1 |
具有受控改性的石墨烯纳米带 |
CN201380026113.2 |
2013-05-13 |
CN104379497B |
2017-06-06 |
R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; J·蔡; X·冯; R·伯杰 |
本发明涉及一种石墨烯纳米带,其包含含至少一种改性的重复单元,其中所述改性,其中所述改性选自杂原子替代、空位、sp3杂化、Stone‑Wales缺陷、反Stone‑Wales缺陷、六边形sp2杂化碳网络环尺寸改性及其任意组合。 |
2 |
一种利用3D溶液打印技术制备石墨烯纳米带纤维的方法 |
CN201610315885.3 |
2016-05-12 |
CN106006608A |
2016-10-12 |
姜再兴; 王明强; 董继东; 方元; 韦华伟; 谢华权; 钱岳; 宋元军; 黄玉东 |
一种利用3D溶液打印技术制备石墨烯纳米带纤维的方法,本发明涉及利用3D打印技术制备纤维的方法,本发明是要解决的现有的石墨烯纤维的加工方法工艺复杂、生产周期长的技术问题。本方法:一、由多壁碳纳米管制备石墨烯纳米带;二、把石墨烯纳米带分散在高纯去离子水中得到打印溶液,再经3D液态打印机的打印器的喷头打印到乙酸乙酯的凝固浴中,凝固后,取出烘干,得到石墨烯纳米带纤维。该方法工艺简单,精度高,形状和尺寸要更改和调节,可工业化生产,所制备的石墨烯纳米带纤维的拉伸强度达到90~100MPa,同时该纤维具有较高的柔性,可用于能源存储器件、光伏器件、传感器等领域。 |
3 |
提纯石墨烯纳米带的方法 |
CN201480047772.9 |
2014-08-25 |
CN105492385A |
2016-04-13 |
T·欣特曼; M·G·施瓦布; K·C-P·查; T·魏茨; A·沙费尔; I·B·穆勒 |
本发明涉及一种提纯石墨烯纳米带的方法,其包括:-使含有石墨烯纳米带GNR1和一种或多种污染物的组合物与含有分散剂的液体介质接触,并将石墨烯纳米带GNR1分散在液体介质中以得到石墨烯纳米带GNR1的液体分散体,-使石墨烯纳米带GNR1的液体分散体进行分离处理以至少部分地除去一种或多种污染物,从而得到经提纯的石墨烯纳米带GNR1的液体分散体。 |
4 |
石墨烯纳米带前体和适于制备其的单体 |
CN201280064363.0 |
2012-10-24 |
CN104080758B |
2016-03-02 |
M·G·施瓦布; K·米伦; 冯新良; L·杜塞尔 |
提供了包含通式(I)重复单元的石墨烯纳米带前体。其中R1,R2各自为H;卤素;-OH;-NH2;-CN;-NO2;或烃基,其具有1-40个碳原子且可为直链或支化的、饱和或不饱和的且被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2单取代或多取代,其中一个或多个CH2基团也可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或-NR-替代,其中R为任选取代的C1-C40烃基;或任选取代的芳基、烷芳基或烷氧基芳基。(I) |
5 |
获取氧化石墨烯纳米片和衍生产品的工艺及由其获得的氧化石墨烯纳米片 |
CN201210033661.5 |
2012-02-15 |
CN102642826B |
2015-07-15 |
恺撒·麦利诺·桑切斯; 伊格纳西奥·马丁·古利翁; 海伦娜·瓦雷拉·里佐; 玛丽亚·德·皮乐·麦利诺·奥玛叶拉斯 |
一种获取氧化石墨烯纳米片和衍生物以及获取氧化石墨烯纳米片的工艺,通过一个分为两个阶段的工艺过程,获取由具有包括较少石墨烯层互相堆叠围绕并沿着所述纳米丝的主轴盘绕的石墨材料连续带结构的碳纳米丝组成的中间材料的第一阶段,和一个第二阶段其中所述碳纳米丝经过高温热处理以净化所述丝并增加其结晶度。一旦这些纳米丝经过处理,在其上实施化学蚀刻包括氧化以致使所述碳纳米丝分离并开始由物理手段完成的以获得氧化石墨烯纳米片的劈开工艺。 |
6 |
具有受控改性的石墨烯纳米带 |
CN201380026113.2 |
2013-05-13 |
CN104379497A |
2015-02-25 |
R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; J·蔡; X·冯; R·伯杰 |
本发明涉及一种石墨烯纳米带,其包含含至少一种改性的重复单元,其中所述改性,其中所述改性选自杂原子替代、空位、sp3杂化、Stone-Wales缺陷、反Stone-Wales缺陷、六边形sp2杂化碳网络环尺寸改性及其任意组合。 |
7 |
用于制备石墨烯纳米带的基于溶剂的方法 |
CN201280044531.X |
2012-09-14 |
CN103796766A |
2014-05-14 |
J·M·图尔; 卢伟; B·简里约 |
本发明提供了制备功能化石墨烯纳米带的方法。这种方法包括:(1)在非质子溶剂存在下,将多个碳纳米管(CNT)暴露于碱金属源,其中所述暴露打开该碳纳米管;以及(2)将所述打开的CNT暴露于亲电体以形成功能化石墨烯纳米带(GNR)。这种方法还可包括将所述打开的CNT暴露于质子溶剂的步骤,以淬灭在所述打开的碳纳米管上的任何反应性物质。其它方法包括通过下述步骤来制备未功能化GNR:(1)在非质子溶剂存在下,将多个CNT暴露于碱金属源,以打开所述碳纳米管;以及(2)将所述打开的CNT暴露于质子溶剂以形成未功能化GNR。 |
8 |
用于制备石墨烯纳米带的邻三联苯 |
CN201580038347.8 |
2015-05-12 |
CN106660803A |
2017-05-10 |
M·G·施瓦布; K·米伦; 冯新良; T·杜姆斯拉夫; P·吕菲克斯; R·法泽尔 |
本发明涉及通式(I)的邻三联苯,其中R1、R2、R3和R4独立地选自下组:H;CN;NO2;和饱和、不饱和或芳族C1‑C40烃基,其可被F、Cl、OH、NH2、CN和/或NO2 1至5取代,且其中一个或多个‑CH2‑基团可被‑O‑、‑NH‑、‑S‑、‑C(=O)O‑、‑OC(=O)‑和/或‑C(=O)‑替代;和X与Y相同或不同,且选自下组:F、Cl、Br、I和OTf(三氟甲磺酸酯基);以及它们用于制备石墨烯纳米带的用途以及由所述邻三联苯制备石墨烯纳米带的方法。 |
9 |
分段式石墨烯纳米带 |
CN201280054201.9 |
2012-11-13 |
CN104039694B |
2016-11-02 |
R·法泽尔; P·吕菲克斯; K·米伦; S·布兰肯堡; J·蔡; 冯新良; C·皮涅多利; D·帕斯隆 |
本发明涉及一种分段式石墨烯纳米带,其包含至少两个彼此共价连接的不同石墨烯段,各石墨烯段具有单分散的段宽度,其中至少一个所述石墨烯段的段宽度为4nm或更小;还涉及其制备方法,包括聚合至少一种多环芳族单体化合物和/或至少一种低聚亚苯基芳烃单体化合物以形成至少一种聚合物,和使一种或多种聚合物至少部分环化脱氢。 |
10 |
石墨烯纳米网的制造方法和半导体装置的制造方法 |
CN201180072619.8 |
2011-07-29 |
CN103718296B |
2016-09-07 |
佐藤信太郎; 岩井大介 |
在石墨烯(11)上堆积多个粒子(12),该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子(12)的温度为规定的温度以上,使粒子(12)吸收构成石墨烯(11)的该粒子(12)下面的部分的碳。除去粒子(12)。由此得到石墨烯纳米网(10)。 |
11 |
石墨烯的涂布 |
CN201480031387.5 |
2014-05-08 |
CN105593166A |
2016-05-18 |
G·F·施内德; C·德克尔 |
本发明处于高度结晶的石墨烯和用层涂布所述石墨烯的领域。所述石墨烯可具有其它结构,例如纳米孔、纳米间隙和纳米带。经涂布的石墨烯可以用于生物分子分析和修饰,例如DNA测序,作为传感器等。本发明因此还涉及经涂布的石墨烯的用途。 |
12 |
用于制备石墨烯纳米带的聚合物前体和用于制备它们的合适低聚亚苯基单体 |
CN201380071107.9 |
2013-11-12 |
CN104936932A |
2015-09-23 |
K·米伦; X·冯; J·蔡; P·吕菲克斯; R·法泽尔; 成田明光 |
本发明涉及通式I的低聚亚苯基单体,其中R1为H、卤素、-OH、-NH2、-CN、-NO2,或者线性或支化、饱和或不饱和C1-C40烃残基,其可被卤素(F、Cl、Br、I)、-OH、-NH2、-CN和/或-NO2取代1-5倍,且其中一个或多个CH2-基团可被-O-、-S-、-C(O)O-、-O-C(O)-、-C(O)-、-NH-或–NR3-替代,其中R3为任选取代的C1-C40烃残基,或者任选取代的芳基、烷基芳基、烷氧基芳基、烷酰基或芳酰基残基;R2a和R2b为H,或者任选一对或多对相邻R2a/R2b连接形成六元碳环中的单键;m为0-3的整数;n为0或1;且X为卤素或三氟甲基磺酸盐,且Y为H;或者X为H,且Y为卤素或三氟甲基磺酸盐。本发明进一步涉及聚合物前体以及由低聚亚苯基单体和聚合物前体制备石墨烯纳米带的方法。 |
13 |
制备石墨烯纳米带的方法 |
CN201380048139.7 |
2013-09-04 |
CN104736478A |
2015-06-24 |
T·欣特曼; R·法泽尔; P·吕菲克斯; J·蔡; J·R·桑切斯瓦伦西亚 |
本发明涉及制备石墨烯纳米带的方法,所述方法包括:(a)在固体基底上提供选自如下的至少一种芳族单体化合物:至少一种多环芳族单体化合物、至少一种低聚亚苯基芳族单体化合物或其组合,(b)使芳族单体化合物聚合以在固体基底表面形成至少一种聚合物,(c)将步骤(b)的一种或多种聚合物至少部分环化脱氢,其中至少步骤(b)在以下条件下进行:至少1×10-9毫巴的总压力p(总);和满足以下关系的氧分压p(O2)和水分压p(H2O):p(O2)×p(H2O)≤3×10-14毫巴2。 |
14 |
分散方法 |
CN201280032266.3 |
2012-06-26 |
CN103748036A |
2014-04-23 |
克里斯托夫·霍华德; 尼尔·斯基珀; 米洛·塞弗; 埃米莉·米尔纳 |
本发明描述了一种用于制备分散的石墨烯的溶液的方法,所述方法包括将在a-b平面上的维度为10μm以下的石墨与包含金属和极性非质子溶剂的电子液体接触;以及可以通过这种方法获得的分散的石墨烯的溶液。 |
15 |
石墨烯纳米网的制造方法和半导体装置的制造方法 |
CN201180072619.8 |
2011-07-29 |
CN103718296A |
2014-04-09 |
佐藤信太郎; 岩井大介 |
在石墨烯(11)上堆积多个粒子(12),该粒子具有在规定的温度以上吸收碳的性质。进行加热直至粒子(12)的温度为规定的温度以上,使粒子(12)吸收构成石墨烯(11)的该粒子(12)下面的部分的碳。除去粒子(12)。由此得到石墨烯纳米网(10)。 |
16 |
石墨烯纳米带制作方法 |
CN201110360884.8 |
2011-11-15 |
CN102616768A |
2012-08-01 |
孙嘉良; 张景棠 |
本发明公开了一种石墨烯纳米带制作方法,包括(a)将纳米碳管分散至一溶液,得到一混合液,(b)将氧化剂加入该混合液,得到一反应液,(c)利用微波加热该反应液,令纳米碳管在微波过程中吸收微波能量,而让纳米碳管沿长轴方向断键,形成石墨烯纳米带,不仅制程简单容易控制,且可有效减少制程时间,快速制得石墨烯纳米带。 |
17 |
石墨烯纳米带及其制备方法和用途 |
CN201280031850.7 |
2012-04-27 |
CN103635423B |
2017-07-07 |
W·R·迪希特尔; H·阿斯兰; F·J·乌里贝-罗莫 |
本申请提供一种石墨烯纳米带(GNR)、GNR的制备方法和GNR的用途。所述方法能够控制GNR的参数,例如长度、宽度和边缘组成(例如,边缘的官能团)。所述方法基于聚苯撑乙炔聚合物的碳碳三键在金属催化下的环加成反应。所述GNR能够用于设备中,例如微电子设备中。 |
18 |
用于制备石墨烯纳米带的基于溶剂的方法 |
CN201280044531.X |
2012-09-14 |
CN103796766B |
2017-05-31 |
J·M·图尔; 卢伟; B·简里约 |
本发明提供了制备功能化石墨烯纳米带的方法。这种方法包括:(1)在非质子溶剂存在下,将多个碳纳米管(CNT)暴露于碱金属源,其中所述暴露打开该碳纳米管;以及(2)将所述打开的CNT暴露于亲电体以形成功能化石墨烯纳米带(GNR)。这种方法还可包括将所述打开的CNT暴露于质子溶剂的步骤,以淬灭在所述打开的碳纳米管上的任何反应性物质。其它方法包括通过下述步骤来制备未功能化GNR:(1)在非质子溶剂存在下,将多个CNT暴露于碱金属源,以打开所述碳纳米管;以及(2)将所述打开的CNT暴露于质子溶剂以形成未功能化GNR。 |
19 |
用碳纳米管通过接触碱金属制备的石墨烯纳米带 |
CN201080034953.X |
2010-06-11 |
CN102666378B |
2017-03-01 |
J·M·图尔; D·V·科森金 |
在多个实施方式中,本发明描述了用碳纳米管制备官能化石墨烯纳米带的方法。一般地,所述方法包括使多根碳纳米管在不存在溶剂的情况下接触碱金属源,然后加入亲电试剂,形成官能化石墨烯纳米带。在不存在溶剂的情况下使碳纳米管接触碱金属源一般在加热下进行,导致碳纳米管基本上沿平行于其纵轴的方向打开,在一个实施方式中可按螺旋方式打开。本发明的石墨烯纳米带至少在其边缘上官能化,并且基本上没有缺陷。因此,本文所述的官能化石墨烯纳米带具有非常高的导电性,其导电性与机械剥离的石墨烯相当。 |
20 |
制备石墨烯纳米带的方法 |
CN201380048139.7 |
2013-09-04 |
CN104736478B |
2016-11-16 |
T·欣特曼; R·法泽尔; P·吕菲克斯; J·蔡; J·R·桑切斯瓦伦西亚 |
本发明涉及制备石墨烯纳米带的方法,所述方法包括:(a)在固体基底上提供选自如下的至少一种芳族单体化合物:至少一种多环芳族单体化合物、至少一种低聚亚苯基芳族单体化合物或其组合,(b)使芳族单体化合物聚合以在固体基底表面形成至少一种聚合物,(c)将步骤(b)的一种或多种聚合物至少部分环化脱氢,其中至少步骤(b)在以下条件下进行:至少1×10‑9毫巴的总压力p(总);和满足以下关系的氧分压p(O2)和水分压p(H2O):p(O2)×p(H2O)≤3×10‑14毫巴2。 |