马丽; 马忠义; 徐晨 |
本发明公开了一种修板用红粉,解决了现有技术中原红粉粘附力不好,修板笔不能满足精密线条的修板要求,修补图像成本较高,效果不好的问题。本发明的红粉包括以下重量份的原料:虫胶10份,三氧化二铁粉2‑4份。本发明的一种修板用红粉的制备方法,包括以下步骤:按重量份称取虫胶、三氧化铁;将虫胶加入乙醇溶解,得虫胶乙醇溶液;将三氧化二铁粉末加入步骤B所得的虫胶乙醇溶液,搅拌均匀,即得。本发明对板面图像具有良好的修补作用,且原料易得,工艺简单,操作方便,价格低廉。 |
45 |
在陶瓷基材上的金属层 |
CN201480031821.X |
2014-05-14 |
CN105246861A |
2016-01-13 |
K.赫尔曼; R.莱奈斯; A.蒂姆; A.多恩 |
本发明涉及在陶瓷基材上制备可焊接和可钎焊的金属层用于电接触的方法以及具有这样的金属层的陶瓷基材。 |
46 |
杂化颗粒、聚合物基复合材料及其制备方法与应用 |
CN201210499155.5 |
2012-11-29 |
CN103849008A |
2014-06-11 |
于淑会; 罗遂斌; 孙蓉; 梁先文; 赖茂柏; 万杰; 郭慧子 |
本发明公开了一种杂化颗粒及其制备方法、聚合物基复合材料及其制备方法与应用。该杂化颗粒由绝缘陶瓷颗粒和负载在所述绝缘陶瓷颗粒表面的导电微粒组成;所述导电微粒在所述绝缘颗粒表面上呈颗粒状离散分布。其制备方法可以采用原位化学还原法、溶胶凝胶法、原位聚合法、高温热处理法、机械球磨法任一种方法制备。聚合物基复合材料包括聚合物和填充于所述聚合物中的杂化颗粒;所述杂化颗粒占所述聚合物基复合材料总重量的20%~80%。本发明杂化颗粒结构稳固,性能稳定。聚合物基复合材料同时具备高介电常数和低介电损耗且性能稳定的优异性能。杂化颗粒和聚合物基复合材料制备方法工艺简单,条件易控,生产效率高,适于工业化生产。 |
47 |
陶瓷电路基板 |
CN201280019672.6 |
2012-07-13 |
CN103503130A |
2014-01-08 |
星野政则; 中山宪隆; 那波隆之; 佐藤英树; 小森田裕 |
本发明涉及一种陶瓷电路基板,其在氧化铝基板上接合有金属电路板,其中,所述氧化铝基板含有99.5质量%以上的氧化铝Al2O3和低于0.5质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分;所述来源于烧结助剂的成分为含有钠的无机氧化物,所述来源于烧结助剂的成分中的钠以换算成氧化钠Na2O的质量计,在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.001~0.1质量%;在所述氧化铝基板中,孔隙的最大直径为12μm以下,孔隙平均直径为10μm以下,维氏硬度为1500以上。 |
48 |
陶瓷电路基板 |
CN201280019369.6 |
2012-07-13 |
CN103492345A |
2014-01-01 |
星野政则; 佐藤英树; 小森田裕; 中山宪隆; 那波隆之 |
本发明涉及一种陶瓷电路基板,其在氧化铝基板上接合有金属电路板,其中,所述氧化铝基板含有94~98质量%的氧化铝Al2O3和2~6质量%的由烧结前配合的烧结助剂生成的来源于烧结助剂的成分;所述来源于烧结助剂的成分为含有硅的无机氧化物,所述来源于烧结助剂的成分中的硅以换算成氧化硅SiO2的质量计,在100质量%的所述氧化铝基板中含有0.01~1.5质量%;在所述氧化铝基板中,孔隙的最大直径为15μm以下,孔隙平均直径为10μm以下,维氏硬度为1300以上。 |
49 |
包含由复合材料制成的衬底的复合构件 |
CN201280014238.9 |
2012-02-20 |
CN103443315A |
2013-12-11 |
岩山功; 西川太一郎; 池田利哉; 小山茂树 |
本发明公开了一种复合构件(1a),包含由具有与镁或镁合金结合的SiC的复合材料制成的衬底(2),并具有不小于0.01×10-3且不大于10×10-3的翘曲度,所述翘曲度是指lmax/Dmax,其中lmax是沿所述复合构件的最长边测得的所述复合构件的一个表面的表面位移的最大值与最小值之差,且Dmax是所述最长边的长度。由此,本发明提供能够有效地将热散逸到安装对象的复合构件、使用所述复合构件的散热构件以及具有所述散热构件的半导体装置。 |
50 |
无铅电阻器组合物 |
CN200980113625.6 |
2009-04-16 |
CN102007074B |
2013-11-06 |
P·D·维努伊; A·T·瓦克; K·W·航 |
本发明公开了在电子器件应用中用作厚膜电阻器浆料的无铅组合物。所述组合物包含粒径介于0.5和5微米之间的Li2RuO3颗粒和无铅玻璃料。所述颗粒所具有的主要位于所述颗粒表面上或表面附近的锂至少部分地被其他金属原子交换。 |
51 |
铝-金刚石类复合体的制备方法 |
CN200980135909.5 |
2009-07-14 |
CN102149655B |
2013-10-23 |
广津留秀树; 塚本秀雄 |
本发明的铝-金刚石类复合体的制备方法的特征在于,包括如下步骤:准备具有特定的粒径的金刚石粉末的步骤;对所述金刚石粒粉末添加胶态二氧化硅而得到浆料的步骤;通过对所述浆料进行冲压成形或浇铸成形,制备所述金刚石粒子的成形体的步骤;在大气中或氮气气氛下对所述成形体进行烧成,得到多孔金刚石成形体的步骤;加热所述多孔金刚石成形体的步骤;将铝合金加热至熔点以上,使其浸渗至所述多孔金刚石成形体中,制备两面被含有以铝为主要成分的金属的表面层覆盖的平板状的铝-金刚石类成形体的步骤;加工所述铝-金刚石类成形体,从而制备铝-金刚石类复合体的步骤。 |
52 |
无铅和无镉的导电铜厚膜膏 |
CN200580018823.6 |
2005-04-15 |
CN101309874B |
2012-02-15 |
斯里尼瓦桑·斯里德哈兰; 奥维尔·华盛顿·布朗 |
本发明的厚膜导电铜膏是无铅无镉的。本发明铜膏具有优良的特性,包括优异的可焊接性、优异的引线粘结性、低煅烧温度以及宽的温度加工范围,并提供优良的在各种基底(包括氧化铝和玻璃涂覆的不锈钢基底)上的粘附性能、以及低的电阻率和煅烧后致密和基本上无孔的微观结构。 |
53 |
具有可控空隙尺寸的自支撑的纳米微粒网络/骨架 |
CN200980150549.6 |
2009-12-15 |
CN102245528A |
2011-11-16 |
G·库玛拉斯瓦米; K·P·沙玛 |
本发明公开了具有500nm至1mm的可控变化的目径、具有0.5至50%的微粒体积分数的纳米微粒的自支撑网络或骨架。该网络包含纳米微粒、能够形成有序结构化的相的表面活性剂和交联剂,其中表面活性剂被洗去以留下自支撑的骨架。本发明还公开了制备自支撑的骨架的方法及其用途。 |
54 |
铝-金刚石类复合体的制备方法 |
CN200980135909.5 |
2009-07-14 |
CN102149655A |
2011-08-10 |
广津留秀树; 塚本秀雄 |
本发明的铝-金刚石类复合体的制备方法的特征在于,包括如下步骤:准备具有特定的粒径的金刚石粉末的步骤;对所述金刚石粒粉末添加胶态二氧化硅而得到浆料的步骤;通过对所述浆料进行冲压成形或浇铸成形,制备所述金刚石粒子的成形体的步骤;在大气中或氮气气氛下对所述成形体进行烧成,得到多孔金刚石成形体的步骤;加热所述多孔金刚石成形体的步骤;将铝合金加热至熔点以上,使其浸渗至所述多孔金刚石成形体中,制备两面被含有以铝为主要成分的金属的表面层覆盖的平板状的铝-金刚石类成形体的步骤;加工所述铝-金刚石类成形体,从而制备铝-金刚石类复合体的步骤。 |
55 |
陶瓷塑料复合制品及其制作方法 |
CN200910309072.3 |
2009-10-29 |
CN102049957A |
2011-05-11 |
王强 |
本发明提供一种陶瓷塑料复合制品,其包括一陶瓷基体及设置于该陶瓷基体上的至少一嵌件,该陶瓷基体上设有一嵌设部,该嵌件由填充于该嵌设部与该陶瓷基体一体成型的塑料形成。本发明还提供一种上述陶瓷塑料复合制品的制作方法。 |
56 |
无铅电阻器组合物 |
CN200980113625.6 |
2009-04-16 |
CN102007074A |
2011-04-06 |
P·D·维努伊; A·T·瓦克; K·W·航 |
本发明公开了在电子器件应用中用作厚膜电阻器浆料的无铅组合物。所述组合物包含粒径介于0.5和5微米之间的Li2RuO3颗粒和无铅玻璃料。所述颗粒所具有的主要位于所述颗粒表面上或表面附近的锂至少部分地被其他金属原子交换。 |
57 |
机敏水泥基材料压力传感器的制备方法及监测装置 |
CN200910078726.6 |
2009-03-02 |
CN101493368B |
2011-01-05 |
甘伟民; 黄新; 陈鹏飞; 王传业 |
本发明涉及一种机敏水泥基材料压力传感器的制备方法,包括如下步骤:步骤一、材料的准备:步骤二、将颗粒类碳质导电相材料分散到基材料中;步骤三、在模具中用浇捣或加压等方式成型,并在成型过程中埋入电极;步骤四、成型后用蒸汽或水浴等水泥基材料可用的养护方式对成形的传感器进行养护。一种机敏水泥基材料压力传感器的监测装置,由以下几部分组成:电源:电源选用直流或交流电源,通常小于36V;电压计:电压计选用数字式或指针式电压表、万用表;分压电阻:将分压电阻与待测的材料串联,在分压电阻两端连接电压计。 |
58 |
用于陶瓷基底的导体浆料和电路 |
CN200880021122.1 |
2008-06-27 |
CN101720311A |
2010-06-02 |
稻叶明; 仲岛直人 |
本发明涉及用于陶瓷基底的导体浆料,所述导体浆料包含a)含有银粉和钯粉的导电金属粉;b)玻璃粉;以及c)有机溶剂,其中导电金属粉具有不超过1.2μm的平均粒径,并且玻璃粉为Bi2O3-SiO2-B2O3型玻璃粉,并且玻璃粉的含量按浆料的重量计在1至6重量%的范围内。 |
59 |
铝-碳化硅复合体和使用该复合体的散热零件 |
CN200780014043.3 |
2007-04-23 |
CN101427367B |
2010-06-02 |
广津留秀树; 岩元豪; 塚本秀雄; 日隈智志; 桥本信行 |
本发明提供适合作为电源模块用底板的铝-碳化硅复合体。该电源模块用底板的特征在于,由铝-碳化硅复合体形成,该复合体通过将平板状碳化硅多孔体成形或加工成面内厚度差为100μm以下后以1~20Nm的面方向的紧固力矩用脱模板夹持而层叠、并使其含浸以铝为主要成分的金属而得到;在两主面具有由以铝为主要成分的金属形成的铝层,该铝层的平均厚度为10~150μm,铝层的面内厚度的最大值与最小值之差为80μm以下,两主面的铝层的平均厚度之差为50μm以下,且上述碳化硅多孔体的形状是长方形,或是在长方形上附加了将孔部包围的部分的外周部而形成的形状。 |
60 |
制造陶瓷衬底的方法以及陶瓷衬底 |
CN200780026600.3 |
2007-07-13 |
CN101489954A |
2009-07-22 |
M·埃伯特; M·亨里克; A·劳尔; G·诺迪特; T·谢贝尔; R·韦斯 |
本发明涉及一种用于制造半导体组件的陶瓷衬底的方法,其特征在于以下方法步骤:制造至少含有纤维素纤维以及要碳化的填料和/或SiC的纸;将所制造的纸热解;和将所热解的纸渗硅。 |