子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 一种用于电力行业的高压电缆聚丙烯材料 | CN201510785293.3 | 2015-05-06 | CN105218950A | 2016-01-06 | 沈太英 |
| 本发明公开了一种用于电力行业的高压电缆聚丙烯材料，其原料质量百分比为：改性剂为3～7％，色母剂为3～7％，防霉剂为1～5％，相容剂为2～6％，聚丙烯粒子为余量，所述的改性剂为负载三氧化二锑的茶炭。本发明的纳米三氧化二锑作为阻燃剂，提高制品的阻燃效果且可延长使用寿命。 | ||||||
| 2 | 直接法制备五氧化二锑有机溶胶的方法 | CN201310520425.0 | 2013-10-30 | CN104591279A | 2015-05-06 | 梁松杰 |
| 本发明公开了一种直接法制备五氧化二锑有机溶胶的方法，包括以下步骤：一、将三氧化二锑粉末、水、乙二醇和三乙醇胺磷酸盐加入带有磁力搅拌器及回流冷凝管的三口烧瓶中，在200r/min的搅拌下，升温至95℃；二、通过恒压漏斗以0.02ml/s的速度滴加氧化剂双氧水，滴加完毕，继续氧化回流反应1.5h，即得五氧化二锑乙二醇溶胶。本发明提供的方法，工艺简单，生产周期短，耗能低，且生产的五氧化二锑有机溶胶粒子粒径分布均匀，胶体粒子分散程度高，胶体比较稳定。 | ||||||
| 3 | 纳米级三氧化二锑制备方法 | CN201410554499.0 | 2014-10-20 | CN104326508A | 2015-02-04 | 林天祥 |
| 本发明公开一种纳米级三氧化二锑制备方法，步骤1，将锑白炉升温，将金属锑导入白炉前膛中融化；步骤2：在锑白炉前膛顶部开启旋转鼓风机，使锑氧化挥发，形成三氧化二锑氧炉气；步骤3：向中膛处的顶部吹风管和底部吹风管鼓风，步骤4：将三氧化二锑炉气导入反应室中反应；步骤5：将三氧化二锑炉气导入双层结晶器，经过自然风冷和环状冷却管道后进行冷却后，在结晶挡板上结晶，最后经布袋收尘器收集到三氧化二锑。 | ||||||
| 4 | 二次电池用电极活性材料及其制备方法 | CN200980155046.8 | 2009-11-20 | CN102292854B | 2015-01-14 | 李龙珠; 金帝映; 权五重; 吴丙薰; 严仁晟; 崔丞延 |
| 本发明涉及一种电极活性材料，其包含：(a)可与锂合金化的金属(或准金属)的氧化物的第一微粒；以及(b)包含锂和与所述金属(或准金属)相同的金属(或准金属)的氧化物的第二微粒。当将所述电极活性材料用作负极活性材料时，在电池的初始充放电期间所产生的不可逆相如锂氧化物或锂金属氧化物的量下降，因为在所述初始充放电之前，锂已经包含在所述第二微粒中，由此能够使在正极侧面上的死体积最小化并能够制造高容量电池。 | ||||||
| 5 | 红外截止材料 | CN201380016435.9 | 2013-03-28 | CN104220376A | 2014-12-17 | 吉住素彦; 中林明 |
| 该红外截止材料为由锑氧化锡粉末构成的红外截止材料，该红外截止材料的特征为，SbO2相对于100质量份的红外截止材料为13质量份以上30质量份以下，且所述锑氧化锡粉末的(211)面的X射线衍射的半峰宽(衍射角度2θ：52°)为0.8°以上1.2°以下。 | ||||||
| 6 | P-型氧化物、用于制造P-型氧化物的组合物、用于制造P-型氧化物的方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置、和系统 | CN201280068524.3 | 2012-11-28 | CN104094407A | 2014-10-08 | 安部由希子; 植田尚之; 中村有希; 高田美树子; 松本真二; 曾根雄司; 早乙女辽一 |
| 提供p-型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p-型氧化物是非晶的。 | ||||||
| 7 | 压电陶瓷组合物及其制造方法 | CN201280001714.3 | 2012-03-02 | CN103503185A | 2014-01-08 | 流田贤治; 董敦灼 |
| 提供一种具有良好的压电特性并且特性偏差小的压电陶瓷组合物。压电陶瓷组合物（10）含有由化学式ABO3表示的钙钛矿结构的结晶相作为主相。A元素是选自K、Na、Li中的一种以上的元素，B元素是选自Nb、Ta、Sb中的一种以上的元素。压电陶瓷组合物（10）中添加有与A元素和B元素不同的其他元素。在压电陶瓷组合物（10）的粉末试样的X射线衍射图谱中，存在表示有主相和不属于由化学式AsBtOu（s | ||||||
| 8 | 红外截止材料、红外截止材料的分散液、红外截止膜形成用组合物及红外截止膜 | CN201380000473.5 | 2013-01-11 | CN103298902A | 2013-09-11 | 吉住素彦; 中林明 |
| 本发明提供一种红外截止材料、红外截止材料的分散液、红外截止膜形成用组合物及红外截止膜。该红外截止材料由掺杂有磷的锑氧化锡粉末构成，换算为SbO2时，相对于所述红外截止材料的100质量份，锑含量为14质量份以上且30质量份以下，换算为PO2.5时，相对于所述红外截止材料100质量份，磷含量为1质量份以上且25质量份以下，除锑氧化物与磷氧化物以外的剩余部分为锡氧化物。 | ||||||
| 9 | 构成激光标识添加剂的纳米尺寸锑锡氧化物(ATO)微粒 | CN200480032387.3 | 2004-11-04 | CN1902055B | 2011-01-19 | J·B·小卡罗尔; S·A·琼斯 |
| 通过将具有颗粒度小于100nm的激光标识微粒添加剂结合入塑料而获得塑料材料的激光标识。当使用YAG激光时，具有颗粒度为10～70nm的锑和锡氧化物的混合颗粒可有效地用作激光标识添加剂。可进一步加入金属粉末来改善标识对比度。 | ||||||
| 10 | 一种银-金属氧化物电触头材料的制备方法 | CN200910304113.X | 2009-07-08 | CN101609755A | 2009-12-23 | 易丹青; 李荐; 吴春萍; 王斌; 卢小东; 许灿辉 |
| 本发明公开了一种银－金属氧化物电触头材料的制备方法，先用气体雾化法制备出成分3均匀、粒度细微的Ag－Me合金粉末，然后将粉末进行内氧化处理，生成Ag－MeO复合粉末，再将Ag－MeO复合粉末模压成坯料后采用粉末热挤压工艺制备成电触头材料。本发明具有内氧化温度低、时间短、工艺简单的特点，解决了Ag－MeO材料难加工的问题，降低了生产成本；同时改善了触头材料的组织，提高了其综合性能。 | ||||||
| 11 | 具有金红石样结晶相的纳米粒子及其制备方法 | CN02822854.5 | 2002-09-16 | CN1268549C | 2006-08-09 | J·T·布拉迪; D·S·阿内; R·W·弗古森; J·A·西金斯; C·J·斯图迪那四世 |
| 纳米大小的粒子包含钛和锑的混合氧化物，其特征为金红石一样结晶相。通过热液加工容易制备所述粒子，并可将其用作胶体，或者以各种组合物和制件形式使用。 | ||||||
| 12 | 透明导电膜形成用组合物、透明导电膜形成用溶液以及透明导电膜的形成方法 | CN03148967.2 | 2003-06-30 | CN1476021A | 2004-02-18 | 三好孝 |
| 本发明的组合物为一种透明导电膜用形成组合物，包括：水溶性铟化合物、含有卤素的水溶性有机锡化合物、和水溶性有机高分子化合物。本发明的透明导电膜的形成方法包括：i)把该组合物溶解在由水构成的溶剂或由水和有机溶剂构成的溶剂中而得的形成透明导电膜用的溶液涂布在基片上的工序；和ii)烧成涂膜的工序。该方法还可以包括iii)把烧成工序中得到的膜进行还原热处理的工序。 | ||||||
| 13 | P‑型氧化物、用于制造P‑型氧化物的组合物、用于制造P‑型氧化物的方法、半导体元件、显示元件、图像显示装置、和系统 | CN201280068524.3 | 2012-11-28 | CN104094407B | 2017-08-11 | 安部由希子; 植田尚之; 中村有希; 高田美树子; 松本真二; 曾根雄司; 早乙女辽一 |
| 提供p‑型氧化物，其包括氧化物，其中所述氧化物包括：Cu；和元素M，其选自p区元素，并且其在作为离子存在时能够处于平衡状态，其中所述平衡状态是存在失去最外层的p轨道的全部电子的状态和失去最外层的全部电子的状态两者的状态，和其中所述p‑型氧化物是非晶的。 | ||||||
| 14 | 一种三氧化二锑超细粉的制备方法 | CN201710013860.2 | 2017-01-09 | CN106698513A | 2017-05-24 | 张玉青; 张契卿; 张小青; 张燕青; 谢玉冰; 王才令; 赵国强 |
| 本发明公开了一种三氧化二锑超细粉的制备方法，涉及一种氧化铝薄膜，包括以下步骤：得氧化锑粉末，并以等离子体发生器为热源，经气化氧化‑冷凝法，在3600～7500℃的高温等离子体射流下，使氧化锑粉末全部气化，得气相氧化锑，进而得到三氧化二锑超细粉。该发明提供的三氧化二锑超细粉的制备方法，原料易获得，加工工艺简单，获得三氧化二锑超细粉的粒度均小于0.25mm，质量更加好且稳定，有明显的经济效益，为中、低度氧化锑矿、硫氧混合锑矿的大规模工业应用开辟了广阔的前景。 | ||||||
| 15 | 去除水中五价锑污染物的方法及燃料电池 | CN201610943574.1 | 2016-10-26 | CN106396001A | 2017-02-15 | 周国旺; 陶如钧; 遇光禄; 余浩; 林晓东 |
| 本发明涉及一种去除水中五价锑污染物的方法及燃料电池。本发明的目的是提供一种无需外加直流电源的去除水中五价锑污染物的方法。本发明还提供一种能够利用自身产生的电能去除水中五价锑污染物的燃料电池。本发明的技术方案是：一种去除水中五价锑污染物的方法，其特征在于：将含有五价锑污染物的待处理废水的pH值调节至3-6.5后通入到反应器中反应；所述反应容器内为厌氧环境；该反应容器内设有铁阳极，反应容器的侧壁开有一通孔，通孔内密封镶嵌可利用电子和质子将氧气还原的阴极，铁阳极和阴极之间串联电阻。本发明适用于水处理技术。 | ||||||
| 16 | 锑掺杂氧化锡粉末及其制造方法 | CN201380016607.2 | 2013-03-28 | CN104271510B | 2016-06-08 | 白石真也; 梅田洋利; 佐佐木铃夫 |
| 本发明的锑掺杂氧化锡粉末为以如下为特征的锑掺杂氧化锡粉末，即(A)含有选自Sn2+、Sn4+、Sb3+及Sb5+中的至少三种，(B)作为Sn2+离子半径和Sn4+离子半径的平均值的Sn平均离子半径与作为Sb3+离子半径和Sb5+离子半径的平均值的Sb平均离子半径以公式：Sn平均离子半径:Sb平均离子半径＝1:(0.96～1.04)表示，且(C)Sb相对于总计100摩尔的Sb及Sn为5～25摩尔。 | ||||||
| 17 | 红外截止材料 | CN201380016435.9 | 2013-03-28 | CN104220376B | 2016-02-10 | 吉住素彦; 中林明 |
| 该红外截止材料为由锑氧化锡粉末构成的红外截止材料，该红外截止材料的特征为，SbO2相对于100质量份的红外截止材料为13质量份以上30质量份以下，且所述锑氧化锡粉末的(211)面的X射线衍射的半峰宽(衍射角度2θ：52°)为0.8°以上1.2°以下。 | ||||||
| 18 | 超声辅助超临界二氧化碳法制备介孔氧化锡锑材料的方法 | CN201510667707.2 | 2015-10-16 | CN105293570A | 2016-02-03 | 何丹农; 冉伟; 张春明; 王艳丽; 徐少洪; 陈超; 金彩虹 |
| 本发明是一种利用超声辅助超临界二氧化碳制备介孔氧化锡锑粉体的方法，按照配方精确称取一定量SnCl4.5H2O、SbCl3、氨水以及表面活性剂，将其加入一定量蒸馏水中，搅拌使其充分溶解并制备成溶液；将上述溶液置入超临界反应釜中，打开二氧化碳钢瓶，二氧化碳气体经冷机冷却成液体后，由高压泵加压后进入反应釜中。打开超声装置，控制一定的压力和温度，并保压一定时间；打开泄压口将超临界反应釜中的压力降到常压，得到前驱体粉体；将收集的粉末在500~800℃温度下煅烧，即为本发明所述介孔氧化锡锑粉末，该方法制备过程不使用有毒有机溶剂，对环境无污染；制备的氧化锡锑粉末具有较高的比表面积具有优异的隔热，导电及抗静电性能；并且工艺简单，成本低廉。 | ||||||
| 19 | 一种低热导CuSbS2+X热电材料的制备方法 | CN201410689801.3 | 2014-11-25 | CN104477991A | 2015-04-01 | 张波萍; 李和章; 李少通; 周楷; 朱立峰; 张代兵 |
| 一种低热导CuSbS2+x热电材料及制备方法，属于能源材料技术领域。本发明是将Cu、Sb和S按照化学量比CuSbS2+x配置，其中x取值范围为0≤x≤1。以Cu粉（质量百分比≥99.5%）、Cr粉（质量百分比≥99.5%）和S粉（质量百分比≥99.5%）作为原料，混合后放入行星式球磨机，在一定转速下干磨合成化合物粉体，然后加入一定量的无水乙醇进行湿磨，烘干后得到CuSbS2+x粉体，然后通过放电等离子烧结成块体。相比于其它中温区热电材料，CuSbS2+x具有较低的热导率，最低值为~0.05Wm-1K-1。该制备方法过程简便、易于操作，对设备和制备环境要求低，周期短、适合大规模生产。 | ||||||
| 20 | 一种导电阻燃纳米晶体材料 | CN201310346764.1 | 2013-08-12 | CN104370304A | 2015-02-25 | 刘泽华 |
| 本发明公开了一种导电阻燃纳米晶体材料，其特征在于，各组分按照重量百分比组成如下：氢氧化钠30-70%；氢氧化钾30-70%；SnCl4晶体5-20%；SbCl3固体5-10%；聚乙烯吡咯烷酮（5g/L）5-10%；无水乙醇10-30%；N，N-二甲基甲酰胺10-30%。本发明用复合氢氧化物溶剂法合成纳米晶体材料只需在常压下进行化学合成，合成温度相对较低，纳米晶体材料的表面洁净，同时也容易进行表面改性。制得的导电阻燃纳米晶体材料具有良好的导电性、阻燃性、热交换效率高，该方法适用性广泛、条件温和、工艺简单，易于工业化生产。 | ||||||
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