| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 101 | 用于电流测量的磁阻传感器布置 | CN200880130456.2 | 2008-07-22 | CN102099695A | 2011-06-15 | 鲁道夫·加蒂; 马库斯·阿普拉纳尔普 |
| 公开了一种用于对导体(1)中的电流进行测量的传感器单元，该传感器单元包括至少一个磁阻传感器(5、6)，其中磁阻传感器(5、6)位于距导体(1)的外表面一定的径向距离处，其中，导体(1)具有圆形横截面，并且其中，该传感器单元包括至少一个辅助线圈(7)，辅助线圈(7)用于对磁阻传感器(5、6)产生偏置磁场(Hbias)，该偏置磁场(Hbias)强到足以在整个电流测量处理期间连续地引起磁阻传感器(5、6)中的磁饱和。此外，公开了这样的传感器的用法和用于使用这样的传感器单元对导体中的电流进行测量的方法。 | ||||||
| 102 | 具有高磁能密度的宏观纳米结构永磁铁的生产工艺以及相应磁铁 | CN200980122342.8 | 2009-06-11 | CN102084443A | 2011-06-01 | A·基奥莱里奥; P·阿利亚 |
| 一种用于生产永磁铁的工艺，该工艺可以生产多层材料形式的纳米结构合金(含有体积分数小于10％的稀土基化学当量化合物)，包括含有定位于插入了软铁磁层的一系列堆叠层中的稀土的化学当量硬相。根据本发明，包括沿各自的垂直轴通过喷墨印刷系统并通过生产单元矩阵达到生产阶段的并行化来生产纳米结构元素。 | ||||||
| 103 | 用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法 | CN200980124406.8 | 2009-06-23 | CN102077377A | 2011-05-25 | 李霞; 朱晓春; 升·H·康 |
| 本发明揭示一种用以制造磁性随机存取存储器的系统及方法。明确地说，揭示一种在沉积期间对准磁膜的方法。所述方法包括在将第一磁性材料沉积到衬底上期间在所述衬底驻留于其中的区域中施加沿第一方向的第一磁场(130)。所述方法进一步包括在所述将所述第一磁性材料沉积到所述衬底上期间在所述区域中施加沿第二方向的第二磁场(132)。 | ||||||
| 104 | 磁性粒子 | CN200980122736.3 | 2009-04-16 | CN102067250A | 2011-05-18 | S·M·伍德赛德; 格雷姆·弥尔顿; J·多德 |
| 一种磁性粒子，其包含多糖基质和分散于基质中的多个磁性晶体。一种制造磁性粒子的方法，其包含组合碱性溶液与金属离子溶液，氧化金属离子以形成磁性晶体，和组合磁性晶体与多糖溶液以形成磁性粒子。 | ||||||
| 105 | 具有多个钉扎方向的双轴磁场传感器及其生产方法 | CN200980121423.6 | 2009-05-08 | CN102057487A | 2011-05-11 | B·恩格尔; P·马瑟; J·斯劳特 |
| 一种制造工艺和装置通过两个差分传感器配置(201、211)提供了高性能磁场传感器(200)，其仅需要通过单个参考层(60)形成的两个不同的钉扎轴(206、216)，该单个参考层被刻蚀为高纵横比的形状(62、63)，其长轴是按不同的取向绘制的，从而在通过适当对准的饱和场(90)对参考层进行处理并且随后移除饱和场之后，高纵横比的图案提供了迫使每个构图形状(62、63)的磁化沿其各自的所期望的轴弛豫的形状各向异性。在加热和冷却之后，铁磁膜被钉扎在不同的所期望的方向上。 | ||||||
| 106 | 一种新型的无带隙半导体材料 | CN200980113359.7 | 2009-03-12 | CN102047428A | 2011-05-04 | 王晓临 |
| 本公开文本提供了一种新型的无带隙半导体材料，该材料具有能够用电子能带结构来表征的电子特性，该电子能带结构包括针对第一电子自旋极化的价带部分VB1和导带部分CB1，以及针对第二电子自旋极化的价带部分VB2和导带部分CB2。价带部分VB1具有第一能级，并且CB1和CB2中的一个具有第二能级，该第一能级和该第二能级的位置使得在VB1与CB1和CB2中的所述一个之间进行无带隙电子跃迁是可能的，并且其中，该无带隙半导体材料被安排成使得在VB2与CB1和CB2中的另一个之间限定了带隙。 | ||||||
| 107 | 具有有多个自由层的薄叠层与厚偏磁层的磁场探测元件 | CN200810128516.9 | 2008-06-19 | CN101359714B | 2011-04-27 | 宫内大助; 町田贵彦 |
| 一种磁场探测元件包括：上磁层、下磁层和夹在上、下磁层之间的非磁中间层的叠层，上磁层和下磁层的磁化方向根据外部磁场改变；以下述方式设置的上屏蔽电极层和下屏蔽电极层：它们在所述叠层的堆叠方向上将所述叠层夹在其间，上屏蔽电极层和下屏蔽电极层提供堆叠方向上的传感电流并磁性屏蔽所述叠层；设置在所述叠层表面上的偏磁层，所述表面与所述叠层的气浮表面相反，偏磁层在垂直气浮表面的方向施加偏磁场到所述上、下磁层；和设置在所述叠层的关于其磁道宽度方向的两侧上都设置的绝缘膜。该偏磁层具有大于所述叠层的厚度，且所述上屏蔽电极层和/或所述下屏蔽电极层包括填充阶形部分，该阶形部分由所述叠层和所述偏磁层形成。 | ||||||
| 108 | 磁性材料的干法刻蚀方法 | CN200810110008.8 | 2004-07-23 | CN101624701B | 2011-04-20 | 小平吉三; 广见太一 |
| 本发明提出一种在使用由非有机材料构成的掩膜材料刻蚀磁性材料的情况下，不需要后腐蚀处理和对刻蚀装置的抗腐蚀性对策，减少使磁特性劣化的刻蚀损伤的方法。一种干法刻蚀方法，作为刻蚀气体，使用至少具有一个以上羟基的醇，形成该刻蚀气体的等离子体，使用由非有机系材料构成的掩膜材料干法刻蚀磁性材料。在使用具有一个羟基的醇作为刻蚀气体的情况下，该刻蚀气体是从由甲醇(CH3OH)、乙醇(C2H5OH)、丙醇(C3H7OH)构成的组中选择的醇。 | ||||||
| 109 | 表面改性的超顺磁氧化物颗粒 | CN200980115181.X | 2009-03-30 | CN102017024A | 2011-04-13 | J·迈尔; M·普里德尔; G·齐默尔曼; M·克勒尔; S·卡图希奇 |
| 本发明涉及表面改性的超顺磁氧化物颗粒，其特征为具有下列物理化学特性：BET表面积为20-75m2/g，碳含量为0.5-6.0重量％，夯实密度为150-500g/L，氯含量为50-1000ppm，干燥损失为0.1-4.0重量％。所述表面改性的超顺磁氧化物颗粒是通过喷雾或蒸气沉积将氧化物与表面改性剂接触且然后将其热处理而制备。所述表面改性的氧化物颗粒可用作黏合剂中的填料。另外的应用领域为用于数据载体、用作成像方法的造影剂、用于生化分离和分析方法、用于医药应用、用作研磨剂、用作催化剂或用作催化剂载体、用作增稠剂、用于隔热、用作分散助剂、用作流动助剂及用于铁磁流体。 | ||||||
| 110 | 热辅助磁写入元件 | CN200980116561.5 | 2009-04-27 | CN102017005A | 2011-04-13 | 贝纳德·迪耶尼 |
| 用于通过磁场或热辅助自旋转移进行写入的该磁元件包括包含有如下部件的堆：自由磁层，也称为存储层或可翻转磁化层(51)，其磁化方向可以在两个非写入稳定状态之间翻转，这两个状态均指向平面外并且基本上垂直于所述层的平面，并且其磁化在写入期间的温度上升的作用下从基本上垂直于平面自发地重新取向为基本上在平面内；至少一个参考磁化层(50、55)，也称为钉扎层，其磁化被取向为基本上垂直于所述层的平面；非磁隔层(52)，插入在两个层之间；用于使电流垂直于所述层的平面流动的部件。 | ||||||
| 111 | 磁性材料和量子点的包覆复合物 | CN200580032412.2 | 2005-09-23 | CN101103419B | 2011-03-09 | 应仪如; 苏布拉马尼亚姆·塞尔万; 李东旗; 李秀星 |
| 提供了复合物和与之相关方法。所述复合物结构(10)由量子点(12)和磁性纳米颗粒(14)形成。例如可以使用非有机壳来包覆所述结构，该非有机壳例如是二氧化硅。在某些情况下，可以将所述壳官能化或衍生化以包含可以改变或改善性质的化合物、原子或者材料，所述性质例如是水溶性、水稳定性、光稳定性和生物相容性。反相微乳工艺可用来形成包覆复合物。可以控制复合物的成分和其他特征，以提供期望的磁性性质和光学性质。所述结构可用于包括生物学示踪、核磁共振成像(MRI)和药物寻靶等在内的多种应用。 | ||||||
| 112 | 同性磁球作三维靶向 | CN200980107140.6 | 2009-02-08 | CN101983172A | 2011-03-02 | 李欢成; 王晓光 |
| 纳米到微米同性磁球可以被一块磁铁推动，同性磁球是通过外面的磁场将球内的小磁铁不断扭转方向然后固定而合成的。同性磁球及其它的可被磁场推动的小球使三维靶向成为可能，并治愈癌症。 | ||||||
| 113 | 磁阻效应元件制造方法和用于制造磁阻效应元件的多腔设备 | CN200780034078.3 | 2007-09-12 | CN101517768B | 2010-12-22 | 池本学; 长田智明; 横川直明 |
| 一种磁阻效应元件制造方法，包括：制备包括磁膜和基板的磁阻效应元件的第一步骤；通过反应离子蚀刻方法蚀刻磁膜的预定区域的第二步骤；以及将已经历第二步骤的磁膜暴露于离子电流密度为4×10-7A/cm2或更小的等离子体的第三步骤。 | ||||||
| 114 | 具有堆叠内纵向偏置层结构的三端子磁传感器 | CN200510022949.2 | 2005-12-19 | CN1815753B | 2010-12-08 | 杰弗里·R·奇尔德雷斯; 小罗伯特·E·方塔纳; 杰弗里·S·利勒 |
| 本发明提供一种适合在磁头中使用的三端子磁传感器(TTM)，其具有基极区域、集电极区域和发射极区域。第一势垒层位于发射极区域与基极区域之间，第二势垒层位于集电极区域与基极区域之间。该TTM的气垫面(ABS)感测平面沿基极区域、集电极区域、以及发射极区域的侧面确定。基极区域包括自由层结构、被钉扎层结构、形成在自由层结构与被钉扎层结构之间的第一非磁间隔层、磁偏置自由层结构的堆叠内纵向偏置层结构、以及形成在自由层结构与堆叠内纵向偏置层结构之间的第二非磁间隔层。在该TTM的一个变型中，基极区域的层被颠倒。该TTM可包括自旋阀晶体管(SVT)、磁隧道晶体管(MTT)、或双结结构。 | ||||||
| 115 | 磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法 | CN200810086892.6 | 2008-03-20 | CN101271958B | 2010-12-08 | 指宿隆弘; 佐藤雅重; 梅原慎二郎 |
| 本发明提供一种磁阻效应器件、磁层叠结构体及磁层叠结构体的制造方法。其中，由NiFeN制成的底层(2)设置于衬底的主表面之上。由包含Ir和Mn的反铁磁材料制成的钉扎层(3)设置于底层上。由铁磁材料制成的基准层(4c)设置于钉扎层之上，其中该铁磁材料的磁化方向通过直接或经由另一铁磁材料层与钉扎层交换耦合而固定。由非磁性材料制成的非磁性层(7)设置于基准层之上。由铁磁材料制成的自由层(8)设置于非磁性层之上，其中该铁磁材料的磁化方向根据外部磁场而改变。本发明能够防止器件性能因钉扎层的表面光滑度恶化而退化。 | ||||||
| 116 | 基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法 | CN200980000400.X | 2009-03-02 | CN101903559A | 2010-12-01 | 细谷裕之; 恒川孝二; 永峰佳纪 |
| 本发明提供基板处理装置、磁性设备的制造装置及制造方法。该基板处理装置能够根据形成的膜的材质来切换是否对基板施加磁场，从而能够在同一个室内形成磁性层和非磁性层这两者。溅射装置(100)包括：基板保持架(102)，支承基板(W)；磁铁保持架(106)，配置在基板保持架的周围；磁铁(104)，可移动地载置在磁铁保持架上；支承构件(103)，面向磁铁地突出设置在基板保持架上；连结构件(105)，面向基板保持架地突出设置在磁铁上；旋转机构(121)，使基板保持架或磁铁保持架中的至少一个转动；连结切换机构(122)，在通过旋转机构的转动而使支承构件与连结构件的位置对齐时，使基板保持架上下运动而将支承构件与连结构件结合或脱离，切换是否对基板(W)施加磁场。 | ||||||
| 117 | 自旋晶体管及其操作方法 | CN200880115280.3 | 2008-11-04 | CN101855727A | 2010-10-06 | 洪起夏; 李晟熏; 金钟燮; 申在光 |
| 本发明公开了自旋晶体管及操作该自旋晶体管的方法。所公开的自旋晶体管包括：沟道，由磁性材料形成且使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过；源极，由磁性材料形成；漏极；以及栅极电极。当预定电压施加到栅极电极时，沟道使具有特定方向的自旋极化电子选择性地通过，从而自旋晶体管被选择性地开启。 | ||||||
| 118 | 一种复合磁性材料及其制备方法 | CN200910106263.X | 2009-03-31 | CN101853723A | 2010-10-06 | 宫清; 杜鑫; 程晓峰 |
| 本发明提供了一种复合磁性材料及其制备方法，该复合磁性材料含有钕铁硼合金和纳米铁基软磁合金，其中，所述纳米铁基软磁合金具有以下通式：Fe100-x-y-zAxRaSiyBz，式中A是选自Cu、Au中至少一种元素，R是选自Ti、Zr、Hf、Mo、Nb、Ta、W、V中至少一种元素，x、y、z和a分别满足0≤x≤3、0≤a≤10、0≤y≤20、2≤z≤25，其中x、y、z和a为原子百分数。所述的钕铁硼合金具有一下通式：NdaRbFe100-a-b-c-dMcBd，其中，a、b、c和d为原子百分数，10≤a≤20，0≤b≤8，0≤c≤6，5≤d≤7，R为Pr、Dy和Tb中的一种或几种，M为Nb、Co、Ga、Zr、Al、Cu和Ti中的一种或几种。 | ||||||
| 119 | 磁性隧道结传感器方法 | CN200680027876.9 | 2006-06-28 | CN101233421B | 2010-10-06 | 郑永雪; 罗伯特·W·拜尔德 |
| 提供用于感测物理参数的方法和装置。装置(30)包括磁性隧道结(MTJ)(32)以及其磁场(35)覆盖MTJ并且其与MTJ的接近度响应到传感器的输入而变化的磁场源(34)。MTJ包括由配置成允许其间显著隧穿传导的电介质(37)相隔的第一和第二磁性电极(36，38)。第一磁性电极具有被钉扎的自旋轴并且第二磁性电极具有自由的自旋轴。定位磁场源距离第二磁性电极比距离第一磁性电极更近。总体传感器动态范围通过提供接收相同输入但是具有不同的各自响应曲线并且期望地但不是必需地形成于相同衬底上的多个电连接传感器而扩展。 | ||||||
| 120 | 磁电阻效应元件及其制造方法 | CN200510098765.4 | 2005-09-07 | CN1755963B | 2010-09-29 | 大卫·D.贾亚普拉维拉; 恒川孝二; 长井基将; 前原大树; 山形伸二; 渡边直树; 汤浅新治 |
| 本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。 | ||||||
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