子分类：
| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 1 | 锂离子蓄电池的阳极材料 | CN201280049553.5 | 2012-08-16 | CN103875102B | 2017-08-08 | 阿鲁穆加姆·曼提莱姆; 达尼埃尔·阿普尔托恩; 尹石恩 |
| 本发明涉及具有通式MySb‑M'Ox‑C的阳极材料，其中M和M'为金属且M'Ox‑C形成含有MySb的基质。本发明还涉及具有通式MySn‑M'Cx‑C的阳极材料，其中M和M'为金属且M'Cx‑C形成含有MySn的基质。本发明另外涉及具有通式Mo3Sb7‑C的阳极材料，其中‑C形成含有Mo3Sb7的基质。本发明还涉及具有通式MySb‑M'Cx‑C的阳极材料，其中M和M'为金属且M'Cx‑C形成含有MySb的基质。本发明的其它实施例涉及含有这些材料的阳极或可再充电蓄电池以及使用球磨技术和炉加热制造这些材料的方法。 | ||||||
| 2 | 一种铁掺杂纳米氧化锡锑纳米粉体及制备和应用 | CN201610936056.7 | 2016-11-01 | CN106564949A | 2017-04-19 | 何丹农; 徐少洪; 张春明; 林琳; 陈超; 王艳丽; 金彩虹 |
| 本发明涉及一种铁掺杂的纳米氧化锡锑纳米粉体及制备和应用，将氯化锡加入乙醇中，搅拌使其充分溶解；然后在该溶液中加入氯化铁，搅拌使其充分溶解。其中氯化锡与氯化铁的摩尔比为1:0.01～1，氯化锡与乙醇的摩尔比为1:10～100；将氯化锑加入溶有氯化锡和氯化铁的乙醇溶液中，搅拌使其充分溶解；其中氯化锡与氯化锑的摩尔比为1:0.01～1；将该溶液升温到30～100℃并保持0.1～5小时，然后通过滴加氨水调节pH≈7后得到固体粉末，将之离心洗涤、烘干并在高温下500～900℃煅烧0.1～5小时，之后即得铁掺杂的纳米氧化锡锑粉体。采用本方法制备的铁掺杂的纳米氧化锡锑，粒径小，粒径分布均一，相比于氧化锡锑，其红外吸收峰要更靠近近红外区。 | ||||||
| 3 | CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法 | CN201510898263.3 | 2015-12-07 | CN105540663A | 2016-05-04 | 刘曰利; 陈克强; 陈文; 周静; 佳丽娜·扎哈若娃 |
| 本发明属于纳米材料与纳米技术领域，具体涉及CuSbS2纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）按碘化亚铜、氯化锑、油胺的添加比例为1mmol:1mmol:10mL，将碘化亚铜和氯化锑加入到油胺中，通入氩气保护气体，控制温度并搅拌使碘化亚铜和氯化锑完全溶解，得到金属盐的络合溶液；2）在上述金属盐的络合溶液中加入2~6mL1mol/L二苯基硫脲的二苯醚溶液，加热至设定温度后进行反应；3）反应结束后，冷却至室温，加入甲醇对反应得到的CuSbS2纳米晶进行清洗，得到CuSbS2纳米晶材料。该制备方法工艺简单，成本低廉。 | ||||||
| 4 | 热电设备用复合材料 | CN201680016736.5 | 2016-03-21 | CN107438906A | 2017-12-05 | 迭戈·阿道弗·圣玛丽亚·拉佐; 约伦·宗内费尔德; 法布里齐奥·罗卡; 安德烈娅·通代拉 |
| 本发明提供了一种表现出热电效应的复合材料。所述复合材料包含金属硫盐、导电聚合物和纤维。本发明还提供了一种制备复合材料的方法，包括混合各组分。这三个组分共同作用，从而提供了一种低成本的、利用易于获得的材料的热电复合材料。本发明也讨论了包含本发明的复合材料的摩擦材料和热电设备。优选地，使用铜硫盐，如黝铜矿。优选地，使用人造玻璃纤维和粘合剂。 | ||||||
| 5 | 纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法 | CN201610454705.X | 2016-06-21 | CN105923653A | 2016-09-07 | 谭国龙; 盛号号; 徐期树 |
| 本发明公开了一种纳米Cu3SbS4三元半导体材料的制备方法。将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐，球磨罐密封后放入在手套箱里，充满惰性气体除去原材料中的氧气；将球磨罐安装在球磨磨机上球磨，调整球磨机马达的运转速率为1200r/min以上，粉末5h后纳米Cu3SbS4三元半导体材料生成。所制得的四硫锑三铜纳米晶化学成分均匀、结构单一，表面没有杂质等覆盖物，很好的显示了材料的本征物理性能。由于其良好的光电性能，使其能成为一种可实用化的光电器件材料，如可用于红外探测、红外遥感、夜视仪等领域。此外具有制备工艺简单、原料易得且价格便宜、属于对环境友好型，且可实现大批量生产等优点。 | ||||||
| 6 | 锂离子蓄电池的阳极材料 | CN201280049553.5 | 2012-08-16 | CN103875102A | 2014-06-18 | 阿鲁穆加姆·曼提莱姆; 达尼埃尔·阿普尔托恩; 尹石恩 |
| 本发明涉及具有通式MySb-M'Ox-C的阳极材料，其中M和M'为金属且M'Ox-C形成含有MySb的基质。本发明还涉及具有通式MySn-M'Cx-C的阳极材料，其中M和M'为金属且M'Cx-C形成含有MySn的基质。本发明另外涉及具有通式Mo3Sb7-C的阳极材料，其中-C形成含有Mo3Sb7的基质。本发明还涉及具有通式MySb-M'Cx-C的阳极材料，其中M和M'为金属且M'Cx-C形成含有MySb的基质。本发明的其它实施例涉及含有这些材料的阳极或可再充电蓄电池以及使用球磨技术和炉加热制造这些材料的方法。 | ||||||
| 7 | 石榴石型固体电解质、包含石榴石型固体电解质的二次电池及制造石榴石型固体电解质的方法 | CN201280010017.4 | 2012-02-23 | CN103403946A | 2013-11-20 | 手岛胜弥; 穗积正人 |
| 一种石榴石型固体电解质，包含具有至少一个选自{110}面、{112}面、{100}面、{102}面、{312}面、{521}面和{611}面中的晶面的晶体。一种电池，包括正电极、负电极和介于所述正电极和所述负电极之间的固体电解质，所述固体电解质为前述石榴石型固体电解质。一种制造含Li、La、Zr和O的石榴石型固体电解质的方法，包括：制备含锂化合物、含镧化合物和含锆化合物的制备步骤；通过混合这些化合物使得元素之间的摩尔比满足Li∶La∶Zr＝a∶b∶c(其中a为120至160，b为1至5，以及c为1至5)来获得混合物的混合步骤；和在400至1200℃下加热所述混合物的加热步骤。 | ||||||
| 8 | 纳米CuSbS2材料的制备方法 | CN201610300035.6 | 2016-05-09 | CN105858723A | 2016-08-17 | 谭国龙; 徐期树; 盛号号 |
| 本发明公开了一种纳米CuSbS2材料的制备方法，将高纯Cu、Sb与S粉末的混合物作为原材料密封在球磨罐，球磨罐密封后放入在手套箱里，充满惰性气体除去原材料中的氧气；将球磨罐安装在球磨机上进行机械球磨，30min后得到半导体化合物CuSbS2纳米晶。所制得的二硫锑铜纳米晶化学成分均匀、结构单一，表面没有杂质等覆盖物，很好的显示了材料的本征物理性能。由于其良好的光电性能，使其能成为一种可实用化的光电器件材料，如可用于红外探测、红外遥感、红外传感等领域。此外具有制备工艺简单、原料易得且价格便宜、属于对环境友好型，且可实现大批量生产等优点。 | ||||||
| 9 | Cu12Sb4S13纳米晶材料的可控制备方法 | CN201510899799.7 | 2015-12-07 | CN105460975A | 2016-04-06 | 刘曰利; 陈克强; 陈文; 周静; 佳丽娜·扎哈若娃 |
| 本发明属于纳米材料与纳米技术领域，具体涉及Cu12Sb4S13纳米晶材料的可控制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）按碘化亚铜、氯化锑、油胺的添加比例为3mmol:1mmol:10mL，将碘化亚铜和氯化锑加入到油胺中，通入氩气保护气体，控制温度并搅拌使碘化亚铜和氯化锑完全溶解，得到金属盐的络合溶液；2）在上述金属盐的络合溶液中加入2~6mL1mol/L二苯基硫脲的二苯醚溶液，加热至设定温度后进行反应；3）反应结束后，冷却至室温，加入甲醇对反应得到的Cu12Sb4S13纳米晶进行清洗，得到Cu12Sb4S13纳米晶材料。该制备方法工艺简单，成本低廉。 | ||||||
| 10 | 一种纯AgSbS2亚微米球的制备方法 | CN201510625045.2 | 2015-09-28 | CN105253914A | 2016-01-20 | 易戈文; 贾均红; 于丽敏 |
| 本发明公开了一种纯AgSbS2亚微米球的制备方法，该方法包括以下步骤：1）基底构筑：将玻璃片超声洗涤，用氮气吹干，然后浸入3-氨丙基三乙氧基硅烷的甲醇溶液中，20℃-30℃自组装4h，取出后用甲醇清洗，并用氮气吹干，得到3-氨丙基三乙氧基硅烷构筑的玻璃基底；2）AgSbS2微球制备：将硝酸银和三氯化锑加入到乙醇和乙腈的混合溶液中，在20℃-30℃搅拌3h，然后加入硫代乙酰胺，将步骤1）构筑好的玻璃基底放入，在130℃采用溶剂热方法反应4-30h，冷却，用乙醇冲洗玻璃基底，即可得到由纯AgSbS2微球组成的超细粉末。本发明成本低廉、工艺简单、可大面积制备。 | ||||||
| 11 | 石榴石型固体电解质、包含石榴石型固体电解质的二次电池及制造石榴石型固体电解质的方法 | CN201280010017.4 | 2012-02-23 | CN103403946B | 2015-01-07 | 手岛胜弥; 穗积正人 |
| 一种石榴石型固体电解质，包含具有至少一个选自{110}面、{112}面、{100}面、{102}面、{312}面、{521}面和{611}面中的晶面的晶体。一种电池，包括正电极、负电极和介于所述正电极和所述负电极之间的固体电解质，所述固体电解质为前述石榴石型固体电解质。一种制造含Li、La、Zr和O的石榴石型固体电解质的方法，包括：制备含锂化合物、含镧化合物和含锆化合物的制备步骤；通过混合这些化合物使得元素之间的摩尔比满足Li∶La∶Zr＝a∶b∶c(其中a为120至160，b为1至5，以及c为1至5)来获得混合物的混合步骤；和在400至1200℃下加热所述混合物的加热步骤。 | ||||||
| 12 | MG2MM＇O6+x(M=Y,稀土金属；M＇=SN,SB,ZR,HF和TA)化合物及其制备方法 | CN03826256.8 | 2003-03-31 | CN100348497C | 2007-11-14 | J·雅梅斯; S·桑迪库玛; K·V·P·O·娜拉 |
| 本发明是涉及一组新的复合陶瓷氧化物及其制备方法。这组新颖复合陶瓷氧化物具有Mg2MM’O6+X通式，其中，M为稀土金属离子、钇或镧，M’为Sn、Sb、Zr、Hf、Ta和Nb，-0.5＜x＜+0.5，该氧化物具有不完善的烧绿石结构。任意金属离子高达8%的微小组成变化对于形成所需相态是容许的。制备此类新颖化合物的方法为：(a)按照形成通式为Mg2MM’O6+X的化合物所要求的摩尔比Mg∶M∶M’＝2∶1∶1来混合镁、M和M’的化合物(其中M可以为钇、镧或任意稀土元素；M’为锑、锡、锆或钽)。任意金属离子高达8%的微小组成变化对于形成所需相态是容许的。(b)在步骤(i)中使用的化合物可以选自它们的氧化物、碳酸盐、氯化物、烷氧化物、硝酸盐、硫酸盐等，并且所用的盐优选选自氧化物或碳酸盐。(c)在步骤(i)中得到的混合物可以采用球磨或者加润湿介质进行混合。润湿介质可以是水、醇、酮或其它任意有机溶剂。干燥所得的球磨浆状物以除去液体，得到干粉，(d)所得混合物在1000～1600℃的温度范围内根据需要加热3～50小时的不同加热时间，加热可以一步完成，或者在加热几小时后把反应物取出，检查其相态形式，并且如果有必要，研磨后再次加热。可以需要高达最多5次的中间研磨。 | ||||||
| 13 | MG2MM＇O6+X(M=Y,稀土金属；M＇=SN,SB,ZR,HF和TA)化合物及其制备方法 | CN03826256.8 | 2003-03-31 | CN1759067A | 2006-04-12 | J·雅梅斯; S·桑迪库玛; K·V·P·O·娜拉 |
| 本发明是涉及一组新的复合陶瓷氧化物及其制备方法。这组新颖复合陶瓷氧化物具有Mg2MM′O6+X通式，其中，M为稀土金属离子、钇或镧，M′为Sn、Sb、Zr、Hf、Ta和Nb，－0.5＜x＜+0.5，该氧化物具有不完善的烧绿石结构。任意金属离子高达8％的微小组成变化对于形成所需相态是容许的。制备此类新颖化合物的方法为：(a)按照形成通式为Mg2MM′O6+X的化合物所要求的摩尔比Mg∶M∶M′＝2∶1∶1来混合镁、M和M′的化合物(其中M可以为钇、镧或任意稀土元素；M′为锑、锡、锆或钽)。任意金属离子高达8％的微小组成变化对于形成所需相态是容许的。(b)在步骤(i)中使用的化合物可以选自它们的氧化物、碳酸盐、氯化物、烷氧化物、硝酸盐、硫酸盐等，并且所用的盐优选选自氧化物或碳酸盐。(c)在步骤(i)中得到的混合物可以采用球磨或者加润湿介质进行混合。润湿介质可以是水、醇、酮或其它任意有机溶剂。干燥所得的球磨浆状物以除去液体，得到干粉，(d)所得混合物在1000～1600℃的温度范围内根据需要加热3～50小时的不同加热时间，加热可以一步完成，或者在加热几小时后把反应物取出，检查其相态形式，并且如果有必要，研磨后再次加热。可以需要高达最多5次的中间研磨。 | ||||||
| 14 | AMORPHOUS AND POROUS ALKALI METAL CHALCOGENIDES FOR REMEDIATION APPLICATIONS | US15770481 | 2016-11-01 | US20190055136A1 | 2019-02-21 | Mercouri G. KANATZIDIS; Zohreh Hassanzadeh FARD; Saiful M. ISLAM |
| Amorphous metal chalcogenides having the formula A2xSnxSb3-xQ6 are provided. In the chalcogenides, A is an alkali metal element, such as K or Cs, and Q is S or Se. The value of x can be in the range from 0.8 to 1. Porous chalcogenide materials made from the amorphous chalcogenides are also provided. These porous materials comprise metal chalcogenides having the formula (AB)2xSnxSb3-xQ6, wherein x is in the range from 0.8 to 1, A and B are two different alkali metal elements, and Q is S or Se. | ||||||
| 15 | THERMOELECTRIC MATERIALS BASED ON TETRAHEDRITE STRUCTURE FOR THERMOELECTRIC DEVICES | US14901206 | 2014-07-03 | US20160141481A1 | 2016-05-19 | Donald T. MORELLI; Xu LU |
| Thermoelectric materials based on tetrahedrite structures for thermoelectric devices and methods for producing thermoelectric materials and devices are disclosed. The thermoelectric device has a pair of conductors and a p-type thermoelectric material disposed between the conductors. The thermoelectric material is at least partially formed of a hot pressed high energy milled tetrahedrite formed of tetrahedrite ore and pure elements to form a tetrahedrite powder of Cu12-xMxSb4S13 disposed between the conductors, where M is at least one of Zn and Fe. | ||||||
| 16 | HAFNIUM TELLURIDE LAYERED COMPOUNDS, TRANSPARENT AND ELECTRICALLY CONDUCTIVE FILM, AND ELECTRONIC DEVICES INCLUDING THE SAME | US14610783 | 2015-01-30 | US20150225239A1 | 2015-08-13 | Kimoon LEE; Byungki RYU; Yoon Chul SON; Hyeon Cheol PARK; Sang Mock LEE |
| A hafnium telluride compound includes a layered crystal structure and represented by the following Chemical Formula 1. Hf3Te2-xAx [Chemical Formula 1] Herein, A is at least one selected from phosphorus (P), Arsenic (As), antimony (Sb), bismuth (Bi), sulfur (S) and selenium (Se), and 0 | ||||||
| 17 | Triple-layer semiconductor nanoparticle and triple-layer semiconductor nanorod | US12162164 | 2006-11-27 | US07972694B2 | 2011-07-05 | Mitsuru Sekiguchi; Kazuya Tsukada; Hisatake Okada |
| A semiconductor nanoparticle and semiconductor nanorod that have optical characteristics (luminescence intensity and emission lifetime) superior to those of conventional core/shell nanosized semiconductors. There are provided a triple-layer semiconductor nanoparticle, and triple-layer semiconductor nanorod, having an average particle diameter of 2 to 50 nm and comprising a core layer, an interlayer and a shell layer, wherein the layers are composed of different crystals, and wherein the crystal constructing the shell layer exhibits a band gap greater than that of the crystal constructing the core layer, and wherein the crystal constructing the interlayer has a lattice constant assuming a value between those of the crystal constructing the core layer and the crystal constructing the shell layer. | ||||||
| 18 | PHOSPHOR FOR WHITE LIGHT-EMITTING DEVICE AND WHITE LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME | US12574357 | 2009-10-06 | US20100019655A1 | 2010-01-28 | Kubota Shunichi; Young-sic KIM; Seoung-jae IM |
| Provided are an alkaline earth metal silicate-based phosphor which is a compound represented by Formula 1 below, and a white light-emitting device (LED) including the same: (M11-x-yAxBy)aMgbM2cOdZe Formula 1 wherein, M1 is one selected from the group consisting of Ba, Ca, and Sr; M2 is at least one selected from Si or Ge; A and B are each independently one selected from the group consisting of Eu, Ce, Mn, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Bi, Sn, and Sb; Z is at least one selected from the group consisting of a monovalent or divalent element, H, and N; and 0 | ||||||
| 19 | PHOSPHOR FOR WHITE LIGHT-EMITTING DEVICE AND WHITE LIGHT-EMITTING DEVICE INCLUDING THE SAME | US11688034 | 2007-03-19 | US20080020236A1 | 2008-01-24 | Kubota Shunichi; Young-sic KIM; Seoung-jae IM |
| Provided are an alkaline earth metal silicate-based phosphor which is a compound represented by Formula 1 below, and a white light-emitting device (LED) including the same. (M11-x-yAxBy)aMgbM2cOdZeFormula 1 wherein, M1 is one selected from the group consisting of Ba, Ca, and Sr; M2 is at least one selected from Si or Ge; A and B are each independently one selected from the group consisting of Eu, Ce, Mn, Pr, Nd, Sm, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Bi, Sn, and Sb; Z is at least one selected from the group consisting of a monovalent or divalent element, H, and N; and 0 | ||||||
| 20 | Electro-conductive oxide particle and process for its production | US09988560 | 2001-11-20 | US20020090513A1 | 2002-07-11 | Yoshitane Watanabe; Tadayuki Isaji; Osamu Fujimoto |
| An electro-conductive oxide particle comprising indium atoms, antimony atoms and oxygen atoms in a molar ratio of Sb/In of from 0.03 to 0.08, having a primary particle diameter of from 2 to 300 nm, and having a crystal structure of indium oxide. | ||||||
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