| 序号 | 专利名 | 申请号 | 申请日 | 公开（公告）号 | 公开（公告）日 | 发明人 |
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| 181 | 铁磁性材料 | CN200480004979.4 | 2004-02-06 | CN100430335C | 2008-11-05 | P·夏尔马; K·V·拉奥; B·约翰松; R·阿胡贾 |
| 制造掺杂低铁磁性半导体材料的方法，该方法通过向块状形式的氧化锌中掺杂锰且其浓度的最大水平为5原子%。优选在最高650℃的温度下对该材料进行烧结。该方法的结果是包含Mn掺杂ZnO的半导体材料，且Mn的浓度不超过5at%，其中所述的Mn掺杂ZnO在约218K至425K温度范围的至少一部分是铁磁性的。 | ||||||
| 182 | 用于高增益磁共振成像的方法和设备 | CN200680038924.4 | 2006-10-17 | CN101292175A | 2008-10-22 | 拉朱·R·维斯瓦内森 |
| 一种用于磁共振成像方法和设备，其具有拥有高信噪比(SNR)的专用成像线圈。成像线圈和/或射频接收线圈包括诸如碳纳米管的弹道电导体，该弹道电导体的电阻不会随着长度而显著增加。因为其增强的SNR特性，对于相同的成像质量而言，可以构造具有更小静磁场强度的系统设计，因而导致系统尺寸和成本的实质减少，也增强了现有MRI系统的成像。 | ||||||
| 183 | 具有在被钉扎层中含半金属铁磁性哈斯勒合金的交换耦合结构的磁电阻器件 | CN200410004934.9 | 2004-02-13 | CN100423313C | 2008-10-01 | 马修·J.·凯里; 杰弗里·R.·柴尔德莱斯; 斯蒂芬·马特 |
| 一种具有通过非磁性间隔层分隔的被钉扎铁磁层和自由铁磁层的磁电阻器件，该器件具有使用接近100%自旋极化的半金属铁磁性哈斯勒合金作为被钉扎铁磁层的交换耦合反铁磁性/铁磁性结构。交换耦合结构包括AF层和被钉扎半金属铁磁性哈斯勒合金层之间的中间铁磁层，这导致交换偏置。可以结合交换耦合结构的磁电阻器件包括电流在平面内的(CIP)读磁头和电流垂直于平面的(CPP)磁性隧道结和读磁头。交换耦合结构在磁电阻器件中可以位于非磁性间隔层的下部或上部。 | ||||||
| 184 | 使用抑制噪声产生的软磁层的垂直磁记录介质及利用其的垂直磁记录装置 | CN200580009137.2 | 2005-03-24 | CN100414610C | 2008-08-27 | 中村太; 田中勉; 青柳由果; 清水谦治; 酒井浩志; 坂胁彰 |
| 本发明的磁记录介质具有基底、垂直磁记录层、以及在所述基底与所述垂直磁记录层之间形成的软磁层，所述软磁层具有小于100nm的厚度、在表面方向上的磁各向异性，以及不小于79T·A/m(10kG·Oe)的饱和磁通密度Bs和矫顽力Hc的乘积Bs·Hc。通过使软磁层的厚度在上述范围内，可稳定在表面方向上的磁各向异性。通过使Bs·Hc在上述范围内，可充分增加静磁能量。因此，可抑制在软磁层中磁壁的产生，可抑制由软磁层产生的噪声，并实现高密度记录。 | ||||||
| 185 | 具有覆盖的结合引线和屏蔽件的磁致电阻传感器 | CN200710199850.9 | 2007-12-14 | CN101246691A | 2008-08-20 | 何国山; 李显邦; 戴维·J·西格尔; 曾庆骅 |
| 本发明涉及一种具有覆盖的结合引线和屏蔽件的磁致电阻传感器以及改进的用于硬盘驱动器的包括引线覆盖读出头的磁头，其中，减小了读取宽度和读取间隙。通过在制作所覆盖的电引线之前制作薄读取宽度绝缘构件降低了对应于所覆盖的电引线的内端之间的距离的读取宽度。通过由诸如NiFe的导电的磁材料制作覆盖电引线减小了读取间隙，由此还能够使所述覆盖电引线起到磁屏蔽件作用。因此，与现有技术相比减小了作为第一和第二磁屏蔽件之间的距离的读取间隙，减小的幅度为电引线的厚度和形成于所述电引线和第二磁屏蔽件之间的现有技术第二绝缘层的厚度。 | ||||||
| 186 | 磁盘装置 | CN200380105032.8 | 2003-11-28 | CN100412950C | 2008-08-20 | 青野暁史 |
| 本发明提供具有高灵敏度的重放磁头的磁盘装置。作为重放磁头的磁阻效应元件，使用由反强磁性层、强磁性层、非磁性层、自由磁性层构成的旋转阀型的多层膜。在反强磁性层与强磁性层之间设置反强磁性反应层。反强磁性层用含氧的金属化合物形成。 | ||||||
| 187 | 金属磁性粒子聚集体及其制造方法 | CN200410058812.8 | 2004-07-30 | CN100411070C | 2008-08-13 | 佐藤王高 |
| 本发明涉及获得FePt纳米粒子的粒子彼此不接合并有设定间隔而均匀分散状态的粒子聚集体。该金属磁性粒子的聚集体是由主成分及其组成用下述式表示、余部由不可避免的杂质组成的金属磁性料子构成，[TxM1-x]YZ1-Y[式中，T表示Fe或Co的1种或2种，M表示Pt或Pd的1种或2种，Z表示选自Ag、Cu、Bi、Sb、Pb与Sn组成的组中的至少1种，X表示0.3～0.7，Y表示0.7～1.0]，面心正方晶的比例在10～100%的范围，粒径的平均值是30nm以下，且各粒子处于彼此有间隔而分散的状态。 | ||||||
| 188 | 电能存储装置 | CN200710165609.4 | 2007-10-23 | CN101227104A | 2008-07-23 | 赖锜; 汤姆·艾伦·阿甘 |
| 一种用以储存电能的装置，此种装置具有一第一磁性单元，一第二磁性单元以及一介电区，其中的第一磁性单元具有一第一磁性区以及一第二磁性区，第二磁性单元具有一第三磁性区以及一第四磁性区。介电区被配置于第一磁性单元及第二磁性单元之间，并且被利用来储存电能，而第一磁性区、第二磁性区、第三磁性区以及第四磁性区的双极则是被利用来防止电能泄漏。 | ||||||
| 189 | 电能储存装置及方法 | CN200710151597.X | 2007-09-28 | CN101227103A | 2008-07-23 | 赖锜; 汤姆·艾伦·阿甘 |
| 一种用以储存电能的装置，此种装置具有一第一磁性区，一第二磁性区以及配置于第一磁性区及第二磁性区之间的一介电区。其中本装置，是利用介电区来储存电能以及利用第一磁性区和第二磁性区的双极来防止电能的泄漏。 | ||||||
| 190 | 磁电阻元件 | CN200710199179.8 | 2002-11-08 | CN101222017A | 2008-07-16 | 長坂惠一; 濑山喜彦; 菅原贵彦; 清水豊; 田中厚志 |
| 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。 | ||||||
| 191 | 薄膜磁传感器 | CN01803264.8 | 2001-10-25 | CN100403048C | 2008-07-16 | 小林伸圣; 矢野健; 大沼繁弘; 白川究; 增本健 |
| 本发明提供结构简单、具有高的检测灵敏度而且减少因温度变化等引起测量误差的薄膜磁传感器。在本发明的薄膜磁传感器中，将巨磁阻薄膜两侧配置软磁性薄膜并设置电气端子的元件5、以及巨磁阻薄膜两侧配置导体膜并设置电气端子的元件10作为电桥电路的2个桥臂。元件10的电阻值对于磁场的灵敏度在小磁场中实质上为零，而对磁场以外的原因引起的电阻值变化与元件5相等。由于电桥电路的输出正比于元件5与元件10的电阻值之差，因此从电桥电路的输出使磁场以外的变化因素抵消，所以能够正确测量磁场的值。 | ||||||
| 192 | 磁电阻元件 | CN02149946.2 | 2002-11-08 | CN100394628C | 2008-06-11 | 長坂惠一; 濑山喜彦; 菅原贵彦; 清水豊; 田中厚志 |
| 一种磁电阻元件，其通过在磁电阻效应膜的厚度方向上给出读出电流而检测磁电阻的改变量，该磁电阻效应膜至少包括一个底层、一个自由层、一个非磁性层、一个被固定层、一个固定层和一个保护层，该磁电阻元件包括粒状结构层，该粒状结构层包括导电颗粒和薄膜形式的绝缘基质材料，该绝缘基质材料包含处于分散状态的所述导电颗粒并且其厚度小于所述导电颗粒的颗粒直径，该粒状结构层邻接于所述自由层和所述被固定层中的任何一个层。 | ||||||
| 193 | 薄膜磁头 | CN200710169296.X | 2007-11-08 | CN101178904A | 2008-05-14 | 遁所淳; 高桥隆久 |
| 本发明提供一种薄膜磁头，具备：在基板上由反铁磁性层、固定磁性层、绝缘势垒层以及自由磁性层层叠构成的元件部；和对该元件部的与记录介质对置一侧的端面进行保护的保护层；绝缘势垒层由AlOx膜或MgO膜形成，在该绝缘势垒层露出的所述元件部的端面与所述保护层之间设置有密接层，该密接层至少在与所述绝缘势垒层的界面中存在氮。由此，可抑制来自由AlOx膜或MgO膜形成的绝缘势垒层的漏电流，获得噪声特性良好的薄膜磁头。 | ||||||
| 194 | 磁铁粉末与各向同性粘结磁铁 | CN200410090561.1 | 2000-06-10 | CN100385575C | 2008-04-30 | 新井圣; 加藤洋 |
| 一种磁通密度高，充磁性优良，可靠性、耐热性、耐蚀性高的磁铁。它由Rx(Fe1-yCoy)100-x-z-wBzSiw(R是至少一种稀土类元素；x：8.1—94原子%；y：0-0.30；z：4.6—6.8原子%；w：0.2—3原子%)表示的合金组成，由具有软磁相和硬磁相的复合组织构成，与结合树脂混合成形作成各向同性粘结磁铁时，表示室温下磁特性的J-H图去磁曲线中，与通过J-H图中的原点、且斜率(J/H)为-3.8×10-6亨利/m的直线的交点作为出发点测定时的不可逆磁化系数为5.0×10-7亨利/m或以下，室温下的固有矫顽力为406—717kA/m。 | ||||||
| 195 | 磁阻元件和磁存储器 | CN200710141632.X | 2007-08-17 | CN101162756A | 2008-04-16 | 北川英二; 永濑俊彦; 吉川将寿; 西山胜哉; 岸达也; 与田博明 |
| 本发明涉及磁阻元件和磁存储器。一种磁阻元件(10)包括：包含磁性材料并具有(001)面取向的fct晶体结构的自由层(12)，该自由层(12)具有与膜面垂直并具有可通过自旋极化电子改变的方向的磁化；夹住自由层(12)并具有四方晶体结构和立方晶体结构中的一个的第一非磁性层(13)和第二非磁性层(14)；和仅被设置在自由层(12)的一侧和第一非磁性层(13)的与具有自由层(12)的表面相对的表面上并包含磁性材料的固定层(11)，该固定层(11)具有与膜面垂直并具有固定方向的磁化。 | ||||||
| 196 | 磁晶体管结构 | CN200710135771.1 | 2007-08-16 | CN101159286A | 2008-04-09 | 赖锜; 汤姆·艾伦·阿甘 |
| 本发明公开了一种磁晶体管，包括一第一扇区、一第二扇区、一导电区、一第一金属端点以及一第二金属端点。导电区位于第一扇区与第二扇区之间，且与第一扇区及第二扇区直接接触。第一金属端点位于第一扇区相对于导电区的表面的一端上。第二金属端点位于第二扇区相对于导电区的一表面的一端上，且第二金属端点与第一金属端点大约呈对角关系。启动磁晶体管时，一电流经由导电区而流过第一扇区与第二扇区。 | ||||||
| 197 | 磁阻效应元件、磁头和磁存储装置 | CN200310122542.8 | 1998-04-03 | CN100380448C | 2008-04-09 | 福家广见; 齐藤和浩; 中村新一; 岩崎仁志; 佐桥政司 |
| 本发明提供一种磁阻效应元件，其特征在于，包括：交换耦合膜，具有面内取向，由强磁性膜和反强磁性膜交换耦合而构成；和用以将电流对上述交换耦合膜通电的电极；其中，上述反强磁性膜以一般式：RXMn100-X表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X满足2≤X≤80，或者以一般式：(RX’Mn1-X’)100-YFeY表示，式中，R是选自Ir、Rh、Pt、Au、Ag、Co、Pd、Ni、Cr、Ge、Ru、Re和Cu中的至少一种，X’满足0.02≤X’≤0.80，Y满足0＜Y＜30。 | ||||||
| 198 | 磁阻效应元件、磁存储器、磁头及记录再生装置 | CN200710180640.5 | 2007-09-28 | CN101154710A | 2008-04-02 | 藤庆彦; 福泽英明; 汤浅裕美 |
| 本发明提供可以谋求MR变化率提高的磁阻效应元件、磁存储器、磁头及磁记录再生装置。磁阻效应元件具有：磁化方向实质上被固定成一个方向的第1磁性层、磁化方向随外部磁场变化的第2磁性层和设置在所述第1磁性层和所述第2磁性层之间的间隔层，所述第1磁性层和所述第2磁性层的至少任一层含有式M1aM2bXc(5≤a≤68、10≤b≤73、22≤c≤85)所表示的磁性化合物，M1是选自Co、Fe、Ni的至少一种元素，M2是选自Ti、V、Cr、Mn的至少一种元素，X是选自N、O、C的至少一种元素。 | ||||||
| 199 | 磁阻效应器件以及使用它的磁性随机存取存储器 | CN200710152885.7 | 2007-09-21 | CN101154707A | 2008-04-02 | 吉川将寿; 甲斐正; 永濑俊彦; 北川英二; 岸达也; 与田博明 |
| 一种磁阻效应元件(1)，包括具有基本上固定磁化方向的磁化固定层(3)。磁化可变层(2)具有可变磁化方向，由具有BCC结构并且由Fe1－x－yCoxNiy(0≤x+y≤1，0≤x≤1，0≤y≤1)表示的磁性合金组成，并且包含0＜a≤20at％(a是含量)范围内的V，Cr和Mn中至少一种添加元素。中间层(4)置于磁化固定层(3)和磁化可变层(2)之间并且由非磁性材料组成。由经过磁化固定层(3)、中间层(4)和磁化可变层(2)的双向电流翻转磁化可变层(2)的磁化方向。 | ||||||
| 200 | 磁致电阻效应元件,磁头,磁记录/音响装置和磁存储器 | CN200710142716.5 | 2007-08-16 | CN101154706A | 2008-04-02 | 福家广见; 桥本进; 高岸雅幸; 岩崎仁志 |
| 一种磁致电阻效应元件包括：其磁化是基本上固定在一个方向上的第一磁化层；其磁化是依外部磁场旋转的第二磁化层；包含绝缘部分和磁性金属部分并被配置于所述第一磁化层和第二磁化层之间的中间层；和一对使电流沿着垂直于由所述第一磁化层、所述中间层和所述第二磁化层构成的多层薄膜的薄膜表面的方向流过的电极；其中所述中间层的所述磁性金属部分包含非铁磁金属。 | ||||||
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