| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 81 | 다공성 그래핀-층상 티타늄산화물 나노혼성체 및 그 제조방법 | KR1020110000662 | 2011-01-04 | KR1020120079401A | 2012-07-12 | 황성주; 김인영; 이장미 |
| PURPOSE: A porous graphene-layered titanium oxide nano-hybrid and a method for manufacturing the same are provided to improve the thermal stability and the crystallinity of lepidocrocite titanium oxide by introducing graphene to the titanium oxide. CONSTITUTION: The layered titanium oxide of lepidocrocite crystalline is formed on the surface of graphene. The graphene is three dimensionally in the form of a card house, and pores are arranged in the graphene. The biaxial directional lengths of the plane of the layered titanium oxide are respectively in a range between 10 and 100nm. The biaxial directional lengths of the plane of the graphene are respectively in a range between 50 and 1,000nm. The sizes of the pores are in a range between 0.5 and 10nm. A method for manufacturing graphene-layered titanium oxide nano-hybrid includes the following: an exfoliated graphene colloidal solution is stirred with titanium dioxide nanosol; the layered titanium oxide is formed on the surface of the graphene; and the graphene is coagulated. | ||||||
| 82 | 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액 | KR1020100111064 | 2010-11-09 | KR1020120049679A | 2012-05-17 | 정승열; 이건웅; 한중탁; 정희진; 김성훈 |
| PURPOSE: A method for manufacturing a dispersed solution of single-layered graphene oxide reduced materials based on shear stress and the dispersed solution manufactured by the same are provided to improve transparency and electric conductivity. CONSTITUTION: Oxide graphite flakes in the form of powder are synthesized based on graphite flakes in the form of powder. The oxide graphite flakes are dispersed in a solvent to obtain an oxide graphite dispersed solution. Physical shear stress is applied to the oxide graphite dispersed solution to form singled-layered oxide graphene in the dispersed solution based on the lamination of the oxide graphite in order to obtain the dispersed solution of the singled-layered oxide graphene. The dispersed solution of the single-layered oxide graphene is reduced based on a wet process to form single-layered oxide graphene reduced materials to obtain the dispersed solution of the single-layered oxide graphene reduced materials. | ||||||
| 83 | 팽창산화흑연 및 그 제조 방법 | KR1020080012207 | 2008-02-11 | KR1020090086757A | 2009-08-14 | 이영희; 정혜경; 이윤표 |
| Expanded graphite oxide and a manufacturing method thereof are provided to offer usability of an ionic polymer as a compound which is inserted into an interlayer of the expanded graphite, and to expand gap of layers. Expanded graphite oxide has layered structure and an ionic polymer is inserted into a layer of the expanded graphite oxide. The thermal decomposition temperature of the ionic polymer is 400‹C or greater. The polymer is one or more selected from a group consisting of sodium polystyrene sulfonate, potassium polystyrene sulfonate and lithium polystyrene sulfonate. The interlayer distance of the expanded graphite oxide is 0.8nm or greater. A manufacturing method of the expanded graphite oxide includes a step for preparing oxidation graphite by oxidizing raw material graphite, and a step for contacting the oxidation graphite and the ionic polymer. | ||||||
| 84 | 팽창산화흑연 및 그 제조 방법 | KR1020070135745 | 2007-12-21 | KR1020090067920A | 2009-06-25 | 이영희; 정혜경; 이윤표 |
| An expanded graphite oxide and a method for preparing the same are provided, wherein a gap between layers of the expanded graphite oxide is expanded by dyes with heat resistance inserted between the layers, and the expanded gap between the layers is not reduced even after heat treatment. A method for preparing an expanded graphite oxide comprises the steps of: oxidizing raw material graphite with an oxidizer to prepare graphite oxide; and bringing the graphite oxide and dyes into contact with each other. The contact process is performed by adding the graphite oxide in a dye solution. The graphite oxide is added in the dye solution in a state that the graphite oxide is water-dispersed into a basic solution with a pH value of 9 or more. The method further comprises the step of heat-treating the graphite brought into contact with the dyes in an inert atmosphere. The dyes have a thermal decomposition temperature of higher than 200 deg.C. | ||||||
| 85 | 영구 쌍극자층을 구비한 투명 그래핀 도체 | KR1020137014524 | 2011-11-10 | KR101771282B1 | 2017-08-24 | 오즈일마즈바바로스; 니구앙-신; 젱이 |
| 투명도체는그래핀층, 및상기그래핀층상에마련되어상기그래핀층을정전적으로도핑하도록구성된영구쌍극자층을포함한다. | ||||||
| 86 | 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 | KR20160083950 | 2016-07-04 | KR20160084351A | 2016-07-13 | LEE YOUN TEK |
| 본발명은, a. 기판에금속층구비그 이후, b. 탄소-포함가스및 에칭가스를공급하고플라즈마화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)를수행하되, c. 상기탄소-포함가스공급에서금속의에칭가스를같이공급하여, 상기금속층상에서그래핀이성장하며, d. 상기 c 의공정에서, 계속적인플라즈마화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)를수행하되, 에칭가스로인하여, 금속층의금속이계속적으로전부제거되어, 금속층을포함하지않은상태로기판상에그래핀을성장시키는것; 을특징으로하는기판성장그래핀의제조방법을제공한다. 또한, 본발명은기판성장그래핀으로써, 상기기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 상기기판성장그래핀의상기표면에평행한제1의방향에있어서의결정립경은, 해당기판성장그래핀의해당표면에평행한다른어느하나의방향에있어서의결정립경보다크고, 상기기판성장그래핀의상기제1의방향에있어서의결정립경은, 해당그래핀의해당표면에수직인방향에있어서의결정립경보다큰 것; 을특징으로하는기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본발명은기판성장그래핀으로써, 해당기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제1의방향에따른결정립계를가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제2의방향에따른결정립계를가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기결정립계에둘러싸인영역의내부에있어서단결정인것; 을특징으로하는기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본발명은기판성장그래핀으로써, 해당기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제1의방향에따른결정립계를복수가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제2의방향에따른결정립계를복수가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기결정립계에둘러싸인영역의내부각각에있어서단결정인것; 을특징으로하는기판성장그래핀을제공한다. | ||||||
| 87 | 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 기판 성장 그래핀 및 제조 장치 | KR2020160002991 | 2016-06-01 | KR2020160002175U | 2016-06-23 | 이윤택 |
| 본고안은, a. 기판에금속층구비그 이후, b. 탄소-포함가스및 에칭가스를공급하고플라즈마화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을수행하되, c. 상기탄소-포함가스공급에서금속의에칭가스를같이공급하여, 상기금속층상에서그래핀이성장하며, d. 상기 c 의공정에서, 계속적인플라즈마화학기상증착(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition; PECVD)을수행하되, 에칭가스로인하여, 금속층의금속이계속적으로전부제거되어, 금속층을포함하지않은상태로기판상에그래핀을성장시키는것; 을특징으로하는기판성장그래핀의제조방법을제공한다. 또한, 본고안은기판성장그래핀으로써, 상기기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 상기기판성장그래핀의상기표면에평행한제1의방향에있어서의결정립경은, 해당기판성장그래핀의해당표면에평행한다른어느하나의방향에있어서의결정립경보다크고, 상기기판성장그래핀의상기제1의방향에있어서의결정립경은, 해당그래핀의해당표면에수직인방향에있어서의결정립경보다큰 것; 을특징으로하는기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본고안은기판성장그래핀으로써, 해당기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제1의방향에따른결정립계를가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제2의방향에따른결정립계를가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기결정립계에둘러싸인영역의내부에있어서단결정인것; 을특징으로하는기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본고안은기판성장그래핀으로써, 해당기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제1의방향에따른결정립계를복수가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제2의방향에따른결정립계를복수가지며, 해당기판성장그래핀은, 상기결정립계에둘러싸인영역의내부각각에있어서단결정인것; 을특징으로하는기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본고안은탄소-포함가스및 에칭가스를공급하는가스공급부; 상기가스공급부로부터상기탄소-포함가스및 에칭가스를공급받아분출하는가스분출부; 상기가스분출부로부터분출된탄소-포함가스및 에칭가스와접하도록배치된금속층을구비하는기판; 및상기분출된탄소-포함가스및 에칭가스와접하는금속층을구비하는기판의영역을가열하도록배치된가열장치; 및플라즈마전력(plasma power)을인가함으로써플라즈마를형성하는플라즈마(Plasma) 형성장치; 를포함하는것을특징으로하는기판성장그래핀제조장치를제공한다. | ||||||
| 88 | 그래핀의 제조 방법 | KR1020140156250 | 2014-11-11 | KR1020160056171A | 2016-05-19 | 박종한; 조승민 |
| 본발명은, 지지부재를준비하는단계와, 상기지지부재에탄소층을배치하는단계와, 상기탄소층에촉매층을배치하는단계와, 상기촉매층에그래핀을형성하는단계와, 상기그래핀에캐리어를부착시켜그래핀형성구조체를형성하는단계와, 상기그래핀형성구조체에서상기지지부재를분리시키는단계와, 상기촉매층을제거하는단계를포함하는그래핀의제조방법을제공한다. | ||||||
| 89 | 초다공성 그라핀 에어로젤 및 그 제조방법 | KR1020140133242 | 2014-10-02 | KR1020160039926A | 2016-04-12 | 박호석; 윤솔 |
| 본발명의그라핀에어로젤의제조방법은그라핀산화물로미세기공그라핀에어로젤을형성하는단계, 및상기미세기공그라핀에어로젤의표면에미세기공(micropore)을형성하는단계를포함한다. | ||||||
| 90 | 산화 그래핀의 제조방법 | KR1020140102603 | 2014-08-08 | KR1020160018257A | 2016-02-17 | 권순용; 주재환; 곽진성; 김성엽; 김지현; 박기복; 이종훈 |
| 산화그래핀및 그제조방법에관한것으로, 산화그래핀을포함하며, 평탄한구조인하부층; 및상기하부층상에형성되며, 산화그래핀을포함하는철부(凸部);를포함하고, 상기철부의평면형태는구리의결정립계형태이고, 상기하부층및 철부내 산화그래핀은, 산화그래핀내 함유된탄소및 산소의함량이, 상기탄소에대한상기산소의중량비율로서 0.1 내지 10.0인것인, 산화그래핀을제공할수 있고, 이를제조하는방법으로, 금속박(foil) 및기판을준비하는단계; 상기금속박을열처리하여, 결정립(grain)의크기를증가시키고금속박내의산소함유량을조절하는단계; 상기결정립의크기가증가된금속박을상기기판상에부착시키는단계; 상기금속박상에탄소원료를공급하는단계; 상기공급된탄소원료, 상기금속박및 상기기판을승온하는단계; 상기승온된탄소원료가열분해되어발생한탄소원자및 상기금속박내 산소원자가상기금속박을통하여확산되는단계; 및상기금속박을통하여확산된탄소원자및 산소원자가, 상기기판상에산화그래핀(GO)을형성하는단계;를포함하고, 상기형성된산화그래핀은상기금속박및 상기기판사이의계면에위치하는것인,산화그래핀의제조방법을제공할수 있다. | ||||||
| 91 | 다층 그래핀의 제조방법 | KR1020140092526 | 2014-07-22 | KR1020160011440A | 2016-02-01 | 함문호; 손명우; 장지수 |
| 다층그래핀의제조방법이제공된다. 상세하게는, 반응기내 준비된기판에, 촉매금속층을형성하는제1 공정및 상기반응기내에탄소소스를공급하고, 물리적기상증착법또는원자층증착법으로상기촉매금속층상에탄소박막층을증착하는제2 공정을교대로반복수행하여, 상기촉매금속층및 상기탄소박막층이교대로반복적층된다층박막층을형성하는단계, 상기다층박막층을열처리하여상기다층박막층에포함된상기탄소박막층을그래핀층으로합성하는단계, 및상기다층박막층에포함된상기촉매금속층을선택적으로제거하는단계를포함할수 있다. 이에, 한번의열처리로다층의그래핀을합성할수 있어, 제조비용절감및 제조시간을단축할수 있다. 또한, 다양한합성온도범위를나타내는탄소소스를이용하여, 저온에서도다층그래핀의합성이가능할수 있어, 종래의고온열처리시야기되는그래핀의물성저하및 기판에포함된다른소재및 소자의물리적인손상등의문제점을개선할수 있다. | ||||||
| 92 | 담즙산 또는 담즙산염으로 코팅된 그래핀 옥사이드 필름 및 그 제조방법 | KR1020140092057 | 2014-07-21 | KR1020160011059A | 2016-01-29 | 박호범; 김효원 |
| 본발명은그래핀옥사이드에담즙산또는담즙산염함유하는코팅층을형성시켜물리화학적으로안정하고기계적강도가우수한담즙산또는담즙산염으로코팅된그래핀옥사이드필름및 이를제조하는방법에관한것이다. 본발명의담즙산또는담즘산염으로코팅된그래핀옥사이드필름은기계적강도가매우높고안정한적층구조를형성하며, 환원제, 자외선, 가압기체등과같은외부자극에대해서도물리화학적으로안정하므로, 디스플레이소자, 반도체소자, 분리막, 센서, 연료전지, 태양전지, 리튬이차전지등에적용가능하다. | ||||||
| 93 | 그라핀 시드를 이용한 탄소 시트의 제조방법 및 이에 의해 제조된 탄소 시트 | KR1020140076000 | 2014-06-20 | KR1020150145639A | 2015-12-30 | 이재갑; 박예슬; 최원국 |
| 본발명은 10 nm 이하의그라핀나노분말을시드로이용하여시드크기이상인그라핀 (graphene) 시트로성장시키는방법에관한것이다. 또한본 발명에서는그라핀시트가 2 내지 20층적층된흑연시트 (graphite sheet)를제조할수 있다. 기판상에그라핀나노분말 (무질서하게분포)을준비한후, 화학증착장치에서탄화수소가스가포함된가스를이용하여 CVD 처리함에의해탄소시트 (즉, 그라핀및 흑연시트)를제조할수 있다. | ||||||
| 94 | N-도핑된 그래핀 양자 시트, 및 이의 제조 방법 | KR1020140072258 | 2014-06-13 | KR1020150143134A | 2015-12-23 | 홍병희; 문준희 |
| 본원은, 화학기상증착법에의하여촉매층상에서형성된단층그래핀에질소플라즈마를인가하는것을포함하는 N-도핑된그래핀양자시트의제조방법, 및상기제조방법으로형성되어증가된결함부위및 증가된 N-도핑양을함유하는 N-도핑된그래핀양자시트를제공한다. | ||||||
| 95 | 코어―쉘 구조의 그래핀 양자점 및 그 제조 방법 | KR1020140071181 | 2014-06-12 | KR1020150142840A | 2015-12-23 | 김범준; 백관열; 양현승; 이도창 |
| 본발명은코어-쉘구조의그래핀양자점및 그제조방법에관한것으로서, 보다구체적으로는액상의캡핑제에그래핀양자점용액을혼합하여그래핀양자점에캡핑제를코팅한후, 소정의온도에서화합물반도체용액을일정한비율로투입하면서쉘을생성한코어-쉘구조의그래핀양자점및 그제조방법에관한것이다. 본발명은 (a) 그래핀양자점의표면에코팅되어그래핀양자점을유기용매에용해시킬수 있는액상의캡핑제에그래핀양자점용액을혼합한후, 제1온도로가열하여상기그래핀양자점용액의용매를제거하고그래핀양자점을상기캡핑제로코팅하는단계; 및 (b) 추가로, 2족내지 6족원소들로구성되는화합물반도체용액을단위시간당소정의비율로투입하면서제2온도에서혼합시켜, 상기그래핀양자점의표면에상기화합물반도체로쉘을형성시키는단계를포함하는것을특징으로하는코어-쉘구조의그래핀양자점의제조방법을개시하며, 본발명에의하여, 액상의캡핑제에그래핀양자점용액을혼합하여코팅한후, 화합물반도체용액을혼합시켜쉘을생성한코어-쉘구조의그래핀양자점을제조함으로써, 높은양자효율(quantum yield)과개선된용해성(solubility)을가질수 있으며, 나아가다양한종류의쉘 및리간드를포함하여코어-쉘구조를구성할수 있는코어-쉘구조의그래핀양자점및 그제조방법을구현하는효과를갖는다. | ||||||
| 96 | 그래핀 나노구조체의 제조 방법, 그래핀 나노구조체 및 이를 포함하는 에너지 저장 장치 | KR1020140071706 | 2014-06-12 | KR1020150142540A | 2015-12-22 | 오일권; 라제쉬쿠마; 김현준 |
| 본발명에따른그래핀나노구조체제조방법은그래핀파우더를탈 이온수에분산시켜제1 용액을제조하는단계, 메탈옥사이드를탈 이온수에분산시켜제2 용액을제조하는단계, 상기제1 용액및 제2 용액을혼합하여혼합물을형성하는단계, 상기혼합물에질소원자함유수용액을첨가하는단계, 상기혼합물에산화제를첨가하는단계, 상기혼합물을여과, 세척및 건조하는단계및 상기혼합물에마이크로파를조사하는단계를포함한다. | ||||||
| 97 | 저온 기판 성장 그래핀의 제조방법 및 저온 기판 성장 그래핀 | KR1020140122157 | 2014-09-15 | KR101578359B1 | 2015-12-17 | 이윤택 |
| 본발명은, a. 기판에금속층구비그 이후, b. 500℃이하의온도에서탄소-포함가스및 에칭가스를공급하고유도결합플라즈마화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD)를수행하되, c. 상기탄소-포함가스공급에서금속의에칭가스를같이공급하여, 상기금속층상에서그래핀이성장하며, d. 상기 c 의공정에서, 계속적인유도결합플라즈마화학기상증착(Inductively Coupled Plasma-Chemical Vapor Deposition; ICP-CVD)를수행하되, 에칭가스로인하여, 금속층의금속이계속적으로전부제거되어, 금속층을포함하지않은상태로기판상에그래핀을성장시키는것; 을특징으로하는저온기판성장그래핀의제조방법을제공한다. 또한, 본발명은저온기판성장그래핀으로써, 상기저온기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 상기저온기판성장그래핀의상기표면에평행한제1의방향에있어서의결정립경은, 해당저온기판성장그래핀의해당표면에평행한다른어느하나의방향에있어서의결정립경보다크고, 상기저온기판성장그래핀의상기제1의방향에있어서의결정립경은, 해당그래핀의해당표면에수직인방향에있어서의결정립경보다큰 것; 을특징으로하는저온기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본발명은저온기판성장그래핀으로써, 해당저온기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 해당저온기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제1의방향에따른결정립계를가지며, 해당저온기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제2의방향에따른결정립계를가지며, 해당저온기판성장그래핀은, 상기결정립계에둘러싸인영역의내부에있어서단결정인것; 을특징으로하는저온기판성장그래핀을제공한다. 또한, 본발명은저온기판성장그래핀으로써, 해당저온기판성장그래핀은, 상기기판의표면에직접접하고, 해당저온기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제1의방향에따른결정립계를복수가지며, 해당저온기판성장그래핀은, 상기표면에평행한제2의방향에따른결정립계를복수가지며, 해당저온기판성장그래핀은, 상기결정립계에둘러싸인영역의내부각각에있어서단결정인것; 을특징으로하는저온기판성장그래핀을제공한다. | ||||||
| 98 | 3차원 그래핀 구조체 및 이를 이용한 전극 제조방법 | KR1020140054793 | 2014-05-08 | KR1020150128056A | 2015-11-18 | 정선호; 최성호; 이선숙; 최영민; 안기석; 김수진; 채창주; 김기웅 |
| 본발명은 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한리튬이차전지용전극에관한것으로, 보다상세하게는그래핀소재와나노금속소재를복합화하여복합나노소재를제조하고, 추가적으로복합나노소재의표면에그래핀을형성시켜 3차원그래핀구조체를제조함으로써, 그래핀간의네트워킹을형성시켜전기전도성이향상된 3차원그래핀구조체및 이의제조방법, 이를이용한전극제조방법에관한것이다. | ||||||
| 99 | 유기 용매에 녹고 크기 조절이 가능한 그래핀 양자점의 대량 제조 방법 | KR1020140052781 | 2014-04-30 | KR1020150125418A | 2015-11-09 | 이시우; 권우성 |
| 본발명은그래핀양자점의제조방법에관한것이다. 본발명에따른그래핀양자점의제조방법은그래핀양자점의크기조절이용이하고, 보다균일한크기의그래핀양자점을형성시킬수 있으며, 형성된그래핀양자점이유기용매에쉽게녹을수 있을뿐 아니라, 응집이최소화될수 있어, 보다향상된수율로양질의그래핀양자점을대량으로제조할수 있다. 그에따라, 상기그래핀양자점의제조방법은유기발광소자, 태양전지, 광촉매등과같은차세대기술의연구에보다유용하게적용될수 있다. | ||||||
| 100 | 산화철(β-FeOOH)-그래핀 복합체의 제조방법 및 이에 의해 제조되는 산화철(β-FeOOH)-그래핀 복합체 | KR1020140041033 | 2014-04-07 | KR1020150116489A | 2015-10-16 | 박성진; 이승준 |
| 본발명은그라파이트옥사이드를용매하에서박리하여그래핀옥사이드분산용액을제조하는단계(단계 1); 및상기단계 1에서제조된분산용액에철 전구체를첨가하여 50 내지 120 ℃의온도에서수열반응을수행하는단계(단계 2);를포함하는산화철(β-FeOOH)-그래핀복합체제조방법을제공한다. 본발명에따른산화철(β-FeOOH)-그래핀복합체제조방법은저온에서수열반응시켜산화철(β-FeOOH)-그래핀복합체를제조함으로써, 그래핀옥사이드표면에결합된산소를포함하는작용기를이용하여산화철(β-FeOOH) 나노입자를효과적으로그래핀옥사이드위에분산시킬수 있으며, 이에따라산화철(β-FeOOH)-그래핀복합체를대량으로수득할수 있다. 또한, 본발명의제조방법으로제조되는산화철(β-FeOOH)-그래핀복합체는연료전지용산소환원반응의촉매로응용될수 있다. | ||||||
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